Dispositivos de disparo

Dispositivos de disparo

INTRODUCCIÓN
A ciertos niveles, para disparar el tiristor y el triac se necesitan dispositivos intermedios entre
la señal de disparo y la puerta. Para estudiarlos utilizaremos:
− VS = Tensión de disparo.
− VH = Tensión de mantenimiento.
− VR = Tensión inversa.
− V0 = Tensión de pico de los impulsos.
− IH = Corriente de mantenimiento.
− IS = Corriente en el momento del disparo.

DIAC (Diodo de corriente alterna):

El DIAC es un dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional
autodisparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo
alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor triple de voltios
característico para ese dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de
la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de
alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el
ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales al menos, ánodo 1 y ánodo 2. Actúa como

una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje entre sus
terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho voltaje puede estar entre
20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación.

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones
de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que
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se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base
que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un
dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que
le da la característica bidireccional.

• Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con
dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control (Fig.1.a).
• Su estructura es la representada en la figura 1.b.
• En la curva característica tensión-corriente (Fig. 1.c) se observa que: − V(+ ó −) < VS ⇒ el
elemento se comporta como un circuito abierto. − V(+ ó −) > VS ⇒ el elemento se comporta
como un cortocircuito.
• Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.

SUS (Conmutador unilateral de silicio):

• SUS (Silicon Unilateral Switch): combinación de un tirirstor con puerta anódica y un diodo
Zener entre puerta y cátodo.
• En la figura 2 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica.
• Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parámetro es VS ≈ 6 y 10 V.
• Se dispara a una tensión fija, Vzener, y su corriente IS está muy cercana a IH.
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• Sincronización mediante impulsos en puerta del SUS.

SBS (Interruptor bilateral de silicio):

Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de
relajación para el control de disparo de dispositivos que entregan potencia eléctrica a una
carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto en
el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna, debido
a que pueden polarizarse directa e inversamente.
Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta terminal
solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera sus características
de voltaje-corriente. Si se comparara esta curva característica con la de un DIAC, se podría
observar que son muy similares; sin embargo, la curva del SBS tiene una región de resistencia
negativa más pronunciada, lo que significa que su caída de voltaje es mucho más drástica
después de llegar a su estado de conducción. Usualmente, el voltaje de ruptura de un SBS se
encuentra entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el de un DIAC.

Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva característica de un SBS

La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la curva
característica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si se desea tener ángulos de disparo diferentes
en los semiciclos positivos y negativos, se puede conectar un diodo Zener entre la compuerta
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G y la terminal T1, con la finalidad de que el voltaje de ruptura directo llegue hasta el valor
de voltaje del diodo Zener, mientras que el voltaje de ruptura inverso no se modifica. Con
esto, se logra modificar el voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para
una aplicación cualquiera, aunque no es común tener diferentes ángulos de ruptura.
Ventajas
Además de su caída de voltaje más drástica debido a su región de resistencia negativa, lo cual
permite una conmutación más rápida, el SBS es mucho más estable térmicamente y más
simétrico que su familiar cercano, el DIAC.

Estabilidad térmica: Esto significa que, ante incrementos de temperatura, el SBS mantiene
un voltaje muy estable; de acuerdo con la hoja de especificaciones de la compañía
POWEREX,1 el modelo BS08D-T112 cuenta con un coeficiente de temperatura de
0.01%/°C. En otras palabras, por cada grado centígrado que varíe la temperatura del
dispositivo, su voltaje de ruptura cambiará en un 0.01%, convirtiéndolo en un dispositivo
muy estable térmicamente hablando.
Simetría: Cuando se menciona que el SBS es simétrico, es porque los voltajes de ruptura en
los semiciclos positivos y negativos son iguales o casi iguales. Esto se puede verificar en la
señal de salida de un SBS: sus ángulos de disparo en los dos semiciclos son prácticamente
iguales.
De respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos SUS conectados en antiparalelo.
• En la figura 3 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica.
• Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal parámetro es VS (entre 6 y 10
V) en ambos sentidos.
• Especificaciones idénticas a las del SUS a excepción de VR que pierde todo significado.
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UJT (transistor unijuntura):

UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 KΩ)
tipo N con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unión NP).

• En la figura 4 se representa el símbolo, estructura y curva característica.

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Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje VEB1
sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia
que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello,
también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa.
Este es un proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que
lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de
relajación.

El circuito equivalente del UJT es el representado en la figura 5, para su estudio definimos:

− VBB: Tensión interbase.

− rBB : Resistencia interbase ⇒

− VE : Tensión de emisor.
− IE : Intensidad de emisor.
− VB2 : Tensión en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado).

− VP : Tensión de disparo⇒
− IP : Intensidad de pico (de 20 a 30 µA.).
− VV : Tensión de valle de emisor
− IV : Intensidad valle del emisor.
− VD : Tensión directa de saturación del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V).

− µ : Relación intrínseca (de 0,5 a 0,8) ⇒

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Funcionamiento del UJT

• El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior.
El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensión
aplicada al emisor.
• Si el emisor no está conectado ó VE < VP ⇒ Diodo polarizado inversamente ⇒ no conduce
⇒ IE = 0.

Si VE ≥ VP ⇒ Diodo polarizado directamente ⇒ conduce ⇒ aumenta IE.

• Cuando IP < IE < IV ⇒ entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB varía en
función de IE.
• A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV
el diodo se polariza inversamente.
• Se suele usar para el disparo de tiristores o en el diseño de osciladores de relajación.
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PUT (Transistor uniunión programable):

PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de caracteristicas idénticas al UJT, puede ajustar

los valores de µ, VP e IV mediante un circuito de polarización externo.
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El
PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga.
El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente
de sostenimiento.

Conexión típica del PUT

Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se
realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción
del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como
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oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación

mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp.
• Su constitución y funcionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de ánodo (Fig.
6). Tiene tres terminales: cátodo K, ánodo A y puerta de ánodo GA.

Si VA < VGA ⇒ diodo A-GA se polariza inversamente ⇒ solo circula corriente de fugas. •
Si VA > VGA ⇒ diodo A-GA conduce y tiene una característica similar a la del UJT (Fig.
7).

La variación de µ IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensión VGA, es decir de

RG (Fig. 6).

• El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT (≈ 1 V).

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Aplicaciones

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para
disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les
permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de
capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en
circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un proceso
de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutación
que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio
por inyección de portadores. En consecuencia, menores valores de capacitancia producen
pulsos de disparos de la potencia adecuada

DIODO DE 4 CAPAS.
El diodo de cuatro capas o diodo Schockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas
semiconductoras npnp, cuya estructura y símbolo se describen en las figuras 12.2.a y 12.2.b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor.

Al aplicar una tensión positiva entre ánodo y cátodo se puede observar que la unión J1 y J3
está polarizada en directa, y la unión J2 polarizada en inversa. En estas condiciones
únicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra
cortado.

Aumentando esta tensión positiva se llega a una tensión VBO de ruptura o avalancha donde
la corriente crece de forma abrupta y la caída de tensión decrece de la misma manera. En este
momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conducción.
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Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su

estructura física en dos mitades (figura 12.2.c). La mitad izquierda es un transistor NPN y la
mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es
referido como candado. Las características eléctricas de un diodo de cuatro capas se muestran
en la gráfica de la figura 12.3. En esta gráfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro
regiones de operación:
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1.- Zona directa (V > 0)1.a) Región de corte. El diodo se encuentra en corte con unas
corrientes muy bajas. En esta región se puede modelar como una resistencia ROFF de valor

1.b) Región de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo es

suficientemente alta se produce la ruptura de la unión con un incremento muy elevado en
corriente comportándose el diodo como si fuera una resistencia negativa debido a la
realimentación positiva de su estructura.

1.c) Región de saturación o conducción. En esta región, la caída de tensión entre ánodo y
cátodo está comprendida entre 0.5V y 1.5V, prácticamente independiente de la corriente. Se
mantendrá en este estado siempre que la tensión y corriente alcancen unos valores mínimos
conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH.

2.- Zona inversa (V < 0 )

2.a) Región de ruptura. El diodo puede soportar una tensión máxima inversa VRSM que
superado ese valor entra en conducción debido a fenómenos de ruptura por avalancha.

Uso descontinuado en la actualidad.

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Contents
DIAC: 1 .................................................................................................................................. 1

SUS: CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO 2 ....................................................... 2

SBS (Silicon Bilateral Switch): 3 ........................................................................................... 3

UJT 4 ...................................................................................................................................... 5

TRANSISTOR UNIUNIÓN PROGRAMABLE (PUT) 6 ..................................................... 8

DIODO DE 4 CAPAS 9. ...................................................................................................... 10