1

Diodo
El diodo de unión pn es un componente
compuesto de materiales tipo p y n.
p de positivo por deficiencia de electrones,
los electrones tienen carga negativa. Y
material tipo n (negativo) por exceso de
electrones. Al proceso de incrementar o
disminuir los electrones de una material es
llamado dopamiento.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos
de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos
electrodos rodeados de vacío en un tubo
de cristal, con un aspecto similar al de las
lámparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose
Fleming, empleado de la empresa Marconi,
basándose en observaciones realizadas
por Thomas Alva Edison.

Fig1
El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situación ideal, se
comporta como un interruptor común con la condición especial de que solo puede
conducir en una dirección. Tiene un estado encendido, el que en teoría parece ser
simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el
que sus características terminales son similares a las de un circuito abierto.
Cuando el voltaje tiene valores positivos de VD (VD > 0 V) el diodo se encuentra
en el estado de circuito cerrado (R= 0 Ω) y la corriente que circula a través de este
esta limitada por la red en la que este instalado el dispositivo. Para la polaridad
opuesta (VD < 0 V), el diodo se encuentra en el estado de circuito abierto (R= ∞ Ω)
e ID = 0 mA. La siguiente figura nos muestra los dos estados del diodo y su
símbolo con el que se representa.

El diodo ideal presenta la propiedad de ser unidireccional, esto es, si se aplica un

voltaje con polaridad determinada, el diodo permite el flujo de corriente con
resistencia despreciable y con un voltaje de polaridad opuesta no permitirá el paso
de corriente.

2
En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales
semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material
semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas
negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la
diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas
Las características reales del dispositivo no son ideales, y la grafica nos muestra
como se comporta el diodo con el tipo y cantidad de voltaje suministrado al mismo

Fig. 2

Existen diferentes tipos de diodos y funcionamiento, por ejemplo:

Diodo Zener: Al diodo Zener, también llamado diodo regulador de tensión,

podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la
característica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en
sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a
un determinado valor, presenta una tensión de valor constante. Este fenómeno de
tensión constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en
dispositivos excepcionalmente útiles para obtener una tensión relativamente
invisible a las variaciones de la tensión de alimentación, es decir, como
dispositivos reguladores de tensión.

Fig. 3

3
Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, también llamado diodo de capacidad
variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya característica principal es la
de obtener una capacidad que depende de la tensión inversa a él aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y los de
receptores de radio en FM.

Fig4

Diodo Túnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rápidamente al observar su curva característica. En lo que respecta a la corriente
en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de
paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete. La intensidad de la
corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensión hasta llegar
a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de
intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del
valor de la tensión.

Fig5

Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la

incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se
comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior
generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad.
La función de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la información
grabada en el surco hipotético del CD transformando la luz del haz láser reflejada
en el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener
como resultado el audio o los datos grabados en el CD.

4
 Fig6

Diodo Emisor de Luz (LED): La conversión de energía de un fotodiodo se invierte

en los diodos emisores de luz o LED por sus siglas en ingles "Light-emitting
diodes" que se emplean por lo general en pantallas de visualización de algunos
aparatos.
En el proceso de electroluminiscencia, se emite una luz radiante a una intensidad
que depende de la corriente que circula por el dispositivo, en la siguiente figura se
muestra esa relación o dependencia de la corriente con la intensidad luminosa.

Fig. 8

Fig. 7

FUNCIONES DE LOS DIODOS

A. Como rectificadores: Este es el empleo más corriente y al que ya hemos
explicado.
B. Como protector: Un circuito en donde convenga que la corriente circule
solamente en un sentido determinado, y nunca en sentido contrario, puede ser
protegido por la presencia de un diodo.
C. Descarga: Puesto en derivación en un circuito dotado de una fuente de
autoinducción

El circuito más típico del diodo es el rectificado (para convertir de CA a CD).

TIPOS DE DIODOS, APLICOCIONES Y CARACTERISTICAS

DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR.

5
Los más antiguos son los de germanio con punta de tungsteno o de oro. Por el
tipo de unión que tiene posee una capacidad muy baja, así como una resistencia
interna en conducción que produce una tensión máxima de 0,2 a 0,3v.
El diodo Schottky es un tipo de diodo cuya construcción se basa en la unión metal
conductor con algunas diferencias respecto del anterior.
El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro, de plástico o de vidrio. De
configuración axial. Sobre el cuerpo se marca el cátodo, mediante un anillo
serigrafiado.
DIODOS RECTIFICADORES.
Su construcción está basada en la unión PN siendo su principal aplicación como
rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas
temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su resistencia muy baja y la
corriente en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se pueden construir
diodos de pequeñas dimensiones para potencias relativamente grandes,
desbancando así a los diodos termoiónicos desde hace tiempo.
Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentación
como en televisión, aparatos de rayos X y microscopios electrónicos, donde deben
rectificar tensiones altísimas.
En fuentes de alimentación se utilizan los diodos formando configuración en
puente (con cuatro diodos en sistemas monofásicos), o utilizando los puentes
integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso
de diseño de una placa de circuito impreso.
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que
tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima
de este valor el encapsulado es metálico y en potencias más elevadas es
necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un
radiador y así ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas
corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.

Conclusión
En conclusión el diodo es un componente electrónico semiconductor hecho de
silicio o germanio cuya principal función es la de rectificar la señal de voltaje, y otra
función es de usarlo como protector para evitar descargas y cortos.
Los diodos son muy importantes en la electrónica ya que está presente en todos
los aparatos que nos rodean y no es tan difícil entender su funcionamiento.
Su forma está bien diseñada pues es pequeño y no ocupa mucho espacio, eso es
una ventaja para cuando se ensambla en una placa impresa. También es bueno
que haya diferentes tipos de diodo y no se quede solo en un diseño y
funcionamiento y puede usarse de diferentes maneras y aplicaciones.

6
Referencias
http://www.todoexpertos.com/categorias/ciencias-e-ingenieria/ingenieria-
electronica/respuestas/541165/principio-de-funcionamiento-de-un-diodo
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos.shtml
http://es.scribd.com/doc/2514339/FUNCIONES-DE-LOS-DIODOS
http://enciclopedia.us.es/wiki.phtml?title=Diodo
http://es.wikibooks.org/wiki/Funcionamiento_del_diodo_rectificador
http://books.google.com.mx/books?id=wpRRNiq5V1EC&printsec=frontcover&dq=e
lectronica+teoria+de+circuitos+boylestad&hl=es&sa=X&ei=nGatT5jgOYym8QT3gc
n9DA&ved=0CDAQ6AEwAA#v=onepage&q=electronica%20teoria%20de%20circu
itos%20boylestad&f=false
http://www.monografias.com/trabajos16/el-diodo/el-diodo.shtml
http://html.rincondelvago.com/diodos_5.html

7
Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»).
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares, BJT, (NPN y PNP),
llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes,
entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conducción o no conducción, respectivamente.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barra de material
p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión
llamada puerta (g-gate) en el collar.

Fig. 9

8
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente
con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Fig. 10

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de

tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.

Su representación en físico es la siguiente

Fig. 11

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Fig. 12

Símbolos gráficos para un FET de canal P

9
 Fig. 13

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rdson), y
distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se
comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

Fig. 14

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
(buffer) alta y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo
Amplificador de RF Bajo ruido
para comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV, equipos
Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia señales
Amplificador Baja capacidad de Instrumentos de medición,

10
cascodo entrada equipos de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
voltaje
tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia
Oscilador
frecuencia patrón, receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias

Conclusión
En conclusión los Transistores de Efecto de campo son dispositivos muy utilizados
en la electrónica gracias a su funcionamiento, ya que puede estar tanto en
receptores de FM como en amplificadores de cualquier tipo. El FET se puede
comparar con una resistencia o como un interruptor que solo conduce cuando se
energiza la puerta y se puede usar como tal.

11
Referencias

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php

12
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Utiliza un campo eléctrico para crear
una canal de conducción. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro
terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el
sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y
por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales

El MOSFET posee cuatro electrodos llamados “fuente” “compuerta” “drenaje” y

“sustrato”. La compuerta está aislada galvánicamente del canal. Por esta causa, la
corriente de compuerta es extremadamente pequeña, tanto cuando la tensión de
compuerta es positiva como cuando es negativa.

Los MOSFET se dividen en tipo decremental, deplexión o de empobrecimiento y

tipo incremental, de acumulación o de enriquecimiento.

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

En la figura se muestra un MOSFET de tipo decremental de canal-n, una placa
de material tipo p está formada a partir de una base de silicio y se le conoce como
sustrato, que es la base sobre la que se construye el dispositivo. Muchos
dispositivos discretos ofrecen una terminal adicional etiquetada SS, dando por
resultado un dispositivo de cuatro terminales, como el de la figura. Las terminales
de fuente y compuerta están conectadas por medio de contactos metálicos a las
regiones dopadas-n unidas por un canal-n. La compuerta se encuentra conectada
también a una superficie de contacto metálico, pero permanece aislada del canal-n
por medio de una capa muy delgada de dióxido de silicio (SiO2)

13
 Fig. 15

Fig. 16

Símbolo

Fig. 17

14
Curva de polarización

Fig. 18

En la siguiente figura, VGS tiene un voltaje negativo tal como -1V. el potencial
negativo en la entrada tenderá a presionar a los electrones hacia el substrato de
tipo p y atrae huecos del sustrato de tipo p. dependiendo de la magnitud de la
polarización negativa que aplica VGS, sucederá un nivel de recombinación entre los
electrones y los huecos que reducirá el numero de electrones libres disponibles
para la conducción en el canal-n. Mientras mas negativa sea la polarización, más
alta será la tasa de recombinación. El nivel resultante de corriente de drenaje es,
por lo tanto, reducida con la polarización negativa creciente de V GS como se
muestra en la figura anterior para VGS=-1V,-2V, y asi sucesivamente, hasta el nivel
de estrechamiento de -6V. Los niveles resultantes de corriente de drenaje y la
grafica de la curva de transferencia son igual que la de el JFET.
Para los valores positivos de VGS la entrada positiva atraerá electrones adicionales
desde el sustrato de tipo p debido a la corriente de fuga inversa, y creara nuevos
portadores mediante la colisión resultante entre las partículas de aceleración.
Mientras e voltaje compuerta-fuente sigue aumentando en la dirección positiva, la
figura anterior indica que la corriente de drenaje se incrementará de manera
acelerada debido a las razones ya mencionadas.

15
 Fig. 19

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL DE CANAL-P

La construcción de este tipo de MOSFET es exactamente el inverso del que ya se
había mencionado. Ahora existe un sustrato de tipo n y un canal de tipo p.

Fig. 20

16
 Fig. 21

MOSFET de acumulación

Se muestra un corte de un MOSFET de

empobrecimiento de canal N. Se compone
de un material N (silicio con impurezas
donadoras) con una zona tipo P y una
compuerta aislada. A similitud de una
válvula electrónica, en donde los
electrones libres circulan desde el cátodo a
la placa, en un MOSFET circulan desde el
terminal de “fuente” al de “drenaje”. En la
válvula lo hacen por el vacío y en el
Fig. 22
MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se
llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared
que presenta una dificultad a la circulación electrónica. Los electrones deben
pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el
silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan
impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea
aisladora.
Sobre el canal se agrega una delgada capa de dióxido de silicio que opera como
aislante. Sobre esta finísima capa de vidrio se realiza una metalización que opera
como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un
potencial tanto negativo como positivo

17
 Fig. 23

Fig. 24

Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios.
Véase Tecnología CMOS
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
Resistencia controlada por tensión.
Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

18
CONCLUSION
Como conclusión se puede decir que un MOSFET es un dispositivo que puede
amplificar la señal gracias a su construcción y características al igual que puede
sustituirla dependiendo de que tipo de MOSFET sea, de tipo incremental o de tipo
decremental, y también del tipo de canal, si es canal-n o canal-p.

19
 http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://www.webelectronica.com.ar/news26/nota06.htm
http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp
Boylestad, Robert L. Nashelsky Louis/Electrónica, teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos 6ª edición.

20
Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas pérdidas
en conducción de los BJT de potencia. La puerta está aislada del dispositivo, con
lo que se tiene un control por tensión relativamente sencillo. Entre el colector y el
emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy
cercano a lo ideal.
Estructura
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una
capa P+ que forma el colector del IGBT.

Fig. 25

Fig. 26

Principio de funcionamiento
Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, típicamente
1200V y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo
de tensión de puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada
como la de los MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias,
controlando potencias bastante elevadas.

21
Se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la región N- tiene su
conductividad modulada por la inyección de portadores minoritarios (agujeros), a
partir de la región P+, una vez que J1 está directamente polarizada. Esta mayor
conductividad produce una menor caída de tensión en comparación a un MOSFET
similar.
La máxima tensión que puede soportar se determina por la unión J2 (polarización
directa) y por J1 (polarización inversa). Como J1 divide 2 regiones muy dopadas,
se puede concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es
polarizado inversamente.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)

Curva característica de polarización

Fig. 27

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas pérdidas
de conducción en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningún
problema de ruptura secundaria como los BJT.
El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutación del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Símbolo

Fig. 28

22
 Aplicaciones típicas del IGBT
Están presentes en circuitería de medios de transporte y de electrodomésticos
para el control de los motores eléctricos.
Control de motores
Sistemas de alimentación ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Conclusión
En conclusión el transistor IGBT es un dispositivo muy funcional ya que combina
las mejores propiedades de dos transistores diferentes, la facilidad de disparo de
los MOSFET en la puerta con la pequeña perdida de potencia de los BJT en el
emisor y colector. Este tipo de transistor se puede usar en cualquier tipo de
circuito, un circuito controlador de motores o en los celulares de pantalla táctil para
encender o apagar la pantalla de esos celulares.
En fin es muy útil en la electrónica y en un futuro lo será más.

23
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20(v1).pdf

24
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es
un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón
(tyratron) y Transistor.
El SCR es uno de los dispositivos más antiguos que se conocen dentro de la
Electrónica de Potencia (data de finales de los años 50). Además, continua siendo
el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo
que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor
circulación de corriente).
Principio de funcionamiento
Si entre ánodo y cátodo tenemos una tensión positiva, las uniones J1 y J3 estarán
directamente polarizadas, en cuanto que la unión J2 estará inversamente
polarizada. No habrá conducción de corriente hasta que la tensión VAK aumente
hasta un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensión VGK positiva, circulará una corriente a través de J3, con
portadores negativos yendo del cátodo hacia la puerta. Por la propia construcción,
la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte
de los electrones que atraviesen
J3 tengan energía cinética suficiente para vencer la barrera de potencial existente
en J2, siendo entonces atraídos por el ánodo.
De esta forma, en la unión inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre ánodo y cátodo, que podrá persistir
aún sin la corriente de puerta.
Cuando la tensión VAK es negativa, J1 y J3 quedarán inversamente polarizadas,
en ,cuanto que J2 quedará directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la
unión J3 está entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear
tensiones elevadas, de modo que
Parámetros del SCR
- VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Máxima corriente directa permitida.
- PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
- VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
- IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

25
Características físicas

Fig. 29

Fig. 30

El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,

teniendo 3 terminales: ánodo (A) y cátodo (K), por los cuales circula la corriente
principal, y la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se
establezca una corriente en sentido ánodo-cátodo.

Símbolo

Fig. 31

En el modelo a transistor se observa que al introducir una corriente por la línea

G(del orden de los miliamperios), se produce la conducción (o saturación ) de el
transistor Q2, que a su vez hace que el transistor Q1 se valla a saturación, esta
corriente generada por el Q1 es reinsertada a la base del Q2 y así los transistores
se mantienen en conducción uno al otro, mientras tengamos presencia de tensión
suficiente en las terminales Ánodo y Cátodo.

Curva de polarización

Fig. 32

26
Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver
la corriente de fuga característica que se muestra en el gráfico).
En la región de polarización en directo el SCR se comporta también como un
diodo común, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y
E.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG), el voltaje de ánodo a cátodo es
menor (VC).
Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta..
Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje ánodo-cátodo
tenderá a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On / esté activo)

APLICACIONES DEL SCR

Unas cuantas aplicaciones del SCR pueden ser un interruptor estático, un sistema
de control de fase, un cargador de baterías, un controlador de temperatura, y un
sistema de luces de emergencia.
Interruptor estático:

Fig. 33

Regulador del cargador de batería

Fig. 34

Conclusión
El transistor SCR fue inventado hace más de 50 años y hoy en dia es uno de los
transistores más conocidos y por ende uno de los más usados gracias a sus
características de funcionamiento ya que tiene mayor capacidad para controlar
potencia. Este transistor es usado comúnmente como interruptor por las
características que mencioné en este trabajo. En conclusión este transistor
también es de gran utilidad y yo pienso que seguirá asi por más tiempo.

27
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio
http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20%28v1%29.pdf
http://es.scribd.com/doc/16669990/El-Transistor-BJT-y-SCR
http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp
http://www.unicrom.com/Tut_scr_curva_caracteristica.asp
http://ccpot.galeon.com/productos1737084.html

28
Triac
Un TRIAC o Tríodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la
familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y
cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

Principio de funcionamiento
Es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del
terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de
ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos
sentidos de circulación de la corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos
controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el
cual los fabricantes de semiconductores han diseñado el TRIAC ha sido para
evitar este inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los años 60.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían
dos SCR en direcciones opuestas.
Un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De
esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente.

Fig. 35

El TRIAC permite la conducción de corriente de ánodo a cátodo y viceversa, de

ahí que los terminales no se denominen ánodo y cátodo, sino simplemente ánodo
1 (A1) y ánodo 2 (A2).

Símbolo

Fig. 36

29
Características principales

Fig. 38
Fig. 37

La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como un tiristor de

cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido T1-
T2 a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta
negativa. La complicación de su estructura lo hace más delicado que un tiristor en
cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican
para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400
a 1000 (V) de tensión de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar
a frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores.

Curva característica

Fig. 39

Se puede observar que presenta estado de conducción tanto para iA positiva

como negativa, y puede ser disparada desde el estado de corte al de conducción
tanto para vA1A2 positiva como negativa. Además, la corriente de puerta que
fuerza la transición del estado de corte al de conducción puede ser tanto positiva
como negativa. En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la
transición del TRIAC son diferentes según las polaridades de las tensiones
aplicadas.

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Aplicaciones más comunes
Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.
Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
Funciona como interruptor electrónico y también a pila.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores
de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada
semiciclo de la onda de Corriente alterna.

Conclusión
En conclusión los TRIAC funcionan como interruptores, mas específicamente
como si fueran dos transistores SCR, pero que son diferentes en que los TRIAC si
se pueden utilizar en corriente alterna. una desventaja es que por no ser tan
estable se está dejando de utilizar.

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http://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20%28v1%29.pdf
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm

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Diac
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente sólo
tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor característico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoría
de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30 V.

Características principales
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo.
Actúa como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre
sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y
36 volts según la referencia
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para
disparar Triacs y Tiristores.

Fig. 40 Fig. 41

Principio de funcionamiento
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en paralelo, pero
orientados en formas opuestas. La conducción se da cuando se ha superado el
valor de tensión del zener que está conectado en sentido opuesto. El DIAC
normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga. La
conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza. Cuando la tensión
de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra en conducción
dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.
Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se
llegue a su tensión de cebado o de disparo (30v aproximadamente, dependiendo
del modelo).Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de
disparo VBO; la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. Al
superar dicha tensión la corriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como
consecuencia, la tensión anterior.
La palabra diac quiere decir “Diodo de Corriente Alterna”. Este componente e
ssimétrico, por lo que se podrá conectar indistintamente en cualquiera de los dos
sentidos posibles. Dicho componente cuenta con dos patillas de conexión. El diac
es un componente simétrico porque está formado por dos diodos conectados en
paralelo y en contraposición, por lo que cada uno de ellos permitirá el paso de
corriente de cada uno de los semiciclos de la corriente alterna a que se le somete.
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Para que un diac comience a funcionar, necesitará que se le apliquen entre
sus bornes una tensión determinada, momento después del cual empezará a
trabajar. La tensión mínima necesaria se denomina tensión de disparo. Dicha
tensión de disparo será aproximadamente de 30 V.

Curva característica
La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la
estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equivalente al BVCEO del transistor
bipolar. Debido a la simetría d e c o n s t r u c c i ó n d e e s t e d i s p o s i t i v o , l a
r u p t u r a p u e d e s e r e n a m b a s d i r e c c i o n e s y d e b e procurarse que
sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza
a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura
BVCEO, presentando una región de impedancia negativa (si se sigue
aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces
se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

Fig. 42

APLICACIONES.
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la
corriente del triac, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una
fracción de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de
iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación de
temperatura y algunos controles de velocidad de motores.

Fig. 43
Conclusión
En conclusión para mi el DIAC solo funciona como un disparador para otros
componentes por lo tanto no es de gran utilidad en la electrónica pero a la vez es
necesario.

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http://es.wikipedia.org/wiki/Diac
http://es.scribd.com/doc/17922312/Diac
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm#4.caracteristica
s%20generales

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