6.

2 Polarisation d’un transistor

6.2.1 L’effet Transistor
Dans le cas d’un transistor NPN, on polarise la jonction base-émetteur en directe et la jonction
base-collecteur en inverse.

L’effet transistor se résume en 3 points :

1. lorsque VBE dépasse le seuil de conduction de la jonction BE, on a création du courant
IE.
2. une faible proportion des électrons venant de l’émetteur s’écoulent vers la base, d’où
la création d’un faible courant IB.
3. la majorité des électrons venant de l’émetteur et rentrant dans la zone de déplétion de
la jonction Base-Collecteur vont être évacués vers le collecteur, d’où la création du
courant IC.