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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

PRACTICA 3
Caracterización de Transistores
Sergio Andrés Perdomo Camargo 2143016
4.3 Andrés Felipe Amaya Pedraza 2143029
Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga, Colombia
Faltan unidades Jairo Guiza.
Algunos acentos faltantes Mayo - 2017.
Muchas gráficas, falta comentarlas mejor, explicando lo que fue hecho (sin copiar el procedimiento).
 R
e

Parte 1.
a) Para diferentes valores de 𝑉𝑆𝐵 se graficó
𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐷𝑆

Observación: El Osciloscopio arroja únicamente

valores de tensión, por lo que es necesario convertir
el valor de tensión para obtener la corriente:
𝑉𝐶𝐻2
𝐼𝐷 =
𝑅 = 1𝑘

Vsb = 1.349 V

Vsb = 2.09 V
Vsb = 805 mV
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Parte 2.
Los siguientes puntos (a) y (b) fueron desarrollados a
partir del siguiente circuito:

a) Para diferentes valores de 𝑉𝐺𝑆 se graficó

𝐼𝐷. 𝑉𝑠 𝑉𝐷𝑆 .
Vsb = 205 mV Observación: Al igual que en el punto anterior, se
dividió la tensión del canal 2 sobre la resistencia de 1k Ohm
para obtener el valor de la corriente.

Observación: A continuación, se muestra tanto la

gráfica en el tiempo de las tensiones de los canales 1 y
2, como su interpretación (X-Y) para cada valor de 𝑉𝐺𝑆
tomado.

Vsb = -0.8 mV

Vgs = 3.24 (Tiempo)

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Vgs = 6.06 V (X-Y)

Vgs = 3.24 (X-Y)

Vgs = 9.97 V (Tiempo)

Vgs = 6.06 V (Tiempo)

Vgs = 9.97 V (X-Y)
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A continuación, se muestran las gráficas obtenidas a

través archivo. SAV y la corriente graficada desde
MATLAB para cada configuración:

Vgs = 3.24 V

Vgs = 9.97 V

Vgs = 6.06 V
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Vgs = -5.04 V

Parte 3.
Los siguientes puntos (a) y (b) fueron desarrollados
a partir del siguiente circuito:

Vgs = -8.62 V

Observación: A continuación, se muestra tanto la gráfica

en el tiempo de las tensiones de los canales 1 y 2, como
su interpretación (X-Y) para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 tomado.
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Vgs = -11.51 V Vgs = -8.62 V

Vgs = -5.04 V

Vgs = -11.51 V
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tanto de los aparatos utilizados, como de la persona quien

los toma.

Parte 5.
CONCLUSIONES:

 La guía para esta práctica no se siguió al pie de la letra

debido a que no contábamos con la facilidad de tener
distintas fuentes de DC, por tal motivo no se realizó el
montaje de la parte 1, lo que se llevó a cabo fue una
visualización del efecto de la tensión de cuerpo sobre la
corriente que pasa a través del transistor
La ecuación de la corriente es:
1
𝐼𝐷 = 𝑈𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡ℎ )2
2
Sin embargo

𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑡ℎ0 + 𝛾 (√2𝜙𝑓 + |𝑉𝑠𝑏 | − √2𝜙𝑓 )

En esta ecuación se puede observar que la tensión de

cuerpo Vsb tiene gran efecto sobre la corriente del
transistor.

 Podemos apreciar que las curvas de corriente para un

NMOS son diferentes para un PMOS esto debido a que en
un transistor NMOS la corriente va desde el Drenador (D)
hacia el Surtidor (S) en cambio en el PMOS la corriente
va en dirección contraria de Surtidor (S) a Drenador (D)

 La exactitud de las medidas realizadas puede verse

afectada por la presencia de capacitancias parásitas dentro
de los transistores, lo que genera ruido y variaciones en
los resultados obtenidos. También es importante destacar
que existe un grado de incertidumbre al momento de
realizar las mediciones,