UN

NIVERSID
DADE FEDERAL DO CEARÁ
CENTR ECNOLOGIA
RO DE TE
DEPAR
RTAMENTTO DE ENG
GENHARIA
A ELÉTRIC
CA

TUTORIIAL - PSIM
M SOFTWA
ARE

Auto
ores: D
Daniel da Silva Gomes
s

D
Davi Rabelo
o Joca, M.S
Sc.

Versão 1.0

O e 2015
Outubro de
SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO ........................................................................................................ 3
1.1. Objetivos ........................................................................................................... 3
1.2. Ambiente de Trabalho e Barra de Menu ........................................................... 3
1.3. Barra de Ferramentas ....................................................................................... 4
1.4. Barra de Elementos .......................................................................................... 5
1.5. Atalhos e Customizações .................................................................................. 6
1.6. Salvar Imagens ................................................................................................. 7
1.7. Transformadores ............................................................................................... 8
2. SIMULAÇÃO ......................................................................................................... 12
2.1. Esquemático e Montagem do circuito ............................................................. 12
2.2. Alterações de parâmetros dos componentes .................................................. 14
2.3. Simview ........................................................................................................... 17
2.4. Parâmetros dos transformadores .................................................................... 22
2.5. Utilização do Parameter Sweep ...................................................................... 23
3. ADIÇÃO DE COMPONENTES AO DATABASE E CÁLCULO DE PERDAS......... 27
3.1. Adicionar um IGBT específico ao database e calcular suas perdas ............... 27
3.2. Adicionar um MOSFET específico ao database e calcular suas perdas ......... 40
4. CONSIDERAÇÕES FINAIS .................................................................................. 49
5. REFERÊNCIAS ..................................................................................................... 49

2
 
1. INTRODUÇÃ
ÃO

1.1. O
Objetivos

Esse tuttorial tem como

c finalid
dade mostrar as princ
cipais funçõões do software PSIMM
(para
a versões 9 ou superioores), com e enfoque nas
s barras de ferramentaas, menu, elementos
e e
mediições, proccedimento para mod dificar os parâmetros dos com mponentes, executarr
simu
ulações e co
omo alterar os gráficoss das formas s de onda.

Traz ainda uma seeção destina

ada à adiçã
ão de componentes eeletrônicos específicoss
(IGBTs e MOSFFETs) ao da
atabase do programa, para serem
m utilizados nas simula
ações, além
m
dos cálculos de
d perdas desses co omponentess através do
d recurso Thermal Module do o
programa.

1.2. A
Ambiente de
d Trabalho e Barra d
de Menu

A figura 1.1 mostra o ambiente e de trabalh

ho do softw
ware PSIM, com seu menu
m (figura
a
1.2), sua série de barras necessária as na execução das simulações,
s , cujas funç
ções serãoo
apressentadas non decorrerr do materrial e a áre ea de traba alho, espaçço em bran nco centrall
destiinado à monntagem dos s circuitos.

Figura 1.1 – Ambi ente de trab

balho do so
oftware PSIM
M.

óprio autor..
Fonte: Pró

Figura 1.2
2 – Barra de
e Menu do PSIM.
P

Fonte: Pró
óprio autor..

3
 
1.3. B
Barra de Ferramentas
s

A figura 1.3 mostraa parte da chamada barra de fe erramentas ou Toolbaar, que trazz
ões para a construção e simulaçã
funçõ ão dos circu
uitos, explica
adas logo a seguir:

Figura 1.3 – Toolbar do

d software PSIM.

Fonte: Pró
óprio autor..

 Item A: Utilizado para

p desenhhar as trilhas dos circ
cuitos. Por padrão, as s cores dass
trilhas são
s vermelh has para cirrcuitos de potência,
p ve
erdes para ccircuitos de
e controle e
marronss para circuuitos mecânnicos. Clican ndo em Opptions >> Seettings >> aba
a Colors,,
é possívvel modifica
ar as cores ddas trilhas em
e Color wires
w by circu
cuit type.

 Item B: Trata-se da d Label, fu nção para realizar

r con nexões entrre diversos pontos doss
circuitoss (geralmen nte distante
es entre si) sem utiliza
ação de trillhas, o que
e possibilita
a
uma ma aior facilida
ade na ve rificação das conexõe es, além dde organizaação. Para a
garantir as conexõ ões, as labbels devem m estar igualmente noomeadas. No N simpless
exemplo o mostrado na figura 1 .4, a fonte V1
V está con nectada ao resistor R1 através da a
label VAA, assim com mo V2 a R2 2 através dee VB.

Figura 1.4 – Exem

mplo simples
s de utilizaç
ção de labeels.

óprio autor..
Fonte: Pró

 Item C: São as ferrramentas d de zoom coom fator fixo

o, valor quee pode ser alterado
a em
m
Optionss >> Setting gs >> Zoom
m factor na aba Genera al. São utiliizados para
a aproximarr
ou recuaar o circuito
o como um ttodo ou ape
enas parte dele.
d

4
 
  Item D: Também são
s ferrame entas de zo
oom, mas com
c regulaçção do níve
el de zoom
m
através da movime
entação do m
mouse.

 Item E: Utilizado pa
ara efetivam
mente simullar o circuito
o presente nna área de trabalho.

1.4. B
Barra de Elementos

1.4.1
1. Localizaç
ção da Barrra e Pesqu
uisa por Co
omponente
es

Na parte inferior do ambien nte de trabalho, enc contra-se a chamada a barra dee
elem
mentos, na qual
q estão os
o compone entes e ferrramentas mais utilizadoos nas simu
ulações e é
mosttrada em de
estaque na figura 1.5.

Caso sejja necessárrio utilizar a

algum item que
q não se encontre nna barra de elementos,,
uma opção é prrocurá-lo na
a seção Elem ments (mosstrada após
s iniciar um novo projetto, clicando
o
em F File na barra
a de menu e então em m New ou então
e no íco
one ( ) naa barra de feerramentass
localizada abaixxo do menu), ou então na bibliotec
ca de elemeentos, clicaando em Vie
ew na barra
a
de mmenu e selecionando Library Bro owser caso o ela não esteja
e aparrente no ammbiente dee
trabaalho, e asssim os elem mentos poddem ser en ncontrados atráves daa barra de e busca daa
biblio
oteca. A bib
blioteca de elementos
e é mostrada na figura 1.6.

Figura 1.5 – Barra de Elementos do PSIM.

Fonte: Pró
óprio autor..
Figu e elementos do PSIM.
ura 1.6 – Biiblioteca de

Fonte: Pró
óprio autor..
5
 
 Para reu
utilizar algum compone ente de forrma rápida sem necesssidade de uma nova a
buscca, deve-se procurá-lo na barra dde itens rec
centes mosttrada em deestaque na
a figura 1.7..
Em algumas versões
v do
o software , essa baarra está localizada abaixo da barra de e
ferramentas.

Figura 1.7
7 – Barra de
e itens rece
entes.

Fonte: Pró
óprio autor..

1.4.2
2. Compone
entes da Barra
B de Ele
ementos

Conform
me supracita ado, na barrra de eleme
entos estão localizadoss os componentes que
e
são g
geralmente mais utiliza
ados em simmulações de e circuitos:

Tabe d Barra de Elementos .

ela 1 – Com ponentes da

Sím
mbolo Fu
unção Síímbolo F
Função
Terra (Referência) Foonte de tenssão CC
Ressistor Foonte de tenssão senoidaal
Indutor Foonte de tenssão triangular
Cappacitor Foonte de tenssão quadraada
Dio
odo Foonte de Deggrau de tensão
Tiristor Seensor de te nsão
Inte
erruptor MOOSFET Seensor de coorrente
erruptor IGB
Inte BT Bloco de gannho proporc cional
Ponnte monofás sica de diod
dos Coontrolador pproporciona
al-
integrador
Pon nte trifásica de diodos Suubtrator
Gerrador de clo ock para Soomador
inte
erruptores
Con ntrole liga/d
desliga para
a omparador
Co
inte
erruptores
Voltímetro (em m relação aoo Limitador
terrra)
Voltímetro dife erencial Po
orta inversoora (NOT)
Ammperímetro Multiplicador
Oscciloscópio ded 2 canais Divisor
Oscciloscópio ded 1 canal
Fonte: Pró
óprio autor..

1.5. A
Atalhos e Customiza
C ções

Os atalhos presente es no softw

ware são de grande vallia nas simuulações porr agilizarem
m
a exe
ecução de certas
c funçõões e tamb ém na sele
eção de com
mponentes. Para acess sar a seção o
de attalhos, deve
e-se clicar em
e Optionss no menu e então em Customizee Keyboard//Toolbar ou u
6
 
Custtomize Keyyboard dep pendendo d
da versão do software, apareceendo assim
m a janela
a
mosttrada na figura 1.8.

Figura
F 1.8 – Seção de Atalhos do PSIM.

Fonte: Pró
óprio autor..

Os atalh
hos são mo ostrados em m Current shortcut ke eys, e paraa criar novo os atalhos,,
deve
e-se selecio
onar o compponente na seção Elem ments em Add
A Shortcuut key ou a função na a
seçã
ão Comman nds, e então
o digitar quual tecla ou combinaçã ão de teclass que será seu atalho o
na ba
arra Press new
n ut key e cliccar em Assiign para adicionar à lissta de atalho
shortcu os.

Caso se eja necess sário salva r as custo

omizações para sereem usadas em outro o
comp eve-se utilizar as funçõ
putador, de ões Save Custom
C Settings e Loadd Custom Settings
S em
m
ons da barra de Menu.
Optio

1.6. S
Salvar Imagens

Para coppiar o esqu

uemático doo circuito, deve-se
d clic
car em Editt na barra de menu e
então
o seleciona
ar Copy to Clipboard
C ,n
na qual temm três opçõees :

 Metafile format: Foormato de imagem com c a melhor qualidaade e que

e pode serr
utilizado em outros softwares e
específicos.

 Color Biitmap: Form

mato comu
um de imag
gem com qualidade
q uum pouco inferior ao
o
Metafile..

7
 
  nd White: Formato d
Black an de arquivo parecida com
c Color Bitmap, mas
m com o
esquemáático em pre
eto e brancco.

Outra oppção é atraavés do priintscreen, podendo

p se
er útil desa bilitar os pontos e ass
bordaas de folhaas que aparrecem normmalmente na a área de trrabalho, dessmarcando o as opçõess
Displlay Grid e Show
S Print page
p ers em Optio
borde ons >> Settings >> Genneral.

1.7. T
Transformadores

Os transsformadoress no PSIM podem serr acessados s de duas m maneiras: através da a

barra
a de menu em Elemen nts >> Powe er >> Transsformers ou u então ir V
View na barrra de menu u
e selecionar Lib
brary Browsser para vissualizar a biblioteca
b dee elementoos (figura 1..6) no caso
o
em que não esteja
e aparrente na á área de trabalho do PSIM, e então pes squisar porr
Transformers, como
c descrito no item 1
1.4.1 dessee material.

O modelo do transfo
ormador é m
mostrado na figura 1.9
9:

Figura 1.9 – Modelo do

d transform
mador.

Fonte: [1]]

Tabela 2 – Compo nentes do modelo

m do transformad
t dor.

mponente
Com Repreesentação
Rp Resistênc
cia do enrollamento prim
mário
Xp Reatância
a devido a iindutância de
d dispersã ão do primárrio
Xm Reatância
a associadaa a indutânccia de magnnetização
Rc Resistênc
cia associadda as perdaas no núcleoo e por histeerese
Rs Resistênc
cia do enrollamento seccundário
Xs Reatância
a associadaa a indutânccia de dispe
ersão do seecundário
Fonte: Pró
óprio autor..

Dentre os
o modelos de transforrmadores, está
e o Ideall Transform
mer, o modelo simplista
a
do transformad dor, o quall desconsid
dera todos
s os fluxoss de dispe rsão, resisstência noss
enrolamentos, perdas porr histerese e no núc cleo, além da correntte necessá ária para a
magn d transformador. As duas polaridades estão dispon íveis, como
netização do o mostra a
figura
a 1.10.

8
 
 Figura 1.10 – Transsformadores
s ideais do software
s PS
SIM.

Fonte: Pró
óprio autor..

Ainda co
om base na n figura 1..10, é poss
sível visualizar o 1-phh Transform
mer e 1-phh
nverted), qu
Transformer (in ue se trata m de trans
sformadores monofásiicos não id deais cujoss
parâmetros serã
ão tratados mais adian
nte, na seçã
ão Simulaçãão.

Na biblio
oteca de ele
ementos ainnda existem
m transformadores comm mais de uma
u bobina
a
no prrimário e/ou
u secundário, os quais são mostra
ados na figu
ura 1.11.

Fiigura 1.11 – Transform

madores mo
onofásicos com
c mais de
e uma bobinna no primá
ário e/ou
secundáário.

Fonte: Pró
óprio autor..

Os transsformadoress mostradoss na figura 1.12 são trifásicos com

m bobinas do
d primário
o
e do
o secundário não cone ectadas, do
os quais o designado 3 ph - Traansformer (saturation))
apressenta fluxo
o residual e saturaçãoo, sendo necessário
n possuir vaalores da corrente
c de
e

9
 
magn netização em
e função da indutân cia de mag gnetização que defineem a caractterística do
o
transsformador, além
a da frequência de operação e da fase do
o fluxo residdual.
Figura 1.12 – Tipos de transform
madores trifá
ásicos com enrolamenttos do prim
mário e
secunndário não conectados
c s.

óprio autor..
Fonte: Pró
Os transsformadores
s trifásicos seguintes, mostradoss na figura 1.13, apreesentam oss
seuss enrolamenntos conecta
ados em triiângulo (∆) ou em estrrela (Y), poddendo ainda possuir o
terciá
ário.

Figura 1.13 – Transforma

T adores trifássicos com bobinas
b do primário,
p seecundário ou terciário
conectad das em estreela ou triâng
gulo.

Fonte: Pró
óprio autor..

10
0
 
 Os transsformadores
s restantes,, mostrados
s na figura 1.14,
1 são trrifásicos com
m 3, 4 ou 6
enrolamentos (ddesconectados).

Figu
ura 1.14 – Transformad
T dores trifásicos com 3, 4 ou 6 enroolamentos.

óprio autor..
Fonte: Pró

11
 
2. SIMULAÇÃO
O

2.1. E
Esquemátiico e Monta
agem do ciircuito

Para rea
alizar simulações, devve-se inicialmente clicar em File na barra de
d menu e
entãoo em New ou
o então noo ícone ( ) na barra de
d ferramen ntas para inniciar um no
ovo projeto,,
e enntão pesquisar os componentes que serão o utilizados
s e arrastáá-los da bibblioteca dee
elemmentos para
a a área dee trabalho oou clicando
o no compo onente na bbarra de elementos e
clicando em algum local na
a área de tra
abalho.

É importtante posicionar os co
omponentess de forma organizadaa a fim de facilitar ass
ligaçções entre os
o compone entes e con
nsequentem
mente as verificações ddessas ligaç
ções. Casoo
seja necessário o espelhar ou rotacio nar um componente, deve-se uutilizar as feerramentass
mosttradas na fig
gura 2.1.

Figura 2.1 – Ferra

amentas utilizadas nas
s simulaçõees.

óprio autor..
Fonte: Pró

Tabela 3 – Referente aos símbolos mostrad

dos na figurra 2.1.

Símbolos
s Função o
Habilita
ar na simula
ação um (ns s) componeente (s) seleecionado (s)
Desabilitar na sim ulação um (ns) compo onente (s) seelecionado (s)
Rotacioonar 90° se ntido horáriio um comp
ponente seleecionado
Espelhar algum co omponente selecionado na horizoontal
Espelhar algum co omponente selecionado na verticaal
Fonte: Pró
óprio autor..

Para conectar os componente

c es, deve-see utilizar o item A m ostrado na a figura 1.3
3
dessse tutorial ou
u caso se te
enha criado
o um atalho
o (ver item 1.5),
1 pressioonar o botã
ão referente
e
ao ite
em. Será fe eito um exe
emplo de s imulação de um circuito, com o sseu esquem mático comm
basee na figura 2.2.
2

Figura 2.2
2 – Esquemático do circuito.

S111 S12

VDC
100
1 V
5Ω
S133 S14

Fonte: Pró
óprio autor..

12
2
 
 Deve-se selecionar os elementos necessários para a simulação do circuito na barra
de elementos (resistor, fonte de tensão contínua, controlador liga-desliga das interruptores e
no caso das interruptores, optou-se por utilizar MOSFETs), posicioná-los na área de
trabalho e os conectar, como sugerido na figura 2.3.

Para o controle das interruptores, foi utilizado um gerador de onda quadrada e ainda
2 labels (ver item 1.3) e uma porta NOT para garantir que ocorra o acionamento correto das
interruptores, evitando um curto circuito na fonte de alimentação contínua.

É necessário ainda adicionar a referência terra, encontrada na barra de elementos e

adicionada no terminal negativo da fonte. É possível adicionar outras referências para
tensão no circuito, clicando em Elements >> Sources >> Ground, Ground (1) ou Ground (2)
na barra de menu.

Figura 2.3 – Montagem do circuito em questão na área de trabalho.

A B

100
Vdc

B A

VControle
10
0.5

Fonte: Próprio autor.

13
 
2.2. A
Alterações
s de parâmetros dos c
componentes

Antes de executar a simmulação, é necessário analisar e//ou modificcar os parâmetros doss

compponentes utilizados,
u os quais podem se er vistos com
c um cclique duploo sobre o
compponente em
m questão, como
c mostrrado na figu
ura 2.4 para
a o resistor.

Figu
ura 2.4 – Pa
arâmetros do
d resistor (Modelo 1).

óprio autor..
Fonte: Pró

Em Namme, é poss sível atribui r um nomee ao resisttor, e preeenchendo a marcação

o
Displlay o nome atribuídoo aparecerá á na área de trabalho próximo do compo onente. Em
m
istance deve
Resis e ser coloca
ado a resisttência em Ohm
O (Ω).

Na opçãão Current Flag,

F caso sseja coloca
ado valor “ 1 “, a formaa de onda dad corrente
e
no ccomponente e fica dispoonível paraa visualizaç
ção ao realizar a sim mulação. Ex xistem doiss
mode elos para a resistência
a, que pode
em ser esco olhidos em Model
M Leveel (não é dis
sponível em
m
todass as versõe
es do softwaare). O Leve
el 1, aprese
enta o mode elo mais sim
mplista do reesistor.

Analisan
ndo agora oso parâmetrros da fonte
e contínua de
d alimentaação, atravé
és do clique
e
duplo
o no símbollo da fonte, aparecend
do a janela mostrada
m na
a figura 2.55.

Figura 2.5 – Pa
arâmetros da fonte de tensão
t CC.

Fonte: Pró
óprio autor..
14
4
 
 Em Nam me, atribui-se um nome e à fonte de
e tensão, da
a mesma forrma que no o parâmetro o
do reesistor ante
eriormente descrito.
d Emm Amplitude e, é colocado o valor do nível dee tensão da a
fonte
e em V. Em Series Res u valor de resistênciaa série relattivo à fonte,,
sistance, é colocado um
casoo seja necesssário, em Ω, assim ccomo em Se eries Inducttance, ondee deve ser colocado o
valorr de indutân
ncia série asssociada à fonte.
Dando clique
c duplo
o na interru
uptor MOSF FET, aparec cerá a janeela conforme mostra a
figura
a 2.6.

Figura 2.6 – Parâmetros do MOS

SFET.

óprio autor..
Fonte: Pró

Em On Resistance e, deve ser colocado o valor de resistência do MOSFET quando o

este está em estado de co ondução. EEm Diode Resistance,
R colocado a resistênciia do diodo
o
em aanti-paralelo
o. Initial Pos
sition determ
mina o esta
ado inicial do MOSFET T: 0 para de
esligado e 1
para ligado. Ca aso seja co olocado o vvalor 1 em Current Fllag, a correente no MO OSFET fica a
onível para ser facilme
dispo ente visualizzada na sim
mulação. Diiode Forwaard Voltage trata-se da
a
tensã
ão no diodo o enquanto conduz.

Dando clique
c duplo na fonte d e onda qua
adrada, apa
arecerá a jaanela conforrme mostra
a
a figu
ura 2.7.

Figu
ura 2.7 – Pa
arâmetros da
d tensão de
e controle.

Fonte: Pró
óprio autor..
15
5
 
 Em Vpe eak_peak, deve
d ser co olocado o valor da te ensão de ppico a pico da tensão o
quad drada, ou seja,
s a sua amplitude em V. Frequency con nsiste no vavalor da freq
quência da
a
onda a gerada em Hz e Duty Cycle é o valor da d razão cíclica.
c Em DC Offsett, deve serr
coloccado um va alor de tenssão contínu ua correspo ondente ao offset, senndo o valor mínimo daa
tensãão, caso a amplitude sejas positivva, ou o vallor máximo caso a am mplitude seja negativa..
Tstarrt é utilizado para espe ecificar o teempo, em segundos,
s a partir do qqual a onda
a passará a
ser ggerada, tend do valor igu
ual a zero a até atingir o tempo especificado. EEm Phase Delay,
D deve
e
ser ccolocado o valor
v do atraso de fase e em graus na onda ge erada.

Com to odos os parâmetros

p s conforme
ajustados e anteriormmente mostrados, é
neceessário adiccionar os vo
oltímetros e
e/ou amperíímetros enccontrados nna barra de elementoss
para obter as foormas de on nda em pon ntos deseja
ados, além de
d adicionaar o Simulattion Controll
na áárea de trrabalho, qu ue pode sser enconttrado clican ndo em S Simulate no o menu e
seguuidamente em Simula rol, o qual deve ser colocado nna área de
ation Contro e trabalho,,
abrin
ndo-se uma janela confforme mosttrada na figura 2.8.

Figu
ura 2.8 – Pa
arâmetros do
d Simulatio
on Control.

Fonte: Pró
óprio autor..

Time steep represeenta o passso de cálcculo, ou o tempo en tre cada cálculo

c dass
variá ação, tendo seu valor padrão em 0,00001s. Total time é o tempo
áveis durantte a simula o
total de simulaçção (Caso seja
s marca do Free Ruun, a simulação aconttecerá em tempo
t real,,
podeendo ser uttilizados os
sciloscópioss de 1 ou 2 canais para
p visualizzação das formas de
e
ondaa).
me determin
Print Tim na o tempoo em segun ndos até qu
ual os dadoos da simula
ação serãoo
salvo os e Print Step,
S caso seu valor sseja 1, todo
os os ponto
os da simuulação serão salvos, e
caso o seja 10, apenas
a 1 a cada 10 poontos são salvos.
s Os parâmetross Load/Savve Flag sãoo
utiliza
ados para salvar/carregar os va alores da simulação com
c extensãão ssf. Em
m Hardware e
Targ get é especifficado um hardware
h pa
ara se gerar um código
o usando SiimCoder.
16
6
 
 Alterando-se o tem
mpo total dee simulação
o para 0,05
5 segundoss, e clicand do em Runn
Simuulation na barra
b de ferrramentas o
ou simplesm
mente aperttando F8, é feita a sim
mulação do
o
circu
uito.

2.3. S
Simview

A ssimulação será
s gerada
a, sendo en tão aberta uma janela do Simview
w, conforme mostrada
a
na fig
gura 2.9.

Figura 2.9 – Va riáveis disp

poníveis na simulação.

Fonte: Pró
óprio autor..

Em Varia
ables availaable são moostradas as
s variáveis que
q estão ddisponíveis para serem m
visuaalizadas, e para isso, deve-se se elecioná-la e clicar em Add e entã tão OK. Caso mais de e
uma seja seleciionada, esta as irão apa
arecer no mesmo gráfic co. Para meelhor visualização dass
forma as de ondaa, será inicia
almente sel ecionada apenas
a “V1”” (name do voltímetro utilizado
u na
a
tensãão de contrrole), aparecendo a jan nela mostraada na figurra 2.12. Ainnda é possíível realizarr
opera ações entree as variáveeis, devenddo-se selec
cioná-la e clicar na setta para baix
xo na parte e
inferiior, e selecionar as operações necessária as clicandoo no blocoo com as operações,,
clicando OK no final para mostrar
m seu gráfico.

Na aba Curves,
C mostrada na fiigura 2.10, é possível fazer
f as segguintes alte
erações:

Em Labe el, é possívvel modifica

ar o nome dado ao grráfico, em C
Color altera
ar a cor da
a
curva o, em Line Thickness alterar a espessura
a do gráfico e das
d linhas dda curva e em Markerr
symbbol modifica
ar o tipo de marcador nnas linhas da
d curva.
17
7
 
 Figura
a 2.10 – Altterações po
ossíveis na aba
a Curvess.

óprio autor..
Fonte: Pró

Na aba Screen,
S mostrada na fiigura 2.11, é possível fazer
f as segguintes alte
erações:

Em Fore eground color, é possívvel alterar a cor das marcações dde tempo e das bordass
dos g gráficos, em
m Backgrou und color ppode-se alte erar a cor de
d fundo daa área de trabalho
t do
o
Simvview. A opçção Grid Color
C permitte modificar a cor das s linhas poontilhadas da
d área de e
traba
alho e Fon nt permite modificar a fonte, es stilo e tamaanho das letras mostradas noss
gráficcos. Marcan ndo-se as opções
o Hidee grid e Hidde axis text, as linhas ppontilhadas e os textoss
nos ggráficos summirão, respe
ectivamente e.

Para visualizar a fo
orma de onnda “VP1” (name
( do voltímetro
v coonectado ao
a resistor),,
podee-se clicar em
e Screen na barra d de menu e então em Add Screeen, aparece endo assim
m
uma janela igua al à mostrada na figura
ra 2.9. Deve
e-se agora selecionar VP1, clicarr em Add e
entãoo OK, obtenndo-se as fo
ormas de o nda conform
me mostradda na figuraa 2.13.

18
8
 
 Figura
a 2.11 – Altterações po
ossíveis na aba
a Screenn.

Fonte: Pró
óprio autor..

Figura 2.12 – Fo
orma de ond
da do sinal de controlee.

Fonte: Pró
óprio autor..

19
9
 
 Figura 2.13 – Forma de onda de te
ensão de co
ontrole e de saída do ccircuito em questão.
q

Fonte: Pró
óprio autor..

Para rea
alizar alteraç
ções nos grráficos na ja
anela do Sim
mview, devve-se clicar em um doss
gráficcos (apareccendo assim m um quad rado de cor vermelha na direita ssuperior do o gráfico), e
então o com o bottão direito do
d mouse, aaparecerá um u menu co onforme moostrado na figura
f 2.14.

Fig
gura 2.14 – Menu para
a alterar os gráficos.

Fonte: Pró
óprio autor..

Em Add d/Delete Curves,

C é possível adicionar
a ou
o removeer curvas no gráfico
o
parecendo a janela m
seleccionado, ap mostrada na
n figura 2.9
2 (pode-sse acessá-la também
m

atravvés do ícone
e Add/Delete Curves ( ) na barrra de ferramentas do Simview, mostrada
m na
a
figura
a 2.16).

Em Y Axxis e X Axis s é possível modificar os

o limites do
os eixos doos gráficos, Move Up e
Movee Down tem m função de e alterar a posição do
o gráfico no
o Simview. D Display in Full
F Screen n
apressenta o grá
áfico selecio
onado em to oda a área de
d trabalho do Simview w.

20
0
 
 Para ana alisar as forrmas de on
nda, pode ser útil a barrra localizadda na parte
e inferior do
o
Simvview, conforrme mostrada na figura a 2.15.

Figura 2
2.15 – Barra
a de mediçã
ão.

óprio autor..
Fonte: Pró

Tabela 4 – Símbo los e funções da Barra

a de mediçãão.

Símb
bolo Função Símbolo Funnção
Alterrar entre ba
arras de Calcular a méédia dos valo
ores
medição apenas verticais o ou abso
olutos da vaariável
verticais e horiz
zontais.
Mosstrar valor máximo
m glob
bal Ir pa
ara um ponnto sucessiv
vo

Mosstrar valor máximo

m maiis ar para um ponto anterior
Volta
próxximo
Mosstrar valor mínimo
m glob
bal cular o fatorr de potênciia
Calc

Mosstrar valor mínimo

m maiss cular potênccia ativa (W
Calc W)
próxximo
Calccular valor médio
m da cular potênccia aparente
Calc e
variá
ável (VA))
Calccular valor eficaz
e da Calcular índicee de distorçã
ão
variá
ável harm
mônica
Fonte: Próóprio autor..

Na parte
e superior do Simview
w, existe a barra de ferramentas
f s, que é mostrada
m na
a
figura
a 2.16.

Figura 2.16 – Ba
arra de Ferrramentas do
d Simview.

óprio autor..
Fonte: Pró

bela 5 – Sím
Tab mbolos e fun
nções da ba
arra de ferra
amentas doo Simview.

Símb
bolo Função Símbolo Funnção
Ab
brir algum arquivo
a salvvo Aproximação ppor um fatoor de
10%
%
mprimir a forma de ond
Im da Afas
stamento poor um fato or de
10%
%
piar os gráficos da área
Cop a de Apro
oximação oou afastam mento
trabalho do Simview moddificando oss eixos x e y
simu
ultaneamennte.
Desfazer altera
ação de movve e Apro
oximação oou afastam mento
zooom moddificando umm dos eixo os e
manntendo o outtro constante.
R
Recarregar um arquivo
o Realizar movvimentação do
gráfiico

21
 
 Refazer os gráficos Habilitar o mod o medição

Alterar entre modo de zoo

om e Mostrar os valores das
medição coorrdenadas ((X, Y) de um
pontto selecionaado
A
Alterar limite
es no eixo x Realizar a transform
mada
rápid
da de Fourrier da forma de
ondaa
A
Alterar limite
es no eixo y Mostrar o gráffico no dom mínio
do te
empo
Adicionar ou re
emover curvvas Inserir um textoo no gráfico

Ad
dicionar um novo gráficco Salvar configuurações
tempporárias
om seleciona
Zoo ando uma á área Carrregar configgurações
retangular no gráfico tempporárias
Fonte: Pró
óprio autor..

2.4. P
Parâmetros
s dos trans
sformadore
es

Além dee modificarr os parâm

metros das s fontes, resistênciass e das innterruptoress
eletrô
ônicas, é im
mportante ta
ambém a al teração dos
s parâmetroos dos transsformadores, que será
á
feito inicialmente considera
ando o mod
delo ideal do
o transforma
ador.

Indo enttão em Elements (na barra de menu)

m >> Power
P >> T
Transformerrs >> Ideall
Transformer, colocando-o
c o na área de trabalho e dan ndo um cllique duplo
o sobre o
compponente, ap
parecerá a janela como
o mostrada na figura 2.17.

Figurra 2.17 – Pa
arâmetros do
d transform
mador ideal..

óprio autor..
Fonte: Pró

C
Como se traata do mod
delo simplissta do trans
sformador, é necessárrio apenas fornecer o
núme ero de voltas
v no enrolamen nto do primário (N Np(primary))) e do secundário o
(Np(ssecondary)).

22
2
 
 Adiciona
ando agora o 1-ph Traansformer à área de trrabalho e ddando um clique
c duplo
o
sobre
e o componnente, apare
ecerá a jane
ela conform
me mostra a figura 2.188.

Figura
a 2.18 – Tra
ansformado
or monofásic
co não ideaal.

óprio autor..
Fonte: Pró

Tabela 6 – Compo nentes do modelo

m do transformad
t dor.

Denomin nação Representtação

Rp (prim mary) Resistência
R do enrolam
mento primáário
Rs (secon ndary) Resistência
R do enrolam
mento secunndário
Lp (pri.lea
akage) In
ndutância d
de dispersãoo do primárrio
Ls (sec.leaakage) In
ndutância d
de dispersãoo do secund dário
Lm (magne etizing) In
ndutância d
de magnetiz zação
Np (prim mary) Número
N de vvoltas do enrolamento primário
Ns (secon ndary) Número
N de vvoltas do enrolamento secundárioo
Fonte: Pró
óprio autor..

Caso o transform mador apre esente o enrolamento

e o terciário,, a sua resistência,,
induttância de dispersão e número o de volta as são representadaas por Rt, Lt e Nt,,
respeectivamente
e. Os valore
es de todass as resistên
ncias e indu
utâncias sãoo referidos ao primário
o
do tra
ansformadoor.

Utilização do Parame
2.5. U eter Sweep
p

O Param meter Swe eep trata-see de uma ferramenta a importannte de simulação porr
posssibilitar a variação dee um parâm metro do circuito
c denntro de um
m intervalo de valoress
defin
nidos, sendo o usado, po
ortanto, para
a analisar a influência desse parââmetro no ciircuito.

Podem ser utilizad

dos para p parametriza
ar resistênc
cias, indutââncias, cap
pacitâncias,,
ganh
ho de bloccos proporc
cionais, con
nstante de tempo de e blocos inntegradoress, ganho e

23
3
 
consstante de teempo de co ontroladoress do tipo PII, além de ganho
g e baanda de passagem de
e
filtross de segund
da ordem.

Para aceessá-lo, pode-se ir na

a barra de menu do PSIM
P e ir EElements >> > Other >>
>
Para
ameter Swe eep ou pesqquisando naa biblioteca de elemen
ntos (ver iteem 1.4.1), colocando-o
c o
então
o na área de
d trabalho.

Um simp ples exempplo será utillizado para mostrar a utilização ddo Parame
eter Sweep,,
mosttrado na figura 2.19.

9 – Montag
Figura 2.19 gem do circu
uito utilizado
o como exeemplo.

Fonte: Pró
óprio autor..

m clique duplo sobre o resistor R1,

Com um R aparecerá a janella mostrada
a na figura
a
2.20..

Figura 2.2
20 – Parâme
etros do res
sistor.

óprio autor..
Fonte: Pró

Em Resiistance, dev ve ser coloccado um no ome para identificar o pparâmetro, no caso do

o
exem
mplo, foi utilizado “Ro” identificar a resistência
a do resisto
or R1.

m clique dup
Com um plo sobre o Param Sw
weep, aparecerá a janeela mostrad
da na figura
a
2.21..

24
4
 
 Figu
ura 2.21 – P
Parâmetros do Parameter Sweep.

óprio autor..
Fonte: Pró

Em Starrt Value, deeve ser colo

ocado o va
alor inicial do
d parâmetrro, e em End
E Value o
seu vvalor final. Increment
I Step
S determ
mina o pass
so de increm mento de cáálculo e em Parameterr
to bee Swept, de eve ser colocado o noome do parrâmetro que e assumiráá os valores
s dentro do
o
intervvalo determ
minado, no exemplo,
e “R
Ro”.

Simuland do então o circuito e adiciona ando todas s as correnntes calculadas paraa

visua
alização, sãão obtidos os gráficoss das corre entes, comoo mostra a figura 2.2
22, para oss
valorres das resiistências va
ariando de 1 até 11 Ω.
gura 2.22 – Gráficos da
Fig as correntes
s obtidas.

Fonte: Pró
óprio autor..

É obtidaa também a curva de I1 vs Ro, valor

v da co
orrente do ccircuito em função do
o
ncia de Ro, como pode
valorr da resistên e ser vista na
n figura 2.2
23.

25
5
 
 Figura 2.23 – Grá
áfico I1 vs Ro.

Fonte: Pró
óprio autor..

26
6
 
 DIÇÃO DE COMPONE
3. AD ENTES AO DATABAS
SE E CÁLCULO DE PE
ERDAS

3.1. A
Adicionar um
u IGBT específico a
ao databas
se e calcula
ar suas perrdas

3.1.1
1. Device Database
D Ed
ditor

Para de eterminar as perdass de um determinad do componnente, é necessário o

almente adicioná-lo ao
inicia o database do program ma utilizando o Devicee Database Editor, que
e
pode e ser enconntrado em Utilities no menu do PSIM
P e então em Deevice Databbase Editor,,
apare ecendo asssim uma jan
nela conformme a figura 3.1.

Figura 3.1
1 – Device Database
D Editor.
E

Fonte: Pró
óprio autor..

3.1.2
2. Criar um Device Fille

Inicialme
ente, deve ser
s criado u
um arquivo para
p salvar o componeente, clicand
do em File
New Device File, aparecendo uma
>> N a janela conforme mosttra a figura 33.2.

27
7
 
 Figura 3.2
2 – Criando um Device
e File.

Fonte: Pró
óprio autor..

Deve se er colocado
o um nome e para o arquivo
a e selecionado
s o a pasta Device do o
programa, clicando-se assim em Salvvar. O nome e do arquivo
o salvo apaarecerá na lista
l de File
e
Namme. Seguidaamente, comm o nome do arquivo o selecionaado, clicar em Devicee no menu,,
apare
ecendo as opções con nforme mosstra a figura 3.3.

Figura 3.3 – Opções da

d seção Device.

óprio autor..
Fonte: Pró

28
8
 
 Tabela 7 – Opções da
d seção De
evice.

Opção
o Funçãão
N
New Diode Adicionar
A umm diodo
N
New IGBT Adicionar
A umm IGBT
N
New IGBT- Diode
D Adicionar
A umm IGBT com m diodo
antiparalelo
a
N
New MOSFE ET Adicionar
A umm MOSFET T
S
Save Device
e Salvar
S o disppositivo
S
Save Device
e As Salvar
S o disppositivo em um arquivo o com
outro
o nome
D
Delete Devicce Deletar
D o dis
spositivo seelecionado
Fonte: Pró
óprio autor..

3.1.3
3. Adiciona
ar informaç
ções do dis
spositivo IG
GBT

Clica
ando em Ne evem ser prreenchidas informaçõe
ew IGBT, de es presentess na figura 3.4.

Fig
gura 3.4 – In
nformações
s sobre o dis
spositivo.

óprio autor..
Fonte: Pró

29
9
 
 Em Man nufacturer, especifica-sse qual é o fabricante
e do dispoositivo a ser criado. A
título
o de exem mplo, será escolhido o dispos sitivo SEMiiX151GD0666HDs da Semikron,,
consstituído de 6 IGBTs. Em m Part Nummber, é coloocado o nome do disppositivo e em Package e
qual o tipo de en
ncapsulame ento, que noo exemplo, será 6-pac
ck.

Com basse no datas

sheet do co
omponente, são obtidoos os valorees máximos s de tensão
o
colettor-emissor (Vce), corrrente nom
minal (Ic) e temperatuura de junçção. Na figgura 3.5 é
mosttrada a seçção Absolute Maximum m Ratings do
d dispositiv
vo escolhidoo com as in
nformaçõess
requisitadas emm destaque.

gura 3.5 – Valores

Fig V máx
ximos de te nsão e corrrente do dis
spositivo SE
EMiX151GD
D066HDs.

Fonte: [2]..

Com basse na figura a 3.5, obtêm

m-se que Vcemax
V é 600
6 V, Icmaax é 150 A e Tjmax é
175 °°C. Tambémm serão necessárias a as curvas ca
aracterística
as do dispoositivo, obtid
das atravéss
do da
atasheet. A figura 3.6 mostra
m a cu
urva Vce vs
s Ic do dispoositivo escoolhido.

Figura 3.6 – Curva característica Vce vs Ic.

Fonte: [2]..

30
0
 
 Para adiicionar essa
a curva, em
m Electrical Characteriistics – Trannsistor >> Vce(sat)
V vss
Ic, clica-se em Edit
E e apare ecerá a ima
agem mostra ada na figura 3.7.

Fiigura 3.7 – Adicionand

A o uma curv
va caracterís
stica do disspositivo.

óprio autor..
Fonte: Pró

ente, deve-s
Inicialme se clicar em
m Add Curv
ve, aparece
endo a janeela mostrada na figura
a
3.8.

31
 
 Figura 3.8 – A
Adicionando
o a curva Vce
V vs Ic.

Fonte: Pró
óprio autor..

Deve-se então copiiar a image m da curva a característtica do dataasheet e clicar na seta

a
azul direita na parte
p superior para collar na área da janela. Após a col agem da curva, deve--
osicioná-la no centro da
se po d área da ja anela e enttão clica nov
vamente naa seta azul direita.

Em segu uida, deve-s

se clicar prrimeiro no canto
c inferio
or esquerdoo do gráficoo (utilizar o
botão
o direito do
o mouse parra zoom) e então no canto
c superior direito ddo gráfico, aparecendo
a o
assim
m um retâng gulo de cor azul nas exxtremidades do gráfico o, conformee mostra a figura 3.9.

32
2
 
 Figurra 3.9 – Sellecionando a curva carracterística..

óprio autor..
Fonte: Pró

o novamente na seta a
Clicando azul direita, deve-se agora colocarr os valores
s mínimos e
máxiimos das va
ariáveis no eixo x e y. No exemplo o, X0 = 0 e Xmax = 4; Y0 = 0 e Ymax = 300..
Devee-se atenta
ar se o X-a axis e Y-a axis (figura 3.10) estã ão de acorrdo com as variáveiss
prese
entes na cu
urva, e caso
o não estejaa, marcar em m Invert gra
aph.

Figura 3.10 – Corrrespondênc

cia das variá
áveis e eixoos.

óprio autor..
Fonte: Pró

Para adiicionar a cu
urva corres pondente a temperatu ura de junçãão de 25 °C
C, digita-se
e
“25” em Junction Temperatture, e entã
ão clicar na seta azul direita.

Em segu uida, é nece essário cliccar em várioos pontos da curva de 25°C (utiliz
zar o botão o
direitto do mouse para zoom m, e esc pa ara sair do zoom), para que estess pontos seejam salvoss
e a ccurva seja construída,
c a qual vai ssendo dese enhada em linhas vermmelhas, commo mostra a
figuraa 3.11. Ca aso seja ne ecessário de eletar parte
e da curva, em Enter vvalues in th
he following g
forma 3, y3) ..., de
at: (x1, y1) (x2, y2) (x3 eve-se delettar os ponto
os correspoondentes e então
e clicarr
em RRefresh.

33
3
 
 gura 3.11 – Adicionand
Fig do a curva de
d 25 °C.

Fonte: Pró
óprio autor..

Com a obtenção
o da
a curva paraa Tj = 25°C, clica-se no
ovamente nna seta azul, obtêm-se
e
a currva obtida conforme
c mostra a figu
ura 3.12.

Figura
F 3.12 – Curva obttida para T = 25°C.

Fonte: Prróprio autorr

34
4
 
 Clicando
o em Other Test Condiitions, apare
ecerá a jane
ela mostradda na figura 3.13.

Figura 3.1
13 – Other Test Condittions.

óprio autor..
Fonte: Pró

Os valorres mostrados na figu oram obtido

ura 3.13 fo os com baase no data
asheet, em
m
desta
aque na figu
ura 3.14.

Fig
gura 3.14 – Informaçõe
es presente
es no datash
heet do dispositivo SE
EMiX151GD066HDs.

Fonte: [2]..

Clicando
o então em OK para ad
dicionar a curva
c de 25 °C, deve-see clicar em Add Curvee
e rea
alizar o messmo proced
dimento parra adicionar a curva ca
aracterísticaa com temp
peratura de
e
junçã
ão de 150°CC.

35
5
 
 Após a adição da curva de V Vce(sat) vss Ic, devem
m ser adicioonadas outtras curvass
preseentes no datasheet,
d em
e procedim mento sem melhante ao anterior. A
Ao se clicar em Otherr
Test Conditionss para esttas curvas,, aparecerã ão novos parâmetross a serem inseridos,,
confoorme mostrra a figura 3.15,
3 os qua
ais devem ser
s obtidos dod datasheeet do comp ponente. Oss
valorres de DC Bus
B Voltage e e Gate ressistance poddem ser vis
sto em destaaque na figura 3.16.

Figura 3.1
15 – Other Test Condittions.

Fonte: Pró
óprio autor..

Fig
gura 3.16 – Informaçõe
es presente
es no datash
heet do dispositivo SE
EMiX151GD066HDs.

Fonte: [2]..

As curvaas relaciona
adas com o diodo antiparalelo preesentes noo datasheet devem serr
adicionadas na seção Electrical Cha aracteristics – Diode, em
e procedim mento semmelhante aoo
anterriormente descrito.
d Ao clicar em O
Other Test Conditions,, uma janelaa aparecerá
á conforme
e
mosttrada na figura 3.17.

36
6
 
 Figu
ura 3.17 – P
Parâmetros do diodo an
ntiparalelo.

Fonte: Pró
óprio autor..

Os valorres mostrados na figu

ura 3.17 fo
oram obtido
os com baase no data
asheet, em
m
desta
aque na figu
ura 3.18.

Fig
gura 3.18 – Informaçõe
es presente
es no datash
heet do dispositivo SE
EMiX151GD066HDs.

Fonte: [2]..

As inform
mações a respeito
r do tamanho do d dispositiv
vo e das caaracterística
as térmicass
(Thermal Caraccteristics) nãão são utiliizadas para
a cálculo de
e perdas. AApós as curvas serem m
adicionadas e o dispositivo
o salvo em S Save Device, este estáá adicionadoo ao databaase.

3.1.4
4 – Utilizar o IGBT (da
atabase) em
m um proje
eto e calcullar suas peerdas

É necessário que o programa a seja reinic

ciado para que seja poossível utiliizar o novo
o
dispo
ositivo adicionado. Para utilizar e
em um nov vo projeto, deve-se
d ir na barra de menu do o
PSIMM, em Elemments >> Po ower >> The ermal Modu ule e escolh
her IGBT(daatabase) e adicioná-lo o
à áre
ea de trab balho. Com um clique e duplo no dispositivo o escolhidoo, aparecerrá a janela a
mosttrada na figura 3.19.

37
7
 
 Figu
ura 3.19 – In
nformações
s do IGBT (d
database).

óprio autor..
Fonte: Pró

Em Freqquency, deeve ser co olocado o valor

v de frrequência qque irá de eterminar o
intervvalo para o qual serãão calculad
das as perddas. Caso esta seja iigual à freq quência de
e
interrruptoramen
nto, as perdas calculad
das serão pa
ara cada cic
clo de interrruptoramen
nto.

Em Nummber of Parrallel Devicces, deve ser

s colocad do o númerro de dispo ositivos em
m
paralelo no circcuito. Calib
bration Facttors são fa
atores para corrigir oss valores obtidos
o dass
perda as na simu
ulação com valores ob btidos mediante experiimentação. Pcond_Q se refere a
perda a de conddução do transistor, P Psw_Q a perda
p por interruptoraamento do transistor,,
Pconnd_D a perda
p por condução o do diodo antipara alelo e Pssw_D a perda porr
interrruptoramen
nto no diodoo.

Clicandoo-se então no
n ícone co
om reticênciias em Dev
vice, apareccerá a janela conforme
e
mosttrada na figura 3.20.

Deve-se selecionarr o disposittivo a ser utilizado

u e clicar
c em O
Ok. O esquemático do
o
dispo mo mostra a figura 3. 21, aprese
ositivo, com enta 4 saídas extras qque corresp
pondem ass
perda
as dos 6 IGGBTs e na ta
abela 8, a e
especificaçã
ão de cada saída.

38
8
 
 Figura 3.20
0 – Selecionar o dispositivo.

Fonte: Pró
óprio autor..
Figu
ura 3.21 – E
Esquemático
o do IGBT (database).

óprio autor..
Fonte: Pró

39
9
 
 Tabela 8 – Especifica
ações das s aídas para cálculo de perdas do IIGBT (datab
base).

Saída Espeecificação
1 Pe
erdas por co ondução no os transistorres
2 Pe
erdas por intterruptorammento nos trransistores
3 Pe
erdas por co ondução no os diodos anntiparalelos
4 Pe
erdas po r interrup
ptoramento nos diodos
antiparalelos

Fonte: Pró
óprio autor..

Por proccedimento do
d próprio p
programa, as
a medidas s dessas saaídas devem
m ser feitass
ando ampe
utiliza erímetros conectados
c às saídas, obtendo assim as fformas de onda e ass
potên ncias refere
ente as perd
das, como m
mostrado naa figura 3.22.

3.22 – Cálculo de perdas.

Figura 3

óprio autor..
Fonte: Pró

3.2. A
Adicionar um
u MOSFE abase e calcular suass perdas
ET específiico ao data

3.2.1
1. Adiciona
ar informaç
ções do dis
spositivo MOSFET
M

Para realizar a adição

a de um MOSF FET ao da atabase doo programa a, deve-see
inicia
almente criar um Dev vice File cconforme mostrado
m no
o item 3.1..2, clicando
o em New w
MOS SFET nas opções
o de Device mo ostradas na
a figura 3.3
3, aparecenndo assim uma
u janela
a
confoorme mostrrada na figura 3.23.

40
0
 
 Figura
F 3.23 – Adicionando um MO
OSFET.

Fonte: Pró
óprio autor..
Figura 3.24 – Inform
mações sob
bre o dispos
sitivo IRFP 4460.

Fonte: Pró óprio autor..

Em Mannufacturer, especifica-sse qual é o fabricantee do dispoositivo a ser criado. A
o de exemp
título plo, será es
scolhido o d
dispositivo IRFP460
I da
a Internatioonal Rectifie
er. Em Partt
Num mber é coloccado o nomme do dispo ositivo e em
m Package qual o tipoo de encap psulamento,,
que n no exemplo
o, é Discrete el), com bas
e (n channe se no datasheet do dis positivo.
Com basse ainda noo datasheeet, são obtiddos os valo
ores máximmos de tens são coletor--
emisssor (Vce), corrente no
ominal (Ic) e temperatu ura de junç
ção. Na figuura 3.25 é mostrada
m a
seçã ão Absolute Maximum Ratings do dispositivo o escolhido com as infoormações re equisitadass
em d destaque.
41
 
 Figura 3.25 – Informações prresentes no
o datasheet do disposittivo IRFP46
60.

Fonte: [3]..

42
2
 
 Na ffigura 3.26 são
s mostradas as cara
acterísticas elétricas do
o componennte IRF460.
Figura 3.26 – Informações prresentes no
o datasheet do disposittivo IRFP46
60.

Fonte: [3]..

Em Elecctrical Chara
acteristics - Transistor, as informações estão organizada
as por
cond
dições de te
este, assim como no da atasheet:

F
Figura es de teste do compon
3.27 – Condiçõe nente IRFP4460 (1).

óprio autor..
Fonte: Pró

Figura 3.28 – Inform

mações pressentes no datasheet
d do dispositivvo IRFP460 (1).

Fonte: [3]..

43
3
 
 O valor do
d coeficiennte de tempperatura ( ) aproximado pode seer calculado o com basee
no grráfico da re
esistência dreno-fonte ((RDS) e a te
emperatura de junção ((°C), de aco
ordo com a
equa
ação 1:

1
1

Na qual,, Re deve ser

s um valo
or de resisttência de reeferência e Te a tempperatura da
a
junçã
ão correspo
ondente, e R um valorr de resistê
ência superrior e próxim
mo a referê
ência e sua
a
respe
ectiva temp
peratura T.

Figura 3.29 – Curva

a da resistê ncia dreno--fonte (Rds)) e temperaatura de junç
ção.

Fonte: [3]..

Figura 3.30
0 – Condiçõ
ões de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (2).

óprio autor..
Fonte: Pró

44
4
 
 Figura 3.31 – Inform
mações pressentes no datasheet
d do dispositivvo IRFP460 (2).

Fonte: [3]..

Figura 3.32
2 – Condiçõ
ões de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (3).

Fonte: Pró
óprio autor..

Figura 3.33 – Inform

mações pressentes no datasheet
d do dispositivvo IRFP460 (3).

Fonte: [3]..

Figura 3.34
4 – Condiçõ
ões de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (4).

Fonte: Pró
óprio autor..

Figura 3.35 – Inform

mações pressentes no datasheet
d do dispositivvo IRFP460 (4).

Fonte: [3]..
Figura 3.36
6 – Condiçõ
ões de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (5).

Fonte: Pró
óprio autor..

45
5
 
 Figura 3.37 – Inform
mações pressentes no datasheet
d do dispositivvo IRFP460 (5).

Fonte: [3]..

Em Elecctrical Chara
acteristics – Diode:

Figura 3.38
8 – Condiçõ
ões de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (6).

óprio autor..
Fonte: Pró

Figura 3.39 – Inform

mações pressentes no datasheet
d do dispositivvo IRFP460 (6).

Fonte: [3]..
nda ser adic
Deve ain cionadas ass curvas típicas de corrrente de dreeno reversa
a vs tensão
de drreno-fonte (Reserve
( Drain
D Curren
nt vs Source e-to-Drain Voltage),
V em
m procedime ento
semeelhante ao mostrado
m no item 3.1.3
3.

0 – Condiçõ
Figura 3.40 ões de teste
e do disposiitivo IRFP4660 (7).

Fonte: Pró
óprio autor..

46
6
 
 Figura 3.41
3 - Inform
mações pressentes no datasheet
d do
o dispositivoo IRFP460 (7).

Fonte: [3]..
Após oss parâmetro os serem addicionados e o dispos
sitivo salvo em Save Device
D (verr
figura
a 3.3), este estará adic
cionado ao database.

3.2.2
2. Utilizar o MOSFET (database)
( ) em um prrojeto e calc
cular suass perdas

É necessário que o programa a seja reinic

ciado para que seja poossível utiliizar o novo
o
dispo ositivo adicionado. Para utilizar e
em um nov vo projeto, deve-se
d ir na barra de menu do o
PSIM M, em Elem ments >> Power
P >> TThermal Mo odule e esc
colher MOS SFET (data abase) será á
utiliza
ado e adiccioná-lo à área
á de trab balho. Comm um cliquee duplo no dispositivoo escolhido,,
apare ecerá a janela mostradda na figuraa 3.42.

Figura
a 3.42 – Pa
arâmetros do MOSFET
T (database)).

Fonte: Pró
óprio autor..
Em Devvice deve sers especificcado o MO OSFET que e foi adicionnado. Em Frequency,,
devee ser colocaado o valorr de frequêência que irrá determinar o intervaalo para o qual serãoo
calcu
uladas as perdas.
p Casso este sejja igual à frequência
f de interrupptoramento, as perdass
calcu
uladas serã ão para ca ada ciclo dde interruptoramento. VGG+ e V VGG- referrem-se aoss
potennciais da te
ensão Gate-Source. Rg g_on é o va
alor da resistência da porta (gate
e) durante a
conddução e Rg_ _off o valor dessa resisstência em estado de não
n conduçção.

Em Num mber of Parrallel Devicces, deve ser

s colocad do o númerro de dispo ositivos em
m
paralelo no circcuito. Calib
bration Facttors são fa
atores para corrigir oss valores obtidos
o dass
as na simu
perda ulação com valores ob btidos mediante experiimentação. Pcond_Q se refere a

47
7
 
perda a de conddução do transistor, P Psw_Q a perda
p por interruptoraamento do transistor,,
Pconnd_D a perda
p por condução o do diodo antipara alelo e Pssw_D a perda porr
interrruptoramen
nto no diod do. Por pa adrão, todo
os esses fatores sãoo iguais a 1, sendo o
modiificados casso se obtenha valores experimenttais.

Com os parâmetros s adicionadoos, o dispositivo pode ser utilizaddo em simullação. Para

a
o cállculo das pe
erdas é feito
o utilizando as 4 saídas extras.

O esque
emático do dispositivo, como mosstra a figura
a 3.43, apreesenta 4 saídas extrass
que ccorrespondem as perd
das do MOS SFET, e na tabela 9, a especificaçção de cada
a saída.

Figura
a 3.43 – Esq
quemático do
d MOSFET
T (databasee).

Fonte: Pró
óprio autor..
T
Tabela 9 – Especificaçã
E ão das saíd
das para cálculo de perdas do MO
OSFET (dattabase).

Saída Especificaçção das perrdas

1 Pe
erdas por coondução do o transistor
2 Pe
erdas do inte
erruptorame ento do trannsistor
3 Pe
erdas por coondução do o diodo antipparalelo
4 Pe
erdas por intterruptoram
mento do dio odo antiparaalelo
Fonte: Pró
óprio autor..

Por proccedimento do
d próprio p programa, asa medidas s dessas saaídas devem
m ser feitass
utiliza
ando ampe erímetros conectados
c às saídas,, obtendo assim
a as foormas de onda,
o e oss
valorres médios delas serão o as potênccias referen
nte as perda
as, da mesmma forma mostrada
m na
a
figuraa 3.22.

48
8
 
4. CONSIDERAÇÕES FINAIS

Esse trabalho se propôs, como objetivo central, apresentar as principais

funcionalidades do software de simulação PSIM, iniciando com uma explanação sobre os
menus e as barras de ferramentas do programa e mostrando o procedimento para realizar
simulações e obter de forma satisfatória as medidas e/ou formas de ondas, visando facilitar
o aprendizado aos usuários iniciantes.

A utilização do recurso Thermal Module se mostrou importante na análise e

avaliação de projetos eletrônicos pelo levantamento das perdas, apesar dos valores obtidos
nesse trabalho não terem sido confrontados com valores experimentais, visto que não foram
realizados testes experimentais a fim de certificar o desempenho do recurso.

5. REFERÊNCIAS

[1] CHAPMAN, Stephen J.; Fundamentos de Máquinas Elétricas, 5ª edição,2013. Editora

McGraw-Hill.

[2] <http://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheet-
semix151gd066hds-27891210>. Acesso em 02/10/2015.

[3] < http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/68529/IRF/IRFP460.html>. Acesso em

02/10/2015.

49