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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE

MÉXICO
Facultad de Ingenierı́a
Ingenierı́a Eléctrica Electrónica

Laboratorio de Amplificadores Electrónicos

Práctica No.4

”Amplificadores de señal pequeña


Amplificador tipo Darlington ”

Nombre del alumno(a):


Lara Garcı́a Guadalupe Michael
Palacios Castro Axel
Castillo Alcántara Rodrigo

Profesor: Dr. Domingo Teodoro Mendoza Rosales

Fecha de entrega: 13 Marzo, 2019


1 Objetivo se halla multiplicando las de los transistores individ-
uales. la intensidad del colector se halla multipli-
Analizar y diseñar un amplificador tipo Darlington. cando la intensidad de la base por la beta total.

2 Introducción y/o investi-


gación previa
3 Desarrollo, Metodologı́a y
El transistor Darlington es un tipo especial de tran-
sistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está Resultados.
compuesto internamente por dos transistores bipo-
lares que se conectan es cascada. Ver figura 1 De acuerdo a la conexión propuesta para la config-
uración Darlington, seguidor de voltaje. Ver figura
3

Figure 1: Amplificador configuración Darlington.

• Esta configuración de dos transistores en cas-


cada se denomina ”Darlington”. Figure 2: Conexión de Amplificador configuración
Darlington, seguidor de voltaje.
• Alta impedancia de entrada.

• Baja impedancia de salida.

• Alta ganancia de corriente.


3.1 Resultados
• El segundo transistor multiplica la ganancia to-
tal que le llega de la corriente del primero. De acuerdo a la conexión realizada los resultados son:
Tenemos una Ganancia de Corriente de:
2.1 Comportamiento
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea Io 12.13mA
Ai = = = 3.863k
capaz de proporcionar una gran ganancia de corri- Ii 3.14µA
ente y, al poder estar todo integrado, requiere menos
espacio que dos transistores normales en la misma Por otro lado, tenemos una Ganancia de Voltaje de:
configuración. La ganancia total del Darlington es
el producto de la ganancia de los transistores indi-
viduales. Un dispositivo tı́pico tiene una ganancia Vo 1.08V
Av = = = 0.9818
en corriente de 1000 o superior. También tiene un Vi 1.1V
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias
que un único transistor, de ahı́ que pueda conver-
tirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor Sin embargo los valores para el punto de operación
también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones son muy diferentes a los propuestos para el diseño, ya
base-emisor, y para transistores de silicio es superior que el punto de operación propuesto es de Q(30mA,
a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington 4V) y el medido es Q(3.03 mA, 14.71 V)

2
grande ya que es la multiplicación de las ganan-
cias individuales, además de que también tiene un
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias
que un único transistor, de ahı́ que pueda convertirse
fácilmente en inestable.

Por otro lado, los valores teóricos comparados a los


experimentales tenemos un error pequeño, hablando
entre ganancias porque como ya se ha mencionado
antes el punto de operación es muy diferente al prop-
uesto, nuestro error para e%Ai = 21.8224% y para
e%Av = 1.82% estos valores también puede variar ya
que los valores de las resistencias fueron aproximados.

Figure 3: Señal Resultante, seguidor de voltaje con- 5 Bibliografı́a


figuración Darlington.
• https://es.slideshare.net/Jomicast/el-transistor-
como-amplificador-13275662
4 Conclusiones • https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor tDarlington

Se puede concluir de acuerdo a lo realizado en esta • Electronica teoria tde tcircuitos t6 ted tboylestad.pdf,
practica que nuestra ganancia de corriente es muy pag 144-185