CAPÍTULO 3

ESTRUTURAS CRISTALINAS

3.1 INTRODUÇÃO
Após a descoberta da difração de raios-X por materiais metálicos realizada por Max von Laue e
colaboradores, em 1912 na Alemanha, e da constatação de que esses materiais eram compostos
fundamentalmente por átomos arranjados segundo formas geométricas específicas, muitos estudos foram
desenvolvidos sobre a relação existente entre a estrutura atômica e o comportamento mecânico dos
mesmos uma vez que suas propriedades também dependem de seus respectivos arranjos atômicos.
A análise da difração de raios X mostra que os átomos de um material cristalino estão dispostos de
forma regular, bem definida, que se repete nas três dimensões através de uma considerável distância
(Figura 3.1). O arranjo atômico dos materiais metálicos pode ser representado de maneira mais simples
através de uma rede cristalina em que os átomos são visualizados como esferas rígidas localizadas em
posições particulares de um arranjo geométrico no qual três eixos perpendiculares entre si são
posicionados arbitrariamente (Figura 3.2).

Figura 3.1 – Estrutura cristalina (Callister, 2007).

Figura 3.2 – Conjunto de células cristalinas cúbicas simples. Os eixos de referência x, y e z são
perpendiculares entre si.
3.2 PRINCIPAIS ESTRUTURAS CRITALINAS
No desenvolvimento do estudo sobre estruturas cristalinas é importante inicialmente conhecer
alguns conceitos básicos relacionados com as mesmas. Assim, temos que:

 Estrutura cristalina, rede cristalina ou sistema cristalino: É o arranjo regular tridimensional de

átomos ou íons no espaço no qual cada átomo ou íon apresenta idêntica vizinhança.
 Célula cristalina ou célula unitária: É o menor volume da estrutura que contém o arranjo atômico
que, repetido tridimensionalmente, constitui a rede cristalina.
 Número de coordenação (NC): É o número de átomos pertencentes a uma estrutura cristalina que
tocam simultaneamente um mesmo átomo dessa estrutura.
 Fator de empacotamento (FE): É o espaço efetivamente ocupado pelos átomos na célula cristalina.
Quanto maior o valor de “FE” tanto mais compacta é a estrutura cristalina.
V1
FE  (3.1)
V
onde:
V1 - volume de átomos na célula unitária

V - volume da célula unitária

Existem apenas sete tipos de estruturas cristalinas os quais incluem todas as possíveis geometrias
de divisão do espaço por superfícies planas contínuas. Qualquer arranjo atômico deverá se encaixar em
uma das quatorze diferentes configurações que representam as mesmas, denominadas reticulados
espaciais de Bravais (Figura 3.3). A Tabela 3.1 apresenta os parâmetros e os ângulos dos eixos do sistema
de referência das principais estruturas cristalinas conhecidas.

Figura 3.3 – Células cristalinas dos reticulados de Bravais.

 Tabela 3.1 – Relações entre parâmetros reticulares e geometrias de células cristalinas.

Sistema Parâmetros Ângulos axiais

Cúbico a b  c Todos os ângulos = 90º
Tetragonal a b  c Todos os ângulos = 90º
Ortorrômbico a b  c Todos os ângulos = 90º
Monoclínico a b  c 2 ângulos = 90º; 1 ângulo  90º
Triclínico a b  c Ângulos diferentes: nenhum igual a 90º
Romboédrico a b  c Todos os ângulos iguais, porém  90º
Hexagonal a1  a 2  a 3  c Ângulos = 90º e 120º

3.3 ESTRUTURAS CRISTALINAS MAIS COMUNS

As estruturas cristalinas cúbicas conhecidas são apresentadas abaixo. Em seguida cada uma dessas
estruturas será estudada mais detalhadamente.
 Estrutura cúbica simples (cs)
 Estrutura cúbica de faces centradas (cfc)
 Estrutura cúbica de corpo centrado (ccc)
 Estrutura hexagonal compacta (hc)

3.3.1 Estrutura Cúbica Simples (cs)

 8 átomos posicionados nos vértices de um cubo (Figura 3.4)

Figura 3.4 – Célula unitária cúbica simples (cs).

 Parâmetro da rede (“r” é o raio do átomo ou íon)

a  2r (3.2)
 NC = 6
1
 Número de átomos ocupando efetivamente a célula:  8 vértices  1 átomo
8
 4 3
 r  1
 FE     0,52
3
 2r 
3

3.3.2 Estrutura Cúbica de Faces Centradas (cfc)

 8 átomos posicionados nos vértices e 6 átomos posicionados nas faces de um cubo (Figura 3.5)

Figura 3.5 – Célula unitária cúbica de faces centradas (cfc).

 Parâmetro da rede (Figura 3.6)

Figura 3.6 – Número de átomos por célula unitária em uma estrutura cfc.

 4r   a2  a2
2

 4r   2a 2
2

 4r 
2

a 2

2
a  2 2r (3.3)
  NC = 12 (máximo)
1 1
 Número de átomos ocupando efetivamente a célula: (  8 vértices) + (  6 faces) = 4 átomos
8 2
4 3
 r   4
 FE     0, 74 (máximo)
3
 
3
2 2r

3.3.3 Estrutura Cúbica de Corpo Centrado (ccc)

 8 átomos posicionados nos vértices e 1 átomo posicionado no centro de um cubo (Figura 3.7)

Figura 3.7 – Célula unitária cúbica de corpo centrado (ccc).

 Parâmetro da rede (Figura 3.8)

Figura 3.8 – Número de átomos por célula unitária em uma estrutura ccc.

 4r   d2  a 2
2
(3.4)

da 2 (3.5)
 Substituindo-se a equação (3.5) na equação (3.4) obtém-se:

 4r   
2
 a 2  a2
2

 4r   2a 2  a 2
2

 4r   3a 2
2

 4r 
2

a 2

3
4 3
a r (3.6)
3
 NC = 8
1
 Número de átomos ocupando efetivamente a célula: (  8 vértices) + 1 no centro = 2 átomos
8
4 3
 r   2
 FE     0, 68
3
3
4 3 
 r
 3 

3.3.4 Estrutura Hexagonal Compacta (hc)

 12 átomos posicionados nos vértices e 2 átomos posicionados nos centros das faces superior e
inferior de um poliedro de base hexagonal. Observa-se também a presença de 3 átomos ente as referidas
faces (Figura 3.9)
 Parâmetros da rede (Figuras 3.9 e 3.10)

Figura 3.9 – Célula unitária hexagonal compacta (hc).

 Figura 3.10 – Determinação do fator de empacotamento de uma estrutura hc.

a  2r (3.7)
c  1,633a (3.8)
 NC = 12 (máximo)
 Número de átomos ocupando efetivamente a célula:
1 1
( 12 vértices) + (  2 faces) + 3 no centro = 6 átomos
6 2
4 3
 r   6
 FE  3   0, 74 (máximo)
3 3
 2r  1, 633  2r 
2

3.4 DIREÇÕES CRISTALOGRÁFICAS

No estudo dos materiais cristalinos torna-se frequentemente necessário especificar um ponto
particular no interior de uma célula cristalina, uma determinada direção ou algum plano cristalográfico de
átomos. Essas direções e planos são representados por um conjunto de números conhecidos como índices
de Miller os quais são bastante utilizados no estudo das estruturas cristalinas. Para o cálculo desses
índices é utilizado um sistema de coordenadas cartesiano constituído de três eixos [x y z], perpendiculares
entre si e cuja origem não é fixa, localizado nas células unitárias conforme indicado na Figura (3.11). Para
alguns sistemas cristalinos (monoclínico, triclínico, romboédrico e hexagonal) esses três eixos não são
mutuamente perpendiculares como no caso do sistema de coordenadas cartesiano. Na determinação dos
índices de Miller de uma direção cristalina devem ser observadas as seguintes características:

Figura 3.11 – Principais direções cristalinas em uma célula unitária cúbica de corpo centrado.
  Os índices de Miller são representados entre colchetes [x y z].
 Componente negativa: x
 As coordenadas são medidas em relação ao parâmetro de cada eixo não representando, portanto,
os valores reais das distâncias.
 A combinação dos menores números inteiros deve ser sempre utilizada. Ex: A direção [2 4 2] é
idêntica à direção [1 2 1].
 Estruturas cristalinas simétricas apresentam direções atômicas que podem ser transformadas umas
nas outras somente através de rotações e/ou deslocamentos do sistema de coordenadas. Tais direções são
consideradas equivalentes constituindo, portanto, uma família que é representada pela forma < x y z >.
Ex: < 1 1 0 > = [1 1 0], [1 0 1], [0 1 1], [1 1 0], [ 1 0 1], [0 1 1], etc que representam as diagonais das
faces, por exemplo, de uma célula cristalina cúbica qualquer.

Assim, o procedimento adotado para a determinação dos índices de Miller de uma direção
cristalográfica obedece ao seguinte princípio:
 As componentes do vetor correspondente à direção cristalina, nos eixos (x y z), devem ser
reduzidas ao menor conjunto de números inteiros considerando-se o(s) parâmetro(s) da rede como
unidade (m.m.c.).
Ex: [1/2 1/2 1] → [1 1 2]
[1/2 0 1/3] → [3 0 2]
[1 1 1/2] → [2 2 1]
 O sistema de referência para os cristais hexagonais apresenta quatro eixos de coordenadas, ou seja,
a1 , a 2 , a 3 e c , onde:

a1  a 2  a 3 (3.9)
As Figuras de 3.12 a 3.15 e de 3.16 a 3.18 mostram, respectivamente, algumas importantes
direções cristalinas em células unitárias cúbicas e hexagonais.

Figura 3.12 – Principais direções cristalinas em uma célula unitária cúbica de corpo centrado.
 Figura 3.13 – Direções cristalinas em uma célula cúbica simples.

Figura 3.14 – Direções cristalinas em uma célula cúbica de corpo centrado.

Figura 3.15 – Direções cristalinas em uma célula cúbica de faces centradas.

Figura 3.16 – Direções cristalinas no plano basal de uma célula hexagonal compacta.

Figura 3.17 – Direções cristalinas no plano basal de uma célula hexagonal compacta.

Figura 3.18 – Direções cristalinas em uma célula hexagonal compacta.

3.5 PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
As seguintes características devem ser observadas na determinação dos índices de Miller de um
plano cristalino:
 Os eixos cristalinos, cuja origem não é fixa, são utilizados como sistema de referência.
 Os índices de Miller são representados entre parênteses (h k l).
 Componente negativa: h
 As coordenadas são medidas em relação ao parâmetro de cada eixo não representando, portanto,
os valores reais das distâncias.
 A combinação dos menores números inteiros deve ser sempre utilizada. Ex: O plano (3 3 3) é
paralelo ao plano (1 1 1).
 Estruturas cristalinas simétricas apresentam planos atômicos que podem ser transformados uns nos
outros somente através de rotações e/ou deslocamentos do sistema de referência. Tais planos são
considerados equivalentes constituindo, portanto, uma família que é representada pela forma {h k l}. Ex:
{1 0 0} = (1 0 0), (0 1 0), (0 0 1), ( 1 0 0), (0 1 0) e (0 0 1 ).

Assim, o procedimento adotado para a determinação dos índices de Miller de um plano

cristalográfico fundamenta-se nas seguintes considerações:

Sabemos que a equação do plano, em um sistema de coordenadas (x y z), pode ser representada
através da equação a seguir:
x y z
  1 (3.10)
u v w
onde u, v e w são, pela ordem, as intercessões do plano com os eixos (x y z). Atribuindo-se aos índices de
Miller os valores abaixo, temos que:
h 1 u (3.11)
k 1 v (3.12)
l 1 w (3.13)
Substituindo-se as equações (4.11), (4.12) e (4.13) na equação (4.10) obtemos:
hx  ky  lz  1 (3.14)
Por conseguinte, para a determinação dos índices de Miller de um plano cristalográfico qualquer
deve ser adotado o seguinte procedimento:

 Calcular as intercessões do referido plano com os eixos (x y z), isto é, (u v w), considerando-se
o(s) parâmetro(s) da rede como unidade.
Ex: (1 1 1/2), (1/2 1/2 1), (1/2 ∞ 1/3), etc.
  Determinar os inversos das intercessões (u v w), ou seja, (h k l).

Ex: (1 1 2), (2 2 1), (2 0 3), etc.

 Para os cristais hexagonais existe, igualmente, um sistema de referência com quatro eixos de
coordenadas, isto é, a1 , a 2 , a 3 e c . Neste caso, os inversos das intercessões do plano com estes eixos

serão (h k i l). Como apenas três pontos são necessários para definir um plano, os quatro índices não
podem ser independentes. Logo, os mesmos devem satisfazer a seguinte relação:
h  k  i (3.15)
Ex: (1 1 2 0), (1 1 0 0), (1 0 1 0), etc.

Nas Figuras de 3.19 a 3.22, 3.25 e 3.26 são apresentados os planos cristalinos mais importantes
existentes em células unitárias cúbicas. As Figuras 3.23 e 3.24 mostram, por outro lado, os principais
planos cristalinos de uma célula unitária hexagonal.

Figura 3.19 – Índices de Miller para diferentes planos cristalinos.

Figura 3.20 - Índices de Miller para diferentes planos cristalinos.

 Figura 3.21 – Planos cristalinos em células cúbicas simples.

Figura 3.22 – Planos cristalinos nas células cúbicas de corpo centrado e faces centradas.

Figura 3.23 – Os quatro eixos de coordenadas de uma célula hexagonal compacta.

 Figura 3.24 – Planos cristalinos de uma célula hexagonal compacta.

Figura 3.25 – Planos cristalinos (0 1 0) nos diversos tipos de estruturas cúbicas.

Figura 3.26 – Planos cristalinos (1 1 0) nos diversos tipos de estruturas cúbicas.

3.6 DENSIDADES EM MATERIAIS CRISTALINOS
3.6.1 Densidade Absoluta do Material    : massa por unidade de volume

nº de átomos na célula unitária  massa do átomo

 (3.16)
volume da célula unitária

Ex: Calcule a densidade absoluta do cobre sabendo-se que:

 estrutura cristalina: cfc

o
 raio atômico: 1,278 A

 massa do átomo: 1,055 1022 g

o
 1 A  108 cm
4 1, 055 1022
  8,93 g cm3
2 
3
8
2 1, 278 10

3.6.2 Densidade de Átomos no Plano    : átomos por unidade de área

nº de átomos no plano
 (3.17)
área do plano

Ex: Qual a densidade de átomos no plano (1 0 0) da rede cristalina do cobre?

1 
1 no centro +   4 vértices 
 4   1,5311015 átomos cm 2
 
2
2 2 1, 278 108

3.6.3 Densidade Linear de Átomos    : átomos por unidade de comprimento

nº de átomos na direção
 (3.18)
comprimento da direção
Ex: Qual a densidade de átomos na direção [1 1 0] da rede cristalina do cobre?
1 1
 nº de átomos na direção:  1   2 átomos
2 2
 comprimento da direção:
d 2  a 2  a 2  d 2  2a 2  d  a 2

onde a  2 2r ;


d  2 2r  2  d  4r

Logo, temos que:

2
  39,124 106 átomos cm
4 1, 278 108
3.7 IMPERFEIÇÕES CRISTALINAS
No estudo teórico dos materiais metálicos normalmente admitimos que os mesmos apresentam
uma regularidade e perfeição em suas estruturas cristalinas que se estendem em todas as direções. Na
prática, contudo, esses materiais geralmente não são perfeitos e os defeitos existentes influenciam
diretamente as suas propriedades. Tais imperfeições, que provocam pontos, linhas e superfícies de
descontinuidade na rede cristalina, podem ser classificadas em:
 Imperfeições pontuais
 Imperfeições lineares
 Imperfeições superficiais

3.7.1 Imperfeições Pontuais

São defeitos que ocorrem em pontos da rede cristalina. As imperfeições pontuais, por outro lado,
podem ser classificadas da seguinte maneira:
 Vazios, lacunas ou vacâncias
 Defeitos intersticiais
 Impurezas

Vazios, lacunas ou vacâncias: são pontos vazios na estrutura cristalina que normalmente deveriam ser
ocupados por átomos (Figura 3.27.a). Estes defeitos podem resultar de um empacotamento imperfeito
durante a solidificação (devido flutuações de temperaturas, presença de impurezas, segregação de soluto,
etc) ou de vibrações térmicas de átomos em altas temperaturas pois, à medida que o nível de energia
térmica se eleva, aumenta a probabilidade dos mesmos se afastarem de suas posições de menor energia
em função de sua maior mobilidade. Resfriamentos rápidos também contribuem para que a concentração
de vazios no material seja elevada uma vez que os mesmos não permitem um intervalo de tempo
suficiente para o fenômeno da difusão atômica.
Existem dois tipos particulares de vazios os quais são conhecidos como defeitos de Frenkel e
defeitos de Schottky. Os defeitos de Frenkel ocorrem quando um átomo ou íon deixa sua posição normal
na rede cristalina, formando portanto uma vazio, indo para uma posição intersticial na mesma. Os defeitos
de Schottky acontecem quando um átomo ou íon deixa sua posição normal na rede cristalina, formando
portanto também um vazio, indo no entanto para um posição na superfície do cristal. No caso de íons, um
vazio catiônico está sempre associado a um vazio aniônico a fim de que o balanço de cargas seja mantido.
Estes defeitos são mais comuns que os de Frenkel uma vez que exigem menor energia para movimentar
os átomos ou íons para as novas posições.
 Figura 3.27 – Principais tipos de imperfeições pontuais.

Defeitos intersticiais: são átomos ocupando posições na rede cristalina que normalmente não seriam
ocupadas (Figura 3.27.b). A energia necessária para a formação destes defeitos é maior que aquela
exigida para a formação de vazios. São originados pelos mesmos motivos citados anteriormente para o
caso de formação de vazios.

Impurezas: são átomos estranhos introduzidos na estrutura cristalina substituindo átomos da mesma
(Figuras 3.27.c e 3.28) ou ocupando interstícios (Figura 3.29). Dependendo de suas dimensões podem
provocar tensões na rede cristalina. Átomos estranhos bem menores que os da estrutura cristalina
favorecem o aparecimento de impurezas intersticiais. Ex: Difusão atômica de carbono no ferro para a
obtenção do aço. As Figuras 3.30 e 3.31 apresentam, respectivamente, o mecanismo de difusão de vazios
em uma rede cristalina e os possíveis tipos de imperfeições existentes na mesma.

Figura 3.28 – Imperfeições pontuais denominadas impurezas substitucionais.

Figura 3.29 – Imperfeições pontuais denominadas impurezas intersticiais.

 Figura 3.30 – Mecanismo de difusão de vazios em uma rede cristalina cúbica simples.

Figura 3.31 – Principais tipos de imperfeições pontuais existentes em uma estrutura cristalina.

3.7.2 Imperfeições Lineares

São defeitos em forma de linha que proporcionam distorções na estrutura cristalina. As
imperfeições lineares exercem importante influência no comportamento mecânico dos materiais metálicos
e podem ser classificados em:
 Discordâncias em cunha ou em aresta
 Discordâncias em hélice ou em espiral
 Discordâncias mistas

Discordâncias em cunha ou em aresta: são aquelas caracterizadas pela inserção de um plano extra de
átomos na rede cristalina. Próximo a uma discordância em cunha a estrutura cristalina permanece
deformada devido a existência de tensões de tração e compressão (Figura 3.32).

Figura 3.32 – Discordância em cunha ou em aresta.

 O vetor de Burgers representa o deslocamento de átomos em torno da discordância. Sua
determinação é realizada através de um círculo que liga os átomos ao redor da mesma considerando-se
um número de átomos correspondente à rede perfeita. O vetor de Burgers será o vetor necessário para
fechar o referido circuito (Figura 3.33). Em uma discordância em cunha o vetor de Burgers é
perpendicular à linha da discordância.

a b

Figura 3.33 – O circuito de Burgers para uma discordância em cunha: (a) cristal perfeito e (b) cristal com
discordância em cunha ou aresta.

Plano de deslizamento ou de escorregamento é o plano cristalográfico ao longo do qual pode

ocorrer o deslocamento, ou seja, a translação de uma parte da estrutura cristalina em relação a outra. É
definido pelo vetor de Burgers e linha de discordância. Assim, uma discordância em cunha apresenta
somente um plano de deslizamento (Figura 3.34) e esta pode ser positiva ou negativa conforme o plano
extra de átomos esteja, pela ordem, acima ou abaixo do plano de deslizamento.

Figura 3.34 – Plano de deslizamento de uma discordância em cunha (SPQR).

 Uma discordância em cunha pode se movimentar para posições adjacentes através da aplicação de
pequenas forças e o próximo plano cristalino se torna o centro da discordância. Este movimento ocorre
sempre na direção do vetor de Burgers (Figura 3.35).

Figura 3.35 – Movimento de uma discordância em cunha sob a ação de uma tensão.

Discordâncias em hélice ou em espiral: quando os pontos da rede cristalina próximos à discordância

podem ser descritos como pertencentes a um hélice. Próximo a uma discordância em hélice a estrutura
permanece deformada devido a existência de tensões de cisalhamento (Figura 3.36). Em uma
discordância em hélice o vetor de Burgers é paralelo à linha da discordância (Figura 3.37). Logo, este tipo
de imperfeição linear apresenta infinitos planos de deslizamento sobre os quais pode se deslocar.

Figura 3.36 – Discordância em hélice ou em espiral

Figura 3.37 – O circuito de Burgers para uma discordância em hélice: (a) cristal perfeito e (b) cristal com
discordância.

Discordâncias mistas: quando ocorrem juntas uma discordância em cunha e outra em hélice. Neste caso
a linha de discordância é curva.

A Figura 3.38 apresenta o mecanismo de deslocamento de discordâncias em cunha, em hélice e

mista ao longo de seus planos de deslizamento. Conforme pode ser observado, o movimento das mesmas
pode ser proporcionado pela aplicação de uma tensão que as desloca até as bordas do cristal originando
assim o deslizamento de planos atômicos. De maneira geral, podemos admitir que as imperfeições
lineares são originadas pelos mesmos motivos citados anteriormente para o caso da formação das
imperfeições pontuais denominadas vazios.

Figura 3.38 – Movimentos de discordâncias: (a) em cunha, (b) em hélice e (c) mista.
 É importante salientar, que as discordâncias em cunha somente podem se movimentar no plano de
deslizamento que contém o vetor de Burgers e a linha de discordância. A única forma de deslocar esta
discordância para outro plano é através de “saltos” por meio do aumento ou redução do plano extra de
átomos (Figura 3.39).

Figura 3.39 – Escalagens negativa e positiva de discordâncias em cunha.

A interação entre discordâncias que se movem em um mesmo plano de deslizamento ou em planos

vizinhos deve ser considerada de maneira particular, pois influencia a distribuição da energia de
deformação. Na região próxima a uma discordância em cunha ocorre um aumento da energia de
deformação devido à presença do plano extra de átomos. Nestas condições, duas discordâncias em cunha,
de mesmos sinais, deslocando-se em um mesmo plano ou em planos vizinhos tendem a se repelir
mutuamente no sentido de reduzir a concentração de energia de deformação elástica na região. Assim, a
tensão necessária para mover simultaneamente uma discordância em direção à outra se eleva em função
do aumento da resistência oferecida pelas regiões deformadas. Por outro lado, discordâncias de sinais
opostos que se deslocam próximas umas das outras tendem a se atrair. Assim, considerando que estas
imperfeições lineares encontram-se em um plano comum de deslizamento, ocorre uma neutralização
mútua entre as mesmas com a consequente diminuição da energia de deformação (Figura 3.40).

Figura 3.40 – Plano de deslizamento comum de discordâncias em cunha.

 Se as discordâncias estão em planos de deslizamento paralelos, separados por alguns espaços
atômicos, há a formação de uma fileira de vazios implicando, da mesma forma, na diminuição da energia
de deformação devido à interação entre as mesmas (Figura 3.41).

Figura 3.41 – Planos de deslizamento independentes de discordâncias em cunha.

Considerando que os planos de deslizamento contêm o vetor de Burgers e a linha de discordância

e que estes são paralelos no caso das discordâncias em hélice, estas imperfeições lineares podem
teoricamente se deslocar em infinitos planos. Na prática, contudo, as mesmas podem se deslocar somente
em certas famílias de planos. Apesar disso, apresentam maior mobilidade que as discordâncias em cunha
as quais possuem apenas um plano de deslizamento (Figura 3.42).

Figura 3.42 – Planos de deslizamento de discordâncias: (a) em hélice e (b) em cunha.

Assim, quando as discordâncias em hélice encontram obstáculos, tais como impurezas, átomos
intersticiais, precipitados, etc, podem deslizar para um plano intermediário a fim de evitá-lo e
posteriormente retornar a um plano paralelo ao original proporcionando, então, o deslizamento cruzado.
O movimento de discordâncias em cunha e em hélice pode ainda proporcionar a multiplicação das
mesmas uma vez que estas podem interagir com os defeitos da estrutura cristalina e, ao se encurvarem em
torno deles, originar anéis de discordância. Uma possível justificativa para este fenômeno é dada pelo
mecanismo de Frank-Read o qual é apresentado, de maneira esquemática, na Figura 3.43.
 Figura 3.43 – Multiplicação de discordâncias através do mecanismo de Frank-Read.

Assim, temos que:

 Inicialmente a discordância original encontra-se em um determinado plano de deslizamento com
as extremidades de sua linha fixas, possivelmente devido a outras imperfeições de natureza estrutural.
 A aplicação de uma tensão promove o encurvamento da linha de discordância.
 A aplicação contínua da referida tensão aumenta o encurvamento em questão gerando um anel de
discordância.
 A linha inicial da discordância se recupera e o processo continua formando novos anéis de
discordância.
 Os anéis de discordância se expandem proporcionando o deslizamento de planos atômicos.
3.7.3 Imperfeições Superficiais
São imperfeições de natureza estrutural decorrentes de alterações no processo normal de
empilhamento de planos atômicos. As imperfeições superficiais podem ser classificadas da seguinte
maneira:
 Contornos de grão
 Defeitos de empilhamento
 Maclas

Contornos de grão: são regiões existentes entre dois ou mais planos de um material metálico,
constituídas por átomos desalinhados com a estrutura cristalina regular, originadas a partir do encontro de
grãos adjacentes durante o seu crescimento (Figuras 3.44 e 3.45). Como os átomos pertencentes a um
contorno de grão ocupam posições distorcidas e, portanto, tensionadas apresentam um estado de maior
energia que os átomos da estrutura cristalina regular.

Figura 3.44 – Efeito amorfo devido à desorientação atômica nos contornos de grão.

Figura 3.45 – Contornos de grão em um material policristalino.

 As Figuras 3.46 e 3.47 apresentam macroestruturas de lingotes de alumínio mostrando diferentes
tamanhos e formas de grão e, por conseguinte, de contornos de grão.

Figura 3.46 – Macroestrutura da seção longitudinal de um lingote de alumínio apresentando

granulometria grosseira.

Figura 3.47 – Macroestrutura da seção longitudinal de um lingote de alumínio apresentando

granulometria refinada.
 Quando o ângulo θ entre dois grãos é menor que 10º o respectivo contorno de grão tende a impedir
o movimento de discordâncias que normalmente contribuem para a deformação plástica. De acordo com a
Figura 3.48 temos que:

Figura 3.48 – Representação esquemática de um contorno de grão de pequeno ângulo.

θ - ângulo entre os grãos do material (θ < 10º)

b - vetor de Burgers
D - distância entre discordâncias

logo,
b
sen   (3.19)
D
Como o ângulo θ é muito pequeno podemos admitir que sen θ = θ. Assim, a equação (4.19) pode
ser representada da seguinte maneira:
b
 (3.20)
D
o que permite concluir que:
b
D (3.21)

A Figura 3.49 apresenta alguns contornos de grão de pequeno ângulo em amostra de uma liga de
cobre-alumínio.
 Figura 3.49 – Contornos de grão de pequeno ângulo de uma liga de cobre-alumínio observada em
microscópio eletrônico de transmissão.

Defeitos de empilhamento: são defeitos originados durante o empilhamento de átomos quando aparecem
planos atômicos em uma sequência diferente daquela correspondente à estrutura cristalina perfeita.
Suponhamos, por exemplo, que uma rede cristalina qualquer durante o fenômeno da solidificação
apresente a seguinte correspondência de empilhamento para os planos atômicos:

...ABCABCABCABCABCA... (estrutura cristalina perfeita)

Assim, qualquer modificação encontrada nesta sequência de planos atômicos é considerada um defeito de
empilhamento, ou seja:

...ABCABBABC↑CA... (estrutura cristalina imperfeita)

A Figura 3.50 mostra o processo de empilhamento de planos atômicos em uma célula cristalina de
uma estrutura hc. As Figuras 3.51 e 3.52 mostram de maneira esquemática o mesmo fenômeno em outros
tipos de redes cristalinas.
Figura 3.50 – Empilhamento de planos atômicos em uma célula cristalina hexagonal compacta.

Figura 3.51 – Empilhamento de planos atômicos em uma estrutura cristalina qualquer.

Figura 3.52 – Empilhamento de planos atômicos na estrutura hexagonal compacta.

Maclas: são imperfeições superficiais que separam duas orientações cristalinas que são imagens
especulares uma da outra (Figura 3.53). As imperfeições superficiais, de maneira geral, são originadas
pelos mesmos motivos citados anteriormente durante o estudo da formação de outras imperfeições
cristalinas.

Figura 3.53 – Imperfeição superficial denominada macla.