UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

Facultad de Ingeniería
Escuela Profesional de Ingeniería Mecatrónica

POLARIZACIÓN DE UN BJT

Trabajo de Investigación Formativa

Electrónica Analógica
AUTORES : Aguirre Valverde, Jack Lut
Blas Marquina, Miuler Junior
Hernández Díaz, Julio Cesar
Ramírez Zamudio, Paul Oscar
Reyna Rodríguez, Sthefanny B.

DOCENTE : No olvides llenar el nombre del DOCENTE

CICLO : Cuarto Ciclo

Trujillo, Perú
2018
 Tabla de Contenidos ii

Capítulo 1 Resumen ....................................................................................................................... 1

Objetivos ..................................................................................................................................... 1
Capítulo 2 Marco Teórico .............................................................................................................. 2
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) ........................................................................... 2
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR................................................................................. 3
TRANSISTOR TIPO NPN Y TIPO PNP ............................................................................... 4
CORRIENTES DEL TRANSISTOR ..................................................................................... 7
Capítulo 3 Metodología .................................................................................................................. 8
Capítulo 4 Análisis de datos ........................................................................................................... 9
Capítulo 5 Conclusiones ............................................................................................................... 10
Capítulo 6 Transferencia ............................................................................................................... 11
Transistor como amplificador de voltaje .................................................................................. 11
Transistor como interruptor ...................................................................................................... 11
Bibliografía ................................................................................................................................... 13
Lista de tablas iii
 Lista de figuras iv

Figura 1. Estructura plana epitaxial básica. (Floyd, 2008) ............................................................. 2

Figura 2. Representación de transistores NPN y PNP, respectivamente. (Floyd, 2008) ................ 3
Figura 3. Polarización en directa-inversa. (Floyd, 2008)................................................................ 4
Figura 4. Operación de un BJT tipo NPN que muestra flujo de electrones. (Floyd, 2008) ............ 5
Figura 5. Flujo de portadores en un transistor tipo PNP. (Boylestad & Nashelsky, 2009) ............ 6
Figura 6. Corrientes en el transistor. (Floyd, 2008) ........................................................................ 7
Figura 7. Amplificación de voltaje básica de la configuración de base común. ........................... 11
Figura 8. Acción de conmutación de un transistor ideal. .............................................................. 12
 1

Capítulo 1

Resumen

El presente trabajo tiene como propósito de estudio a la polarización de un BJT, el

cual puede ser de tipo PNP o NPN, dependiendo del dopaje que tenga. La práctica tuvo

como objetivo general experimentar la polarización de un BJT y hallar el punto de trabajo

de cada circuito. Entre los instrumentos de medida que se utilizaron tenemos al voltímetro

y al amperímetro; además se usaron los siguientes materiales: transistor 2N3904, que es de

tipo NPN, algunas resistencias, de 480Ω, 560Ω, 1.2kΩ, 1.5kΩ, 2kΩ, 10kΩ, 470kΩ, y una

fuente variable de DC, la cual fijaremos a 15 voltios. Luego de realizar el experimento

correctamente, se logró llenar completamente las tablas pedidas y ubicar el punto pedido

en cada gráfica. FALTA AÑADIR LOS RESULTADOS

Objetivos

- Objetivo General

 Experimentar la polarización de un BJT y hallar el punto de trabajo de cada

circuito.

- Objetivos específicos

 Armar los circuitos correctamente, permitiendo medir adecuadamente.

 Determinar las variaciones de voltaje emisor colector para el BJT en cada
circuito.
 Determinar las intensidades de emisor y colector, respectivamente para el BJT
en cada circuito.
 Graficar VCE vs IC para cada circuito, identificando las variaciones.
 Ubicar en cada gráfica el punto de trabajo.
 Comparar los puntos de trabajo encontrados.
 2

Capítulo 2

Marco Teórico

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

El transistor de unión bipolar, llamado comúnmente BJT por sus siglas en inglés (bipolar

junction transistor), es un dispositivo semiconductor que consta de tres capas, llamadas

emisor, base y colector respectivamente.

Figura 1. Estructura plana epitaxial básica. (Floyd, 2008)

Es llamado bipolar porque se emplean dos portadores simultáneamente, huecos y

electrones, para realizar un proceso de inyección hacia el material opuestamente

polarizado.

Cada capa o terminal del transistor se representa con una letra mayúscula, la cual es

designada por la primera letra de su nombre; es decir, E para el emisor, B para la base y C

para el colector.

La base está situada entre el emisor y el colector las cuales tienen igual tipo de dopaje,

formando cada uno un diodo con la base, gracias a lo cual se puede encontrar dos tipos de

transistores; uno en el que hay dos capas de tipo n y una capa de tipo p (denominado NPN),

y otro donde hay una capa de tipo n y dos capas de tipo p (denominado PNP).
 3

Figura 2. Representación de transistores NPN y PNP, respectivamente. (Floyd, 2008)

La pequeña región p-n que une la región de la base y la región del emisor se llama “unión

base-emisor” y la que une la región de la base y la región del colector se llama “unión

base-colector” como se ve indicador en la figura 2.a.

La región de la base se encuentra ligeramente dopada, mientras que la región del emisor se

encuentra excesivamente dopada; así mismo, la región del colector está moderadamente

dopada. Además, la región de la base es muy delgada en comparación con las regiones del

emisor y del colector.

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

En la figura 3 se muestra los arreglos de polarización, tanto para transistores de tipo NPN

como para PNP, cuando operan como amplificador. En ambos casos la unión base-emisor

está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. Teniendo,

esta condición, como nombre “polarización en directa-inversa”.

 4

Figura 3. Polarización en directa-inversa. (Floyd, 2008)

TRANSISTOR TIPO NPN Y TIPO PNP

La principal diferencia es la polaridad en a que deben ser conectados, al tener uno más

“partículas” negativas y el otro, más “partículas” negativas.

Para comprender cómo opera un transistor, normalmente se explica el funcionamiento de

un transistor de tipo NPN.

TRANSISTOR NPN

La región del emisor de tipo N se encuentra, como ya se mencionó, excesivamente

dopada por lo cual tiene una densidad muy elevada de electrones de banda de

conducción (libres). Estos electrones se difunden con mucha facilidad a través de la

unión base-emisor polarizada en directa hacia la región de la base de tipo P que es muy

delgada y levemente dopada. Al ser levemente dopada de tipo P, la base tiene una baja

densidad de huecos, los cuales son los portadores mayoritarios, que son representados

por puntos blancos. Una pequeña cantidad del total de electrones se va hacia la base,

donde se recombina con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de

la base hacia el emisor como corriente de huecos, como lo indican las flechas negras.
 5

Figura 4. Operación de un BJT tipo NPN que muestra flujo de electrones. (Floyd, 2008)

Luego de que los electrones de valencia abandonan la estructura cristalina de la base, se

transforman en electrones libres en el conductor de la base metálica y producen la

corriente de base externa. Como la base es muy delgada, muchos electrones no se

pueden recombinar. A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión base-

colector, polarizada en inversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del

voltaje de alimentación positivo del colector. Los electrones libres se desplazan a través

del colector hacia el circuito externo y luego regresan al emisor junto a la corriente de

la base, como se observa.

 6

TRANSISTOR PNP

Como en este caso los electrones se encuentran en la parte central, se debe generar un

excesivo dopado del emisor, para permitirle transportar la mayor cantidad de electrones

desde la base. Como el colector se encuentra moderadamente dopado, los huecos que se

encuentran aquí logran atraer a menos electrones y, por tanto, se genera un paso de

electrones muy moderado por el colector, lo cual hace que la unión base-colector se

encuentra polarizada en inversa.

Por lo tanto, se genera nuevamente una gran cantidad de electrones en el emisor, una

baja cantidad en el colector y una mínima cantidad en la base, puesto que tiene una

región muy delgada.

Para poder entender mejor esto, se puede conectar al transistor tipo PNP de la siguiente

manera, tomando como punto común a la base.

Figura 5. Flujo de portadores en un transistor tipo PNP. (Boylestad & Nashelsky, 2009)
 7

Como se puede observar en la figura anterior, las flechas de dirección van en sentido

contrario a lo que se menciona en lo expuesto, puesto que el diagrama está realizado

representando la dirección convencional de la corriente eléctrica.

CORRIENTES DEL TRANSISTOR

Las direcciones de las corrientes en un transistor NPN y su símbolo esquemático se

muestran en la figura 6.a; las correspondientes a un transistor PNP se muestran en la figura

6.b. Observe que la flecha en el emisor en el interior de los símbolos de transistor apunta

en la dirección de la corriente convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de

emisor (IE) es la suma de la corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB), expresada

de la siguiente manera:

IE = IB + IC

Como se pudo observar antes, IB es muy pequeña en comparación a IE o IC.

Figura 6. Corrientes en el transistor. (Floyd, 2008)

PONER SOBRE PUNTO DE TRABAJO

 8

Capítulo 3

Metodología
 9

Capítulo 4

Análisis de datos
 10

Capítulo 5

Conclusiones

 Se estudió y experimentó la polarización de un BJT y se halló el punto de trabajo

de cada circuito.

 Se armaron los circuitos correctamente, permitiendo medir adecuadamente.

 Se determinaron las variaciones de voltaje emisor colector para el BJT en cada

circuito.

 Se determinaron las intensidades de emisor y colector, respectivamente para el BJT

en cada circuito.

 Se graficó VCE vs IC para cada circuito, identificando las variaciones.

 Se ubicó en cada gráfica el punto de trabajo.

 Se compararon los puntos de trabajo encontrados.

 11

Capítulo 6

Transferencia

Transistor como amplificador de voltaje

Por medio de una pequeña corriente aplicada a la base se pueden gobernar otra

mucho más intensa entre colector y emisor. Esto significa que pequeñas corrientes se

pueden transformar en otras más fuertes (amplificación).

Figura 7. Amplificación de voltaje básica de la configuración de base común.

(Boylestad & Nashelsky, 2009)

Ii = Vi / Ri = 200mV / 20 Ω = 10 mA

Suponiendo que: Ic = Ie

IL = Ii = 10 mA y VL = IL R = (10 mA) (5 k Ω) = 50 V

La amplificación de voltaje es: Av = VL / Vi = 50 V / 200 mV = 250 V

Transistor como interruptor

La figura 8 ilustra la operación básica de un transistor como dispositivo de

conmutación. En la parte a), el transistor está en la región de corte porque la unión base-

emisor no está polarizada en directa. En esta condición, existe, idealmente, una abertura

entre el colector y el emisor, como lo indica el equivalente de interruptor. En la parte b), el

 12

transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la unión base-

colector están polarizadas en directa y la corriente en la base llega a ser suficientemente

grande para provocar que la corriente en el colector alcance su valor de saturación. En esta

condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor, como lo indica el

equivalente de interruptor.

Figura 8. Acción de conmutación de un transistor ideal.

(Floyd, Transistores de unión bipolar, 2008)
 13

Bibliografía

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2009). Transistores de unión 3. En R. L. Boylestad, &

L. Nashelsky, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos (págs.
131-136). Naucalpán de Juárez: Pearson Educación.
Cirovic, M. M. (2003). Transistores de unión bipolares. En M. M. Cirovic, Electrónica
fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas. San Luis Obispo: Reverté.
Floyd, T. L. (2008). Transistores de unión bipolar. En T. L. Floyd, Dispositivos
Electrónicos (págs. 163-176). Naucalpan de Juárez: Pearson Educación.