¿Qué es la región de saturación de operación del transistor?

(3)

OPERACION DEL TRANSISTOR

Básicamente existen dos tipos de transistores bijuntura: npn y pnp.

 En un un cristal tipo npn (figura 1a), el emisor está altamente impurificado y su función consiste
en emitir o inyectar electrones en la base. La base está ligeramente impurificada y es muy
delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen
hacia el colector. El nivel de impurificación de éste es intermedio y se le da ese nombre porque
recibe o capta los electrones provenientes de la base; el colector es la mayor de las tres
regiones y disipa más calor que el emisor o la base. El transistor npn tiene dos uniones, una
entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por esto, un transistor es similar a
dos diodos: el de la izquierda diodo emisor-base, o simplemente diodo-emisor, y el de la
derecha es el diodo colector-base, o diodo-colector.

Figura 1

(a) npn (b) pnp

 El transistor pnp (figura 1b) es el complemento del transistor npn. Los portadores mayoritarios
en el emisor son huecos en vez de electrones libres. Esto significa que intervienen corrientes y
voltajes opuestos en la acción de un transistor pnp. Para evitar confusión, se concentrará la
atención en el transistor npn durante el estudio preliminar.
La difusión de electrones libres a través de la unión produce dos capas de agotamiento (Figura 2a).
Para cada una de estas capas de agotamiento, el potencial de barrera es aproximadamente igual a
0.7 V a 25ºC, para un transistor de silicio (0.3 V para un transistor de germanio). Debido a que las
tres regiones citadas tienen diferentes niveles de contaminación o impurificación, estas capas de
agotamiento no tienen el mismo ancho. Cuanto mayor es la contaminación de la región, mayor
será la concentración de iones cerca de la unión. Esto significa que las capas de agotamiento
penetran sólo ligeramente en la región del emisor (altamente contaminado), pero se profundizan
en la base, donde la contaminación es ligera. La otra capa de agotamiento se interna bastante en
la base y penetra en la región del colector en una proporción mucho menor. En la figura 2b se
resume esta idea. La capa de agotamiento del emisor es pequeña y la del colector es grande. Las
capas de agotamiento están sombreadas para indicar la escasez de portadores mayoritarios.

A continuación describiremos la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la

figura 3.2a. La operación del transistor npnes exactamente la misma con los roles de los electrones
y huecos intercambiados. En la figura 3.3 se volvió a dibujar el transistor pnp sin polarización entre
la base y el emisor. Observe las semejanzas entre esta situación y la del diodo polarizado en directa
en el capítulo 1. El ancho de la región de empobrecimiento se redujo a causa de la polarización
aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al
material tipo n. Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del transistor pnp de la figura
3.2a como se muestra en la figura 3.4. Considere las semejanzas entre esta situación y la del diodo
polarizado en inversa de la sección 1.6. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y
el resultado es sólo un flujo de portadores minoritarios,como se indica en la figura 3.4. En suma,
por consiguiente: La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se
polariza en directa.
En la figura 3.5 se aplicaron ambos potenciales de polarización a un transistor pnp, con los flujos de
portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la figura 3.5 los anchos
de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cuál unión es polarizada en directa y
cual lo está polarizada en inversa. Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión p–n polarizada en directa hacia el material tipo n. La
pregunta es entonces si estos portadores contribuirán directamente con la corriente de base IB o si
pasarán directamente al material tipo p. Como el material tipo n emparedado es muy delgado y su
conductividad es baja, un número muy pequeño de estos portadores tomarán esta ruta de alta
resistencia hacia la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de
microamperes,en comparación con los miliamperes de las corrientes del emisor y el colector. El
mayor número de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada en
inversa hacia el material tipo n conectado al colector como se indica en la figura 3.5. La razón de la
facilidad relativa con que los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión polarizada en
inversa es fácil de entender si consideramos que en el caso del diodo polarizado en inversa los
portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo
p. En otras palabras, ha habido una inyección de portadores minoritarios en el material tipo n de la
región de la base. Si se combina esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios de la
región de empobrecimiento atravesarán la unión polarizada en inversa de un diodo explica el flujo

2. ¿Qué es la región activa de un transistor? (2)

En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unión colector-base
se polariza en inversa.

3. ¿Qué es la región de ruptura o disrupción en un transistor? (2)

4. ¿Cómo se puede calcular la potencia disipada de un transistor? (1)

5. ¿Cuáles serían las condiciones ideales para que el transistor no opere en su máxima potencia?
(3)

6. Dibuje la curva de un transistor y muestre sus regiones de operación o trabajo. (2)

7. Explique el significado de la corriente de fuga en un transistor. (2)

8. Explique las características del transistor de unión bipolar y las diferencias entre los BJT NPN y
los BJT PNP. (3)

9. ¿Cuáles son los modos de conexión de un transistor BJT? (2)

10. ¿Cómo se prueba la condición de un transistor usando el multímetro? (1)