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A forma de onda deste tipo de oscilador, coletada no coletor de T2 é um onda quadrada quase perfeita, cujo
a sua frequencia será dada pela fórmula abaixo.
f = 1 / ( K . ( RB1 . C2 + RB2 . C1 )
Onde:
f = frequencia de oscilação em Hetz.
K = Constante igual a 0,69.
RB1 e RB2 = Resistores da malha de carga e descarga dados em Ohms.
C1 e C2 = Capacitores da malha de carga e descarga dados em Farad.
O diodo 1N4148 junto a R1 tem o objetivo de garantir uma onda quadrada mais perfeita possivel. Mantendo
se RB1 = RB2 e C1 = C2 a simetria do sinal será mantida.
Projeto
Como os transistores trabalham em corte e saturação temos que garantir o estado de saturação, para tal
vamos polarizar o transistor neste estado, considerando VCE = 0V. Primeiramente vamos calcular os
resistores do coletor para polarização em classe A, onde as tensões de VCE dos transistores serão metade
da tensão de alimentação VCC. Considerando VCC = 12V , IC = 1mA e fechando a malha de coletor, teremos
então.
VCC = IC . RC + VCE
VCC = IC . RC + ( VCC / 2 )
12V = 1mA . RC + 6V
RC = ( 12V 6V ) / 1mA
RC = 6K
Utilizaremos o valor comercial de 5K6 para RC. De posse do hFE do transistor, levantado em manual e
sabendo que IB = IC / hFE, calculamos o valor de IB capaz de colocar o transistor em saturação. Para o
transistor BC548B com uma corrente IC de 1mA encontramos um hFE de aproximadamente 190, como o
queremos saturado, a corrente de coletor terá que ser o dobro do seu valor, ou seja 2mA, fazendo com que
toda a tensão esteja sobre RC. com estes valores em mão e fechando a malha de base, teremos.
VCC = IB . RB + VBE
Para transistor de sílicio VBE é igual a 0,6V, substituindose os valores teremos.
VCC = (IC / hFE) . RB + VBE
12V = ( 2mA / 190 ) . RB + 0,6V
RB = ( 12V 0,6V ) / ( 2mA / 190 ) = 1,083 MOhms
Como este tipo de circuito de polarização é altamente dependente do parâmetro hFE e como há uma grande
variação de fábrica para hFE (tolerancia), para garantir que o transistor irá entrar no estado de saturação
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16/08/2015 Projetos Tecnológicos Circuitos práticos Multivibrador astável transistorizado.
variação de fábrica para hFE (tolerancia), para garantir que o transistor irá entrar no estado de saturação
vamos dividir o valor do resistor de base por três, ou seja.
RB válido = 1,083 M / 3 = 361K
Vamos colocar dois capacitores de 10nF no circuito, como RB1 = RB2 = RB e C1 = C2 = C, pela fórmula
teremos uma frequencia de:
f = 1 / ( K . ( RB1 . C2 + RB2 . C1 )
f = 1 / ( 0,65 . 2 . 390K . 10nF ) )
f = 185,8Hz
O diodo deverá ser de resposta rápida, vamos utilizar o 1N4148. R1 tem que ser igual ao valor do resistor de
coletor.
Após os cálculos finais, já com os valores definidos, mostramos o circuito completo.
Abaixo o sinal medido pelo osciloscópio no coletor dos transistores.
No canal 1 o sinal no coletor do transistor T2 e no canal 2 o sinal do coletor de T1. Veja que no transistor T1 o
sinal quadrado possui uma parte exponencial na borda de subida, o mesmo não ocorre em T2, ja´que o
mesmo possui o diodo D e o resistor R1 com a função de evitar exatamente esta distorsão.
Há também uma diferença da frequencia calculada com a frequencia medida no circuito, este fato ocorre
devido as tolerâncias dos componentes como resistores, capacitores etc. em projetos de circuitos eletrônicos
sempre tem que se considerar estas variações, caso contrário poderá acarretar até em não funcionamento do
circuito desejado.
Abaixo uma segunda medida tirada do coletor de T2 (canal 1) e da tensão na base do próprio T2 (canal 2).
Veja que os capacitores de carga, ligados a base do transistores (canal 2), iniciam o seu processo de
descarga mantendo o transistor em corte, neste momento polarizam VBE negativamente e quando alcançam
uma tensão já positiva de 0,6V, levam o transistor à saturação (ponto A).
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