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Matriz Espalhamento (S)

Parte 1

SEL 369 Micro-ondas/SEL5900 Circuitos de Alta


Frequência

Amílcar Careli César


Departamento de Engenharia Elétrica da EESC-USP
Atenção!
 Este material didático é planejado
para servir de apoio às aulas de
SEL-369 Micro-ondas, oferecida
aos alunos regularmente
matriculados no curso de
engenharia elétrica/eletrônica e
SEL-5900 Circuitos de Alta
Frequência, oferecida aos alunos
regularmente matriculados no
curso de pós-graduação em
engenharia elétrica.
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para qualquer tipo de uso distinto
daquele para o qual foi
planejado.

21/08/2014 SEL 369/SEL5900 Matriz S parte 1 USP EESC SEL 2


Caracterização da rede-1
 Em baixas frequências a rede pode ser caracterizada
por um conjunto de parâmetros que relaciona as
variáveis I1 , V1 , I2 e V2

I1 I2
rede
V2 de V1
2 portas

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Caracterização da rede-2

Parâmetros z Parâmetros h Parâmetros ABCD


 V = h I + h V 

V1 = z 11I 1 + z12I 2  1 11 1 12 2 V1 = AV2 − BI 2
  

V2 = z 21I 1 + z 22I 2 I 2 = h21I 1 + h22V2 
 I 1 = CV2 − DI 2
  
Curtos e circuitos abertos são essenciais para a realização das medidas destes parâmetros

V1
exemplo h11 = V2 = 0 : aplicação de um curto-circuito
I1 à porta de saída
V2 = 0

Circuito
aberto Z ⇒∞ Curto-circuito Z ⇒0
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Caracterização da rede-3
Se a frequência é suficientemente elevada
alguns problemas aparecerão
– Não se dispõe com facilidade de equipamentos
para medidas de tensão e corrente nas portas da
rede
– Curto e aberto são difíceis de se obter em uma
faixa larga de frequências

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Caracterização da rede-4
 Se a frequência é suficientemente elevada alguns
problemas aparecerão
– Dispositivos ativos como transistor e diodo túnel
frequentemente não operam em condições estáveis
quando são curto-circuitados ou quando operam em
circuito aberto
– Em frequências elevadas as indutâncias e capacitâncias
parasitárias associadas aos curtos e abertos devem ser
anulados com o auxílio de tocos de sintonia nas portas
• Os tocos devem ser ajustados em cada frequência e o dispositivo
tende a oscilar, anulando a validade das medidas

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Caracterização da rede-5
 Há necessidade de um outro conjunto de
parâmetros para caracterizar os dispositivos em
faixas de frequências nas quais os parâmetros
distribuídos descrevem melhor o comportamento
físico do que os parâmetros concentrados.

I1 I2
rede
V2 de V1
2 portas

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Ondas normalizadas-1
I 1 (x 1 ) I 2 (x 2 )

V1 (x 1 ) Z 01, ℓ 1 Rede Z 02 , ℓ 2 V2 (x 2 )
2 portas

x1 x2

Tensão e corrente totais em linha, i = 1, 2


Vi (x i ) =Vi +
(x ) +V (x )
i i

i

I i (x i ) =I i
+
(x ) -I (x )
i

i i

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Ondas normalizadas-2

Vi (x i ) =Vi +
(x ) +V (x )
i i

i

Vi (x i ) Vi +
(x ) V (x )
i i

i
= +
Z 0i Z 0i Z 0i

I i (x i ) =I i(x ) -I (x )
+
i

i i

V (x ) V (x )
+ −

I i (x i ) =
i i i i
-
Z 0i Z 0i
i = 1, 2
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Ondas normalizadas-3
Tensão e corrente totais em linha, i = 1, 2
1
Vi (x i ) = Vi (x i ) + Z 0i I i (x i )
+

2 
1
Vi (x i ) = Vi (x i ) − Z 0i I i (x i )

2 
Vi + (x i ) 1 
= V (x ) + Z I (x ) 
 i i 0i i i 
Z 0i
2 Z 0i
Vi − (x i ) 1
= V (x ) − Z I (x )
 i i 0i i i 
Z 0i 2 Z 0i
Vi + (x i ) Vi − (x i )
≡ ai (x i ) e ≡ bi (x i )
Z 0i Z 0i
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Ondas normalizadas-4

1 V (x ) + Z I (x )
ai (x i ) =  i i 0i i i 
2 Z 0i
1  
bi (x i ) =  i ( i )
V x − Z 0i i ( i )
I x
2 Z 0i
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Ondas normalizadas-5

Vi + (x i ) Vi − (x i )
≡ ai (x i ) e ≡ bi (x i ), Z 0i ∈ ℜ
Z 0i Z 0i
2
2 Vi +
(x )
, V 2 ⋅ Ω−1  = W 
i
ai (x i )a (x i ) = ai (x i ) =
*
i
Z 0i  
2
2 Vi −
(x )
, V 2 ⋅ Ω−1  = W 
i
bi (x i )b (x i ) = bi (x i ) =
*
i
Z 0i  
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Parâmetros S

 Z − Z 
 2 Z 02 V1 (ℓ 1 )

S = 1 01 

 11
Z1 + Z 01 S =

 

12
Z E 2,Th
 ,  01
 2 Z V2 (ℓ 2 )  Z 2 − Z 02

 S = 01 

 21 S =
 Z 02 E1,Th 

22
Z 2 + Z 02
 

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Definição dos parâmetros S-4
2

a a = a1
1 1
potência da onda incidente na porta 1 da rede

2

b b = b1
1 1
potência da onda refletida pela porta 1 da rede

a , b : ondas normalizadas; amplitudes complexas normalizadas de ondas

1 2

a1 Rede a2
de
b1 2 portas b2

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Definição dos parâmetros S-4
 V  V *  2

P =    *
 = aa = a
 R   R 


 b  s  a 
b1 = s11a1 + s12a2 s
 1   11 12   1 

b2 = s21a1 + s22a2
ou
b  = s   

  2   21 s22  a2 

Matriz espalhamento

s s 
 11 12 
s 
 21 s22 
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A matriz S-1
A matriz S é uma propriedade intrínseca do
dispositivo ou junção e descreve todos as suas
propriedades nos circuitos
A matriz S relaciona ondas emergentes
normalizadas e ondas incidentes normalizadas
Os parâmetros de espalhamento só podem
ser obtidos através de medidas
Se o dispositivo é simétrico, muitas vezes é
possível determinar S considerando
propriedades gerais de S e simetria dos
campos
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A matriz S-2
2
a1 : potência incidente na porta de entrada (1) da rede
2
a2 : potência incidente na porta de saída (2) da rede
potência refletida pela carga Z 0
2
b1 : potência refletida pela porta de entrada (1) da rede
potência disponível de uma fonte com impedância interna Z 0
potência líquida entregue à porta de entrada (1) da rede
2
b2 : potência refletida pela porta de saída (2) da rede
potência incidente sobre a carga
potência a ser entregue à carga Z 0

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A matriz S-3
b1 coeficiente de reflexão na entrada com
S11 =
a1 a a porta de saída terminada por uma carga casada
2= 0

b2 coeficiente de reflexão na saída com


S 22 =
a2 entrada terminada por uma carga casada
a1= 0

b2 ganho de transmissão direto (ou perda por inserção)


S 21 =
a1 a com a porta de saída terminada por uma carga casada
2= 0

b1 ganho de transmissão reverso (ou perda por inserção)


S12 =
a2 com a porta de entrada terminada por uma carga casada
a1= 0

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A matriz S-4
2 potência refletida pela porta de entrada
S11 potência incidente na porta de entrada

2 potência refletida pela porta de saída


S 22 potência incidente na porta de saída

2 potência líquida entregue à carga Z0


S 21 potência disponível da fonte de impedância Z0

2 ganho reverso de conversão de potência


S12 com fonte e carga de valor Z0

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A matriz S-5
As condições para as medidas dos parâmetros S
( a1 = 0 e a2 = 0) são conseguidas a partir de terminações resistivas

Notação

Spp : significa “... da porta p”


Spq : significa : “... da porta q para a porta p”

1 + S11
Γ1 = S11 e Z 1 = Z 0
1 − S11
a relação entre coeficiente de reflexão e impedância
é a base da carta de Smith
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Algumas propriedades da matriz S-1

(1). Qualquer elemento da matriz S representa uma função de transferência


Sij , para i ≠ j: função de transferência da porta j para a porta i: Si←j
Sij , para i = j : Si i : reflexão intrínseca

(2). Uma junção de N portas possui N2 elementos complexos S

(3). Reciprocidade : As características de transmissão


da porta i para a porta j são idênticas às da porta j para a porta i

Sij = S ji , i ≠ j → S  = Sɶ ~ : transposta

Não se aplica para dispositivos que contenham material girotrópico


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Algumas propriedades da matriz S-2
(4). Conservação de energia : Circuito passivo sem perdas
Soma das potência que entram = soma das potências que saem
n 2 n 2
∑a = ∑ bi → ɶ ∗
I − SS = 0
i
i =1 i=j

(5). Rede com perdas dissipa potência :


A potência refletida total é menor que a potência total incidente

2 2
∑b < ∑ ai → ɶ ∗
I −S S > 0
i

~: transposta; *: complexo conjugada; I: matriz identidade


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Referências
Sophocles J. Orfanidi, Electromagnetic
Waves and Antennas, ECE Department,
Rutgers University,
– Capítulo 13
• http://www.ece.rutgers.edu/~orfanidi/ewa/
Gonzalez
Pozar

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