Universidad de la costa CUC

ELECTRONICA ANALOGA
TRANSISTORES BJT

PRESENTADO A:
KATHERINE CABANA JIMENEZ

PRESENTADO POR:
WENDY JIMENEZ TAPIAS

POSTAL
@Wjimenez4

Atlántico – Barranquilla
 QUE ES UN TRANSISTOR BJT

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de

material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material
tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.

SIMBOLO Y COMPOSICION DE UN TRANSISTRO BJT

la estructura del transistor son tres capas de semiconductor dopado colocadas
alternativamente en secuencia n-p-n o p-n-p. El emisor está fuertemente dopado (n+), la
base es estrecha y menos dopada (p) y el colector es el de mayor tamaño (para poder
disipar el calor que generan los portadores al perder energía por pasar de la base al
colector) y dopado "moderadamente" o poco dopado (n o n−). El transistor p-n-p es el
complementario del n-p-n, pero dado que el n-p-n tiene una mejor respuesta a alta
frecuencia es el preferido y por tanto el más utilizado. En la siguiente figura A.2.1 se
muestran ambos transistores y su símbolo electrónico.

.
(Ejea, 2008, págs. A 2-1) Fig. A.2.1: Transistor BJT (a) NPN y (b) su símbolo y (c) PNP y
(d) su símbolo
 MODO DE OPERECAION DE UN BJT Y LAS CURVAS DE CADA MODO DE
OPERACIÓN
La salida o conjunto de características del colector ofrece tres regiones básicas de interés,
como se indica en la figura 3 las regiones activas, de corte y saturación. La primera es la
región que normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin distorsión). En
particular: En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la
unión colector-base se polariza en inversa

FIG.3 (Salida o características del colector de un amplificador de transistor en base común)

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados como se muestra en la fig4.
Fig4. (Operación de los transistores bjt)

 Región activa
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces
está en una región intermedia, la región activa. en esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato
del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.

 Región inversa
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los
BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parámetro beta (β) en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo
activo.

Región de corte
Un transistor está en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver
Ley de ohm.). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Región de saturación
Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = Máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic =
β * Ib).
 Curva característica de entrada y salida
Estas son las curvas características entrada (Fig5., s.f.) y salida (Fig6., s.f.).

Esta es la curva característica de entrada en un transistor BJT.

(Fig5., s.f.) Curva característica de entrada de un transistor bjt

(Fig6., s.f.) curva característica de la salida de un transistor bjt
Referencias
Ejea, P. E. (22 de 0ctubre de 2008). univeritat de valencia[ES]. Obtenido de
`TERENA SSL High Assurance CA 3:
https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
Fig5. (s.f.). Obtenido de
https://www.academia.edu/8650813/Curvas_caracter%C3%ADsticas_
y_regi%C3%B3n_de_operaci%C3%B3n_del_transistor_BJT
Fig6. (s.f.). Obtenido de www.academia.edu:
https://www.academia.edu/8650813/Curvas_caracter%C3%ADsticas_
y_regi%C3%B3n_de_operaci%C3%B3n_del_transistor_BJT
NASHELSKY, R. L. (2009). Electrónica:teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. MEXICO: publicada por Pearson Education, Inc., publicada
como PRENTICE HALL INC.,.