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Se ha de diseñar un amplificador utilizado un transistor BJT que tenga a frecuencias medias unas
determinadas características de Ganancia de tensión Av, impedancia de entrada Ri, e impedancia de salida Ro.
En la convocatoria de la realización de la práctica, se indicará cuál de los diseños corresponde en cada grupo
Diseño:
La configuración de trabajo escogida del transistor será en Común
VCEQ = ICQ =
5) Anota en el circuito de la figura 3.7, los valores nominales normalizadas de las resistencias que
has obtenido a partir de las calculadas teóricamente, indicando los terminales de entrada y salida
del amplificador.
VCC=+15V
RC
R1
C1
Q C2
R2
RE
NOTA: Serie E12: 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82
1
Departamento de Ingeniería electrónica – ETSIT – UPV- Valencia
iC (mA)
Recta de carga
dinámica
iCmáx
md = = -909*10^-6
Q
ICQ=
iCmín
VCEQ= vCE (V)
PARÁMETROS DEL
AV Ri Ro vO VCEQ ICQ
AMPLIFICADOR
Si te has desviado mucho de los valores marcados por el diseño, deberías revisar los cálculos y
repetir el proceso. A continuación en el laboratorio se comprobará si los valores obtenidos teóricamente se
aproximan bastante a los reales que obtendremos mediante medidas experimentales.