CORRENTI NEL TRANSITOR BIPOLARE A GIUNZIONE (BJT)

Consideriamo qui di seguito il caso di un transistor di tipo npn nel quale le concentrazioni di
droganti nelle tre regioni soddisfino le seguenti disuguaglianze (la giustificazione verrà data più
avanti): NE >> NB >> NC. Assumiamo come versi positivi delle correnti quello entrante per le
correnti di base e di collettore e quello uscente per la corrente di emettitore. Per il momento, si
trascura la larghezza delle regioni di svuotamento associate alle due giunzioni di emettitore JE e di
collettore JC. In analogia con quanto fatto per il calcolo delle correnti nel diodo a giunzione, si
considerano le seguenti ipotesi semplificative:
1. i contatti metallo-semiconduttore sono di tipo ohmico, ovverosia ad essi è associata una caduta
di tensione proporzionale alla corrente; tale caduta di tensione si considera trascurabile;
2. la conducibilità delle regioni quasi neutre (regioni esterne alle regioni di svuotamento) è tale da
poter trascurare la caduta di tensione ad esse associata causata dal passaggio della corrente
(ipotesi verificata per bassi livelli di corrente);
3. la regione di carica spaziale risulta svuotata di portatori liberi (ipotesi di svuotamento
completo), inoltre si trascura la generazione e ricombinazione di coppie elettrone-lacuna nelle
RCS;
4. in caso di polarizzazione diretta delle giunzioni, la concentrazione di cariche minoritarie
iniettate è di alcuni ordini di grandezza inferiore rispetto alla concentrazione delle cariche
maggioritarie, condizione che prende il nome di basso livello di iniezione;
5. la larghezza WB della regione di base risulta molto minore della lunghezza di diffusione dei
minoritari in base.
Quest’ultima ipotesi risulta fondamentale per avere l’effetto transistor. Infatti, se essa non fosse
verificata, si avrebbe una struttura equivalente alla connessione in serie di due diodi contrapposti,
come mostrato in figura 1, che riporta la concentrazione di portatori minoritari in condizione di
polarizzazione diretta della giunzione base-emettitore e polarizzazione inversa della giunzione
base-collettore. Come si può osservare non esiste nessuna interazione tra le due giunzioni, cosa che
succede nel caso in cui sia WB<<LB.
Le tensioni di polarizzazione delle giunzioni JE e JC determinano la regione di funzionamento del
dispositivo. Indicheremo tali tensioni con VE e VC rispettivamente, considerando tensioni positive
in caso di polarizzazione diretta della giunzione, e tensioni negative in caso di polarizzazione
inversa. Le concentrazioni di minoritari ai bordi della RCS associata alla giunzione JE sono legate
alla tensione VE dalla legge della giunzione:
VE VE
n B (0) = n B0 e VT
, p E (0) = p E 0 e VT
(1)
dove il pedice indica la regione che si sta considerando. In modo analogo, le concentrazioni di
minoritari ai bordi della RCS associata alla giunzione JC , localizzata ad una distanza WB dalla
giunzione JE assunta come origine dell’asse x, sono legate alla tensione VC dalla legge della
giunzione:
VC VC
n B (WB ) = n B0 e VT
, p C (WB ) = p C0 e VT
(2)

JE VE > 0, VC < 0 JC

Catodo 1 - n Anodo - p Catodo 2 - n

np(x)

pn20
pn1(x) np0
pn10 pn2(x)
x
0 WB >> LB WB

Catodo 1 - n Catodo 2 - n

Anodo - p
Figura 1
Facciamo le seguenti ulteriori ipotesi:
1. ricombinazione in base trascurabile (tutti i minoritari iniettati in base la attraversano senza
ricombinarsi con i maggioritari);
La conseguenza di tale ipotesi è che il profilo della concentrazione di minoritari in base, che nella
realtà ha un andamento esponenziale in funzione della distanza, si può ritenere lineare. Tale
situazione è illustrata nella figura 2 che rappresenta il profilo di concentrazione dei minoritari nel
modo di funzionamento denominato zona attiva diretta: giunzione JE polarizzata direttamente
(VE>0) e giunzione JC polarizzata inversamente (VC<0).
 Zona attiva diretta: VE > 0, VC < 0
JE JC

Emettitore - n Base - p Collettore - n

nB(x)

pE(x)
pC0
nB0
pE0 pC(x)
x
0 WB << LB WB
Figura 2
Possiamo, quindi scrivere:
 n (0 ) − n B (WB ) 
n B (x ) ≈ n B (0 ) −  B x per 0 < x < WB (3)
 WB 
La corrente di diffusione di minoritari in base, che in via del tutto generale possono provenire sia
dell’emettitore che dal collettore, risulta, quindi:

dn (x )  n (0) − n B (WB )  n  VE VC
  VE VC

I nB ( x ) = AqD B B = − AqD B  B  = − AqD B B0  e VT − e VT  = − I  e VT − e VT 
dx  WB  WB   S
 
   
(4)
n B0 n i2
dove I S = AqD B = AqD B è la corrente di saturazione del transistor. Come si può
WB WB N B
notare, avendo trascurato la ricombinazione in base questa corrente di diffusione risulta
indipendente dalla posizione, ed in particolare si ha che InB(0)=InB(WB), giustificando così
l’andamento lineare dato al profilo dei minoritari in base.
Tale corrente di diffusione di minoritari in base prende il nome di corrente di trasporto in base IT:
 VE VC
  VE   VC 

I T = I S e − e VT
VT  = I  e VT − 1 − I  e VT − 1 = I − I (5)
  S  S  F R
     
dove IF è la corrente di trasporto diretto e IR è la corrente di trasporto inverso, e coincidono, in
modulo, con la corrente di trasporto che si ottiene annullando una delle due tensioni di
polarizzazione, rispettivamente. La corrente di trasporto, in zona attiva diretta, è diretta dal
collettore all’emettitore, nel caso di un transistor npn, ed ha verso contrario nel caso di un transistor
pnp.
 La corrente dovuta alla diffusione di cariche minoritarie in emettitore (provenienti dalla base)
risulta:

dp (x ) p  VE  x
I pE ( x ) = − AqD E E = − AqD E E 0  e VT − 1 e LE per x < 0 (6)
dx LE  
 
La totale corrente di emettitore, considerata positiva con verso uscente dallo stesso, in sintonia con
quanto fatto nel calcolo della corrente del diodo, si può ottenere come somma delle correnti di
diffusione dei minoritari calcolate alla giunzione, cioè:
 VE VC
  VE   VE VC
 I  VE 
I E = − (I nB (0) + I pE (0)) = I S e − e VT
 VT  + AqD p E 0  e VT − 1 = I  e VT − e VT + S  e VT − 1 (7)
  E
LE   S  βF  
       
dove nell’ultimo termine si è posto:
p E0 n i2 D B WB N B D E W N D I
AqD E = AqD E = Aqn i2 = IS B B E = S (8)
LE N ELE WB N B D B N E L E LE N E DB βF

LE N E DB
Il coefficiente β F = rappresenta il guadagno di corrente diretto ai grandi segnali
WB N B D E
nella configurazione Emettitore Comune, come diverrà chiaro più avanti.
Analogamente, la corrente di diffusione di minoritari in collettore (provenienti dalla base) risulta:

dp (x ) p  VC  − x −WB
I pC ( x ) = − AqD C C = AqD C C0  e VT − 1 e LC per x > WB (9)
dx LC  
 
Per cui la corrente totale di collettore, considerata positiva con verso entrante nello stesso, può
essere calcolata come somma delle correnti di diffusione calcolate alla giunzione di collettore:
 VE VC
  VC   VE VC
 I  VC 
I C = − (I nB (WB ) + I pC (WB )) = I S e − e VT
 VT  − AqD p C0  e VT − 1 = I  e VT − e VT − S  e VT − 1
  C
LC   S  βR  
       
(10)
dove si è posto:
p C0 n i2 D B WB N B D C W N D I
AqD C = AqD C = Aqn i2 = IS B B C = S (11)
LC N C LC WB N B D B N C L C LC N C D B β R

LC N C D B
Il coefficiente β R = rappresenta il guadagno di corrente inverso ai grandi segnali
WB N B D C
nella configurazione Emettitore Comune. Si osservi che, nell’ipotesi fatta in partenza di NE>>NC, il
guadagno di corrente inverso risulta molto minore di quello diretto.
Dal bilancio delle correnti ai tre terminali del transistor, la corrente di base, considerata positiva
con verso entrante nel terminale di base, risulta:
 I S  VTE  I  VVC 
V
I B = I E − IC = e − 1 + S  e T − 1 = I F + I R (12)
βF   βR   βF βR
   
Le equazioni (7), (10) e (12) rappresentano le correnti ai terminali di emettitore, collettore e base
in funzione di tensioni di polarizzazione arbitraria alle due giunzioni JE e JC. Esse sono alla base del
modello del trasporto, versione semplificata del modello di Gummel-Poon.
Dalla (7) e (10), eliminando il termine dipendente dalla tensione di emettitore si ottiene:

  VT   VC 
VC
βF  1
IC = I E − I S  − α F  e − 1 = α F I E − I CBO  e VT − 1
 (13)
1 + βF  αR   





βF βR
dove α F = e αR = rappresentano i guadagni di corrente diretto ed inverso ai grandi
1 + βF 1 + βR
segnali nella configurazione Base Comune, mentre ICBO rappresenta la corrente tra collettore e base
con emettitore aperto (IE = 0) in condizioni di polarizzazione inversa della giunzione di collettore (si
noti l’utilizzo dei pedici in cui la lettera “o” sta per “open”). Se consideriamo un funzionamento in
zona attiva diretta, il termine esponenziale dipendente da VC nella (13) risulta trascurabile rispetto
all’unità (essendo VC<0) per cui possiamo scrivere:
I C = α F I E + I CBO ≈ α F I E (14)
da cui si ricava:
I C − I CBO I C
αF = ≈ (15)
IE − 0 IE

Quest’ultima relazione evidenzia il significato del coefficiente αF come guadagno di corrente ai

grandi segnali; infatti, esso è dato dal rapporto tra le variazioni di corrente di collettore e di
emettitore che si hanno tra la condizione di zona attiva diretta e la condizione corrispondente ad
IE=0. Essendo considerata la corrente di collettore come grandezza di uscita e quella di emettitore
come grandezza di ingresso, si sta considerando una configurazione in cui la porta d’ingresso è data
dalla coppia di terminali emettitore-base e la porta di uscita è data dalla coppia di terminali
collettore-base, per cui il terminale di base risulta in comune tra le porte d’ingresso e di uscita (vedi
figura 3 che illustra la differenza tra le due configurazione a base comune e a emettitore comune).
Da qui la denominazione di guadagno di corrente a base comune.
Si osservi che il coefficiente αF può anche essere definito in modo rigoroso facendo uso della (13):
IC
αF =
IE VC =0
 IC
IE IC C
IB
E C
B

B B E E

Base Comune Emettitore Comune

Figura 3
Per ricavare espressioni analoghe ma relative ad una configurazione ad emettitore comune,
dobbiamo esprimere la corrente di collettore in funzione della corrente di base. Utilizzando la (12)
nella (13) possiamo scrivere:
 VC   VC 

I C = α F (I C + I B ) − I CBO e − 1 ⇒ I C = β F I B − I CEO  e VT − 1
VT  (16)
   
   
dove I CEO = (β F + 1) I CBO è la corrente tra collettore ed emettitore con base aperta (IB = 0) in
condizioni di polarizzazione inversa della giunzione di collettore (VC<0). Ancora una volta,
analizzando il funzionamento in zona attiva diretta, il termine esponenziale dipendente da VC nella
(16) risulta trascurabile rispetto all’unità (essendo VC<0) per cui possiamo scrivere:
I C = β F I B + I CEO ≈ β F I B (17)

Da questa relazione, e dalla definizione di ICE0, ricaviamo il significato del termine βF:
I C − I CBO I
βF = ≈ C (18)
I B − (− I CBO ) I B

Il coefficiente βF è dato dal rapporto tra le variazioni di corrente di collettore e di base che si
hanno tra la condizione di zona attiva diretta e la condizione corrispondente a IE=0. Dalla (16), il
coefficiente βF può essere definito anche nel seguente modo:
IC
βF =
IB VC =0

Definiamo, qui di seguito, l’efficienza di iniezione di emettitore γE come il rapporto tra la corrente
di diffusione di minoritari in base calcolato alla giunzione di emettitore e la corrente totale di
emettitore con VC=0, cioè:
I nB (0 ) 1
γE = = (19)
I nB (0) + I pE (0) VC =0 W N D
1+ B B E
LE N E DB
Nell’ipotesi di trascurare la ricombinazione in base, l’espressione dell’efficienza di iniezione di
emettitore coincide con il guadagno di corrente diretto ai grandi segnali nella configurazione base
comune, cioè γE =αF, come si può facilmente dimostrare utilizzando la (8) e la relazione tra αF e βF.
 In modo simmetrico si può definire l’efficienza di iniezione di collettore γC come il rapporto tra la
corrente di diffusione di minoritari in base calcolato alla giunzione di collettore e la corrente totale
di collettore con VE=0, cioè:
I nB (WB ) 1
γC = = (20)
I nB (WB ) + I pC (WB ) VE =0 W N D
1+ B B C
LC N C D B
Nell’ipotesi di trascurare la ricombinazione in base, l’efficienza di iniezione di collettore coincide
con il guadagno di corrente inverso ai grandi segnali nella configurazione base comune αR, cioè
γC=αR come si può facilmente dimostrare utilizzando la (11) e la relazione tra αR e βR. Come si può
notare, essendo NB>NC per le ipotesi di partenza, l’efficienza di iniezione di collettore, e quindi
anche il guadagno di corrente inverso a base comune, risultano <<1.
Dalla definizione dei guadagni di corrente diretti αF e βF, per avere un elevato guadagno (αF
prossimo ad uno e, di conseguenza, βF >>1) occorre soddisfare le seguenti disuguaglianze:
• LE>>WB (ridotto spessore di base)
• NE>>NB (ridotto drogaggio della base rispetto all’emettitore)
 FATTORE DI TRASPORTO IN BASE

Se si considera il fenomeno della ricombinazione in base, si ha che non tutti i minoritari iniettati in
base (se consideriamo un funzionamento in zona attiva diretta di un transistor npn tali minoritari
sono elettroni provenienti dall’emettitore) riescono a raggiungere il collettore indenni: una parte,
infatti, si ricombina con le cariche maggioritari presenti nella base. In tale situazione la corrente di
diffusione associata alle cariche minoritarie iniettate dall’emettitore in base (corrente di trasporto)
non è più costante e, di conseguenza, diventa funzione della posizione x.
Si definisce fattore di trasporto in base α0, il rapporto tra la corrente di diffusione dei minoritari in
base calcolata alla giunzione di collettore e la stessa corrente calcolata alla giunzione di emettitore,
cioè:

I (W )
2
1W 
α 0 = nB B ≈ 1 −  B  (21)
I nB (0 ) 2  LB 

(la dimostrazione di tale risultato è riportata in appendice). Di conseguenza, la corrente di collettore,

che in zona attiva diretta coincide praticamente con la corrente di trasporto, è data da:
I C ≈ I nB (WB ) ≈ α F I E

ed il guadagno di corrente diretto αF si può esprimere come:

I C I nB (WB ) I nB (WB ) I nB (0)
αF ≈ ≈ ≈ = α0 γ E (22)
IE IE I nB (0) I E

Cioè, in generale, il guadagno di corrente diretto αF è dato dal prodotto del fattore di trasporto in
base α0 con l’efficienza di iniezione di emettitore γE. Per avere un guadagno di corrente diretto βF
elevato, occorre che il coefficiente αF sia prossimo all’unità. Pertanto, oltre ad avere un’efficienza
di iniezione di emettitore elevata (prossima ad uno) occorre avere anche un fattore di trasporto in
base elevato (prossimo ad uno). Quest’ultima condizione, dalla (21), impone:
• LB>>WB (ridotto spessore di base)
Essendo quest’ultima la condizione che era stata posta all’inizio per giustificare l’effetto
transistor, non stupisce il fatto che essa si ritrovi come condizione indispensabile per avere un
elevato guadagno di corrente (nella configurazione emettitore comune).
Il fatto che la corrente di diffusione dei minoritari in base InB(0) calcolata alla giunzione B-E sia
maggiore della corrente InB(WB) calcolata alla giunzione B-C, significa che la differenza
rappresenta una componente della corrente di base (corrente di ricombinazione) composta da lacune
provenienti dal contatto di base che servono a rimpiazzare quelle perse per ricombinazione con gli
elettroni che diffondono dall’emettitore. Possiamo, quindi, calcolare tale corrente nel seguente
modo (ipotizziamo sempre un funzionamento in zona attiva diretta):
 2 2 VE
1W  1W 
I Brc = I nB (0) − I nB (WB ) = I nB (0)(1 − α0 ) = I nB (0)  B  ≈ IS  B  e VT (23)
2  LB  2  LB 

Sapendo che L B = D B τ B , con τB pari al tempo di vita medio dei portatori minoritari in base, ed
utilizzando l’espressione della corrente di saturazione definita nella (4), possiamo scrivere:
VE
n i2 VT WB W Q
I Brc ≈ Aq e = Aqn B (0) B = B (24)
NB 2τ B 2τ B τ B
dove con QB si è indicata la carica totale associata ai portatori minoritari in base (calcolo
approssimato considerando un profilo rettilineo dei portatori in base, cosa strettamente vera nel caso
in cui si trascuri la ricombinazione). L’espressione (24) suggerisce un metodo semplice ed intuitivo
per calcolare la componente di ricombinazione della corrente di base considerando che, se i
minoritari in base sopravvivono per un tempo medio τB prima di ricombinarsi, la corrente media di
lacune associata a questa ricombinazione è data esattamente dal rapporto tra la carica totale di
minoritari QB ed il loro tempo di vita medio τB.

EFFETTO EARLY

Nella derivazione delle correnti del transistore abbiamo implicitamente trascurato la larghezza
delle due regioni di carica spaziale, indicando la loro distanza con WB, che rappresenta la larghezza
fisica della regione di base. Essendo la larghezza della RCS dipendente dalla tensione inversa
applicata (aumenta in caso di polarizzazione inversa e si riduce nel caso di polarizzazione diretta,
rispetto al caso di giunzione non polarizzata), in zona attiva diretta, in cui si ha VE>0 e VC<0, la
larghezza della RCS relativa alla giunzione di collettore diventa non trascurabile e soprattutto
fortemente dipendente dalla tensione applicata alla giunzione JC. Per quanto riguarda la RCS
relativa alla giunzione JE, la sua variazione è trascurabile date le limitate variazioni della tensione
VE (polarizzazione diretta). Come conseguenza, il profilo dei minoritari nel transistor diventa quello
mostrato in figura 4, in cui la legge della giunzione impone il valore di concentrazione dei
minoritari ai bordi delle RCS. Come si può osservare, la dimensione da considerare come larghezza
“effettiva” della regione di base è la WB′ , che risulta inferiore alla larghezza fisica della base di una
quantità pari allo spessore delle estensioni delle RCS nella regione di base (in figura si osservi che
la RCS alla giunzione JC si estende maggiormente nella regione di collettore in quanto meno
drogata rispetto alla regione di base). Di conseguenza le espressioni dell’efficienza di iniezione di
emettitore e del fattore di trasporto in base diventano:
1
γE = (25)
W (V ) N B D E
′
1 + B RC
LE N EDB
 1  W ′ (V ) 
2

α 0 ≈ 1 −  B RC  (26)
2  LB 
dove si è posta in evidenza la dipendenza della larghezza effettiva della regione di base dalla
tensione VRC = -VC di polarizzazione inversa della giunzione JC. All’aumentare di VRC, WB′ si
riduce come mostrato in figura 4 (dove sono evidenziate due situazioni corrispondenti a VC2<VC1)
e, di conseguenza, sia l’efficienza di iniezione di emettitore che il fattore di trasporto in base
aumentano. In altre parole, γE aumenta perché aumenta la pendenza del profilo di concentrazione di
minoritari in base che fa aumentare la corrente di trasporto (si osservi che la corrente di saturazione
IS è inversamente proporzionale alla larghezza effettiva della regione di base), mentre α0 aumenta
perché il ridotto spessore di base riduce anche il tempo di transito delle cariche minoritarie che
attraversano la base, riducendo così la loro probabilità di ricombinazione.

Zona attiva diretta: VE > 0, VC < 0

JE JC

Emettitore - n Base - p Collettore - n

VC2<VC1
nB(x)
VC1
RCS

RCS

pE(x) pC0
nB0
pE0 pC(x)

W’’B x
0
W’B

Figura 4
 MODELLO DI EBERS-MOLL
Riscriviamo le equazioni delle correnti nel transistor nel seguente modo:
 VVE VC
 I S  VVE   VE   VC   VE   VC 

I E = I S e − e VT
T  +  e T − 1 = I S  e VT − 1 − I  e VT − 1 = a  e VT − 1 + a  e VT − 1 (27a)
  βF   αF   S  11   12  
           

 VVE  I S  VVC   VVE   VVC 

 
IC = IS e − 1 −
T  e − 1 = a 21 e − 1 + a 22  e T − 1
T   T  (27b)
  αR      
       
dove i coefficienti a11, a12, a21, a22, sono così definiti:
IS  DE DB 
a 11 = = Aqn i2  +  ≡ I ES (28a)
αF  N E L E N B WB 

 DB 
a 21 = −a 12 = I S = Aqn i2   (28b)
 N B WB 

IS  DC DB 
a 22 = − = − Aqn i2  +  ≡ − I CS (28c)
αR  N C L C N B WB 
Con IES e ICS si intendono le correnti di saturazione inversa delle due giunzioni JE e JC
rispettivamente. Di conseguenza, i coefficienti a12 e a21 possono essere espressi nel seguente modo:
a 21 = −a 12 = α R I CS = α F I ES (29)
Alle equazioni (27) corrisponde il modello circuitale riportato in figura 5, valido per un transistor
npn, che prende il nome di modello di Ebers-Moll.
Collettore - n

IC

ICD αFIED
IB

Base - p
αRICD
IED

IE
Emettitore - n
Figura 5
 APPENDICE A: FATTORE DI TRASPORTO IN BASE
Equazione di continuità in base:
G = generazione di coppie elettrone-lacuna nell’unità di tempo e di volume
R = ricombinazione di coppie elettrone-lacuna nell’unità di tempo e di volume
p
R= dove τp è il tempo di vita medio delle lacune
τp

La variazione nel tempo della concentrazione di lacune in un semiconduttore isolato è regolata dai
tassi di generazione e ricombinazione, cioè:
dp p
=G− (A.1)
dt τp

Pertanto, a regime possiamo scrivere:

dp p
=0 ⇒ G= 0 (A.2)
dt τp

Sostituendo tale risultato nella (A.1) ed estendo l’analisi alla concentrazione di elettroni, possiamo
scrivere:
 dp p 0 − p
 dt = τ
p
 dn n − n (A.3)
 = 0
 dt τn

In presenza di una corrente non nulla le equazioni (A.3) si modificano nel seguente modo:
 dp p 0 − p 1 dJ p
 dt = τ − q dx
p
 (A.4)
 dn = n 0 − n − 1 dJ n
 dt τn q dx

dove le densità di corrente di elettroni e lacune sono date dalle seguenti espressioni:
dp
J p = −qD p + qpµ p E (A.5)
dx
dn
J n = qD n + qnµ n E (A.6)
dx
Sostituendo quest’ultime nelle (A.4) otteniamo le equazioni di continuità per le lacune e gli
elettroni:
 dp p 0 − p d2p dE
 dt = + D − pµ
 τp p
dx 2
p
dx
 (A.7)
 dn = n 0 − n − D d n − nµ dE
2

 dt τn n
dx 2
n
dx
 Consideriamo ora le cariche minoritarie nella regione di base (elettroni nel caso di un transistor
npn) in una situazione di regime (nell’ipotesi di basso livello di iniezione si trascura il campo
elettrico nella regione di base). Dalla (A.7) otteniamo:
dn n0 − n d2n
=0 ⇒ − Dn 2 ≈ 0 (A.8)
dt τn dx
Tale equazione differenziale di secondo grado ha come soluzione:
x x
−
n B (x ) − n B0 = k1e LB
+ k 2e LB
(A.9)
con k1 e k2 costanti da determinare dalle condizioni al contorno, che sono le seguenti:
 VE
n B (0) = n B0 e VT = k1 + k 2
 VC WB WB (A.10)
n (W ) = n e VT = k e − LB + k e LB
 B B B0 1 2

Risolvendo tale sistema otteniamo:

WB VE VC WB VE VC
e LB e VT − e VT e LB e VT − e VT
k 1 = n B0 WB WB
= n B0 (A.11)
− W 
e LB
−e LB 2 sinh B 
 LB 
VC VE WB VC VE WB
− −
VT VT LB VT VT LB
e −e e e −e e
k 2 = n B0 WB W
= n B0 (A.12)
− B W 
e LB
−e LB 2 sinh B 
 LB 
Il gradiente di concentrazione di elettroni in base è, quindi:

dn B (x )
x x
k − k
= − 1 e LB + 2 e LB (A.13)
dx LB LB
Il valore del gradiente ai bordi della regione di base risulta:
 VC VE 
dn B (x ) 1 n  VT VT 
= (k 2 − k1 ) = B0  e −
e
 (A.14)
dx x =0 LB LB   WB   WB  
 sinh L B  tanh L B  
 
 VC VE 
dn B (x ) n B0  e VT
e VT 
=  −  (A.15)
dx x = WB LB   WB   WB  
 tanh L B  sinh L B  
 
Possiamo ora calcolare la corrente di diffusione di elettroni in base alla giunzione JE:
  VC VE 
dn B (x ) n  e VT
e VT 
I nB (0) = AqD B = AqD B B0  −  (A.16)
dx x =0 LB   WB   WB  
 sinh L B  tanh L B  
 
e l’efficienza di iniezione di emettitore:
I nB (0) 1
γE = = (A.17)
I nB (0) + I pE (0) VC =0 L N D W 
1 + B B E tanh B 
LE N E DB  LB 
La corrente di diffusione di elettroni in base calcolata alla giunzione JC, che costituisce la quasi
totalità della corrente di collettore, è minore della stessa corrente calcolata alla giunzione JE per
effetto della ricombinazione in base, e risulta:
 VC VE 
dn B (x ) n  e VT
e VT 
I nB ( WB ) = AqD B = AqD B B0  −  (A.18)
dx x = WB LB   WB   WB  
 tanh  L B  sinh L B  
 
La totale corrente di collettore risulta:
 VE VC 
 VT VT  I  VVC 
I C = − (I nB (WB ) + I pC (WB )) = I S B 
W e e  e T − 1
− − S (A.19)
LB   WB   WB   β R  
sinh   tanh    
  LB   L B  

Mentre la totale corrente di emettitore:
 VE VC 
 VT VT  I  VE 
I E = − (I nB (0) + I pE (0)) = I S
WB e e
 −  + S  e VT − 1 (A.20)
LB   WB   WB   β F  

 tanh L B  sinh L B  
 
La corrente di base risulta:
 
  VE VC
 I  VE   VC 
WB  1 1    + S  e VT − 1 + I S  e VT − 1 =
I B = I E − I C = IS − e − e VT
VT
LB   WB   W    βF   βR  
 tanh  sinh B       
  LB   LB  
  WB  
 cosh  − 1 VE
L B   VT  I  VE   VC 
VC
WB    + S  e VT − 1 + IS  e VT − 1
= IS e − e VT
LB   WB    βF   βR  
 sinh       
  L B  

 WB  VT  I  VE   VC 
VE VC
WB  + S  e VT − 1 + IS  e VT − 1 = I + I
I B = IS tanh  e − e VT (A.21)
LB  2 L B   βF 
 
 βR



 Brc Bdiff

 Da quest’ultima relazione è immediato riconoscere le due componenti della corrente di base: IBrc è
la componente di ricombinazione, mentre IBdiff è la componente di diffusione di lacune in emettitore
e collettore in dipendenza delle tensioni applicate alle due giunzioni.
In zona attiva diretta la corrente di ricombinazione si può così semplificare (WB<<LB):
VE 2 VE
W W  1W 
I Brc = IS B tanh B e VT ≈ I S  B  e VT (A.22)
LB  2LB  2  LB 

che coincide con il risultato precedentemente trovato in (23).

Per trovare l’espressione del fattore di trasporto in base dobbiamo ricondurci alla relazione (13),
VE
VT
ricavando il termine e dalla (A.20) e sostituendolo nella (A.19) in modo da esprimere la corrente
di collettore in funzione della corrente di emettitore:
VE
VT IE
e = +L
 
 
 WB 1 1 
IS  +
LB  WB  β F 
 tanh   
 
  LB  
VE VC

I S  VT 
VT VT VC
W e WB e
I C = IS B − IS − e − 1 =
LB W  LB  W  βR  
sinh B  tanh B   
L
 B L
 B
W 1 1
= B I +L
LB  WB  WB 1 1 E
sinh  +
 L B  L B tanh WB  β F
L 
 B
W 
tanh  B 
=  LB  1
IE + L
 WB  1 LB  WB 
sinh  1 + tanh 
 LB  β F WB  LB 
Utilizzando l’espressione di βF dalla (8) e considerando la (A.17), il guadagno di corrente diretto
ai grandi segnali nella configurazione a base comune risulta, quindi:
W 
tanh B 
αF =  LB  ⋅ 1
= α0 γ E (A.23)
 WB  LB N BDE  WB 
sinh  1+ tanh 
 LB  LE N EDB  LB 
Confrontando (A.23) con (A.17) si determina il fattore di trasporto in base α0:
 W 
tanh B 
α0 =  LB  = 1
= W
2
≈
2
=
WB 2 2
 WB   WB  B
− W 1  W  W 1  W 
sinh  cosh  e B + e B 1+
L L B
+  B
 +1− B
+  B

 LB   LB  LB 2  LB  LB 2  LB  (A.24)
2
1 1W 
= ≈ 1−  B  se WB << L B
1W 
2 2  LB 
1+  B 
2  LB 

il cui valore approssimato coincide con la (21).