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CCS e FEEC
UNICAMP
Fevereiro de 2006
A Quem se Destina:
• Alunos de graduação de 3o a 5o ano de cursos de engenharia, física, química e
tecnologia.
• Alunos de pós-graduação de cursos de engenharia, física, química e biologia
• Professores universitários, de ensino técnico e até de 2o grau.
Carga Horária:
• FEE107- de extensão: duas semanas em período integral, com total de 80h aula,
oferecido nos períodos de férias escolares de janeiro, ou de acordo com
solicitações.
• EE941 – de graduação, 75 h, com 5 h semanais ao longo do 2o semestre do ano
letivo.
• IE316 – de pós-graduação, 60 h, com 4 h semanais ao longo do 1o semestre do ano
letivo.
Ementa Resumida:
Revisão de teoria de semicondutores e de dispositivos MOS; descrição dos
processos de fabricação, projeto de dispositivos e blocos básicos de CI´s MOS,
fabricação de um chip teste contendo dispositivos isolados e um circuito básico,
medidas de caracterização de materiais, processos, dispositivos e do circuito fabricado.
Adaptações à ementa do curso podem ser feitas para grupos específicos de alunos,
dependendo da sua formação e interesse. Durante as aulas de laboratório de
microfabricação, os alunos participam efetivamente da fabricação de lâminas de Si
contendo um chip com estruturas, dispositivos e blocos de circuitos de teste. As aulas
são divididas da seguinte forma nas seguintes atividades, como pode ser observado no
calendário de horários:
Atividade Tempo total
Seminários 27 h
Laboratório de microfabricação 24 h
Laboratório de medidas de dispositivos 17 h
Laboratório de simulações e CAD 6h
Visitas a laboratórios: (LPD/IFGW e 6h
Itaucom)
Agradecimentos:
Agradecemos em primeiro lugar a todos os colegas, pesquisadores e funcionários
do CCS, FEEC e LPD/IFGW, que tornaram o oferecimento do curso possível.
Agradecemos aos palestrantes convidados. Somos gratos a todos que contribuíram
para a realização do curso, em especial, aos alunos participantes, pelo interesse e
entusiasmo. São estes que nos motivam e nos fazem acreditar nas perspectivas de uso
deste conhecimento, em benefício da sociedade, que nos financia. Somos gratos à
FINEP, CAPES/PADCT, CNPq e FAPESP, pelos auxílios financeiros recebidos.
Jacobus W. Swart
Coordenador
Campinas, 03 de fevereiro de 2006.
Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS
Planejamento – Janeiro 2004
CCS/UNICAMP
1a Semana – 2ª feira 19/01/04.
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Apresentação Jacobus, Diniz, Beny.
9:00 Lab. Limpeza de Lâminas Diniz, Regina
10:00 Café
10:15 Lab. Oxidação de campo Diniz, Godoy
10:30 Sem. Revisão de Semicondutores Jacobus
12:00 Almoço
13:30 Sem. Integr. de Proc. MOS-CCS + Teoria Cap. MOS Jacobus
14:30 Lab. a) Visita ao Lab. Diniz, Stanislav
b) Medidas lâmina: espessura, tipo, resistivid. Beny, Mara, Paula.
16:30 Sem. Modelo de oxidação e Fotogravação Jacobus
1a Semana – 3ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Integração processos: nMOS Si-poly e CMOS. Jacobus
10:00 Café
10:15 Lab. a) Fotogravação, fonte e dreno + etch. Godoy, Mara, Diniz, Regina
b) Medida espessura de óxido Beny, Paula
c) Medidas de chip didático Diniz, Beny, Glaudson
Nota: as 3 atividades de lab. são realizadas em rodízio, até final do dia.
1a Semana - 4ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Difusão e implantação de íons Jacobus.
10:00 Café
10:15 Lab. Implantação de íons de S/D Eudoxio
11:00 Sem. Etching úmido e seco Stanislav
12:00 Almoço
13:00 Sem. Caracterização camadas dopadas + Simul. Jacobus, Lacerda
SUPREM e PISCES
14:00 Lab. a) Medidas chip didático Diniz, Beny, Glaudson.
PC´s b) Medida de perfilômetro Ricardo, Paula.
c) Simulação de processos Emílio, Lacerda
Nota: as 2 atividades de lab. ás 14h são realizadas em rodízio, até final do dia.
1a Semana - 5ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Processos CVD Doi
9:30 Café
9:45 Lab. Recozimento e oxidação Diniz, Godoy
10:45 PC´s a) Simulações SUPREM/PISCES. Lacerda, Leandro
b) Layout do chip CC2 – Programa Magic Emilio
12:00 Almoço
13:00 Lab. a) Medidas: tox., xJ, Rs Mara, Paula.
Lab. b) Medidas chip didático Diniz, Beny, Glaudson.
PC´s c) Simulações SUPREM/PISCES Emílio, Lacerda.
Nota: as atividades de lab. às 9:45 e às 13h são realizadas em rodízio, até final do dia.
1a Semana - 6ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Lab. a) Fotogravação porta + etching Godoy, Mara, Regina, Diniz
LPD b) Visita ao LPD/IFGW Stanislav, Beny, Newton.
13:00 Almoço
14:00 Sem. Introdução a Optoeletrônica Newton Frateschi
15:40 Café
16:00 Sem. Evolução da Microeletrônica, Regras de Jacobus
Escalamento e Limites.
Nota: as 3 atividades às 8:30 h são realizadas em rodízio, até final do almoço.
2a Semana - 2ª feira – 26/01/04
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Cargas no sistema SiO2/Si Diniz
10:00 Café
10:15 Lab. Oxidação de porta Diniz, Godoy, Regina
11:00 Sem. Conceitos de vácuo e metalização Doi
12:00 Almoço
13:00 Lab. Medidas: tox., Rs, xJ Beny, Ricardo
Fotogravação de contatos + etching Godoy, Mara, Regina
Medidas chip didático Diniz, Beny, Glaudson.
Nota: as 3 atividades de lab. às 13h são realizadas em rodízio, até final do dia.
2a Semana - 3ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Modelos MOSFET. Jacobus.
10:00 Café
10:10 Lab. Carregar lâminas na evaporadora Doi, Diniz, Godoy
10:30 Sem. Introdução a projeto de CI’s digitais Saulo Finco
12:00 Almoço
13:00 Lab. Evaporação de Al Doi, Diniz, Godoy
14:00 Lab. a) Fotogravação de interconexões Godoy, Mara, Regina, Diniz
b) Etching de Si para Microestruturas MEMS Márcia, Roberto, Diniz
c) Metrologia MEMS Clovis
Nota: as 3 atividades de lab. às 14h são realizadas em rodízio, até final do dia.
2a Semana - 4ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:00 CenPRA Visita: Fabricação de máscaras, Jacobus.
encapsulamento, testes, mostradores
12:00 Almoço
13:00 Lab. Evaporação de Al / costas das lâminas Diniz, Godoy.
Recozimento de sinterização
14:00 Lab. a) Medidas dos dispositivos fabricados Diniz, Beny, Glaudson.
PC´s b) Exercício de projeto de CI’s. Luiz Carlos Moreira.
Nota: as 2 atividades de lab. às 14h são realizadas em rodízio, até final do dia.
2a Semana – 5ª feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem Introdução a projeto de CI’s analógicos Carlos Reis.
10:00 Café
10:30 Sem Introdução a projeto de MMIC’s e HBT Everson Martins.
12:00 Almoço
13:00 Lab. Medidas dos dispositivos fabricados Diniz, Beny, Glaudson.
PC’s Relatório
2a Semana – 6a Feira
Hora Local Atividade Instrutores
8:30 Sem. Introdução a MEMS e Micro-usinagem. Jacobus.
9:30 Sem Microssensores em Si Fabiano Fruett
10:50 Café
11:10 Sem. Processo LIGA e Micromecânica Luiz Otávio / Julio César.
12:30 Almoço
14:00 Sem Atividades do CCS Jacobus
15:00 Sem Discussão e avaliação Jacobus, Doi, Diniz.
No século 19, pouco se sabia a respeito de semicondutores e muito menos de dispositivos feito com
estes materiais. Houve, no entanto, alguns trabalhos empíricos. É o caso da invenção do retificador a
estado sólido, apresentado por F. Braun, em 1874. Este retificador foi feito com cristal de PbS, soldado
com um fio metálico (diodo de ponta de contato). Este diodo apresentava característica muito instável e
foi abandonado temporariamente, até uma época em que os diodos a válvula não atendiam à demanda
de uso de freqüências mais altas.
O início do século 20 por sua vez foi fundamental para o desenvolvimento da microeletrônica, pois
houve um enorme progresso na teoria física, com o desenvolvimento da mecânica quântica, por Bohr,
de Broglie, Heisenberg, Schrödinger e outros, notadamente durante os anos 20. Em paralelo a este fato,
foi proposto um primeiro conceito de desenvolvimento de um transistor de efeito de campo em estado
sólido. Em 1928, Lilienfeld, um homem muito à frente do seu tempo, patenteou a idéia de modular a
condutividade de um semicondutor por meio de um campo elétrico, chamado como dispositivo de efeito
de campo. Lilienfeld, no entanto, não teve sucesso na realização prática da sua proposta. Na década
seguinte, dos anos 30, houve um forte crescimento no desenvolvimento de teorias quânticas em sólidos,
ou seja, a aplicação da mecânica quântica em sólidos, com os conceitos de bandas de energias, banda
proibida, mecânica estatística, portadores, etc, pelos trabalhos apresentados por Peieris, Wilson, Mott,
Franck e vários outros (a maioria da Inglaterra). Estes conceitos teóricos permitiram entender os
semicondutores e motivar a pesquisa por dispositivos semicondutores.
1
No ano de 1936 a Bell Labs decide criar um grupo de pesquisa específico para estudar e
desenvolver dispositivos semicondutores, com o objetivo de fabricar o transistor de efeito de campo. Um
outro grupo bastante ativo nesta área e que contribuiu significativamente com o trabalho na Bell Labs era
o grupo da universidade de Purdue. Em 1940, R. Ohi identifica pela primeira vez semicondutores de Si
tipo p e tipo n. No mesmo ano, J. Scaff e H. Theuerer mostram que o nível e o tipo de condutividade do
Si é devido à presença de traços de impurezas. Durante os anos seguintes da II Guerra mundial, as
pesquisas nesta área são suspensas na Bell Labs, devido a outras prioridades.
Em meados dos anos 40, ao final da II Guerra mundial, o status da eletrônica era baseado nos
seguintes dispositivos básicos:
• Válvulas termiônicas, que apresentavam as seguintes características: muito frágeis, caras e alto
consumo de potência.
• Relés elétro-mecânicos, que por sua vez eram de comutação muito lenta.
Estas limitações destes dispositivos motivaram o reinício da pesquisa e desenvolvimento de novos
dispositivos a estado sólido. Assim, em 1946, a Bell Labs recria seu grupo de pesquisa em estado sólido,
agora sob liderança de William Shockley, concentrando esforços na pesquisa dos semicondutores Ge e
Si e de transistores de efeito de campo. Nesta época, um dos pesquisadores do grupo, Bardeen, sugere
uma explicação pelo insucesso na obtenção do transistor FET baseado na alta densidade de estados de
superfície dos semicondutores (dentro da banda proibida). Mas persistindo na pesquisa da invenção do
FET, Bardeen e Brattain descobrem por acaso o efeito de transistor bipolar, em final de 1947, mais
precisamente em 16 de dezembro. Este transistor e esquema elétrico são mostrados na Fig. 1. O
transistor era constituído por uma base de Ge tipo n (contato de base pelas costas da amostra) e duas
junções de contato tipo p na superfície, sendo um de emissor e outro o coletor, feitos um próximo ao
outro. Após os cuidados necessários para patentear o invento e convencer o exército americano, que
queria mantê-lo como segredo, a Bell Labs o anuncia publicamente em junho de 1948. O descobrimento
do efeito transistor bipolar é sem dúvida atribuído aos pesquisadores Bardeen e Brattain, mas quem
desenvolveu a teoria e explicação sobre o funcionamento do transistor bipolar foi o chefe deles, W.
Shockley, em janeiro de 1948. A teoria de Shockley, de injeção de portadores minoritários pela junção
emissor-base, foi comprovada por meio de um transistor vertical fabricado em fevereiro de 1948, por J.
Shive. Esta teoria torna-se amplamente acessível com o lançamento do livro “Electrons and Holes in
Semiconductors” por W. Shockley em 1950. Mais tarde, em 1956, Shockley, Brattain e Bardeen são
condecorados com o prêmio Nobel de física pelas contribuições referentes ao transistor bipolar. A
pesquisa pela obtenção do transistor de efeito de campo foi mantida, apesar do descobrimento do
transistor bipolar, sendo que em 1952, I. Ross e G. Dacey demonstram o primeiro transistor tipo JFET.
Neste caso, a porta é constituída por uma junção pn, que controla a passagem de corrente pelo canal.
Desta forma, contornou-se o problema de estados de superfície, que ainda não tinha sido resolvido até
então.
Um fato histórico que contribuiu muito com o desenvolvimento da microeletrônica foi o fato da Bell
Labs licenciar seu invento a outras empresas. Por um preço de US$ 25.000,00, empresas como Texas
Instruments e Sony (na época com outro nome), compraram a licença para aprender e usar a tecnologia
de fabricação de transistores. A tecnologia foi transferida através de um workshop realizado na Bell Labs
em abril de 1952. Sony foi a primeira empresa a fabricar um radio totalmente transistorizado e
comercializá-lo em escala, criando assim o mercado de consumo para transistores.
Em 1955, Shockley deixa a Bell Labs e funda sua própria empresa, Shockley Semiconductors, que
marca a origem do Vale do Silício, no estado de Califórnia. A sua empresa em si não foi marcante,
porém ela começou com pesquisadores e empreendedores de alto nível, que depois criaram a Fairchild
(1957) e Intel (1968), entre muitos outros. Entre estes pesquisadores destacam-se Gordon Moore,
Robert Noyce e Andrew Grove.
Uma vez dominados alguns processos de fabricação de transistores, nasceu a idéia de se fazer um
circuito integrado. Este conceito foi proposto e patenteado por J. Kilby, da Texas Instruments, no ano de
1958. Kilby demonstrou sua idéia com um circuito fabricado sobre um único bloco de Si, contendo um
transistor (em estrutura tipo mesa), um capacitor e um resistor. Estes dispositivos eram, no entanto,
interconectados por meio de fios soldados nos contatos dos mesmos. Uma fotografia deste circuito
integrado rudimentar é mostrado na Fig. 2. Em paralelo, um grupo da Fairchild desenvolve um processo
superior para fabricar transistores (J. Hoerni) e chamado de processo planar. Este mesmo processo é
adaptado logo em seguida, no mesmo ano, por R. Noyce do mesmo grupo, para a fabricação de circuitos
integrados. Este processo foi fundamental para o progresso da microeletrônica, já que seu princípio
básico, acrescida de várias inovações e evoluções, vem sendo usado até hoje na fabricação dos
modernos CI´s. O início da comercialização de CI´s inicia-se a partir do ano de 1962, não parando mais
de crescer em termos de volume e de densidade de transistores por chip. A Fig. 3 mostra a fotografia do
primeiro CI fabricado pelo processo planar. Marcos precursores e fundamentais para a invenção do
processo planar foram: a) em 1952, C. Fuller da Bell Labs, publica seu estudo sobre difusão de dopantes
2
doadoras e aceitadoras em Si; b) em 1955, Frosch e Derick usam camadas de SiO2 para delimitar as
áreas de difusão; c) em 1955, Andrus e Bond desenvolvem materiais tipo fotorresiste para a litografia e
gravação de padrões em filmes de SiO2.
O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram finalmente o
desenvolvimento do tão sonhado transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor
MOSFET ou simplesmente MOS. Em 1960, um grupo da Bell Labs, D. Kahng e M. Atalla, demonstram o
transistor MOS. A interface SiO2/Si é uma interface de muito boa qualidade, com baixa densidade de
estados de superfície. Mas apesar disto, os dispositivos MOS apresentavam uma estabilidade pobre,
causando um atraso de mais 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo deste problema era a
falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente,
Fig. 1 a) Fotografia do primeiro transistor bipolar de contato descoberto em dezembro de 1947, por
pesquisadores da Bell Labs, b) esquema elétrico correspondente.
3
Fig. 3 Fotografia do primeiro circuito integrado fabricado por processo planar na Fairchild em 1961.
impurezas de Na, que são responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causa um
desvio na tensão de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). A
combinação de transistores MOS de canal n e de canal p num mesmo substrato, levou F. Wanlass a
propor a tecnologia CMOS em 1963. Outros marcos históricos que contribuíram enormemente para o
avanço das tecnologias MOS foram, a) o uso de filme de silício policristalino dopado como material de
porta de transistores, a partir de 1966, e b) o uso da técnica de implantação de íons para o ajuste da
tensão de limiar do transistores, pela dopagem da região de canal com muita precisão.
Além dos dispositivos descritos acima, muitos outros foram inventados, ao longo do meio século de
vida da era dos dispositivos semicondutores. K. K. Ng apresenta uma revisão ampla destes dispositivos
(“A Survei of Semiconductor Devices”, IEEE Trans. Electr. Dev., vol.43, no. 10, p.1760, Oct. 1996). Ele
classifica como sendo 67 dispositivos distintos, com mais aproximadamente 110 outros dispositivos
relacionados, com pequenas variações em relação aos primeiros, como parcialmente ilustrado na Fig. 4.
Uma relação resumida destes dispositivos é apresentada na tabela 1, com os mesmos organizados em
grupos, baseado em suas funções e/ou estruturas.
O estudo e entendimento destes diversos dispositivos requerem basicamente os seguintes
conhecimentos:
a) Conhecimento dos blocos construtivos de dispositivos. Existem apenas 5 blocos construtivos para os
dispositivos, como representados na Fig. 5:
• Interface metal-semicondutor
• Interface de dopagem de homojunção, ou seja, junção p-n
• Heterojunção
• Interface semicondutor-isolante
• Interface isolante-metal
b) Conhecimento dos mecanismos de transporte. A seguir relacionamos estes mecanismos juntamente
com exemplos de dispositivos onde os mesmos se aplicam:
• Deriva resistores, transistores FET
• Difusão junções p-n, transistores bipolares
• Emissão termiônica / barreiras Schottky, diodos PDB
• Tunelamento diodo túnel, contato ôhmico
• Recombinação LED, Laser, diodo p-i-n
• Geração célula solar, fotodetetor
• Avalanche diodo IMPATT, diodo Zener, diodo APD.
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Tabela 1 Grupos de dispositivos semicondutores, organizados por função e/ou estrutura.
Grupo Sub-grupo Dispositivos
Diodos Retificadores Diodo p-n
Diodo p-i-n
Diodo Schottky
Diodo de barreira dopada panar - PDB
Diodo de heterojunção
Resistência negativa Diodo túnel
Diodo de transferência de elétrons
Diodo túnel ressonante
Diodo RST
Diodo IMPATT
Diodo BARITT
Resistivos Resistor
Contato ôhmico
Capacitivos Capacitor MOS
CCD´s (Charge-coupled devices)
Chaves de 2 MISS (Metal-Insulator-Semicond. Switch)
terminais PDB (Planar-Doped-Barrier Switch
Transistores Efeito de Campo MOSFET
JFET
MESFET
MODFET
PBT
Efeito de Potencial BJT – Bipolar Junction Transistor
HBT – Heterojunction Bipolar Trans.
MBT – Metal Base Transistor
RTBT – Resonant-Tunneling Bipolar
Memórias não FAMOS
voláteis MNOS
Tiristores SCR – Silicon-Controlled Rectifier
IGBT – Insulated-Gate Bipolar Trans.
Transistor unijunção
SIThy – Static-Induction Thyristor
Fontes de Luz LED
Laser
VCSEL – Vertical-cavity surface emitting laser
Fotodetetores Fotocondutor
Fotodiodo p-i-n
Fotodiodo de barreira Schottky
CCIS – Charge-coupled image sensor
APD – Avalanche Photodiode
Fototransistor
MSM – metal-semicondutor-metal
Dispositivos Ópticos Biestáveis SEED – Self-eloctrooptic-effect device
Etalon bi-estável
Outros Dispositivos Fotônicos Célula solar
Modulador eletro-óptico
Sensores Termistor
Sensor Hall
Strain Gauge (piezoelétrico)
Transdutor Interdigital, tipo SAW
ISFET – Ion-sensitive FET
5
Fig. 4 Parte da árvore de dispositivos semicondutores
Fig. 5 Diagrama de bandas de energia, mostrando as interfaces dos 5 blocos construtivos básicos de
dispositivos.
Este número grande de tipos dispositivos justifica-se pelas necessidades específicas nas diversas
aplicações. Dentro dos circuitos integrados, no entanto, os dispositivos e tecnologias predominantes são
as tecnologias MOSFET e BJT, como mostram os dados da Fig. 6. Estes dados são restritos ao período
de 1974 a 1986. Desde aquela época, a mesma tendência de redução relativa da participação da
tecnologia BJT e do aumento do uso da tecnologia MOSFET, em particular a CMOS, continuou.
Atualmente, na virada do século 20 ao 21, mais de 85% do mercado de semicondutores corresponde à
tecnologia CMOS.
A evolução da microeletrônica não se restringe ao desenvolvimento de novos dispositivos,
apresentados acima, mas apresenta também outros aspectos tão importantes quanto. Estes outros
aspectos incluem os seguintes:
• Uma redução contínua das dimensões mínimas, como indicado na Fig. 7. Esta evolução
corresponde a uma redução com fator 2 a cada 6 anos. Esta evolução foi possível graças a avanços
tecnológicos nos processos de fabricação em geral e em especial, nos processos de fotolitografia.
• Uma evolução na área máxima dos chips, como mostra a Fig. 8. Esta evolução corresponde a um
aumento de fator 2 na área do chip a cada 4 anos. A área máxima dos chips está relacionada com a
densidade de defeitos por unidade de área, que garanta um rendimento aceitável de produção. A
evolução na qualidade dos processos de fabricação resulta numa redução gradual da densidade de
defeitos e como conseqüência permite este aumento gradual da área dos chips.
• Uma evolução na eficiência de empacotamento, ou seja, do número de dispositivos por área de
dimensão mínima da tecnologia. Esta evolução está quantificada na Fig. 9 e está relacionada a
otimização do layout empregado e do uso de novas estruturas físicas dos dispositivos, isolação e
interconexões. No início, havia muito espaço de melhoria, resultando numa média de aumento de 21
6
vezes por década. Após os anos 70, houve uma redução na taxa de aumento da eficiência de
empacotamento para 2.1 vezes por década.
• A combinação das 3 evoluções citadas acima, de redução nas dimensões mínimas, aumento da área
dos chips e aumento na eficiência de empacotamento, levou a um aumento assombroso no número
de dispositivos por chip, como mostra a Fig. 10. Associado a cada faixa de número de dispositivos
por chip convencionou-se chamar o nível de integração pelas siglas: SSI (Small Scale Integration),
MSI (Medium Scale Integration), LSI (Large Scale Integration), VLSI (Very Large Scale Integration),
ULSI (Ultra-Large Scale Integration) e GSI (Giga Scale Integration). Atualmente, na virada do século,
estamos entrando na era do GSI. O crescimento contínuo do número de dispositivos por chip é de
aproximadamente um fator 2 a cada 18 meses, ao longo das últimas 3 a 4 décadas. Este
crescimento é conhecido como a lei de Moore.
• Uma evolução contínua na redução do custo por transistor ou por bit de informação é mostrada na
Fig. 11a. Esta redução de custo tem levado a um enorme crescimento do uso de eletrônica, com um
crescimento médio anual de 16% no mercado de semicondutores ao longo das últimas décadas.
Ressaltamos que nenhum outro setor econômico teve tal crescimento na história da humanidade. A
Fig. 11b mostra o aumento contínuo do número de bits de DRAM produzidos.
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Fig. 7 Evolução nas dimensões mínimas empregadas nas estruturas em CI´s.
8
Fig. 8 Evolução da área máxima de chips.
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Fig. 10 Evolução do número de dispositivos por chip (nível de integração).
Fig. 11 a) Evolução na redução do custo de bit de memória (DRAM) e b) evolução da quantidade de bits
de memória (DRAM) produzidos por ano.
10
17
c) Atualmente (~2000), o número de transistores produzidos anualmente no mundo é da ordem de 10 .
Este número corresponde a aproximadamente o número de formigas existente no mundo e a 10
vezes o número de grãos de cereais produzidos no mundo por ano.
Fig. 12 Fotografia tirada por microscópio eletrônico de um fio de cabelo sobre um chip de memória
DRAM inacabada e de tecnologia do ano de 1986, ilustrando estruturas gravadas de largura de 2 µm.
Fig. 13 Ilustração de mapas desenhados, contendo detalhes de todas as ruas, em áreas de chips
nas diversas fases tecnológicas.
11
• Menor consumo de potência. Novamente, devido às menores dimensões e menores capacitâncias,
bem como devido à menor tensão de alimentação, a energia associada na mudança da tensão em
cada nó do circuito será menor, e como conseqüência, teremos um menor consumo de potência.
• Menor número de chips por sistema. Considerando agora chips mais complexos, com mais funções
integradas, poderemos fabricar sistemas com menor número de chips, e no limite, com um único
chip. Este fato traz como vantagem, menor número de conexões entre chips. Isto por sua vez resulta
em aumento da confiabilidade do sistema, uma redução do seu tamanho e uma redução do custo de
montagem do mesmo.
A evolução obtida até este ponto, bem como a que está por vir, é resultado de um esforço muito
grande de muitas pessoas, empresas e instituições de ensino e pesquisa. Nenhuma empresa sozinha,
nenhum país sozinho, poderia ter trilhado tão rapidamente este caminho. Os países avançados e suas
empresas têm consciência deste fato, que se torna mais necessário ainda para o futuro. Os avanços
futuros necessitam de recursos mais volumosos ainda e portanto de ações conjuntas de pesquisa e
desenvolvimento. Com o intuito de guiar este trabalho de desenvolvimento, a SIA (Semiconductor
Industry Association) do USA, elabora um relatório trienal, onde ela propõe um mapa de estrada para o
futuro (The National Technology Roadmap for Semiconductors). Na tabela 2 apresentamos alguns dados
23
do relatório publicado em 1997 . Assim, prevê-se uma evolução gradual até pelo menos dimensões
mínimas de 50 nm (ano 2012). Dados mais recentes encontram-se nas referências 24 e 25, indicando a
11
previsão de dimensão mínima de 35 nm e nível de integração acima de 10 dispositivos por chip em
2014. A partir deste ponto, provavelmente as várias limitações, físicas e tecnológicas, impedem a
realização de transistores com comprimento de canal muito menor que 25 nm. Portanto, novos conceitos
físicos devem ser usados para inventar dispositivos alternativos aos dos tradicionais MOSFET e
bipolares. Entre estes já existem os dispositivos de bloqueio Coulombiano, entre outros dispositivos de
um único elétron. São propostos também os dispositivos quânticos, onde se controla o estado do elétron
de um átomo (hidrogênio, por exemplo). Estruturas de nano-tubos de carbono é outra idéia proposta.
São tubos de 1.4 nm de diâmetro e de 10 µm de comprimento que constituem canais de corrente e que
permitem realizar circuitos tipo moleculares. Chaveamento a freqüência de 10 THz é previsto.
Certamente não chegamos no final do túnel da evolução.
12
Tabela 2 Dados de previsão de evolução extraídos do relatório da SIA de 1997.
Dado\Ano 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012
LMIN.(nm) 250 180 150 130 100 70 50
DRAM (bits) 256M 1G - 4G 16G 64G 256G
2
Área chip DRAM (mm ) 280 400 480 560 790 1120 1580
Diâmetro / lâmina (mm) 200 300 300 300 300 450 450
Níveis de metal (lógica) 6 6-7 7 7 7-8 8-9 9
Compr. metal (lógica) (m) 820 1480 2160 2840 5140 10000 24000
VDD(V) 2.5 1.8 1.5 1.5 1.2 0.9 0.6
FMAX de relógio (MHz) 750 1250 1500 2100 3500 6000 10000
Número máscaras 22 23 23 24 25 26 28
-2 1
Defeitos (m ) 2080 1455 1310 1040 735 520 370
Custo/bit DRAM inicial (µc) 120 60 30 15 5.3 1.9 0.66
1
Nota: para rendimento inicial de 60% e memória DRAM.
Desde a década de 50, as universidades brasileiras (ITA a partir de 1953, IFUSP a partir do início
6
dos anos 60, seguido por muitos outros) tiveram atividades de pesquisa em semicondutores e
dispositivos, ou seja, sempre acompanhamos de perto o desenvolvimento da área e inclusive, o país
contribuiu de alguma forma com o desenvolvimento da mesma.
Já bem no início da história dos dispositivos semicondutores, em meados dos anos 60, a Philco
instala fábrica de diodos e transistores em São Paulo. Ou seja, apenas 10 anos após a liberação e
disseminação da tecnologia pela Bell Labs, o Brasil iniciou atividades industriais de microeletrônica. Esta
atividade contribuiu com a motivação para se montar um laboratório de microeletrônica, LME, na Escola
Politécnica da Universidade de São Paulo, por iniciativa de um grupo de professores (J. A. Zuffo, C. I. Z.
Mammana, R. Marconato, A. Ferreira), em 1968, estando operacional em 1970. A coordenação do
laboratório ficou a cargo do Prof. Carlos Américo Morato, e não podemos omitir a grande colaboração do
professor visitante, Dr. R. Anderson, do USA. Este laboratório pioneiro foi responsável pelo
desenvolvimento de várias tecnologias de microeletrônica, pela formação de um número considerável de
profissionais na área e por várias iniciativas tipo “spin-off”, algumas industriais e outras acadêmicas.
Marcos de desenvolvimento tecnológico ocorridos no LME incluem entre outros:
• Desenvolvimento de tecnologia de diodos e transistores bipolares, com transferência desta
tecnologia para a empresa Transit, em Montes Claros, MG, em1974.
• Desenvolvimento do primeiro circuito integrado no país, em 1971, com lógica ECL (Dr. J. A. Zuffo).
• Desenvolvimento de tecnologia de transistores nMOS em 1973, incluindo o projeto e construção do
7
primeiro CI com tecnologia MOS na América Latina (Dr. Edgar Charry Rodriguez) .
• Projeto e fabricação de memórias tipo ROM com a tecnologia nMOS com capacidade de 512 e 2k
bits em 1975 e 1978 respectivamente (Fig. 15). Estes circuitos podem ser considerados os primeiros
circuitos integrados em nível MSI (Medium Scale Integration) e LSI (Large Scale Integration)
respectivamente, no país. A primeira memória SRAM também foi realizada com a mesma tecnologia
8
em 1978 .
• Desenvolvimento de um implantador de íons (Dr. Joel Pereira de Souza) .
9
• Desenvolvimento de tecnologias nMOS com carga tipo depleção e porta metálica e porta de si-poli,
10,11
em 1978 e 1987 respectivamente .
• Desenvolvimento de tecnologias CMOS com porta metálica e porta de si-poli em duas versões, em
12-14
1979, 1987 e 1988 respectivamente .
• Desenvolvimento de tecnologia CCD com canal enterrado e portas de si-poli, em 1981 (Fig. 16).
15
13
Fig. 15 Fotografia ampliada do chip de memória ROM de 2k bit, desenvolvido no LME/EPUSP em
1978 (E. Charry R, J. P. de Souza e J. W. Swart).
Fig. 16 Fotografia ampliada do dispositivo CCD desenvolvido no LME/EPUSP em 1981 (J. W. Swart).
Em 1974, o Prof. Carlos I. Z. Mammana deixa o LME da EPUSP e dá início à montagem de um novo
laboratório de microeletrônica, chamado LED (Laboratório de Eletrônica e Dispositivos) na Faculdade de
Engenharia da Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP. Vale lembrar a grande contribuição dada
pelo Prof. Yukio à montagem do LED. Este laboratório teve como ênfase inicial o desenvolvimento de
equipamentos de microeletrônica, incluindo: fornos térmicos, sistemas CVD, sistema de corrosão por
plasma, implantador de íons, fotorepetidora, entre outros. Além dos equipamentos, este laboratório
também procurou desenvolver tecnologias nMOS e bipolares (lógica I2L). O LED também teve uma
atividade de desenvolvimento de tecnologia de fabricação de diodos para transferência industrial, no
caso para empresa Ober, no período de final dos anos 80. Este laboratório passou por algumas re-
estruturações, sendo atualmente transformado no Centro de Componentes Semicondutores, diretamente
ligado à reitoria da universidade, ou seja, administrativamente independente de unidade de ensino. Suas
atividades atuais concentram-se em pesquisas relacionadas a tecnologias CMOS e microssensores,
além de oferecer cursos de laboratório de microfabricação.
Em 1975, o Prof. João Antônio Zuffo criou um novo laboratório na EPUSP, chamado LSI (Laboratório
de Sistemas Integrados). Este laboratório, com espectro de atuação mais amplo que apenas
microeletrônica, deu ênfase inicialmente à pesquisa em etapas de processos de microeletrônica, tendo
como um dos gestores, o incansável e grande entusiasta, o Prof. Armando A. M. Laganã. O grupo
realizou pesquisa de alto nível nas atividades de obtenção e caracterização de silicetos, processos de
plasma para deposição de filmes finos e de corrosão, processos de limpeza e de oxidação de Si. Em
seguida, o grupo concentrou esforços no desenvolvimento de micro-sensores de Si.
Em 1981, o Prof. Joel Pereira de Souza deixou o LME da EPUSP e iniciou a construção de um
Laboratório de Microeletrônica no Instituto de Física da Universidade Federal de Rio Grande do Sul. Este
14
laboratório adquiriu alguns e construiu outros equipamentos básicos de microeletrônica. Este laboratório
prima por suas atividades em pesquisa na técnica e aplicações de implantação de íons, tendo dado
grandes contribuições em publicações, patentes e formação de recursos humanos neste tema.
Adicionalmente, o grupo recentemente resgatou conhecimentos anteriores e re-implantou a tecnologia
nMOS porta metálica carga tipo depleção no seu laboratório, demonstrando a fabricação de um circuito
integrado tipo matriz de chaveamento de 4 entradas x 4 saídas.
Em meados dos anos 80, um novo laboratório foi implantado no Instituto de Física da Universidade
Federal de Pernambuco, sob responsabilidade do Prof. Eronides da Silva. Este laboratório também
possui os equipamentos básicos para microeletrônica e tem sua ênfase de pesquisa centrada em
pesquisa de dielétricos de porta MOS.
Os 5 grupos acima constituem os grupos universitários com instalações completas de
microeletrônica de Si. Além destes, existem grupos que atuam em temas específicos associados a
processos de microeletrônica. Como exemplo temos o grupo de Engenharia Elétrica da UnB, Brasília,
Prof. José Camargo, e o grupo do Departamento de Física do ITA, Prof. Homero Maciel, com atividades
em processos de plasma.
Embora o Si seja o semicondutor mais usado comercialmente, ocupando da ordem de 98% do
mercado de semicondutores, semicondutores compostos tipo III-V são necessários para nichos de
aplicações. Pesquisas sobre estes semicondutores vem sendo feitas essencialmente em institutos de
física de diversas universidades, vários dos quais equipados com modernas e caras máquinas de
crescimento epitaxial de camadas, tipo MBE, CBE ou OMVPE. Entre estes grupos citamos:
• LPD do IFGW da UNICAMP, em Campinas.
• IF da USP em São Paulo.
• IFQ da USP em São Carlos
• IF da PUC-RJ em Rio de Janeiro.
• IF da UFMG em Belo Horizonte.
Entre estes 5 grupos, o LPD apresenta maior tradição no desenvolvimento de dispositivos
semicondutores, incluindo Lasers e transistores (MESFET, HEMT e HBT). Este grupo, inicialmente sob
liderança do Prof. J. E. Ripper, introduziu e desenvolveu tecnologia de fabricação de Laser
16
semicondutor, já a partir do início da década de 70 . Esta tecnologia foi posteriormente transferida para
o CPqD da Telebrás.
Além dos grupos universitários, temos um número menor de institutos de pesquisa, que no entanto
receberam investimentos mais volumosos para instalação de laboratórios avançados. Entre estes
citamos o CPqD, ITI, LNLS e INPE.
O CPqD foi criado em meados dos anos 70, com objetivos de P&D bem amplos em
telecomunicações. Na área de microeletrônica ele nunca se dedicou à tecnologia de fabricação de CI´s
de Si, concentrando-se nas seguintes áreas:
• Tecnologias de filmes espessos para CI´s híbridos
• Tecnologias de filmes finos para CI´s híbridos
• Tecnologia tipo SAW
• Tecnologias de Lasers semicondutores.
• Projeto de CI´s de Si e de GaAs.
Estas atividades foram, no entanto, todas descontinuadas, sobretudo após a privatização do sistema
Telebrás, ao final dos anos 90. Esta descontinuidade de atividades de microeletrônica e optoeletrônica
no CPqD representa uma grande perda do investimento, sobretudo em pessoal, feito ao logo de duas
décadas, dado que o pessoal foi todo redirecionado para outras atividades.
O ITI foi criado no início dos anos 80, com o intuito de realizar atividades de P&D em tecnologias de
CI´s de Si, entre outras atividades. Este objetivo inicial não foi completamente concretizado ao longo de
sua trajetória, tendo suas atividades de microeletrônica sido restritas a:
• Linha piloto de encapsulamento de CI´s
• Linha de testes, confiabilidade e análise de falhas.
• Linha de fabricação de máscaras.
• Linha de prototipagem rápida de interconexão para circuitos tipo “gate array”.
• Projeto de CI´s de Si.
• Tecnologia tipo SAW
O LNLS foi criado em janeiro de 1987, sob coordenação do Prof. Cylon Gonçalves da Silva, em
Campinas. Este laboratório projetou e construiu um sistema de anel de elétrons para produzir feixes de
luz síncrotron, ou seja, radiação eletromagnética com freqüência variando desde infravermelho até raios
X moles. Esta fonte de luz vem sendo utilizada, essencialmente para a análise de materiais, bem como
para a fabricação de microestruturas por litografia profunda de raio X, para microssensores e
15
micromecânica. O LNLS inclusive oferece um serviço de prototipagem de microestruturas por programa
tipo PMU, chamado de programa MUSA.
INPE de São José dos Campos é o centro mais antigo dos citados aqui. Ele foi criado já em 1961. O
INPE realiza atividades amplas na área de ciências espaciais, o que inclui algumas atividades de
microeletrônica, tais como P&D em células solares e sensores. O INPE possui algumas das instalações
necessárias para estas atividades, inclusive um sistema MBE para crescimento de semicondutores do
tipo IV-VI, e vem interagindo com os outros grupos para complementar as instalações que lhe faltam.
Até aqui descrevemos as iniciativas acadêmicas e de desenvolvimento na área de tecnologias de
fabricação de microeletrônica. Estas atividades não fazem muito sentido, se não forem acompanhadas
por uma correspondente aplicação industrial. As duas áreas, acadêmica e industrial devem andar
concomitantemente, já que as duas são mutuamente dependentes, com demandas complementares.
17-18
Analisaremos abaixo os vários empreendimentos industriais de microeletrônica no país .
Como já citamos acima, a Philco iniciou uma fábrica de diodos e transistores em São Paulo, SP, em
1966. Mais tarde, em meados dos anos 70, esta fábrica foi transferida para Contagem, MG, agora em
parceria com a RCA. A fábrica, modernizada e ampliada, implantou também processos de fabricação de
CI´s lineares com tecnologia bipolar e dimensões mínimas de aproximadamente 6 µm. No entanto, no
ano 84 aproximadamente, a fábrica foi fechada e colocada a venda. O grupo SID/Sharp, com
participação do banco Bradesco, interessou-se pela aquisição da mesma e assim criou a SID
Microeletrônica, que até hoje é dona dela. Porém, em meados de 1996 ela decidiu por descontinuar as
operações de difusão de componentes semicondutores, mantendo apenas as atividades de montagem e
encapsulamento, sendo esta também descontinuada em 2000.
Uma Segunda iniciativa industrial foi o caso da Transit. Esta empresa foi criada a partir de 1974 e
montou sua fábrica em Montes Claros, MG. Ela iniciou a produção de diodos e transistores bipolares em
1976, baseado em tecnologia desenvolvida no LME da EPUSP e visando o mercado de entretenimento.
Em 1978 ela adquiriu uma tecnologia da SGS-Ates, da Itália, para a fabricação de componentes para o
mercado profissional. Devido a vários erros ocorridos na implementação desta fábrica, ela não conseguiu
sobreviver por muitos anos, tendo sido fechada ainda no final dos anos 70.
Tivemos duas empresas internacionais, a Icotron, do grupo Siemens, com fábrica em Gravataí, RS,
e a Semicron, com fábrica em Cotia, SP, que tinham uma linha completa de difusão de diodos e tiristores
de potência. Atualmente a Semicron continua com sua linha completa de fabricação destes dispositivos.
A Icotron doou seus equipamentos de difusão para a UFRGS em 1998. Uma terceira empresa, também
atuando na produção destes componentes é a AEGIS, que foi criado em 1982 por dois ex-pesquisadores
do LME da EPUSP e do LED da UNICAMP. Um deles, Wanderley Marzano, continua dirigindo esta
empresa, que heroicamente se manteve, sobrevivendo a todas as crises políticas e econômicas que o
país atravessou nestes últimos 20 anos. Esta empresa é um exemplo vivo da existência de
oportunidades de microeletrônica em nichos de mercados, mesmo para empresas de pequeno e médio
porte.
A Itautec possui uma fábrica de encapsulamento de circuitos integrados, sobretudo tipo memórias,
em Jundiaí, SP.
Outras empresas tiveram fábricas de montagem e encapsulamento de componentes semicondutores
no país. Entre estas citamos a Texas Instruments, Fairchild, Philips, Sanyo e Rhom. Estas empresas no
entanto fecharam suas operações de produção de componentes semicondutores no início da década de
90 com a ampla e súbita abertura do nosso mercado.
Duas empresas atuaram na área de componentes optoeletrônicos. A ASA Microeletrônica realizava
montagem e encapsulamento de diodos tipo LED, com fábrica em São Paulo, SP. Esta fábrica foi
fechada recentemente (meados dos anos 90). A outra empresa é a ASGA Microeletrônica, que monta
receptores ópticos e emissores a Laser, para a área de comunicações ópticas, com fábrica localizada em
Paulínia, SP, inaugurada no início dos anos 90.
Por fim temos a empresa Heliodinâmica, com fábrica em Vargem Grande Paulista, SP, que produz
tarugos de Si monocristalínos de até 8” de diâmetro, lâminas de Si monocristalíno e/ou semicristalino,
além de células solares fotovoltáicas de Si, módulos e sistemas fotovoltáicos para diversas aplicações .
Heliodinâmica foi criada em 1980 e atende o mercado local bem como internacional.
Observamos dos dados acima, que tivemos atividades de microeletrônica desde a década de 60 e
ª
que havia um bom estágio de desenvolvimento tecnológico na 2 metade dos anos 70. Inclusive,
podemos afirmar que na época, este estágio era superior aos dos países hoje chamados de Tigres
Asiáticos. Durante as duas décadas de 80 e 90, a área passou por um estágio de estagnação,
constituindo um paradoxo para a retórica da política de reserva de mercado de informática. Investiu-se
recursos volumosos numa fábrica de máscaras enquanto que as indústrias clientes não se instalaram,
como havia sido planejado. Hoje o país apresenta um déficit comercial superior a vários bilhões de
dólares anuais em componentes eletrônicos (relatório setorial no. 1, 1999, do BNDES). Instalação de
16
uma ou mais fábricas de CI´s é uma necessidade real para equilibrar a balança comercial e promover o
desenvolvimento econômico do país.
Um requisito necessário para a instalação de uma fábrica de CI´s e para o desenvolvimento de
novos produtos inteligentes para as diversas aplicações, é a capacidade de projetar os CI´s. A atividade
de projeto de CI´s requer um investimento muito menor em instalações, porém requer um grande número
de profissionais com experiência no tema. Vários grupos no país atuam nesta área. A seguir
apresentamos uma lista (não completa) de grupos universitários, institutos e empresas com atuação na
área.
a) Universidades: • DCC/UFMG, Belo Horizonte, MG
• UFRGS, Porto Alegre, RS • DEE/EFEI, Itajubá, MG
• UFSC, Florianópolis, SC • DEE/UnB, Brasília, DF
• LAC/COPEL, Curitiba, PR • UFPB, Campina Grande, PB
• FEEC/UNICAMP, Campinas, SP b) Centros de P&D:
• EPUSP, São Paulo, SP • CTI, Campinas, SP
• EESC/USP, São Carlos, SP c) Empresas:
• FEG/UNESP, Guaratinguetá, SP • Motorola, Campinas, SP
• UFRJ, Rio de Janeiro, RJ • Idea, Campinas, SP
Comparado à área de tecnologias de fabricação, o país teve um desenvolvimento mais intenso na
área de projeto de CI´s durante estas duas últimas décadas. Esta atividade foi estimulada pela
disponibilidade de programas internacionais de fabricação de protótipos tipo MPC (Multi Project Chip) ou
PMU (Projeto Multi Usuário). Durante os últimos 15 anos o CTI organizou um programa similar brasileiro
e durante os 6 últimos anos, a FAPESP financiou a fabricação de 80 chips no exterior, para grupos do
estado de São Paulo, para usarem diretamente os programas internacionais (CMP da França,
Europractice da UEE, Iberchip da Espanha, MOSIS do USA). O desenvolvimento geral da eletrônica
requer o uso de CI´s de aplicação específica em grande escala. Assim, necessitamos ampliar ainda
muito mais esta atividade e estimular as empresas a conhecer e adotar esta solução.
Para o desenvolvimento de Microssistemas completos necessita-se tanto da disponibilidade das
técnicas de microfabricação como da capacitação em projeto de CI´s, já que os microssistemas são
compostos por chips contento o sensor ou atuador, co-integrados com o circuito de controle e/ou
processamento do sinal.
Nota: esta revisão da história da microeletrônica no país certamente não está completa, poderá ter
alguns erros e deverá ser revisada para novas edições. Ficaremos muito gratos em receber informações
com dados históricas e/ou sugestões.
19-22, 26
4. Introdução a Microssistemas .
17
Fig. 17 Escala comparativa das dimensões de microssensores.
Os sensores e atuadores convertem os seguintes tipos de sinais ou energias:
1. Químico 4. Mecânico
2. Elétrico 5. Radiante
3. Magnético 6. Térmico
A Fig. 18 ilustra um sistema genérico. O sensor realiza a primeira conversão de sinal para um sinal
elétrico. Este é processado, condicionado ou modificado por um circuito eletrônico, para em seguida
eventualmente ser re-convertido em outra forma de energia pelo atuador. Os processos de conversão de
energia são classificados como:
1. Biológicos: • Elastoelétrico
• Transformação bioquímica • Termomagnético
• Transformação física • Termoóptico
• Efeitos sobre organismos de teste • Fotoelástico
• Espectroscopia • Outros
• Outros 3. Químicos:
2. Físicos: • Transformação química
• Termoelétrico • Transformação física
• Fotoelétrico • Processo eletroquímico
• Fotomagnético • Espectroscopia
• Magnetoelétrico • Outros
• Elastomagnético
• Termoelástico
Os sensores e atuadores devem ser projetados e caracterizados quanto aos seguintes aspectos
gerais, que se aplicam aos mais diversos tipos de dispositivos:
18
• Condições ambientais permitidos: as condições ambientais podem afetar o desempenho do
sensor. Deve-se conhecer a faixa de condições em que o sensor funcione dentro da sua faixa de
tolerância.
• Escala total do sinal de saída: refere-se á máxima variação do sinal de saída.
• Histerese: refere-se à variação do sinal de saída para um mesmo sinal de entrada, dependendo
do sentido da variação do sinal de entrada.
• Linearidade: é quão próxima a curva de transferência se aproxima de uma linha reta.
• Faixa de medida: representa a faixa de variação do sinal de entrada que o sensor consegue
medir.
• “Offset”: refere-se ao sinal na saída, na temperatura ambiente, sem aplicação de sinal na
entrada.
• Tempo de vida de operação: representa o tempo de vida média do sensor, durante o qual ele
mantém suas características de funcionamento dentro das margens de tolerâncias
especificadas.
• Formato de saída: a saída é normalmente um sinal elétrico variável com o sinal de entrada. O
sinal de saída pode vir em várias formas: digital, analógico ou de freqüência.
• Característica de sobrecarga: refere-se ao máximo sinal na entrada do sensor que não altere as
características de funcionamento do mesmo além da sua faixa de tolerância especificada.
• Repetibilidade: é a habilidade de produzir o mesmo sinal de saída em medidas repetidas e
iguais.
• Resolução: representa a mínima variação de entrada necessária para produzir uma variação
detectável na saída.
• Seletividade: é a habilidade do sensor identificar e medir um sinal de entrada (ex. um elemento
químico) na presença concomitante de varias entradas.
• Sensibilidade: é a razão da variação da saída pela variação na entrada, ou seja, é a derivada da
curva de transferência do sensor:
dy
S (xa ) =
dx x = xa
• Velocidade de resposta: é o tempo que demora para o sinal de saída alcançar 63% (1/e) do seu
valor final, em resposta a uma variação brusca na entrada (função degrau).
• Estabilidade: representa o tempo durante o qual o sensor mantém suas características de
funcionamento dentro do seu limite de tolerância especificada.
19
• Sistema de microponteiras para armazenamento de informação, movendo átomos e depois
2
detectando-os (prevê-se da ordem de 30 Gb/cm )
Questões críticas para o desenvolvimento dos transdutores e microssistemas são: a) processos de
fabricação, b) encapsulamento, c) testes, d) Infraestrutura de CAD.
A microeletrônica constitui o embrião do desenvolvimento de microssistemas, tendo em vista que
emprega boa parte dos materiais, processos, conceitos e dispositivos da microeletrônica. No entanto ele
também requer um número grande de outros materiais e processos específicos, como ilustra a Fig. 19.
Muitos dispositivos sensores e atuadores podem ser incorporamos em tecnologia CMOS, por etapas de
processos de pós-processamento, realizadas após a conclusão da fabricação do circuito eletrônico. Os
processos podem ser classificados como de superfície (surface micromachining) e como de corpo (bulk).
No primeiro, os componentes não eletrônicos são fabricados em camadas específicas (muitas vezes de
Si-policristalino), removendo uma camada sacrificial, de sustentação durante sua deposição. Nos
processos de micro-usinagem de corpo, estes podem ser feitos pela frente ou pela costa da lâmina, por
micro-usinagem do Si, por processo úmido ou seco (por plasma). Como os processos usados em
microssistemas usam normalmente regras de projeto de aproximadamente duas gerações anteriores da
microeletrônica, muitas fábricas destas últimas podem ser convertidas em fábricas de microssistemas. O
uso de lâminas de 150 mm vem ser tornando comum na produção em massa de microssistemas,
enquanto que fábricas estado da arte de microeletrônica já usam lâminas de 300 mm. Além das várias
fábricas para produção própria (Analog Devices, Texas Instruments, Motorola, Lucent Technologies,
Silicon Microstructures Inc., Honeywell, Agilent, outros), existem também várias fábricas ou programas
que oferecem serviços de fabricação de microssistemas. Entre estas temos: LNLS em Campinas, Br;
CMP e Tronics Microssystems na França; Surface Technology Systems na Grã Bretanha; Sensonor na
Noruega; Institute of Microelectronics em Singapura; CSEM na Suíça; BFGoodrich Advanced
MicroMachines (Ohio), Cronos Integrated Microsystems (NC), IntelliSense (Massachusetts), ISSYS
(Michigan), Kionix (N.Y.), MEMX (Albuquerque) no USA.
Encapsulamento e teste de microssistemas é bem mais complexo que de microeletrônica. Em
MEMS podemos ter partes móveis, interface com sinal óptico, interface com meio ambiente (pressão,
temperatura, meio químico ou biológico, etc). Estas condições impõem requisitos específicos e
complexos para o empacotamento. Os testes também tornam se complexos por dois motivos:
necessidade de manipular mais formas de energia, além da eletrônica; impossibilidade de realizar as
medidas na lâmina, antes do encapsulamento. Como conseqüência, encapsulamento e testes de MEMS
é bem mais caro que no caso de microeletrônica.
Na área de CAD, começou-se usando pacotes de software de microeletrônica (Tanner Tools) e de
mecânica (ANSYS). Mais recentemente, pacotes específicos vem sendo disponibilizados, com inclusão
de efeitos eletrônicos, mecânicos, térmicos e alguns outros efeitos físicos (CFD Research Corp.,
Coventor, IntelliSense Corp., Integrated Systems Engineering, MEMScaP).
20
Fig. 20 Microfotografia de microssistema de controle de disparo de “airbag”.
Referências:
1. W. Brinkman et. al. “A History of the Invention of the Transistor and Where It Will Lead Us”, IEEE J.
Solid-St. Circ. Vol. 32, no. 12, pp. 1858-1865 (1997).
th
2. Vários artigos do número especial sobre “50 Aniversary of the Transistor!”, Proceedings of the
IEEE, vol. 86, no.1, pp.1-308 (1998).
3. Vários artigos do número especial sobre “Solid-State Century – The Past, Present and Future of the
Transistor”, Scientific American, Special Issue 1997.
4. K. Ng, “A Survei of Semiconductor Devices”, IEEE, Trans. Electr. Dev., vol. 43, no. 10, pp. 1760-1765
(1996).
5. L. Geppert, Technology 1998 Analysis & Forcast – Solid State”, IEEE Spectrum, vol. 35, no. 1, pp.23-
28 (1998).
6. J. R. Leite, Brazil Builts on Its Semiconductor Heritage”, III-Vs Review, vol. 11, no. 5, pp.40-44
(1998).
7. E. Charry R., “Desenvolvimento e Aplicações de uma Tecnologia MOS Canal n de Porta Metálica”,
Tese de Doutorado, EPUSP, São Paulo, 1974.
8 W. A. M. Van Noije, “Uma Contribuição ao Estudo Teórico e Experimental de uma Memória RAM
Estática Monolítica com Dispositivos nMOS”, Dissertação de Mestrado, EPSUP, 1978.
9 J. P. de Souza, “Produção de Íons Positivos para Implantação em Semicondutores”, Dissertação de
mestrado, EPUSP, 1973.
10 J. P. de Souza, “Uma Tecnologia Simples para Circuitos Digitais MOS Canal n com Carga em
Depleção de Alta Velocidade”, Tese de doutorado, EPUSP, 1978.
11 L. S. Zasnicoff, "Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: Análise,
caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos", Tese de doutorado, EPUSP,
1987.
12 A M. Kuniyoshi, “Desenvolvimento Básico de uma Tecnologia CMOS Porta Metálica”, Dissertação
de mestrado, EPUSP, 1979.
13 L. C. M. Torres, “Projeto e Desenvolvimento de uma Tecnologia CMOS com Porta de Silício
Policristalino e Geometria Fechada”; Tese de doutorado, EPUSP, 1987.
14 “João Antonio Martino, "Um Processo CMOS de Cavidade Dupla para Comprimento de Porta de
2um", Tese de doutorado, EPUSP, 1988.
15 J. W. Swart, “O BCCD: Estudo Teórico-Experimental e desenvolvimento de um Processo de
fabricação”, Tese de doutorado, EPUSP, 1981.
16 J. E. Ripper e R. C. C. Leite, "Physics in a developing country.", Proc. International Conference on
Physics in Industry, Dublin, 221-223 (1976).
17 J. Martinez, “Os Componentes Estratégicos da Independência Tecnológica”, Dados e Idéias, Vol. 1,
no. 5, pp.43-45 (1976).
18 J. Martinez, “Semicondutores: Um Mercado em Idade de Crescimento”, Dados e Idéias, vol. 3, no. 5,
pp.34-37 (1978).
22
19 S. M. Sze, editor, “Semiconductor Sensors”, L. Wiley & Sons, Inc., 1994.
20 A. Rasmussen, M. E. Zaghloul, “In the Flow with MEMS”, IEEE Circuits & Devices, vol. 14, no. 4,
pp.12-25 (1998).
21 Vários artigos no número especial sobre “Integrated Sensors, Microactuators, & Microsystems
(MEMS)”, Proceedings of the IEEE, vo. 86, no. 8, pp. 1529-1812 (1998)
22 Vários artigos no número especial sobre “Sensors Into the Next Century”, The Electrochemical Soc.
Interface, vol. 7, no. 4, pp. 18-38 (1998).
23 Semiconductor Industry Association, “National Technology Roadmap for Semiconductors”, San
Jose, CA,: SIA, 1997.
24 Semiconductor Industry Association, “International Technology Roadmap for Semiconductors”, San
Jose, CA: SIA, 1999.
25 J. D. Plummer, P. B. Griffin, “Material and Process Limits in Silicon VLSI Technology”, Proceedings
of The IEEE, vol. 89, no. 3, pp. 240-258 (2001).
26 D. J. Nagel, M. E. Zaghloul, “MEMS: Micro Technology, Mega Impact”, IEEE Circuits & Devices, vol.
17, no. 3, pp 14-25 (2001).
23
Conceitos Básicos para Semicondutores
Jacobus W. Swart
1 Modelo de Feynmann
1
apresentam uma sobreposição na distância interatômica natural. Como temos apenas um
elétron por átomo, a banda formada apresentará muitos estados desocupados. Isto é
coerente com o modelo do elétron livre.
2
Fig. 2 Níveis de energias de estados quânticos de um sólido de sódio, variando-se a
distância interatômica de 0 a 15 A, juntamente com as bandas ou níveis discretos de
energias obtidas para 3 distâncias: 3.67 A, 10 A e .
3
2 Metais, Semicondutores e Isolantes
4
Fig. 5 (a) Relação E x k da primeira banda permitida de cristal unidimensional de estados
e (b) a variação da velocidade de grupo e (c) da massa efetiva com k.
Analogamente, um material em que cada átomo contribui com dois elétrons para
preencher uma banda, resulta em uma banda completamente preenchida. Vimos que, a
relação E x k apresenta derivada nula (Fig. 4) para os estados do topo da banda e que
como conseqüência o número efetivo de elétrons de condução desta banda é nulo . Este
material será então um isolante, como já foi discutido no item 7.5. Analogamente, um
material com átomos com número impar de elétrons será um condutor, enquanto que
materiais com átomos com número par de elétrons será um isolante.
5
bandas consecutivas (largura da banda proibida negativa). Analisemos agora diagramas
de energia simplificados de alguns materiais condutores, isolantes e semicondutores.
a) Condutores: são materiais caracterizados por sua última banda não totalmente
preenchida (como Na, Al), ou ainda por apresentar sua última banda totalmente
preenchida, mas com uma sobreposição com a banda seguinte (caso Mg). A Fig. 6 mostra
os diagramas de banda esquemáticos dos metais Na, Mg e Al. O Na apresenta metade da
banda 3s ocupada (1 elétron de cada átomo de Na). No caso de Mg, a banda 3s está
totalmente preenchida, porém há uma sobreposição entre as bandas 3s e 3p, resultando
numa banda maior e não totalmente preenchida. No caso do Al, a banda 3s está
totalmente preenchida e a banda 3p parcialmente preenchida.
Fig. 6 Diagramas de bandas de energia de alguns metais: (a) Na, (b) Mg e (c) Al.
b) Isolantes: são materiais que tem sua última banda, chamada de valência, totalmente
preenchida, sem sobreposição com a banda de energia seguinte e além disto, uma banda
proibida de valor considerável. Uma banda proibida larga é necessária para que seja
improvável um elétron da banda de valência adquirir energia e passar para a banda
seguinte de condução. A Fig. 7 ilustra a diferença básica entre os diagramas de bandas de
materiais condutores e isolantes.
6
(a) (b)
Tabela 7.1 Exemplos de materiais com sua respectiva largura da banda proibida (EG) e
classificação como isolante ou semicondutor.
Material EG [eV] a 300 K Classificação
Ge 0.66 Semicondutor
Si 1.12 Semicondutor
GaAs 1.42 Semicondutor
C (diamante) 5.47 Isolante
SiO2 9.0 Isolante
Si3O4 5.0 Isolante
7
3 Lacunas
dI 1
= q∈∑ * (2)
dt mi
a) supondo uma banda que tenha um único estado ocupado. Neste caso teremos:
dI e q 2 ∈
= * (3)
dt m
b) supondo agora o caso de uma banda totalmente cheia, teremos que a corrente deve ser
nula:
dI 1
= q2 ∈ ∑ * = 0 (4)
dt i mi
c) tendo uma banda totalmente cheia com exceção de um único estado no topo da banda,
ou seja, caso de uma banda com uma única lacuna. Neste caso teremos:
dI h 1
= q2 ∈ ∑ * (5)
dt i ,i ≠ j mi
8
mas temos da relação 4 que:
1 1
q2 ∈ ∑ * + =0 (6)
i ,i ≠ j m m
i j
dI h 1
= −q 2 ∈ * (7)
dt mj
Devemos lembrar da Fig. 4 que, na parte inferior da banda os estados apresentam massa
efetiva positiva, enquanto que os estados da metade superior da banda apresentam
massa efetiva negativa. As lacunas correspondem normalmente a estados desocupados
na parte superior da banda (minimização da energia dos elétrons) e portanto apresentam
massa efetiva negativa. Assim podemos considerar o módulo da massa efetiva da lacuna
e inverter o sinal da relação 7, resultando:
dI h 1
= q2 ∈ * (8)
dt mj
Pelo exposto acima, podemos concluir que a condução através dos elétrons, de
uma banda de valência quase cheia de um cristal, é equivalente à condução através de
partículas fictícias, correspondendo aos estados desocupados e de massa efetiva
negativa, chamadas lacunas, as quais se comportam como se fossem partículas de carga
e massa de sinais positivos. Uma analogia à corrente elétrica por lacunas é o caso de uma
bolha caminhando na água. A bolha é uma ausência de água, sendo que seu
deslocamento corresponde na verdade ao movimento de água em sentido oposto. Embora
seja a lacuna uma partícula fictícia que não existe na realidade, um engenheiro pode
adotá-la como sendo uma partícula real para efeitos práticos, de uso na análise de
dispositivos.
9
4 Diagramas de Bandas de Semicondutores Reais
10
Analisando os diagramas de bandas dos semicondutores da Fig. 8 temos as
seguintes questões:
• o mínimo da banda de condução do diagrama de bandas do GaAs corresponde ao
mesmo valor de vetor de onda do estado do máximo da banda de valência. Isto
significa que, para um elétron “pular” da banda de valência para a banda de condução,
ou vice-versa, basta ele receber ou emitir um quantum de energia, dado por EG
correspondente, sem necessitar mudar o valor do seu vetor de onda, associado ao
momentum do elétron. Este tipo de caso é chamado de diagrama de bandas tipo direto.
A transição de um elétron de um estado com apenas troca de energia, sem troca de
momentum, é mais fácil ou provável de ocorrer comparado ao caso onde há
necessidade de troca das duas grandezas ao mesmo tempo. Como conseqüência, este
tipo de diagrama de banda do tipo direto é requerido para que o material tenha boas
propriedades optoeletrônicas (necessário para Laser, LED, outros).
• no caso dos semicondutores de Ge e Si temos o caso de diagrama de bandas do tipo
indireto. Isto está associado ao fato do máximo da banda de valência não coincidir no
mesmo ponto do valor do vetor de onda k do estado do mínimo da banda de condução.
Neste caso, a transição de um elétron entre a banda de valência e a banda de
condução requer não apenas uma troca de energia mas sim ao mesmo tempo uma
troca de momentum do elétron. Para o elétron trocar de momentum, ele deve interagir
com uma outra partícula, como por exemplo um fónon (vibração de átomo da rede),
para trocar momentum, e ao mesmo tempo com um fóton para receber ou emitir
energia. Por esta razão, a transição do elétron entre as duas bandas é mais difícil de
ocorrer em materiais com estrutura de bandas do tipo indireto, sendo estes materiais
não apropriados para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos.
• lembrando que a massa efetiva associada aos estados é dada pelo inverso da derivada
segunda das curvas E x k, conclui-se que, quanto mais fechada a curvatura, menor a
massa efetiva. Comparando as curvas nas regiões dos mínimos das bandas de
condução dos 3 materiais da Fig. 8, observa-se que a massa efetiva do elétron no
GaAs deve ser menor que as massas efetivas dos elétrons no Ge e do Si. Analisando
as curvaturas nas regiões dos máximos das curvas de valência, observa-se que
existem duas ou três curvas para cada material e com curvaturas diferentes,
correspondendo a lacunas de massas distintas, uma mais leve e a outra mais pesada.
• No diagrama de bandas do GaAs observa-se que o mínimo da banda de condução
ocorre em torno do vetor de onda k = 0. Porém, a curva apresenta um segundo mínimo
em outro valor de k, com uma energia de 0.31 eV acima do mínimo principal. Se por
algum mecanismo, um elétron ocupando um estado no mínimo principal, receber
energia e assim passar a um estado do segundo mínimo, ele sofrerá uma alteração
(aumento) significativa da sua massa efetiva. Isto pode significar uma redução na
condutividade do material (resistência negativa).
Da análise acima podemos concluir que várias das propriedades dos
semicondutores podem ser extraídas dos respectivos diagramas de bandas. Daí a
importância do conhecimento dos conceitos apresentados neste capítulo. Em algumas
análises das propriedades dos semicondutores não necessitamos de todas as
informações disponíveis nos diagramas completos como apresentados na Fig. 8. Em
alguns casos basta considerar apenas a diferença entre os níveis de energia do máximo
11
da banda de valência e o mínimo da banda de condução, sem preocupar-se com o valor
do vetor de onda correspondente. Neste caso, basta representar o diagrama de bandas na
sua forma simplificada como mostrado na Fig. 9. No capítulo seguinte faremos uso
freqüente desta representação.
12
elétrons na banda de condução e também um número nulo de lacunas na banda de
valência. Esta situação modifica-se ao aumentarmos a temperatura, como mostra a
Fig. 10 b. Nesta situação teremos que a função de Fermi-Dirac torna-se mais gradual e
como conseqüência, ela deixa de ser 0 para energia acima de Ec (mínimo da banda de
condução) e deixará de ser 1 para energia abaixo de EV (máximo da banda de valência).
Isto significa que teremos alguns poucos elétrons na banda de condução e umas poucas
lacunas na banda de valência. Esta situação já havia sido discutida no item 7.7, porém
sem o emprego da função estatística de ocupação dos estados. Concluímos assim
novamente que, um material tipo semicondutor comporta-se como um isolante à
temperatura T = 0 K e passa a comportar-se como um semicondutor apenas com
temperatura acima de 0 K. É fácil imaginar pela Fig. 9 b, que quanto menor o valor de E G,
maior será a concentração de elétrons na banda de condução e de lacunas na banda de
valência.
13
6. Funções Estatísticas de Ocupação dos Estados Quânticos:
1
f (E ) = ( E − E F ) kT (9)
1+ e
f (E F ) =
1
(10)
2
14
Fig. 11 (a) A função de probabilidade de Fermi-Dirac para temperaturas de 0 k, 600 k e
6000 k ; (b) A função de probabilidade clássica de Maxwell-Boltzmann para as mesmas
temperaturas.
f ( E ) = e −(E − EF ) kT (11)
15
Fig. 12 Comparação entre as curvas das funções de probabilidades de Fermi-Dirac,
Maxwell-Boltzmann e Bose-Einstein.
No caso de estados com energias altas, ou seja, E-E F >> kT, poderemos usar a estatística
de Maxwell-Boltzmann, como já foi detalhado acima.
c) No caso de estados com energias baixas tal que EF-E >> kT podemos aproximar a
função de Fermi-Dirac (9) como sendo:
f ( E ) ≅ 1 − e (E − EF ) kT (12)
1 − f ( E ) ≅ e (E − EF ) kT (13)
Esta função de probalidade de desocupação do estado, para EF-E >> kT, apresenta-se
também na forma da função de distribuição de Maxwell-Boltzmann (11).
16
Nos casos em que os níveis de energia dos estados não forem distantes suficiente do
nível de Fermi, não poderemos usar as aproximações dos casos acima, e teremos que
obrigatoriamente usar a função de Fermi-Dirac como a função de probabilidade de
ocupação dos estados. Podemos calcular por exemplo, em que faixa de energia a função
de Fermi-Dirac varia entre 0.9 e 0.1. Fazendo este cálculo pela relação 9, obtemos ∆E =
4.4 kT. Nesta faixa com certeza não poderíamos usar a aproximação descrita. Se
quisermos ser mais restritos ainda, poderíamos tomar como intervalo de 6.0 kT, o intervalo
no qual não aceitamos a aproximação da função de Fermi-Dirac para a função de
Maxwell-Boltzmann. Neste limites teremos a função de Fermi-Dirac variando entre 0.95 e
0.05.
17
Capítulo 3
Semicondutores
Elementares Si, Ge
Compostos III-V Binários GaAs, InP, GaSb, AlP, AlAs, AlSb, GaN,
GaP, InAs, InSb
Ternários AlXGa1-XAs, InXGa1-XP, GaAsXP1-X,
Quaternários InXGa1-XAsYP1-Y
Compostos II-VI Binários ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe,
CdTe, HgS
Ternários HgXCd1-XTe
Nota: Os índices X e Y representam frações estequiométricas variando de 0 a 1. Por exemplo, o
composto Al0.3Ga0.7As significa que para cada 10 átomos de As tem-se 3 átomos de Al e 7 átomos de
Ga.
G = f (T , EG ) (8.1)
R = α .n. p (8.2)
n = p = ni = f (T , EG ) (8.4)
Fig 8.7 Ilustração da dopagem de cristal de Si por átomos a) tipo doadores (elementos
da coluna VA) e b) tipo aceitador (elemento da coluna IIIA), em posições
substitucionais.
n. p = ni2 (8.5)
Fig 8.8 Ilustração dos estados introduzidos pelos átomos de fósforo em cristal de Si.
Os traços indicam a natureza localizada dos estados.
Tabela 8.3 Energias dos níveis introduzidos por dopantes doadores (abaixo do nível
EC) e aceitadores (acima no nível EV) em cristal de Si.
Doador EC-ED [eV] Aceitador EA-EV [eV]
Sb 0.039 B 0.045
P 0.045 Al 0.067
As 0.054 Ga 0.072
In 0.16
Neste momento, o autor recomenda que o aluno faça uma revisão dos
seguintes conceitos e termos apresentados no item: semicondutor intrínseco,
semicondutor extrínseco, dopantes, doadores, aceitadores, material tipo n, material
tipo p, portadores majoritários e portadores minoritários.
m ∗p 2m ∗p (EV − E ) para E ≤ EV
gV ( E ) = (8.7)
π2 3
A Fig. 8.9 apresenta as curvas de densidade de estados nas duas bandas de energia.
Nota-se das expressões 8.8 e 8.9 que o formato das duas curvas são as mesmas,
porém ambas apresentam constantes distintas, dada a diferença das massas efetivas
dos elétrons de condução e de valência (lacunas). Lembramos também o fato já
1
f (E ) = ( E − E F ) kT (8.9)
1+ e
f ( E ) ≅ e −( E − EF ) kT (8.10)
f ( E ) ≅ 1 − e ( E − EF ) kT (8.11)
f L = 1 − f ( E ) ≅ e ( E − EF ) kT (8.12)
De forma geral não devemos usar a função estatística de Boltzmann mas sim a
função de Fermi-Dirac. Inicialmente iremos considerar o caso genérico para
determinar a distribuição de elétrons e de lacunas nas bandas de condução e de
valência respectivamente. Nesta situação a definição da função fL(E) é a mesma,
porém sua expressão é como segue:
1 1
f L = 1 − f (E) = 1 − ( E − EF ) kT
= (EF − E ) (8.13)
1+ e 1+ e kT
EC ,sup
n= g C ( E ). f ( E ).dE (8.14)
EC
EV
p= gV ( E ).[1 − f ( E )].dE
EV ,inf
(8.15)
Tendo em vista que a função de Fermi tende a zero rapidamente para energia acima
de EF, podemos substituir os limites EC,sup e EV,inf, não bem conhecidos, por +∞ e -∞
respectivamente (isto não altera o resultado, mas simplifica os cálculos). Substituindo
as funções dadas em (8.7) e (8.9) na integral (8.14) e as funções dadas em (8.8) e
(8.13) na integral (8.15) e efetuando as integrações obtém-se:
2 E F − EC
n = NC F1 2 (ηC ) onde η C = (8.16)
π kT
2 EV − E F
p = NV F12 (ηV ) onde ηV = (8.17)
π kT
Onde:
A função F1/2(η) é uma função tabulada e não analítica.
3
2π .mn* .kT 2
N C = 2. (8.18)
h2
2
N V = 2. (8.19)
h2
O fato de termos uma solução não analítica para as densidades de portadores dificulta
em muito a sua utilização, que não seja por cálculo numérico. Mas felizmente, em
muitos casos práticos, podemos utilizar as aproximações da função de Fermi dadas
em (8.10) e (8.12). Estas aproximações podem ser utilizadas sempre que o nível de
Fermi estiver distante de mais 3.kT das bandas de condução e de valência, como
indicado na Fig. 8.13. Define-se o material como sendo degenerado se o nível de
Fermi estiver com distância menor que 3kT da banda de condução ou de valência. O
material será chamado de não degenerado no caso contrário. Desta forma, as
expressões da estatística de Maxwell-Boltzmann valem apenas no caso de
semicondutores não degenerados. Realizando agora as integrais das expressões
(8.14) e (8.15) com as funções de probabilidades (8.10) e (8.12) obtém-se expressões
analíticas simples para as concentrações dos portadores, chamadas de relações de
Boltzmann:
( E F − EC )
n = N C .e kT (8.20)
( EV − E F )
p = N V .e kT (8.21)
Estas duas relações de Boltzmann podem ainda ser reescritas nas seguintes formas:
( EF − Ei )
n = ni .e kT (8.22)
( Ei − E F )
p = ni .e kT (8.23)
Deixamos como exercício para o leitor a prova de que as relações (8.22) e (8.23) são
equivalentes às relações (8.20) e (8.21) respectivamente (sugestão: considere
inicialmente EF=Ei obtendo n=p=ni).
n. p = ni2 (8.24)
A relação (8.24) já foi mencionada no item 8.4 acima, porém sua demonstração só foi
possível neste momento. Esta relação indica que, se por alguma maneira artificial,
aumentarmos a concentração de um dos portadores, a concentração do outro
portador será reduzida. Esta relação, é importante frisar, só é válida para
semicondutor em condição de equilíbrio térmico (pois as funções estatísticas são
válidas apenas nestas condição). Ainda da relação (8.25), observamos que a
concentração intrínseca de portadores aumenta exponencialmente com a temperatura
e com o inverso da largura da banda proibida do semicondutor. A variação da
concentração intrínseca de portadores com a temperatura é mostrado na Fig. 8.14,
para os semicondutores Ge, Si e GaAs, de acordo com a relação (8.25).
p − n + N D+ − N A− = 0 (8.26)
Considerando agora que temos um material tipo n, tal que ND>>NA e n>>p,
resulta das relações (8.26) e (8.24):
ni2
n ≅ ND e p≅ (8.27)
ND
Analogamente, considerando um material tipo p, tal que NA>>ND e p>>n,
resulta:
ni2
p ≅ NA e n≅ (8.28)
NA
Como exemplo numérico, para o caso de material de Si tipo p com NA=1015 cm-3 e
ni=1010 cm-3, resulta: p=1015 cm-3 e n=105 cm-3. Estes números reforçam bem o
significado de portadores majoritários e minoritários, tendo em vista a grande
diferença das suas concentrações, de muitas ordens de grandeza.
ni2
− n + ND − NA = 0 (8.29)
n
1
N − NA ND − N A
2 2
n= D + +n 2
i
(8.30)
2 2
1
n2 N − N D N A − ND
2 2
p= i = A + +n 2
(8.31)
n 2 2
p = n = ni = N C .e ( Ei − EC ) kT = N V .e ( EV − Ei ) kT (8.32)
EC + EV 1 N E + EV 3 m *p
Ei = + kT . ln V = C + kT . ln * (8.33)
2 2 NC 2 4 mn
NA
N A ≅ p = ni .e ( Ei − EF ) kT E F = Ei − kT . ln (8.34)
ni
ND
N D ≅ n = ni .e ( EF − Ei ) kT
E F = Ei + kT . ln (8.35)
ni
( E F − EC )
n = N C .e kT (8.36)
N A− = N A .F ( E A ) (8.39)
p − n + N D+ − N A− = 0 (8.40)
1
sendo que: F ( E D ) = ( EF − ED ) (8.41)
1 + 12 .e kT
1
N V .e ( EV − EF ) kT − N C .e ( EF − EC ) kT + N D . ( EF − ED ) =0 (8.42)
1 + 2.e kT
A determinação do nível de Fermi pode ser realizada pela solução da equação (8.42)
acima. A resolução desta equação não é trivial, mas pode ser realizada por métodos
numéricos.
1 * 2 3
EC = m vter = kT (8.44)
2 2
q. ∈
onde: a é a aceleração dada pela força do campo elétrico, ∈ , dada por a =
m*
Podemos considerar que a média das velocidades iniciais após as colisões seja 0,
dado que as colisões resultam em novas direções totalmente aleatórias, sobretudo se
considerarmos que, para campos elétricos não muito intensos, a velocidade de deriva
dos portadores ainda é muito menor que sua velocidade térmica. Definimos τc como
sendo o tempo médio entre colisões dos portadores. Desta forma podemos calcular a
velocidade média de deriva, vd, a partir da relação (8.45), resultando:
q.τ c
onde: µ = *
é chamado de mobilidade do portador, dado em [cm2/V.s].
2.m
Para campo elétrico intenso estes elétrons passam de estados do mínimo principal da
banda de condução para o mínimo secundário, onde a massa efetiva é maior (ver Fig.
7.12). A massa efetiva não varia apenas com o tipo de portador e com o tipo do
material, mas também com a direção cristalina, ou seja com a orientação cristalina do
plano da corrente elétrica. Como conseqüência, em Si, a mobilidade de elétrons é
maior em planos (100), enquanto que a mobilidade de lacunas é maior em planos
(111).
Vimos acima que a mobilidade varia linearmente com o tempo médio entre
colisões. Mas o que são estas colisões afinal? As colisões não incluem apenas
colisões do portador com o núcleo dos átomos, mas sobretudo espalhamentos
(“scattering”) causados por perturbação no potencial periódico da rede cristalina. Num
potencial periódico ideal fixo, cálculos de mecânica quântica não prevêem
espalhamentos do portador e portanto nem troca de energia com a rede. Num cristal
real a T > 0 K, tem-se três possíveis causas de espalhamentos dos portadores:
• Espalhamento com o potencial oscilante da rede, causada pela vibração térmica
do átomos do material, ou seja, com a energia dos fónons. Quanto maior a
temperatura, maior a amplitude desta vibração, maior a perturbação do potencial
eletrostático da rede, maior a seção de choque do espalhamento e portanto
aumenta a probabilidade do espalhamento do portador.
• A presença de impurezas, tipo dopantes ou outros, causa uma perturbação
contínua do potencial eletrostático na posição do mesmo. Esta perturbação
constitui uma fonte de espalhamento do portador ao se deparar com a mesma.
Esta fonte de espalhamento é mais pronunciada quanto maior a densidade de
impurezas e quanto menor a temperatura, quando o espalhamento com os fónons
é reduzido.
1 1 1
= + (8.47)
τc τ ter τ imp
1 1 1
= + (8.48)
µ µ ter µ imp
Z .q 2
Ep = (8.49)
4πε Si r
I 1 V l
J= = . R = ρ. (8.51)
A A R A
1V ∈ 1
ρ= = = (8.52)
J l J q( p.µ p + n.µ n )
No caso de material tipo p ou tipo n com nível de dopagem não muito reduzido,
podemos aproximar (8.52) para as seguintes expressões:
1
Material tipo p: ρ= (8.53)
q. p.µ p
1
Material tipo n: ρ= (8.54)
q.n.µ n
V
ρ = 2.π .S .F . (8.55)
I
Para amostra ou camada fina e com dimensões horizontais muito maiores que a
distância S entre as agulhas, mostra-se que vale:
π V V
ρ= .d . = 4.532.d . (8.56)
ln 2 I I
É ainda usual definir uma grandeza chamada resistência de folha ou resistência por
quadrado, como sendo a resistência de uma amostra de área de superfície quadrada
(w = l) e espessura d:
E Pot = EC − E Re f (8.59)
Por outro lado temos da teoria eletrostática que a energia potencial de um elétron é
relacionada com o potencial eletrostático como:
1
V = − ( EC − E Re f ) (8.61)
q
∈= −∇V (8.62)
dV
∈= − (8.63)
dx
dN
F = − D. (8.66)
dx
O sinal negativo na expressão (8.66) deve-se ao fato que o fluxo é sempre da região
de maior concentração para a região de menor concentração. Assim, se o gradiente
da concentração for negativo, o fluxo será no sentido positivo (de x crescente). Por
definição do sentido da corrente elétrica, esta coincide com o sentido do fluxo de
lacunas e é contrário ao sentido dos elétrons. Como conseqüência teremos as
seguintes relações para as componentes de corrente de difusão de lacunas e de
elétrons, de acordo com as ilustrações da Fig. 8.27ii:
dp
J dif , p = − q. DP . (8.67)
dx
dn
J dif , N = q. DN . (8.68)
dx
Sendo o material do tipo p por exemplo, teremos um fluxo líquido interno de lacunas
da ponta quente para a região fria (ponta fria). Esta corrente terá continuidade pelo
circuito fechado através do amperímetro que indicará uma corrente elétrica saindo da
ponta fria para a ponta quente. No caso do semicondutor tipo n, teremos agora um
fluxo interno de elétrons da ponta quente para a ponte fria. Este fluxo de elétrons terá
continuidade pelo circuito do amperímetro indicando agora uma corrente elétrica
contrária, ou seja, saindo da ponta quente para a ponta fria.
J = JP + JN (8.70)
onde:
dp
J P = q.µ P . p. ∈ − q. DP . (8.71)
dx
dn
J N = J der , N + J dif , N = q. µ N .n. ∈ + q. D N . =0 (8.75)
dx
1 dEi
∈= (8.76)
q dx
( EF − Ei )
n = ni .e kT (8.77)
dE F
=0 (8.78)
dx
dn n ( EF − Ei ) kT dEi q
= − i .e =− .n. ∈ (8.79)
dx kT dx kT
q
J N = ( q.n. ∈).µ N − ( q.n. ∈). . DN = 0 (8.80)
kT
DN kT
= (8.81)
µN q
DP kT
= (8.82)
µP q
Por outro lado, a condição de alta injeção é definida como sendo a condição
onde as premissas acima não forem satisfeitas.
Comparando a relação (8.83) com a relação (8.2) , podemos definir uma taxa
líquida de recombinação, U, pela diferença entre as taxas de recombinação e de
geração térmica, ou seja:
dp ∆p
= −α .n0 .( p − p0 ) = − n (8.86)
dt τp
1
onde: τ p = = tempo de vida de minoritários p em material tipo n
α .n0
dn ∆n p
= −α . p0 .(n − n0 ) = − (8.87)
dt τn
1
onde: τ n = = tempo de vida de minoritários n em material tipo p
α . p0
Fig 8.30 Estados quânticos intriduzidos dentro da banda proibida do Si por impurezas
metálicas.
a) Emissão de lacuna:
ra = e p . N t .[1 − f ( E t )] (8.88)
b) Emissão de elétron:
rb = en .N t . f ( Et ) (8.89)
c) Captura de elétron:
d) Captura de lacuna:
rd = vter .σ p . p. N t . f ( E t ) (8.91)
ra=rd
rb=rc
1
f ( Et ) = ( Et − E F ) kT (8.92)
1+ e
obtém-se:
a) en = v ter .σ n .ni .e ( E − E ) kT
t i
(8.93)
rb-rc = ra-rd
σ n .n + σ p . p.e ( E − E ) kT
i t
f ' ( Et ) = (8.94)
σ n [n + ni .e ( E − E kT ] + σ p [ p + ni .e ( E − E ) kT ]
t i i t
U = rc-rb = rd-ra
σ p .σ n .vter . N t [ pn − ni2 ]
U= (8.95)
σ n [n + ni .e ( E − E ) kT ] + σ p [ p + ni .e ( E − E ) kT ]
t i i t
pn − ni2
U = σ .vter . N t . (8.96)
n + p + 2.ni . cosh(( Et − Ei ) kT )
pn − ni2
U= (8.97)
τ p ( n + ni ) + τ n ( p + ni )
1 1
onde: τp = τn =
σ p .N t σ n .N t
i) material tipo n:
∆p n
U= (8.98)
τp
dp dn
= = −U (8.100)
dt dt
A superfície do semicondutor deve ser tratada como uma região especial, dada
que ela é única e por apresentar uma densidade de estados relativamente alta dentro
da sua banda proibida. Como conseqüência, a taxa líquida de recombinação na
superfície sempre é alta. Ao invés de usar o termo de tempo de vida de portadores
numa camada fina junto à superfície, é conveniente definir uma velocidade de
recombinação superficial de portadores, S0, dado por:
S 0 = σ .v ter . N st (8.102)
p s .n s − ni2 ps .n s − ni2
U S = σ .vter . N st . = S0 . (8.103)
n s + p s + 2.ni n s + p s + 2.ni
∂n ∂n ∂n ∂n ∂n
= + + + (8.104)
∂t ∂t der ∂t dif ∂t R −G ,ter ∂t outros
∂p ∂p ∂p ∂p ∂p
= + + + (8.105)
∂t ∂t der ∂t dif ∂t R −G ,ter ∂t outros
onde “outros” refere-se à soma de todas as outras possíveis ações, tais como geração
de portadores por luz ou outro tipo de radiação, geração de portadores por efeito
piezoelétrico, transporte por tunelamento, emissão termiônica, geração de portadores
por impacto, etc.
∂n ∂n 1
+ = .∇. J n (8.106)
∂t der ∂t dif q
∂p ∂p 1
+ = − .∇.J p
(8.107)
∂t der ∂t dif q
∂n 1 ∂n ∂n
= .∇.J n + +
(8.108)
∂t q ∂t R −G ,ter ∂t outros
1 1 ∂J
.∇.J n = . n
(sistema unidimensional)
q q ∂x
∂n ∂n
J n = q.µ n .n. ∈ + q. Dn . ≅ q. Dn . (campo elétrico ~ 0)
∂x ∂x
∂n ∆n
=− (baixo nível de injeção)
∂t R − G ,ter τn
1 ∂ 2 ∆n
.∇.J n = Dn .
q ∂x 2
∂∆n p ∂ 2 ∆n p ∆n p
= Dn . − + GL (8.110)
∂t ∂x 2
τn
∂∆pn ∂ 2 ∆p n ∆pn
= Dp . − + GL (8.111)
∂t ∂x 2 τp
i) Simplificações:
∂∆n p ∂∆pn
a) Caso de estado estacionários: = 0 , ou, =0
∂t ∂t
∂ 2 ∆n p ∂ 2 ∆p n
b) Sem gradiente de concentração: Dn = 0 , ou, D p =0
∂x 2 ∂x 2
∆n p ∆p n
c) Sem R-G térmico: = 0 , ou, =0
τn τp
d) Sem luz: GL = 0
∂ 2 ∆n p ∆n p
Equação: 0 = Dn . −
∂x 2
τn
∂∆n p ∆n p
Equação: =−
∂t τn
Solução: ∆n p (t ) = ∆n p (0).e − t τ n
∆n p
Equação: 0=− + GL
τn
Solução: ∆n p = GL .τ n
∂ 2 ∆n p
Equação: 0 = Dn .
∂x 2
Solução: ∆n p ( x ) = A + B. x
D.ds = ρ .dv
S V
(8.112)
Ela ainda pode ser expressa na forma equivalente diferencial dada em (8.113), que é
uma das equações de Maxwell de eletromagnetismo:
∇.D = ρ
(8.113)
Em semicondutores, o interesse maior é pelo campo elétrico e não pelo vetor de fluxo
elétrico. Desta forma, é conveniente substituir o vetor D pelo campo vetor de campo
elétrico, de acordo com a relação (8.114), válido para meios isotrópicos com constante
dielétrica εs:
D = εs. ∈
(8.114)
ρ
∇. ∈= (8.115)
εs
Lembrando agora que por definição de potencial elétrico, V, este relaciona-se com o
campo elétrico pela relação abaixo:
∈= −∇V
(8.116)
ρ
∇ 2V = − (8.117)
εs
∂ 2 ∆n p
Dn . =0
∂x 2
∂∆pn ∆p
= − n + GL
∂t τp
Como condição de contorno temos que no instante t=0, ∆pn(0)=0. Esta condição
determina o valor de A como sendo: A = -GL.τp. Com este valor de A, podemos
escrever a solução como sendo:
−t τ p
∆p n (t ) = G L .τ p (1 − e )
A Fig. 8.35 mostra o gráfico da solução, ou seja, ao ligarmos a fonte de luz resulta um
aumento exponencial do excesso de portadores, sendo que o mesmo satura após um
certo intervalo de tempo (algumas vezes a constante de tempo de vida) num valor
dado pelo produto GL.τp. Falta verificar se a solução pode ser aceita como correta, ou
seja, se realmente a condição de baixo nível de injeção é satisfeita. Efetuando as
contas obtém-se GL.τp =1017 x 10-6 = 1011 cm-3. Este resultado indica que o excesso
b) Problema no 2:
Num semicondutor de Si semi-infinito, com dopagem tipo n uniforme com
ND=1015 cm-3, incide-se luz com absorção apenas na sua superfície (Fig. 8.36a), tal
que ∆pn(x=0) = ∆pn0 = 1010 cm-3. Determine a função ∆pn(x).
Novamente, trata-se de problema típico para ser resolvido pela equação de
difusão de portadores minoritários. Inicialmente chequemos se as premissas para a
equação são satisfeitas:
• É um problema unidimensional.
• É restrito a portadores minoritários.
• Não há “outros” processos de transporte e de geração e recombinação, além da
geração por luz.
• É satisfeita a condição de baixo nível de injeção, tendo em vista que ∆pn,MAX = 1010
cm-3, o que é muito menor que nn0 = 1015 cm-3.
• Falta verificar se o campo elétrico é nulo. Temos um aumento na concentração de
portadores na superfície, porém satisfazendo a condição de baixo nível de injeção,
ou seja, temos pn(x)<<nn0. Assim, considerando a expressão de densidade de
carga, resulta: ρ = q.(p – n + ND) ≅ 0. Substituindo este valor de densidade de
carga na expressão (8.115), resulta um campo elétrico nulo para qualquer posição
x.
∂ 2 ∆p n ∆pn
0 = Dp . −
∂x 2 τp
− x Lp
∆p n ( x ) = ∆pn 0 .e
O gráfico da solução é mostrado na Fig. 8.36b. Este exemplo mostra que, se tivermos
uma fonte pontual de excesso de portadores em x = 0, teremos um decaimento
exponencial do excesso de portadores com a distância, com comprimento
característico de decaimento dado por Lp, como resultado dos processos de difusão e
de recombinação deste excesso de portadores.
∆n p ( x ) = n p 0 (e q.Va kT
− 1).e − x Ln (8.122)
Fig. 8.37 a) Ilustração das regiões de um diodo n+p, com uma região de depleção
interna e regiões neutras a partir das bordas da primeira e b) distribuição do excesso
de portadores minoritários no lado p.
dn p q. Dn q.Va
J n (0) = q. Dn . = (e kT
− 1) (8.123)
dx x =0
Ln
( EF − Ei )
n = ni .e kT (8.124)
( Ei − E F )
p = ni .e kT (8.125)
( FN − Ei )
n = ni .e kT (8.126)
( Ei − FP )
p = ni . e kT (8.127)
n
FN ≡ Ei + kT . ln (8.128)
ni
pn = ni2 .e ( FN − FP ) kT (8.130)
ni ( Ei − FP ) kT p
∇p = .e .(∇Ei − ∇FP ) = .(∇Ei − ∇FP ) (8.132)
kT kT
1
∈= .∇Ei (8.133)
q
q. p p
∇p = .∈− .∇FF (8.134)
kT kT
q.D p q.D p
J p = q.( µ p − ). p. ∈ + . p.∇FP (8.135)
kT kT
q.D p
= µp (8.136)
kT
J p = µ p . p.∇FP (8.137)
J n = µ n .n.∇FN (8.138)
n n = n n 0 + ∆n n ( x ) ≅ n n 0
onde tínhamos: nn0 = 1015 cm-3, pn0 = 105 cm-3 e ∆pn0 = 1010 cm-3.
n n
FN ≡ Ei + kT . ln ≅ Ei + kT . ln n 0 = E F
ni ni
∆p
p p −x L
FP ≡ E i − kT . ln = Ei − kT . ln n 0 + n 0 .e p
ni ni ni
∆p n 0 − x L p ∆p
x
FP ≅ E i − kT . ln .e = E i − kT . ln n 0 + kT .
ni ni Lp
Esta relação mostra que, próximo à origem, o nível de quase-Fermi de lacunas varia
linearmente com a distância.
c2) Desenhar os diagramas de banda com base nos níveis de Fermi e de quase-Fermi
a) em condição de equilíbrio e b) for a de equilíbrio, sob iluminação:
Com base nos dados do problema no 2 e nas expressões dos níveis de quase-Fermi
estabelecidos acima, podemos calcular os seguintes dados relativos aos diagramas
de bandas:
∆p
p −∞ L p
FP = E i − kT . ln n 0 + n 0 .e p ≅ E i − kT . ln n 0 = E F
ni ni ni
Vemos da Fig. 8.39b e da análise acima que o nível de quase-Fermi de lacunas varia
próximo à superfície do Si iluminado. Como FP não é constante, temos da relação
(8.137) que existe corrente líquida de lacunas no sentido positivo, ou seja, partindo da
superfície. Para x muito elevado no entanto, o nível de quase-Fermi tende ao nível de
Fermi de equilíbrio, com gradiente nulo. Assim devemos nos perguntar se isto
resultará num acúmulo de lacunas em x = ∞. Para responder a esta questão, vejamos
primeiramente o que acontece com a corrente líquida de elétrons. Da relação (8.138)
podemos calcular esta densidade de corrente. Como o nível de quase-Femi de
J ( x) = J p ( x) + J n ( x) = 0
F = q( v xB ) (8.139)
F = q.v.B (8.140)
Fy = q(∈y + v. B ) = 0 (8.141)
∈y = − B.v (8.142)
W
VH = − ∈y .dy = W . B.v (8.143)
0
S
Vρ = ρ . .I (8.146)
W .t
1 1 S V
µp = = . . H (8.147)
q.ρ . p B W Vρ
Para material tipo n obtém-se expressões totalmente análogas, com a diferença que a
tensão Hall será de sinal oposto.
Esta medida permite determinar a massa efetiva dos portadores, como já descrito
de forma geral na capítulo 2, item 2.1. Sugerimos que o leitor reveja esta descrição
geral dada, para maior compreensão das informações a seguir. A Fig. 8.41 ilustra um
esquema da montagem experimental da medida. O campo magnético fixo produz um
movimento oscilatório circular do elétron, tal que a força magnética seja igual à força
centrífuga:
m * .v 2
q.v.B = (8.148)
R
v q. B
ω = 2.π . f = = (8.149)
R m*
q.B
m* = (8.150)
ωc
d) Medida de 4 Pontas:
σ = q.( µ n .n + µ p . p ) (8.151)
p ≈ n ≈ ni = f (T )
ni = A.( µ p + µ n )(T ) 3 2 .e − EG 2 kT
(8.152)
d (ln σ ) E
=− G (8.153)
d (1 T ) 2k
h. f = EG (8.154)
f) Medida de Fotoluminescência:
Fig. 8.46 Ilustração dos diversos processos radiativos em semicondutor excitado por
luz, em medida de fotoluminescência.
g) Medida de Fotocondutividade:
8.36 Descreva o processo de geração e recombinação (G-R) tipo banda a banda. Cite
possíveis fontes de energia envolvidas no processo.
8.37 Descreva o processo de G-R tipo indireto.
8.38 Qual a origem de estados com níveis próximo ao do meio da banda proibida? Por
que estes são os mais efetivos para alterar as taxas de G-R ?
8.39 A densidade NT afeta a densidade de portadores em equilíbrio ? E fora do
equilíbrio ?
8.40 Defina o conceito de baixa injeção.
8.41 Argumente porque a taxa de G-R térmico em baixa injeção, em material tipo p, é
dado por: - Cn x NT x ∆n.
8.42 Qual o efeito do tempo de vida sobre a taxa de G-R térmico? Como define tempo
de vida? Como pode se controlar ou alterar o tempo de vida?
8.43 O que representa a equação da continuidade? Descreva suas componentes.
8.44 Dada a equação de difusão de portadores minoritários, qual a representação de
cada termo ?
8.45 Dada a equação de difusão de portadores minoritários, deduza as simplificações
possíveis nos seguintes casos:
a) estado estacionário
b) ausência de gradiente de portadores minoritários
c) ausência de campo elétrico,
d) ausência de R-G térmico
e) ausência de luz
8.46 Quais as soluções da equação de difusão de portadores minoritários nos
seguintes casos:
a) estado estacionário e ausência de luz
b) ausência de gradiente de portadores minoritários e ausência de luz
c) estado estacionário e ausência de gradiente de portadores minoritários
d) estado estacionário, ausência de R-G e de luz.
8.47 Qual o significado do comprimento de difusão?
8.48 Defina níveis de quase-Fermi.
8.49 Qual a relação entre a densidade de corrente de portadores e o correspondente
nível de quase-Fermi?
8.50 Seja um semicondutor caracterizado pelo diagrama de energia dado na Fig.
P8.50. Seja dado que: EG = 1.12 eV, kT = 25.9 meV, ni = 1010 cm-3, , µn = 1345
cm2/V.s e τn = 10-4 s. a) Desenhe o potencial elétrico e o campo elétrico dentro do
semicondutor versus x. b) Para que valores de x existe neutralidade de cargas (lembre
da equação de Poisson). c) Desenhe a curva de concentração de elétrons versus x,
Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.08 – p.75
especificando os valores em x = xa e em x = xc. d) Calcule as densidades de corrente
de elétrons de deriva, de difusão e total em x = xa. Explique suas respostas. e) Um
elétron em x = xb com energia E = EC move-se da sua posição para x = 0, sem perder
sua energia total. Qual será sua energia cinética em x = 0 ? f) Sendo introduzido uma
certa quantidade de excesso de elétrons em x = xc. Este excesso de elétrons irá
difundir-se no semicondutor em direção a x = xb. Sendo xc – xb = 10-3 cm, qual fração
do excesso de elétrons alcançará xb ?
8.51 Uma barra semicondutora semi-infinita, tipo p, é iluminada, como na Fig. P8.51,
gerando GL pares elétron-lacunas uniformemente ao longo de todo seu volume.
Simultaneamente, há um sorvedouro de portadores em x = 0, impondo ∆np(0) = 0 em
x = 0. Assumindo condição de estado estacionário e que ∆np(x) << pp0, determine
∆np(x).
8.52 Considere um material de Si, tipo n, com dopagem uniforme ND = 1014 cm-3, e
com tempo de vida de minoritários τp = 1 µs. A amostra era inicialmente iluminada por
longo período (>>τp) com geração GL = 1016 cm-3 pares elétron-lacunas,
uniformemente em todo o volume do semicondutor. No instante t = 0, a fonte de luz é
desligada. Analise este transiente: a) A condição de baixa injeção é satisfeita durante
todo tempo t > 0 ? Explique. b) Assumindo ∆n(t) = ∆p(t), estabeleça uma relação da
condutividade do material (σ = 1/ρ) em função do tempo.
8.53 Uma amostra de Si tipo n de comprimento L é mantido em condição de estado
estacionário tal que, ∆pn(x=0) = ∆pn0 = 1012 cm-3 e ∆pn(x=L) = 0. O semicondutor é
uniformemente dopado com ND = 1016 cm-3, é mantido à temperatura ambiente de 300
K e não há geração por luz e nem “outros processos” ocorrendo no interior do
semicondutor. a) É satisfeita a condição de baixo nível de injeção? Explique. b) Como
varia n(x) ? c) Resolva p(x). d) Qual a posição do nível de quase-Fermi de lacunas em
x = 0 e em x = L ?
10.1 A Junção pn
A junção pn é a junção básica dos diodos bem como uma das junções
integrantes da grande maioria dos dispositivos semicondutores. A física envolvida
no entendimento da junção pn é também fundamental para entender outras
junções, bem como, para entender os diferentes dispositivos semicondutores. Daí
a importância da ênfase dada ao estudo desta junção. Como mostra a Fig. 10.1, a
junção pn é formada por um bloco semicondutor onde temos a junção de uma
região p com uma região n.
p n
Si Si
Fig. 10.2 Ilustração de tipos de transição de dopantes numa junção pn, como uma
função abrupta e como uma função linearmente gradual.
ρ = q( p − n + N D − N A ) = 0 (10.1)
Dentro da região de depleção do lado p, não muito próximo à sua borda, temos
que ambos, p e n, são desprezíveis em relação a ND (lembre que NA não existe
nesta região, ou caso exista, é desprezível em relação a ND). Assim, em grande
parte desta região, vale:
ρ = −q.N A (10.2)
ρ = qN D (10.3)
1
ρ.dV = ∈ .d S (10.4)
ε V
S
Pela lei de Gauss devemos tomar um dado volume e integrar a carga nela
contida. Esta integral será igual à integral sobre a superfície fechada do volume
adotado, do produto vetorial dos vetores campo elétrico e a normal à superfície.
No caso da nossa junção pn, temos um problema unidimensional, sem campo
elétrico nas demais direções. Considerando um volume cúbico, com uma face à
esquerda da região de depleção e a face oposta dentro da região de depleção,
resulta:
x
1
ρ ( x).dx
∈ ( x) = (10.5)
ε
−∞ S
ρ
∇ 2V = − (10.6)
ε
ou ainda na forma:
ρ
∇. ∈= (10.7)
ε
dV
∈ ( x ) = −∇V ( x ) = − (10.8)
dx
x
V ( x ) = − ∈ ( x' )dx ' (10.9)
−∞
1
∆V = − ∆Ei (10.10)
q
1
Vbi = − [ Ei (∞) − Ei (−∞)] (10.11)
q
O campo elétrico é dado pelo gradiente de uma das faixas de energia (relação
8.64):
1 dEi
∈ ( x) = (10.12)
q dx
d∈ ρ
= (10.13)
dx ε S
ε S d 2 Ei
ρ= (10.14)
q dx 2
pp
E F − Ei p
= −kT ln (10.16)
ni
nn pp
( E F − Ei ) n − ( E F − Ei ) p = kT [ln + ln = Ei p
− Ei n
= q.Vbi (10.17)
ni ni
kT nn . p p
Vbi = ln (10.18)
q ni2
kT N D . N A
Vbi = ln (10.19)
q ni2
dn
J n = q.µ n .n. ∈ + q.Dn =0 (10.20)
dx
Dn 1 dn kT 1 dn
∈= − =− (10.21)
µ n n dx q n dx
Agora, a tensão sobre a junção pode ser obtida pela integração do campo
elétrico sobre toda a região (como o campo elétrico é nulo fora da região de
depleção, podemos estender a região de integração):
∞ kT ∞ 1 dn kT n( ∞ ) dn
Vbi = ∈ .dx = dx = (10.22)
−∞ q −∞ n dx q n ( −∞ ) n
kT n (∞ ) kT n n
Vbi = ln( n) n ( −∞ ) = ln (10.23)
q q np
kT N D . N A
Vbi = ln (10.24)
q ni2
1015.1015
Vbi = 0.026 ln = 0.6 V
10 20
b) Se um dos lados da junção tiver sua dopagem aumentada para 1017 cm-3,
qual seria sua tensão interna? Refazendo a conta, obtém-se Vbi = 0.72V. De
acordo com a fórmula, bem como do diagrama de bandas da Fig. 10.6, quanto
maior forem as dopagens, maior será a altura da barreira de potencial.
c) Considere agora, os níveis de dopagem como sendo os do limite de
degenerescência do semicondutor e recalcule a altura da barreira de tensão
interna. No limite da degenerescência, o nível de Fermi está distante de 3kT do
topo da banda de valência no lado p e distante 3kT do mínimo da banda de
condução. O valor da banda proibida do Si a 300K vale aproximadamente 1.12 eV.
Isto pode ser convertido para número de kT, resultando EG = 43.08kT. Subtraindo
deste valor duas vezes 3kT, obtém-se:
Exercício:
Considere o diagrama de bandas hipotético da Fig. 10.7a. Desenhe as
distribuições de cargas, de campo elétrico e de potencial elétrico. Calcule o valor
máximo do campo elétrico e do potencial interno da junção, assumindo kT/q =
26mV.Como a densidade de cargas é dada por (10.14), ela pode ser representada
por duas funções delta, uma negativa em –xp e outra positiva em xn. Fora destes 2
pontos a densidade de carga será nula (Fig. 10.7b). O campo elétrico é obtido por
(10.12). Ele será nulo nas regiões de bandas planas e constante na região da
junção e dado por (Fig. 10.7c):
1 − 20kT
∈= = −5.2 x10 3 V / cm
−4
q 10
Aproximação de Depleção:
d∈ q.N A
=− para –xp<x<o (10.25)
dx εS
d ∈ q.N D
= para o<x<xn (10.26)
dx εS
d∈
= 0 para x<–xp xn<x (10.27)
dx
q.N D
∈ ( x) = − ( x n − x) para 0<x<xn (10.29)
εS
q.N A q.N D
− .x p = − .x n (10.30)
εS εS
dV q.N A
= ( x + x p ) para –xp<x<0 (10.32)
dx εS
V ( x) qN A x q.N A
V ( x) = dV = ( x + x p )dx = ( x + x p ) 2 para –xp<x<0 (10.33)
0 εS −xp 2ε S
Vbi qN D xn
Vbi − V ( x) = dV = ( x n − x )dx
(10.34)
V (x) εS x
q.N D
V ( x) = − ( x n − x) 2 + Vbi para 0<x<xn (10.35)
2.ε S
x p .N A = x n .N D (10.36)
b) tomando V(0-)=V(0+)
q.N A 2 q.N D 2
xp = − x n + Vbi (10.37)
2ε S 2ε S
2ε S ND
xp = Vbi (10.39)
q N A (N A + N D )
2ε S N + ND 2ε S Vbi
W = xn + x p = Vbi A = (10.40)
q NAND q N D // N A
Exercício:
Desenhe os diagramas de bandas (em unidades de kT), de densidade de
cargas, de campo elétrico e de potencial elétrico de uma junção p+n em equilíbrio,
com ND = 2x1017cm-3 e NA = 5x1015cm-3. Considere kT=26 meV e ni = 1010cm-3.
Nota: o símbolo + como sobrescrito em p+ apenas significa que o lado p tem
dopagem muito maior que o lado n. Como resposta, a Fig. 10.9, mostra os 4
diagramas solicitados. Como valores numéricos associados temos:
kT 10 33 kT
Vbi = ln 20 = 29.93 = 0.778 V
q 10 q
2.1017
E F − Ei n = kT ln = 16.81kT
1010
5.1015
E F − Ei p = −kT ln = −13.12kT
1010
EG = 1.12eV = 43.08kT
x n = 0.0111µm
x p = 0.4453µm
q.N D
∈ ( 0) = ( x n ) = 3.4 x10 4 V / cm
εS
q.N D 2
V ( 0) = − x n = −0.0190V
2ε S
VJ = VN − 0 + VP = Vbi (10.41)
Vbi = V N + VP (10.42)
VJ = Vbi − Va (10.44)
2ε S NA
xn = (Vbi − V a ) (10.45)
q N D (N A + N D )
q. N D
V ( x) = (Vbi − Va ) − ( x n − x) 2 (10.46)
2.ε S
q.N D
∈ ( x) = − ( x n − x) (10.47)
εS
2ε S ND
xp = (Vbi − Va ) (10.48)
q N A (N A + N D )
q.N A
V ( x) = (x + x p )2 (10.49)
2ε S
q.N A
∈ ( x) = − (x + x p ) (10.50)
εS
Exemplos Numéricos:
Exercício:
Dada uma junção p+n, com NA = 1017cm-3, ND = 1015cm-3, calcule: a) Vbi, b) xn,
xp, W, ∈(x=0), V(x=0), e VJ para os seguintes valores de Va: +0.4, 0, -1, -2, -3 e –4
V. Faça gráficos de W x Va e W x (Vbi – Va)0.5. Adotar kT=26 meV, εS = 1.045
pF/cm, ni = 1010cm-3-.
Solução:
a) Usamos a relação (10.24) para o cálculo de Vbi, obtendo-se 0.718 V.
b) Por meio das relações (10.42), (10.48), (10.51), (10.50), (10.49) e (10.44)
calculamos respectivamente os valores de xn, xp, W, ∈(x=0), V(x=0), e VJ
para os diversos valores de Va. Os valores obtidos estão na tabela abaixo:
Considerações Finais:
Adotamos no desenvolvimento acima uma junção ideal, com dopagem do tipo
degrau abrupto de p para n. Na prática, este tipo de perfil de dopagem nem
sempre ocorre, podendo sim ocorrer uma variação gradual de dopagem.
Dependendo do grau de inclinação desta variação da dopagem, a aproximação de
perfil tipo degrau, como adotado, pode ser muito boa. Em outros casos no entanto,
as equações de distribuição de densidade de cargas, campo elétrico e potencial
elétrico, além das larguras das regiões de depleção devem ser revistas. Como
exemplo no caso de perfil linearmente gradual, obtém-se relações de larguras de
regiões de depleção como função de raiz cúbica de (Vbi-Va) ao invés de raiz
quadrada, como obtido acima. Não iremos repetir o procedimento tedioso de
desenvolvimento destas equações, tendo em vista que não acrescenta nenhum
novo conceito ao que já aprendemos. Além disto, na maioria dos casos de
cálculos manuais, adota-se a aproximação de junção abrupta. No caso de perfis
genéricos ou quando desejarmos maior precisão, podemos usar programas de
computador, que utilizem métodos numéricos, baseados nos mesmos conceitos
que aqui apresentamos.
Com base na aproximação de depleção foi possível desenvolver relações
analíticas relacionadas à eletrostática de junções pn, determinando a largura das
regiões de depleção, a distribuição da densidade de cargas, do campo elétrico e
do potencial elétrico. Vimos ainda que a região de depleção se estende
predominantemente no lado da junção com menor nível de dopagem e que a
mesma aumenta com a aplicação de tensão reversa. Também a intensidade do
campo elétrico aumenta com a tensão reversa aplicada, sendo que seu valor
máximo sempre se localiza no ponto x=0, ou seja, bem na interface de transição
da junção. A tensão interna na junção bem como a altura da barreira de energia
no diagrama de bandas aumenta linearmente com a tensão reversa aplicada. Com
Exercício:
Aplique os conceitos, aprendidos na análise da junção pn, sobre uma junção
“isotipo” pp+, em equilíbrio e com perfil de dopagem como apresentado na Fig.
10.15a. a) Desenhe o diagrama de bandas correspondente, b) Derive uma
expressão para Vbi da junção “isotipo”, c) esquematize diagramas aproximados
para as distribuições de densidade de cargas, campo elétrico e potencial elétrico;
d) explique a origem dos dois tipos de cargas. (Nota: este exercício constitui uma
boa oportunidade para verificar se o aluno aprendeu os conceitos apresentados no
estudo da junção pn, sendo assim capaz de aplicá-los em situações diferentes.)
Solução:
a) No diagrama de bandas de energia basta seguir as expressões de
concentração de lacunas de Boltzmann, assumindo p = NA longe da interface
da junção. Veja Fig. 10.15b.
b) Com base nas relações de Boltzmann e pela observação do diagrama de
banda obtém-se:
kT N A 2 kT N A1 kT N A2
Vbi = ln − ln = ln
q ni q ni q N A1
Supondo uma razão entre NA2 e NA1 igual a 100, obtém-se Vbi=0.12V
c) Desenhos esquemáticos das distribuições de densidades de carga, de campo
elétrico e de potencial elétrico estão apresentados nas Fig. 10.15 c,d,e.
d) Como origem das cargas positivas e negativas temos o seguinte: a existência
do gradiente de concentração de lacunas em torno da junção dá origem ao
fluxo de lacunas por mecanismo de difusão, removendo lacunas da região
mais dopada. Isto por sua vez, aumenta a concentração de lacunas e portanto
de cargas positivas na região com menor dopagem. A remoção das lacunas da
região mais dopada explica o aparecimento da carga negativa nesta área.
Estas cargas, positivas e negativas, por sua vez, dão origem ao campo elétrico
na junção, que em equilíbrio, mantém a corrente de deriva das lacunas em
oposição ao seu fluxo por difusão.
Fig. 10.15 a) Perfil de dopagem
de uma junção “isotipo” pp+, b)
diagrama de bandas, c) distri-
buição de cargas, d) campo
elétrico, e) potencial elétrico
correspondentes à junção.
qVa
I = I0. e −1
kT
(10.52)
onde:
Dp Dn
I 0 = q.A.ni2 . +
(10.53)
L p .N D Ln . N A
Nesta situação de equilíbrio, a corrente total pela junção deve ser nula. Além
disto, as componentes de corrente total de lacunas e de corrente total de elétrons
também devem ser nulas (caso contrario teríamos acúmulo de cargas nas
extremidades do dispositivo, significando uma situação não estacionária). Assim,
deveremos ter em cada ponto x:
dp
J P = q.µ p . p. ∈ − q.D p . (10.56)
dx
dp
J P = q.µ p . p. ∈ − q.D p . (10.57)
dx
qVa
n p (− x p ) = n p 0 .e kT (10.58)
qV a
p n ( x n ) = p n 0 .e kT (10.59)
Faltam mais duas condições de contorno que referem-se aos outros 2 pontos
extremos das regiões neutras p e n da junção. Como em pontos localizados bem
distantes da região de depleção estamos em pontos distantes da fonte de
perturbação na concentração dos minoritários (injetados através da junção), o
semicondutor já teve condições para voltar ao equilíbrio, pela combinação dos
mecanismos de difusão e recombinação do excesso de minoritários. Assim
∆n p ( x" = ∞) = 0 (10.60)
∆p n ( x' = ∞) = 0 (10.61)
d 2 ∆n p ( x" ) ∆n p ( x" )
Dn − =0 (10.62)
dx"2 τn
d 2 ∆p n ( x' ) ∆p n ( x ' )
Dp − =0 (10.62)
dx ' 2 τp
− x"
qVa
n p ( x" ) = n p 0 + n p 0 e − 1 .e
kT Lp
(10.63)
− x'
qVa
p n ( x' ) = p n 0 + p n 0 e − 1 .e
kT Lp
(10.64)
d (n p ) − x"
q.Dn qVa
J ( x" ) = qDn =− .n p 0 e kT − 1 .e Ln
(10.65)
dx" Ln
−x'
d ( p n ) q.D p qVa
J ( x ' ) = − qD p = . p n0 e kT − 1 .e p
L
(10.66)
dx ' Lp
d (n p )
qDn qVa
J n (− x p ) = q.Dn = n p 0 e kT − 1
(10.67)
dx" x "= 0
Ln
d ( pn ) qD p qVa
J p ( x n ) = −q.D p = −1
kT
p n0 e
(10.68)
dx' x '= 0 Lp
Dp
D qVa
J = q n n p0 + −1
kT
p n0
e
(10.69)
Ln Lp
qVa
I = I0 e −1
kT
(10.70)
onde:
D Dp
I 0 = q. A n n p 0 +
pn0
(10.71)
Ln Lp
Dn Dp
I 0 = q. A.n 2
+
i
(10.72)
Ln N A L p N D
qVa
I = I0e kT (10.73)
q
ln( I ) = ln( I 0 ) + Va (10.74)
kT
O termo I0 da expressão 10.70 varia de diodo para diodo, bem como, com a
temperatura, como podemos ver pelas relações 10.71 e 10.72. Primeiramente
temos a área da junção que depende da geometria usada na fabricação. Outros
fatores que dependem do processo de fabricação são: a) as dopagens NA e ND
das regiões p e n respectivamente, e b) coeficientes de difusão, Dn e Dp, e tempo
de vida de portadores minoritários, τn e τp. Estes últimos fatores dependem
fortemente da qualidade do material, como explicamos no capítulo 8. Pela relação
10.72 observamos uma dependência direta com o quadrado da concentração
intrínseca de portadores, ni2. Como conseqüência, I0 depende do tipo de
semicondutor (Ge > Si > GaAs), diminuindo com o seu valor de EG, e aumenta
exponencialmente com a temperatura (ver relação 8.25 e Fig. 8.14).
ni2 10 20
n p0 = = 17 = 10 3 cm −3
N A 10
ni2 10 20
pn0 = = 15 = 10 5 cm −3
N D 10
qVa
∆n p (− x p ) = n p 0 .(e kT
− 1)
qVa
∆p n ( x n ) = p n 0 .(e kT
− 1)
Dp
qVa
I p = q. A.n 2
−1
kT
i
e
L p .N D
Dp
Dn qVa
I = q. A.n 2
+ −1
kT
i
e
L p . N D Ln . N A
Ip 1
Portanto: = = 0.96 , ou seja, nesta junção p+n, 96% da corrente
I D n .L p .N D
1+
D p .Ln . N A
pela junção refere-se à injeção de lacunas do lado p para o lado n.
d) Similarmente, das expressões 10.67 e 10.69 obtemos:
In 1
= = 0.04 , ou seja, apenas 4% da corrente pela junção refere-se à
I D p . Ln . N A
1+
Dn .L p .N D
injeção de elétrons do lado n para o lado p.
e) Das duas expressões acima de Ip/I e In/I observa-se que, se reduzirmos a
concentração ND da região n do diodo, teremos um aumento da fração Ip/I e
uma redução da fração In/I.
Apêndices
dn dn
Dn dx = − kT dx
∴∈= −
µn n q n
xp
Vj = − ∈ .dx e V j = Vbi − Va ; resulta:
−xp
xn kT dn kT
Vj = =
n( x )
ln( n) n ( −nx )
−xp
q n q p
kT n (x )
Portanto: Vbi − Va = ln n n , ou:
q n p (− x p )
qVbi qVa
n p (− x p ) = nn ( x n ).e kT
.e kT
kT N D .N A kT nn 0 . p p 0
Vbi = ln = ln
q ni2 q ni2
ni2 qVa
n p (− x p ) = n n ( x n ). .e kT
nn 0 . p p 0
qVa
∆n(− x p ) = n(− x p ) − n p 0 = n po (e kT
− 1)
qVa
∆p ( x n ) = p( x n ) − p n 0 = p no (e kT
− 1)
J p = µ p . p.∇FP
Ei − FP = Ei − FN + q.Va
( Ei − FN )
p n 0 = ni .e kT
( Ei − FP ) qVa
p n ( x n ) = ni .e kT
= p n0 .e kT
Φ S = χ + (E C − E F ) = χ +
EG NA
2 + kT . ln
Φ S = χ + (E C − E F ) = χ +
EG ND
2 − kT . ln
Como não se cria cargas, a estrutura como um todo deve manter neutralidade.
Houve apenas transferência de elétrons de um material para outro. Desta
consideração podemos escrever:
1 x q.N D
∈ ( x) = q.N D .dx ' + A1 = x + A1 (10.78)
εS 0 εS
q.N D
A1 = − xn (10.79)
εS
q.N D
∈ ( x) = − ( x n − x) (10.80)
εS
q.Vbi = Φ M − Φ S (10.81)
q.Vbi = Φ M − χ − ( E C − E F ) ∞ (10.82)
x x q. N D q. N D x2
V ( x) = − ∈ ( x' )dx '+ A2 = − [− ( x n − x' )]dx'+ A2 = ( xn x − ) + A2
0 0 εS εS 2
q.N D x n2
A2 = Vbi −
εS 2
q.N D
V ( x) = Vbi − ( xn − x) 2 (10.83)
2ε S
q.N D 2
Vbi = xn (10.84)
2ε S
2ε S
xn = .Vbi (10.85)
q.N D
A análise feita até este ponto foi feita na condição de equilíbrio térmico, ou seja,
sem tensão externa aplicada. Vejamos agora o que acontece se aplicarmos uma
tensão direta (Vmetal > Vsemicond.) ou reversa (Vmetal < Vsemicond.). Com a aplicação da
fonte externa aumentamos a energia dos elétrons no terminal ligado à polaridade
negativa da fonte, aumentando assim o nível de Fermi do material deste lado.
Como toda a tensão aplicada deverá cair sobre a junção (considerando baixa
corrente e resistências parasitárias desprezíveis), a separação dos níveis de Fermi
do metal e do semicondutor será igual a q.VA, onde Va é a tensão aplicada. Os
diagramas de bandas correspondentes à polarização direta e reversa do diodo
estão mostrados na Fig. 10.32. Analisando as alturas das duas barreiras de
potencial para os elétrons, obtém-se:
a) A altura da barreira vista pelos elétrons do metal para o semicondutor, não é
alterada com a aplicação de tensão, direta ou reversa. A altura desta barreira é
fixa e só depende de ΦM e χ, dada pela relação:
ΦB = ΦM − χ (10.86)
q .V A − q.V A
J = J 0e nkT
(1 − e kT
) (10.89)
− q. Φ B
onde: J 0 = A ∗ .T 2 .e kT
10.3 Heterojunções
q .V A
I = I 0 (e kT
− 1) (10.91)
Temos por objetivo neste item estudar a eletrostática do capacitor, bem como a
variação da sua capacitância versus polarização do terminal de porta em relação
ao substrato. Inicialmente iremos estudar uma estrutura MOS ideal assumindo as
seguintes condições:
• A espessura do metal é suficiente para garantir baixa resistência elétrica e um
equipotencial ao longo de sua superfície, tanto em termos de potencial DC
como AC. Esta condição é satisfeita na maioria dos casos práticos.
• O óxido é um isolante perfeito onde a corrente DC é nula. Esta condição
também é normalmente satisfeita, a menos quando a espessura do isolante for
muito fina (da ordem de 2 nm ou menos, dando origem a corrente de
tunelamento).
• Temos cargas possíveis apenas no metal e no semicondutor, ou seja, não
temos cargas dentro do óxido e nem associada à interface SiO2/Si. Esta
condição normalmente não é satisfeita. Após o estudo do caso ideal,
apresentaremos como a existência destas cargas altera o resultado do caso
ideal, sem estas cargas.
• A dopagem do semicondutor é uniforme. Esta condição pode ser considerada
como verdadeira em vários casos práticos, mas nem sempre. Nos limitaremos
a estudar o caso de dopagem uniforme.
• O substrato tem espessura muito grande, de forma que podemos adotá-lo
como de espessura infinita, com neutralidade de cargas e ausência de campo
elétrico na sua parte inferior.
• Há um contato ôhmico perfeito nas costas do substrato, como indicado na Fig.
10.37.
• O eletrodo de porta é de área grande, com dimensões bem maiores que da
espessura do óxido (bem como da possível espessura de região de depleção
na superfície do semicondutor). Desta forma podemos desprezar os efeitos de
bordas e fazer um estudo unidimensional em x (profundidade).
• O metal de porta e o semicondutor apresentam idêntico valor de função
trabalho, ou seja a diferença de função trabalho, ΦMS = ΦM - ΦS = 0. Na Fig.
10.38 ilustramos os diagramas de bandas com indicação de função trabalho ou
afinidade eletrônica, dos três materiais da estrutura MOS, para o caso dos
Q+ = Q−
ou
QM = −QS
J n = µ n .n.∇Fn = 0 (10.92)
J p = µ p . p.∇F p = 0 (10.93)
E FM − E FS = −q.VG (10.94)
( Ei − E F )
p = ni .e kT (10.95)
( E F − Ei )
n = ni .e kT (10.96)
1
ψ S = [ Ei ( x = ∞) − Ei ( x = 0)] (10.97)
q
1 kT NA
φF = ( E i − E F ) x =∞ = ln (10.98)
q q ni
ψ S = φF (10.99)
ψ S = 2.φ F (10.100)
ρ ( x ) = −q.N A (10.101)
q
∈ ( x) = .N A ( x d − x ) (10.102)
ε Si
∈ox ∈S
Dox = = DS = (10.103)
ε ox εS
O potencial elétrico pode ser obtido pela integral do campo elétrico, resultando
na relação (10.103) e ilustrado na Fig. 10.42d.
q.N A
ψ ( x) = ( xd − x) 2 (10.104)
2.ε S
VG = Vox + ψ S (10.105)
Mais uma vez usando a lei de Gauss, podemos obter uma relação para a
tensão sobre o óxido, Vox:
QG QS
∈ox = =− (10.106)
ε ox ε ox
QG QG Q
Vox = ε ox
= =− S (10.108)
x ox C ox C ox
onde Cox é a capacitância do óxido por unidade de área, dado por εox/xox.
2ε S
xd = ψS (10.110)
q.N A
2ε S
x dMAX = .2φ F (10.111)
q. N A
1
VT = 2φ F + 2.q.ε S .N A .2.φ F (10.112)
C ox
Analisemos agora o caso de diodo não ideal, onde no caso genérico temos
cargas distribuídas no sistema SiO2/Si, associadas a: a) estrutura das ligações
químicas da transição entre os dois materiais, resultando numa carga fixa e
positiva próxima à interface, b) estados de interface dentro da banda proibida do
semicondutor, c) estados dentro da banda proibida do dielétrico, d) cargas de
contaminação iônica, tipo Na ou outros metais. A Fig. 10.43 indica a nomenclatura
internacional e a localização relativa dos 4 tipos de cargas descritas. Estas cargas
podem ser agrupadas como uma carga efetiva localizada na interface SiO2/Si,
como sendo uma função delta, de concentração Qef, dado em C/cm2. A presença
de uma carga efetiva na interface SiO2/Si, faz com que mesmo com VG = 0,
teremos carga induzida, tanto no semicondutor como no metal, como indicado na
Fig. 10.44a. Como conseqüência, nesta condição o diagrama de banda não pode
corresponder à condição de banda plana como no caso do capacitor ideal.
Necessitaremos agora aplicar uma tensão negativa na porta para que a carga
neste terminal seja em igual módulo e de sinal oposto ao da carga efetiva de
interface, como ilustrado na Fig. 10.44b. Chamamos esta tensão de porta,
necessária para obter esta condição de banda plana, de VFB (Flat Band).
QG (QS + Qef )
∈ox = =− (10.113)
ε ox ε ox
Esta alteração tem como conseqüência uma alteração na tensão de limiar, VT,
dada como:
1
VT = VFB + 2φ F + 2.q.ε S .N A .2.φ F (10.114)
C ox
Φ MS = Φ M − Φ S = Φ M − ( χ + EG 2 + φ F ) (10.115)
Φ MS Qef
VFB = − (10.116)
q C ox
dQG dQS
C= = (10.117)
dVG dVG
ε ox
C MAX = A.C ox = A. (10.118)
xox
1 1 1
= + (10.119)
C A.C ox A.C S
onde:
εS
CS = (10.120)
xd
1 1 x ox LD
= +
(10.121)
C FB A ε ox ε S
ε S .kT
LD = (10.122)
q 2 .N A
Considerações finais:
Uma pesquisa atual, no início do século 21, é a pesquisa por isolantes
alternativos com constante dielétrica relativa maior que o do SiO2 (3.9). O motivo
por esta procura deve-se à evolução contínua na redução das dimensões dos
dispositivos, entre as quais a espessura do dielétrico. Ao seguir este caminho,
chegou-se ao ponto em que a espessura do SiO2 fica da ordem de 1,5 nm ou
menor. Neste momento, a corrente de tunelamento através do mesmo torna-se
demasiadamente alta, prejudicando o desempenho dos dispositivos MOS, que em
princípio não devem ter corrente DC através deste terminal. A substituição do filme
de SiO2 por outro de constante dielétrica maior permite o uso de filme de
espessura maior, apresentando a mesma capacitânica por unidade de área, que é
o que interessa para manter o mesmo desempenho elétrico do dispositivo. Com
filme dielétrico de maior espessura suprime-se a corrente indesejada de
tunelamento, além de reduzir a probabilidade de defeitos no filme. Os materiais
candidatos sendo pesquisados são Ta2O5, TiO2, Al2O3, ZrO2, Y2O3 e outros.
Com o estudo da junção MOS concluímos a análise de todos os “blocos
construtivos” de dispositivos eletrônicos, bem como de optoeletrônicos, como
discutido no capítulo 9 e ilustrado na Fig. 9.50. Com base nestes estudos, bem
como no conhecimento da física dos semicondutores do capítulo 8, o aluno terá o
conhecimento básico para o estudo dos dispositivos em sí, que não faz parte do
escopo deste livro ou de uma disciplina de materiais.
1. INTRODUÇÃO.
Si - p
base - metal → \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
__I__
--
Figura.1(a)Estrutura de um capacitor MOS, com substrato de Si tipo-p.
89
Um capacitor MOS é fabricado da seguinte forma: sobre uma lâmina (substrato)
semicondutora é depositada ou crescida (oxidação térmica) uma camada fina de material
isolante (óxido). Utilizando-se material condutor (metal), são formados dois eletrodos: o
primeiro sobre a camada de óxido (denominado eletrodo superior) e o segundo sob a lâmina
(denominado eletrodo do substrato), como ilustra a Figura.1(a).
Basicamente, os dispositivos com estrutura metal-óxido-semicondutor (MOS), quando
polarizados por um sinal de tensão elétrica aplicado entre seus eletrodos, operam sob o efeito
do campo elétrico resultante na superfície do semicondutor. Em 1926, Lilienfeld [1]
apresentou o primeiro estudo sobre estes dispositivos. Em 1935, Heil [2] sugeriu que
dispositivos amplificadores de estado sólido poderiam ser obtidos, utilizando-se este efeito de
campo. Shockley [3] demonstrou experimentalmente o efeito da modulação da condutância em
semicondutores através da aplicação de campos elétricos em filmes finos de semicondutores.
A partir de 1957, a tecnologia planar revolucionou a fabricação dos dispositivos
semicondutores. Esta tecnologia foi desenvolvida pela primeira vez por Frosch e Derrick [4],
que utilizaram filmes de dióxido de silício (SiO2) como camada de proteção e também como
máscara para etapas de processo de difusão. Mas esta tecnologia só foi concretizada em 1960
por Hoerni [5], que obteve diodos e transistores planares de silício.
A partir de 1960, com o processo de oxidação térmica, Khang e Atalla [6] obtiveram
uma camada de dióxido de silício de boa qualidade crescida termicamente e produziram o
primeiro transistor MOS. Baseando-se neste trabalho, o transistor MOS foi aperfeiçoado por
Hofstein e Heiman [7] em 1963 e a sua fabricação foi iniciada imediatamente. No entanto, estes
transistores apresentaram variações nas características elétricas devido ao deslocamento de
cargas no óxido de porta sob condições de elevado campo elétrico e alta temperatura,
obrigando a paralisação da produção pouco depois.
A partir de 1965, compreendeu-se a causa da instabilidade dos dispositivos M.O.S., com
a publicação do primeiro trabalho sobre contaminação do óxido por íons sódio (Na+) [8].
Demonstrou-se que as cargas contaminantes do dióxido de silício eram íons móveis,
principalmente íons de sódio de carga positiva. Algumas soluções para a redução da
contaminação foram propostas [11,12]:
i) a utilização de óxido de silício de porta dopado com fósforo - esta técnica permite
diminuir bastante a mobilidade dos íons móveis, mas causa polarização do óxido, que não
diminui as variações na característica elétrica;
ii) a incorporação de cloro ao óxido de silício de porta - esta técnica permite a fixação
dos íons móveis, sendo bastante utilizada em processos de oxidação térmica em temperaturas >
10000C;
iii) a utilização do nitreto de silício (Si3N4) ou óxido de silício nitretado como dielétrico
de porta - os filmes de Si3N4 permitem que a mobilidade dos íons móveis seja extremamente
reduzida, mas as etapas de obtenção dos filmes por CVD, RTP ou nitretação térmica do óxido
de silício convencional envolvem tecnologia complexa e problemas com a integridade do filme
pela eventual incorporação de hidrogênio.
90
2 - CAPACITOR MOS [9]: CARACTERÍSTICA C-V.
Na Figura.2 apresenta-se um esboço das curvas C-V de um capacitor MOS ideal, com
substrato tipo p (a) e n (b), obtidas pela aplicação de uma tensão positiva e negativa entre os
eletrodos [9].
Figura.2 (a)Esboço de uma curva C-V de um capacitor MOS ideal, com substrato tipo-p;
(b)Esboço de uma curva C-V de um capacitor MOS ideal, com substrato do tipo-n.
Para uma análise qualitativa das características C-V de um capacitor MOS ideal é
necessário definir seis diferentes situações de polarização em função de ψf e ψs, sendo VG a
tensão no eletrodo superior em relação ao eletrodo do substrato (aterrado). O potencial de
superfície do semicondutor ψs é função de VG e está relacionado com o encurvamento das
bandas de energia. Considera-se nesta descrição que o substrato é do tipo-p. Para o substrato
do tipo-n a descrição é semelhante. Na superfície do semicondutor podem ocorrer seis
situações:
As características C-V (Figs.2 (a) e (b)) podem ser divididas em três regiões:
91
(i) Região de acumulação: aplicando-se uma tensão negativa na eletrodo superior (VG
<< 0), as lacunas, que são os portadores majoritários (substrato tipo-p), são atraídas à
superfície do substrato (interface óxido/semicondutor). A concentração de lacunas aumenta
na superfície do silício, formando-se uma região de acumulação de portadores majoritários. O
nível de energia de Fermi (EFS) aproxima-se da banda de valência. Como este nível
mantém-se constante em equilíbrio térmico, há um encurvamento das bandas de energia de
valência (Ev) e condução (Ec) (Figura.3(b)). A camada de acumulação, para uma concentração
alta de portadores majoritários, pode ser considerada como o segundo eletrodo de um
capacitor de placas paralelas, pois o primeiro é o eletrodo superior, resultando em um campo
elétrico Ep = -VG/tox no óxido, como ilustra a Figura.3(a). Em condição de acumulação forte,
desde que ocorra um contato ôhmico direto entre o substrato tipo-p e a região de
acumulação das lacunas, a capacitância da estrutura MOS é máxima e aproximadamente igual
a capacitância no óxido, que é:
onde:
Cox - capacitância no óxido; εo - permitividade no vácuo;
εox - permitividade do óxido; tox - espessura do óxido;
A - área do eletrodo superior.
VG << 0
-----------------
SiO2 ↑ ↑ ↑
Ep=-VG/tox
↑ ↑↑
++++++++++++ ← região/acumulação
Si-p
--
metal SiO 2 Si-p
(a) (b)
Figura.3(a) Esquematização da região de acumulação no capacitor; (b) Diagrama de
bandas de energia na estrutura MOS, com o encurvamento nos níveis de energia
Ec, Ev e Ei.
92
VG = 0
- -- -
SiO2
+ + + +
Si-p
--
metal SiO 2 Si-p
_ (a) (b)
Figura.4(a)- Esquematização da condição de banda plana no capacitor; (b) Diagrama de
bandas de energia na estrutura MOS - não há encurvamento das bandas de energia.
(ii) Região de depleção: para uma tensão no eletrodo superior maior que a tensão de
banda plana (VG > Vfb), ocorre um deslocamento dos portadores majoritários (lacunas) da
superfície do substrato, expondo os íons das impurezas aceitadoras (cargas negativas). Assim,
forma-se uma região de depleção de portadores na superfície, com largura Wd, constituída
pelos íons aceitadores, que compensa o campo elétrico aplicado (Figura.5(a)). Na condição de
depleção, ocorre a aproximação do nível de Fermi em direção ao meio da banda proibida do
semicondutor e o encurvamento de bandas, como é esquematizado na Figura.5(b).
Ressalta-se que a largura Wd é proporcional ao potencial de superfície ψs (VG), que
está relacionado com o encurvamento das bandas, ou seja, é função da tensão V G aplicada na
eletrodo superior. Wd é dado por [10]:
W d = [(2.εsi.ψs)/(q.NA,D)]1/2 (2),
onde:
εsi - coeficiente de permissividade elétrica do silício; q - carga do elétron;
NA,D- concentração de dopantes aceitadores ou doadores no silício.
VG > 0
+ + +
SiO2 ↓ ↓
Ep= VG/tox
↓↓
- - - - - Wd ← região/depleção
+ + +
Si-p
-- metal
SiO2 Si-p
(a) (b)
Figura.5(a) Esquematização da região de depleção no capacitor;(b) Diagrama de bandas
do silício, com o encurvamento dos níveis Ec, Ev e Ei.
93
A capacitância relacionada a região de depleção (Csd) é associada em série com a
capacitância do óxido do eletrodo superior, resultando em uma capacitância total da estrutura
do capacitor MOS:
onde:
εsi - constante dielétrica do silício.
VG >>>0
++++++++++
SiO2 ↓ ↓ ↓
Ep= VG/tox
↓↓↓
--------------------- ← camada/inversão
- - - - - Wd ← região/depleção
Si-p
-- SiO2 metal
Si-p
(a) (b)
Figura.6(a) Esquematização da região de inversão forte no capacitor; (b) Diagrama
de bandas de energia com os encurvamentos dos níveis de energia Ec, Ev e Ei.
94
Para medidas C-V em alta freqüência (> 1 kHz), em condições de acumulação e
depleção, há portadores majoritários em concentração suficiente para responder à um sinal ac
deste tipo. Mas, na inversão, a capacitância é determinada pelo tempo de resposta dos
portadores minoritários. Para um sinal de polarização em alta freqüência, há um atraso dos
portadores minoritários em relação a este sinal ac, ou seja, estes portadores não são gerados
em taxa alta suficiente para compensar o sinal aplicado na eletrodo superior. Ocorre a
modulação da camada de depleção de largura máxima e constante. Na condição de inversão
forte, portanto, a capacitância total da estrutura MOS torna-se mínima:
onde:
Cmin- capacitância total mínima para condição de inversão; utilizando-se sinal de
polarização de alta freqüência;
Wdmax- largura máxima da camada de depleção;
Cox- capacitância no óxido;
εsi- constante dielétrica do silício.
V G = V ox + φMS + ψs (6),
V G = ψs , pois V ox = 0 e φMS = 0.
Para V G = Vfb (condição de banda plana); ψs = 0, portanto, V fb = 0
Vox = Q o .A/Cox ,
onde:
Cox é dado pela Eq.1;
A - área do dispositivo;
Qo- carga efetiva no óxido.
Desta maneira, verifica-se um deslocamento no eixo da tensão (de Vfb=0 para Vfb=VG)
da curva C-V experimental (real) em relação a teórica (ideal) (Figura 9). A técnica C-V
permite determinar importantes propriedades elétricas das estruturas MOS, através de
comparação das curvas experimentais e teóricas [9]. Diferentes procedimentos de medidas e
métodos (recursivo, gráficos e de deslocamentos de curvas C-V) são utilizados para
95
determinar estas propriedades, como: capacitância de banda plana (Cfb), tensão de banda-
plana (Vfb), largura da camada de depleção (Wd), espessura do óxido (t ox), concentração efetiva
de dopantes eletricamente ativos (NA,D, A-para dopantes aceitadores de elétrons e D-para
dopantes doadores de elétrons), densidade de carga efetiva no óxido (Q o), densidade de cargas
capturadas na interface (Qit), densidade de cargas móveis (Qm), densidade de cargas fixas (Qf)
e densidade de cargas capturadas (Q ot) no óxido [10].
As cargas móveis Qm são associadas a contaminação do óxido de silício por íons dos
metais alcalinos Na+, K+ e Li+ e íons H+ e H3O+. Estes íons são móveis no óxido sob efeito de
campo elétrico à temperaturas T ≥ temperatura ambiente. Alteram o potencial de superfície ψs
e provocam instabilidade das características elétricas dos dispositivos MOS.
As cargas móveis Qm, principalmente os íons de sódio Na+, podem incorporar-se ao
óxido de silício nos processos de evaporação, oxidação térmica, recozimento térmico,
aplicação de fotorresiste e em qualquer etapa da fabricação, em que se utiliza o manuseio das
lâminas. A contaminação do óxido por cargas móveis pode ser reduzida para níveis aceitáveis
da ordem de 1010 cm-2 , através da utilização de [10-14]:
* tubos e borbulhadores de quartzo com alta pureza;
96
* oxidação seca ou em ambiente clorado, com recozimento pós-oxidação para obtenção de
óxido de eletrodo superior;
* oxidação pirogênica ao invés da úmida (em ambiente com H2O) para obtenção de óxido de
campo;
* limpeza do tubo de quartzo do forno de processamento térmico em ambiente clorado em altas
temperaturas, antes da oxidação;
* óxido de silício dopado com fósforo (passivação com fosforosilicato);
* reagentes, nas etapas químicas, com baixos níveis de Na +;
* água D.I. 18 MΩ para último banho de cada etapa química;
* evaporação com alumínio de alta pureza;
* filamentos para evaporação livres de Na +;
* evaporação por canhão de elétrons ou por “sputtering” ao invés de evaporação térmica;
* luvas, máscaras e roupas adequadas para manuseio geral das lâminas;
* processo automático de transporte das lâminas.
97
temperatura de oxidação, as condições de resfriamento dos substratos de silício após a
oxidação e a pressão de O2 no ambiente de oxidação [10-14].
As cargas capturadas no óxido Qot localizam-se por todo o volume do filme de SiO2 e
são lacunas ou elétrons em armadilhas (“traps”) no corpo do óxido. Estas armadilhas são
impurezas e ligações atômicas quebradas (provocadas por tensões e defeitos no óxido).
Normalmente são neutras, mas tornam-se carregadas quando elétrons ou lacunas são
introduzidos no óxido por: tunelamento de portadores do substrato de silício ou da eletrodo
superior (pode ocorrer para dispositivos MOS com óxidos de eletrodo superior ultra-finos);
injeção de portadores por avalanche (pode ocorrer quando há grande diferença de potencial
entre as várias regiões de um dispositivo em operação, provocando a aceleração de portadores
por avalanche para dentro do óxido); e exposição a radiação ionizante (com energia > 8.8
eV(energia da banda proibida (“gap”) do SiO2 )) [10-14]. Além disso, as cargas capturadas no
óxido Qot não variam com a polarização de eletrodo superior, como ocorre com as cargas
capturadas na interface.
Recozimentos em ambiente com hidrogênio em aproximadamente 4500C são eficazes na
minimização das cargas Qot.
As Figuras 8 (a), (b), (c) e (d) apresentam as variações básicas da característica C-V de
um capacitor, medida em alta freqüência e provocadas pela presença das cargas Qm, Qf, Qit e
Qot, respectivamente. Os deslocamentos no eixo da tensão das curvas C-V são as variações
produzidas pela presença de Qm, Qf e Qot no óxido. Como estas variações são similares,
necessita-se de uma identificação completa da origem de cada carga [14]:
98
• A presença da carga fixa Qf no óxido, que é geralmente positiva, provoca um
deslocamento negativo no eixo da tensão e não exibe histerese (deslocamento para sinais de
rampa crescentes e decrescentes) na curva C-V (Figura 8 (a)).
• A presença da carga móvel Qm, que é geralmente devida à íons positivos que
respondem a aplicação de campos locais no óxido mesmo em temperatura ambiente, provoca
histerese na curva C-V devido `a sua movimentação desses íons no óxido, causada pela tensão
em rampa aplicada durante a medida (Figura 8 (b)).
• A presença da carga capturada Qot no óxido provoca principalmente um deslocamento
positivo (causado por elétrons capturados) ou negativo (causado por lacunas capturadas) no
eixo da tensão, resultante em perturbações como a passagem de uma corrente eletrônica no
óxido ou a geração de pares de elétrons-lacunas móveis dentro do óxido (Figura 8(d)). As
cargas Qot no óxido também podem provocar histerese na curva C-V.
A carga capturada na interface Qit provoca uma distorção na curva C-V de alta
freqüência (Figura 8(c)). Ela está associada à densidade Dit(E) de estados quânticos de energia
introduzidos por defeitos na banda proibida do silício (onde as cargas podem ser capturadas), o
que causa uma maior comunicação elétrica entre as bandas de valência e condução do silício,
resultando em um deslocamento ∆Vfb da tensão de banda-plana na medida [14].
Figura 9- Deslocamento no eixo da tensão (de V fb=0 para Vfb=VG) da curva C-V
experimental (real) em relação a teórica (ideal) [12].
99
4.1- PROCEDIMENTO - DETERMINAÇÃO DE Q o/q.
onde:
Cox - capacitância no óxido = C max - capacitância máxima para condição de
acumulação;
εo - permitividade no vácuo - εo = 8.854x10-14 F/cm;
εox - permitividade do óxido;
tox - espessura do óxido;
A - área do eletrodo superior do capacitor MOS.
100
• Da expressão 5, obtém-se a largura da camada de depleção Wd:
onde:
Cmin- capacitância total mínima para condição de inversão; utilizando-se sinal de
polarização de alta freqüência;
Cox- capacitância no óxido; εo - permitividade no vácuo;
εsi- constante dielétrica do silício - εsi = 11.9.
onde:
εsi - coeficiente de permissividade elétrica do silício;
q - carga do elétron - q = 1.602x10 -19 C;
Wd - largura da camada de depleção;
onde:
(kT/q) - energia térmica (300 K) = 0.0258 V;
NA,D - concentração de dopantes aceitadores ou doadores no silício;
ni - concentração de portadores intrínseco no silício - ni = 1.45x1010/cm3.
onde:
εsi - coeficiente de permissividade elétrica do silício;
q - carga do elétron - q = 1.602x10 -19 C;
Wd - largura da camada de depleção;
(kT/q) - energia térmica (300 K) = 0.0258 V;
NA,D* - concentração de dopantes obtida recursivamente;
ni - concentração de portadores intrínseco no silício - ni = 1.45x1010/cm3.
101
Cfb = (εo.εox.A)/{tox + (εox/εsi).[(kT/q). εsi/(q.NA,D)]1/2} (12)
onde:
εsi - coeficiente de permissividade elétrica do silício;
tox - espessura do óxido; εox - permitividade do óxido;
A - área do eletrodo superior do capacitor MOS
q - carga do elétron - q = 1.602x10 -19 C;
(kT/q) - energia térmica (300 K) = 0.0258 V;
NA,D* - concentração de dopantes obtida recursivamente;
ni - concentração de portadores intrínseco no silício - ni = 1.45x1010/cm3.
onde:
Vfb - tensão de banda-plana;
Cox - capacitância no óxido = C max - capacitância máxima para condição de
acumulação;
q - carga do elétron - q = 1.602x10 -19 C;
A - área do eletrodo superior do capacitor MOS;
onde:
Vbr - tensão correspondente à ruptura dielétrica (unidade expressa em [MV]);
t ox - espessura do óxido (unidade expressa em [cm]).
102
cristalina, retirando-os de suas órbitas e gerando elétrons e lacunas livres, que contribuem para
o aumento da corrente e de defeitos (“traps”) no corpo do óxido. Os pares elétron-lacuna
gerados podem então criar elétrons e lacunas livres adicionais ao longo de suas trajetórias
dentro da rede cristalina. Este processo causa uma multiplicação de portadores livres por
avalanche na estrutura dielétrica.
• O processo de avalanche provoca o surgimento de uma grande quantidade de
defeitos (“traps”) na estrutura dielétrica. Além disso, o óxido torna-se aquecido pela interação
dos pares elétron-lacuna gerados. Em algumas posições da rede cristalina, o material aquecido
pela alta densidade de energia cinética local alcança a sua temperatura de fusão. Neste locais,
onde o material se funde, forma-se um micro plasma, que rompe totalmente a estrutura do
dielétrico.
• As lacunas ou elétrons gerados podem também ocupar algumas armadilhas (“traps”),
que são impurezas e ligações atômicas quebradas (provocadas por tensões e defeitos) já
anteriormente presentes no corpo do óxido. Estas armadilhas, normalmente neutras, quando se
tornam carregadas pela introdução de elétrons ou lacunas, são denominadas de cargas
capturadas no óxido Qot e localizam-se por todo o volume do filme de SiO2 (item 2.1.4). A
presença destas cargas no óxido também contribui para o aumento da corrente no corpo do
dielétrico. Com isso, a ruptura do óxido pode ocorrer pela aplicação de campos menos intensos
(< 6 MV/cm).
(a)
(b)
103
Da característica I-V (Figura 11) se obtém o valor correspondente de tensão aplicada
ao capacitor MOS que permite o aumento da corrente elétrica. Este valor de tensão dividido
pela espessura do isolante (expressão 15) resulta no valor do campo de ruptura dielétrica.
6- REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS.
[1]- J.E. Lilienfeld, U.S. Patent, 475175 (1926), 1877140 (1928) e 190018 (1928).
[2]- O. Heil, British Patent, 439457 (1935).
[3]- W. Shockley and G.L. Pearson, Phys. Review, 74, 547 (1945).
[4]- G.J. Frosch and L. Derrick, J. Electrochem. Soc., 104, 547 (1957).
[5]- J.A. Hoerni, “Planar Silicon Transistors and Diodes”, IRE Electron Devices Meeting -
Washington D.C. (1960).
[6] D. Khang and M.M. Atalla, “Silicon-Silicon Dioxide Field-Induced Surface Devices”, IRE-
AIEE Solid-State Device Research Conference, Carnegie Institute of Technology, Pittsburgh,
Pa. (1960).
[7]- S.R. Hofstein and F.P. Heiman, Proc. IEEE,51, 1190 (1963).
[8]- E.H. Snow, J. Appl. Phys., 36(5), 1664 (1965).
[9]- J.A. Diniz, Tese de Mestrado-FEEC/UNICAMP (1992).
[10]- D.F. Takeuti, Tese de Mestrado-FEEC/UNICAMP (1992).
[11]- F. Damiani, Tese de Doutorado-FEEC/UNICAMP (1982).
[12]- N.G. Fontela, Tese de Mestrado- LME/USP (1978).
[13]- E.H. Nicollian and J.R. Brews, “MOS (Metal Oxide Semiconductor) Technology”, John
Wiley & Sons, New York (1982).
[14]- F.J.Feigl, “VLSI Electronics - Microelectronic Science”, Ed. N.G. Einspruch e G.B.
Larrabee, Academic Press, 6, 147 (1983).
[15]- N.P. Bogoroditsky, V.V. Pasynkov and B.M. Tareev, “Electrical Engineering Materials”,
MIR Publishers Moscow, 79 (1979).
104
O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor MOSFET
Jacobus W Swart
φ S = 2.φ F (1)
kT N A
onde: φ F = ln (2)
q ni
1
VT = VFB + 2.φ F + . 2.q.ε Si .N A .2.φ F (3)
CO
onde:
QO
VFB = − + Φ MS (4)
CO
QO = carga efetiva de interface SiO 2-Si, por unidade de área.
ΦMS = diferença de função trabalho entre o metal e o semicondutor.
ε
C O = ox = capacitância de placas paralelas do dielétrico de porta
t ox
por unidade de área.
1
Neste capítulo apresentaremos os princípios físicos do transistor MOS e os
modelos básicos de operação.
2
1. MOS de três terminais ou diodo controlado por porta
A Fig. 3 ilustra a estrutura de um MOS de 3 terminais ou diodo controlado por
porta. Esta estrutura não tem aplicação prática como dispositivo, mas é de extrema
relevância para o entendimento do funcionamento do transistor MOS, ou MOS de 4
terminais. O MOS de 3 terminais corresponde a um meio transistor, omitindo-se o seu
dreno.
a)
3
b)
c)
Fig. 4 Diagramas de bandas de diodo pn, a) em equilíbrio, b) com polarização
direta e c) com polarização reversa.
4
No caso do diodo com polarização nula em relação ao substrato, a estrutura
permanece em equilíbrio. Desta forma, o comportamento do capacitor MOS não sofrerá
alteração em relação ao caso sem diodo, ou seja, valem os mesmos diagramas de
bandas, de densidade de cargas, de campo elétrico e de potencial elétrico do caso do
capacitor MOS convencional. Ocorrerá apenas uma única alteração, com relação ao
comportamento da curva C-V de alta freqüência da porta em relação ao substrato. Esta
curva será o mesmo ao da curva C-V de baixa freqüência do capacitor. A explicação
deste resultado é fácil de obter ao re-lembrar o motivo da diferença do comportamento
das curvas C-V de baixa e alta freqüência do capacitor MOS convencional. No caso do
MOS de 3 terminais, assim como no caso do capacitor MOS em baixa freqüência, a
capacitância volta ao valor de C MAX para VG na região de inversão forte. O motivo disto
é atribuído à habilidade dos portadores do canal responderem à variação de V G, curto-
circuitando assim a capacitância da região de depleção abaixo da porta. No caso do
capacitor MOS medido em baixa freqüência, esta resposta dá-se pela geração e
recombinação de portadores (tempo de vida bem menor que o tempo de variação da
tensão), enquanto que no caso do MOS de 3 terminais, a resposta dos portadores de
canal dá-se pelo suprimento ou drenagem de portadores pelo diodo justaposta ao canal
(no capacitor MOS convencional não existe esta fonte).
A grande diferença, no entanto, entre o MOS de 2 terminais e o MOS de 3
terminais ocorre com a polarização reversa do diodo, como ilustra o diagrama de
bandas da Fig. 5b. Mesmo com VG com valor na região de inversão do MOS de 2
terminais, pode não ocorrer inversão no MOS de 3 terminais. Isto se deve ao fato do
diodo drenar todos os portadores do canal enquanto o seu potencial de superfície for
inferior ao potencial do diodo, VD+Vbi. Apenas quando o potencial de superfície do
canal tornar-se de valor semelhante ao do diodo poderemos manter uma camada de
inversão na superfície do semicondutor.
Enquanto o diodo polarizado impedir a inversão da superfície (V G<VTB, onde V TB é
o novo valor de tensão de limiar, dependente de VD), as relações de densidade de
portadores (Boltzamann com quase-Fermi) e a equação de Gauss devem ser
respeitadas. A ausência da carga de inversão deve ser compensada por um
incremento da carga de depleção para neutralizar a carga na porta, que aumenta com
a tensão VG. Esta carga de depleção está relacionada com o potencial de superfície,
pela relação normal de uma camada de depleção obtida pela aproximação de
depleção:
QD = − 2q.ε Si .N A .φ S (5)
1
VTB = VFB + VD + 2.φ F +
. 2.q.ε Si .N A .(VD + 2.φ F ) (6)
CO
Em muitos casos, desejamos o valor VG de limiar não em relação ao substrato,
mas sim em relação à tensão do diodo (normalmente a fonte do transistor MOS). Neste
caso devemos apenas aplicar a relação de mudança de referencial:
5
1
VTD = VFB + 2.φ F + . 2.q.ε Si . N A .(VD + 2.φ F ) (7)
CO
1
VT = VFB + 2.φ F + . 2.q.ε Si .N A .(2.φ F + VSB ) (8)
CO
Fig. 6 Curvas C-V de dispositivo MOS de 3 terminais, com tensão do diodo como
parâmetro.
2. Regiões de operação
Dependendo da polarização dos 4 terminais do transistor, definem-se
basicamente 3 regiões de operação do mesmo: corte, linear e saturação. A Fig. 7
mostra uma série de curvas características de um transistor nMOS. O transistor nMOS
funciona com tensões de porta e dreno positivas em relação à fonte, passando corrente
positiva do dreno para a fonte. O transistor pMOS por outro lado, funciona com tensões
de porta e de dreno negativas em relação à fonte, passando corrente negativa do dreno
para a fonte. Apresentaremos nossa análise, considerando transistores tipo nMOS.
6
Fig. 7 Curvas características de transistor nMOS, com indicação das regiões de
operação: corte, linear e saturação.
7
• Temos o canal formado em toda a superfície, desde a fonte até o dreno (região
linear ou triodo).
A Fig. 8 mostra um desenho esquemático do transistor nMOS polarizado em
região linear, onde temos um canal formado (inversão forte) desde a fonte até o dreno.
A fonte é considerada aterrada, ou seja, o terminal de referência para as tensões de
porta, dreno e substrato. Mostraremos que a densidade carga de inversão não é
constante ao longo do canal, mas ao contrário, reduz-se da fonte até o dreno (VDS>0).
φ S ( y ) = 2.φ F + V ( y ) (10)
onde V(y) é tensão reversa aplicada entre o canal e o substrato, variando desde
VSB (tensão entre fonte e substrato) em y=0, a V DB (tensão entre dreno e substrato) em
y=L.
VOX é a queda de tensão sobre óxido e pode ser expressa por (pela lei de Gauss):
QS Q + QD
VOX ( y ) = − =− I (11)
CO CO
8
Na condição de canal formado temos que:
QI ( y ) = −C O [VGB − VT − V ( y )] (17)
dV ( y ) = I D .dR( y ) (18)
O corrente ID é a corrente que passa pelo canal e deve ser o mesmo valor para
qualquer ponto y (continuidade de corrente). A resistência incremental do canal é dada
por:
1
dR( y ) = xi dy (19)
1
W ∫ dx
0
ρ
1
ρ= (20)
qµ n .n
9
i x
1 W W
= µ n ∫ qn( x )dx = µ n QI (21)
dR( y ) dy 0 dy
dy
dV ( y ) = I D (22)
Wµ n QI
I D dy = Wµ n QI dV ( y ) (23)
L V DS
I D ∫ dy = Wµ n ∫Q I dV ( y ) (24)
0 0
DS V
W
I D = µ n C O ∫ [(VGS − VT ) − VYS ( y )]dV ( y ) (26)
L 0
W V
ID = µ n C O [(VGS − VT ) − DS ]VDS (27)
L 2
A relação (17) mostra que a carga de canal, Q I, reduz-se da fonte ao dreno, tendo
em vista que V(y) aumenta em direção ao dreno. No entanto, não necessitamos
determinar a função V(y) para a obtenção da corrente ID. Mesmo assim, poderemos
obtê-lo por cálculo numérico. A Fig. 10 mostra a variação qualitativa de V(y) da fonte
até o dreno (considerou-se VSB=0 neste caso). Observa-se que V(y) não varia
linearmente, mas sim com uma variação mais forte. Fisicamente isto se deve à
continuidade da corrente ID ao longo do canal. Se QI(y) diminui, o campo elétrico de
arraste dos portadores deve aumentar para manter a corrente constante. Como o
campo elétrico no canal é dado pela derivada de V(y) em relação a y, esta derivada
deve ser uma função crescente, justificando assim este aumento mais forte que linear
de V(y).
12
No entanto, na região física do transistor, com y>y’, a corrente de deriva longitudinal
torna-se totalmente desprezível frente às correntes de difusão e deriva transversal.
A solução para este problema complexo é calcular a corrente, considerando
apenas a região do canal com forte inversão, ou seja, a região com y<y’. Lembramos
que no ponto y’ sempre teremos V(y’)=VDBsat, independente do valor ou posição y’.
Assim podemos calcular a corrente usando o modelo linear, tomando o cuidado de
substituir VDS por VDssat, mesmo para VDS>VDSsat. É isto que fizemos na obtenção da
relação (29).
Para VDS=VDssat, o ponto y’ ocorre em y=L. Para VDS>VDssat, no entanto, o ponto y’
distancia-se cada vez mais de y=L, aumentando o valor de ∆L, definido na Fig.12.
Desta maneira, para continuar calculando corretamente a corrente ID, devemos
substituir o valor de L por (L-∆L) na expressão (29). Isto faz com que a corrente de
saturação aumente levemente com o valor de VDS, para VDS>VDssat.
Uma boa analogia do comportamento aproximadamente constante da corrente de
saturação é o caso do fluxo de água de um rio com uma queda d’água. O fluxo é
determinado pelo suprimento de água do rio e independente da altura da cascata. A
cascata pode ser comparada ao trecho de constrição, ∆L, do transistor, sendo altura da
cascata correspondente à tensão (VDS-VDssat) que cai sobre o trecho ∆L.
2 2qε Si N A
ID =
W V
µ n C O (VGS − VFB − 2φ F − DS )VDS − (V + 2φ + V ) 3 2 − (2φ + V ) 3 2
L 2 3 CO DS F SB F SB
(30)
A tensão de dreno de início da saturação pode ser obtida pela equação (14),
como a condição de constrição do canal (QI=0). A solução de V(y) desta operação nos
fornece o valor da tensão dreno de saturação.
qε Si N A 2C 2 (V − VFB )
VDSsat = (VGS − VFB − 2φ F ) + 1 − 1 + O GS (31)
C O2 qε Si N A
13
efeito da variação da carga de depleção ao longo do canal no desenvolvimento do
modelo, como feito neste item.
14
Fig. 14 a) Curva da raiz quadrada de ID e b) log(ID) versus VG em torno e abaixo
de VT.
onde:
2qε S N A kT
2
I =µ
'
2 2φ F + VSB q
M
γ
n = 1+
2 2φ F + VSB
kT ε t
S≅ ln 1 + Si ox (34)
q ε ox x d max
µ0
µ= (35)
1 + Θ(VGS − VT ) + Θ BVSB
1
γ = . 2.q.ε Si .N A (37)
CO
O parâmetro γ pode ser obtido pela medida de VT para vários valores de VSB,
seguido da análise da curva de V T versus raiz quadrada de (2φF+VSB).
W
I Dsat = µ n C O (VGS − VT ) 2 (1 + λVDS )
2L
17
Fig. 16 Ilustração (exagerada) do efeito de modulação de comprimento efetivo de
canal e a determinação do parâmetro λ.
18
4.5 Isolação entre MOSFETs em Circuitos Integrados
5. Tipos de MOSFETs
No desenvolvimento deste capítulo consideramos sempre transistores tipo nMOS
e sempre consideramos seu VT como sendo um valor positivo. Este transistor é
chamado de transistor nMOS de enriquecimento. Existe, no entanto, o transistor
complementar ao primeiro, o chamado transistor pMOS de enriquecimento. A
modelagem deste transistor é similar, bastando a troca de nomes de alguns parâmetros
e alguns sinais nas fórmulas. O transistor pMOS de enriquecimento apresenta um VT
negativo. Por definição, transistor de enriquecimento é um transistor normalmente
cortado, ou seja, se a tensão de porta for nula, a corrente será nula. Esta definição se
aplica tanto ao nMOS como ao pMOS.
Tanto o nMOS como o pMOS têm também o transistor do tipo depleção, que
significa um transistor normalmente conduzindo, ou seja, mesmo com a tensão de
porta nula, pode passar corrente pelo transistor. Assim, o nMOS de depleção apresenta
VT negativo enquanto o pMOS de depleção apresenta VT positivo.
Similar ao explicado sobre o controle de VT das regiões de campo, no item 4.5,
podemos controlar o VT alterando, por exemplo, a dopagem na região do canal. Para
tornar o transistor do tipo depleção podemos por exemplo reduzir a dopagem, ou ainda
mais drasticamente, formar um canal por uma junção metalúrgica na superfície, por
uma dopagem do tipo oposto ao do substrato.
A Fig. 19 ilustra os 4 tipos de transistores, incluindo um esquemático de sua
estrutura, suas curvas características e seu símbolo. Existem, no entanto, diferentes
símbolos empregados para transistores MOS, como podemos ver, para o caso do
transistor nMOS e pMOS tipo enriquecimento, na Fig. 20.
20
Fig. 19 Estrutura, curvas características e símbolo dos 4 tipos de MOSFETs: a)
nMOS de enriquecimento, b) nMOS de depleção, c) pMOS de enriquecimento, d)
pMOS de depleção.
21
6. Referências:
1 – H. Craig Casey, Jr, “Devices for Integrated Circuits”, John Wiley & Sons, 1999.
2 –Kanaan Kano, “Semiconductor Devices”, Prentice Hall, 1998.
3- Paolo Antognetti & Giuseppe Massobrio, “Semiconductor Device Modeling with
Spice”,
4- R. Jacob Baker, Harry W. Li, David Boyce, “CMOS - circuit design, layout and
simulation”,
5 - Yuhua Cheng, Chenming Hu, “Mosfet Modeling & Bsim user’s guide”,
6- Yannis Tsividis, “Operation and Modeling of the Mos Transistor”, 2nd edition,
WCB/McGrow Hill, 1999.
7- Orcad’s manual
8- IEEE - Transactions on Electron Devices n9 - September 1983 (1219-1228)
9. http://sc.tamu.edu/help/hspice/html_doc/manual/hspice-128.html
22
Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS
Jacobus W. Swart e Marcelo A. Pavanello
CCS e FEEC - UNICAMP
1. Introdução
Desde o advento dos circuitos integrados (CI’s), no início da década de 60, uma contínua
redução das dimensões tem sido observada. De modo geral, observa-se uma redução pela metade a
cada seis anos. Simultaneamente, uma duplicação do tamanho das pastilhas (área do chip) ocorre a
cada oito anos. Em adição a estes dois fatos, melhoramentos em leiautes e novas estruturas físicas
resultaram em uma evolução quanto à eficiência de empacotamento[1,2].
A combinação destas três evoluções, mencionadas acima, resultou em um incremento muito
intenso do número de componentes por pastilha. Este incremento corresponde a aproximadamente 2
vezes/ano até o ano 1972/1973 e 4 vezes/3 anos a partir desta data. A figura 1 ilustra a grande evolução
tecnológica evidenciada na fabricação de CI’s.
Figura 1 – Evolução do número de dispositivos por pastilha com o passar dos anos.
Esta rápida evolução na tecnologia dos CI’s foi, e continua sendo, motivada por fatores
econômicos e de desempenho elétrico. Como principais fatores temos:
i) Considerando, inicialmente, uma mesma função, temos devido apenas à redução das dimensões:
a) Maior densidade, e portanto, maior número de pastilhas por lâminas. Como numa área de
pastilha menor devemos ter um número menor de defeitos, o rendimento de fabricação
deverá ser maior;
b) O circuito deverá ser mais veloz;
c) O circuito consumirá menor potência.
ii) Por outro lado, considerando pastilhas com maior número de componentes, um mesmo sistema
eletrônico pode ser fabricado com menor número de pastilhas. Isto resulta em um menor custo de
montagem do sistema, menor volume e também maior confiabilidade, devido à redução no número de
conexões entre as diversas pastilhas [3].
As evoluções mencionadas foram possíveis, e têm sido acompanhadas, pelo surgimento de
teorias de escalamento e por pesquisas dos fenômenos limitantes em dispositivos de menores
dimensões. A seguir apresentamos algumas das teorias de escalamento reportadas, analisamos várias
1
limitações em transistores de pequenas dimensões e discutimos os limites de escalamento dos
dispositivos MOS.
2. Leis de Escalamento
As leis de escalamento podem ser utilizadas como guia para o projeto de novas gerações
tecnológicas, a partir de uma geração testada e em uso. Adicionalmente, estas leis permitem prever o
desempenho destas novas gerações e fazer uma análise dos limites do escalamento. Apresentamos em
seguida algumas das leis de escalamento reportadas.
Esta lei foi proposta em 1974 por Dennard et al. [4]. Segundo esta lei, reduz-se todas as
dimensões e polarizações com um fator de escala k e aumenta-se as concentrações de dopantes com o
mesmo fator ke, conforme mostrado na Tabela 1:
O fato do campo elétrico não ser alterado pelo escalamento evita variações em efeitos que
dependam do campo elétrico. Desta forma, os dispositivos devem conservar características elétricas
similares.
Uma análise do impacto do escalamento no desempenho dos dispositivos pode ser feita a partir
de modelos básicos para a corrente elétrica que flui entre fonte e dreno (IDS), substituindo-se nestas
equações básicas as constantes definidas na Tabela 1:
a) em triodo:
µε ox W ' V
'
I
I DS
'
= VGS ' − VT − DS VDS ' ≅ DS (1)
t ox L' 2 ke
b) em saturação:
I DS =
' µε ox W '
2t ox L'
(
VGS − VT
'
)
2
≅
I DS
ke
(2)
ke ke ke
Por outro lado, a potência por unidade de área não sofre escalamento:
P
P' ke P
'
= = (5)
A A A
ke
2
Como as dimensões verticais são escaladas com o mesmo fator de escala que as dimensões
horizontais, as capacitâncias são escaladas também por um fator 1/ke:
A 2
A' C
C = ε ' = ε k = (6)
'
d d k
k
A velocidade de chaveamento torna-se maior com o escalamento, como indica a expressão
aproximada para o tempo de atraso (t a), o qual também é escalado com 1/k e:
C V
C'V ' k k = t a (7)
= ' =
'
ta
I I k
k
3
A figura de mérito, produto potência versus tempo de atraso, sofre um escalamento (1/k e) , como
mostra a equação (8):
P t a P.t a
P ' .t a = . = 3 (8)
'
k2 k k
Assim, o desempenho elétrico do dispositivo escalado é melhorado, enquanto que a potência por
unidade de área permanece inalterada, evitando problemas com a temperatura. A figura 2 ilustra
esquematicamente o princípio de escalamento, neste caso promovendo uma redução ke=2, observando-
se que as curvas características permanecem idênticas e escaladas:
1) A mobilidade (µ) foi considerada constante com o escalamento. Sabe-se, no entanto, que o
incremento do nível de dopagem do substrato requerido pelo escalamento causa uma redução na
mobilidade [5] e, por conseqüência, na corrente I DS;
3
2) As larguras das regiões de depleção (wD) não são escaladas como previsto para as demais
dimensões. Esta discordância deve-se à não escalabilidade do potencial de barreira das junções (V Bi) , o
qual na verdade eleva-se com o aumento da dopagem:
kT N A N D
(9)
VBi = ln
q n i 2
A equação (10) indica o escalamento de wD, o qual ocorre idealmente apenas se V >>
VBi:
2ε Si V w
wD =
'
VBi + ≅ D (10)
qk e N ke ke
Pode-se, no entanto, contornar o problema aumentando N por um fator maior que ke, ou ainda,
reduzindo-se a temperatura de operação para, por exemplo, a temperatura de nitrogênio líquido (77K),
com o intuito de reduzir VBi. Entretanto, esta última solução é muito radical, pois incrementa
significativamente a complexidade de montagem dos equipamentos.
3) A diferença de função trabalho entre metal de porta e semicondutor (φms) e o potencial de Fermi (φF)
não são escalados, resultando em um escalamento não ideal para a tensão de limiar (V T):
t ox
ke V
VT = φ ms + 2φ F +
'
− Q ox + 2ε Si qk e N 2φ F − BS (11)
ε ox ke
Este problema pode também ser contornado escalando-se N e/ou tox com um fator diferente de
ke.
4) A corrente na região de sublimiar não pode ser escalada. Desta forma, o inverso da inclinação da
curva de corrente, comumente chamado de inclinação de sublimiar (S), também não é escalado, como
indicado na equação (12). Assim, a redução de VT implicaria numa elevação da corrente de corte (Io)
indesejável. A figura 3 mostra esquematicamente a região de obtenção da inclinação de sublimiar. Nesta
figura, a curva tracejada indica a elevação de Io provocada pelo escalamento de VT. Como o valor de Io
determina a freqüência mínima para a restauração de informações (refresh time) em CI’s dinâmicos e a
potência DC em CI’s estáticos, elevações neste valor são evitadas. Desta forma, escalar VT como
proposto inicialmente, representa uma séria dificuldade. A solução seria evitá-la enquanto possível, ou
assumir compromissos. Uma possível solução para o problema é também a redução da temperatura.
∆VGS C + C it
ln (10 )1 + D
kT
S= = (12)
∆ log(I DS ) q C ox
4
log(IDS)
tgθ=1/S
Io
VT’ VT VGS
Figura 3 – Comportamento da corrente de sublimiar de um transistor MOS.
Estas duas leis foram apresentadas por Chatteryee et al. em 1980 [6]. Nestas leis, as dimensões
horizontais e as dopagens são escaladas de forma idêntica à lei de escalamento com campo elétrico
constante (EC). Na lei por tensão constante (VC), as polarizações não são escaladas e na lei por tensão
quase constante (VQC), as polarizações são escaladas por 1 , ou seja, por um fator intermediário
ke
entre os casos EC e VC. Com o intuito de não degradar a confiabilidade dos dispositivos por ruptura do
óxido de porta, optou-se por escalar a espessura desta por um fator menor no caso VC, de modo que
este campo elétrico seja o mesmo nas leis VC e VQC. Na tabela 2 apresentam-se os fatores de
escalamento de acordo com o proposto por estas duas leis.
Tabela 2 – Leis de escalamento por tensão constante e por tensão quase constante
Parâmetro Fator de Escala
Tensão constante Tensão quase constante
Dimensões W, L, x j 1 1
ke ke
tox 1 1
ke ke
Concentração de dopantes,N ke ke
Polarização 1 1
ke
Os parâmetros de desempenho dos dispositivos, escalados segundo estas duas leis, estão
comparados ao dos dispositivos escalados segundo a lei por campo elétrico constante na Tabela 3.
5
Tabela 3 – Comparação do desempenho dos dispositivos escalados segundo as leis EC, VC e
VQC.
Parâmetro Lei de Escalamento
EC VC VQC
IDS 1 k 1
e
ke
C 1 1 1
3
ke ke 2 ke
ta (CV/I) 1 1 2 1 3
ke ke ke 2
P 1 ke 1
2
ke ke
P . ta 1 1 1
3 3 2
ke ke 2 ke
P/A 1 5 3
ke 2 ke 2
Nota-se que dispositivos escalados segundo a lei VQC apresentam desempenho intermediário
ao dos casos de escalamento segundo EC e VC. As leis VC e VQC resultam em CI’s mais rápidos que
no caso da lei EC, porém o consumo de potência, e de potência por unidade de área aumentam.
Conseqüentemente, o escalamento por VC e VQC não poderão ser aplicados com fatores muito
elevados.
Este guia foi proposto por Brews et al. em 1980 [7]. Baseados em dados experimentais e de
simulação bidimensional de dispositivos, os autores encontraram uma relação empírica (equação 13)
entre Lmin e as espessuras do óxido de porta (tox), da profundidade de junção (xj) e das larguras de
depleção das junções de fonte e dreno (ws e wd, respectivamente). Lmin é definido como o comprimento
de canal para o qual o efeito de canal curto é menor que 10%, sendo que a ocorrência de efeito de canal
curto é caracterizada pela variação da corrente de sublimiar com 1/L e com V DD.
[
L min = A x j t ox (w s + w d )
2
] 1
3
(13)
onde A é uma constante empírica.
Desta forma, desejando-se um processo adequado para um dado Lmin, os parâmetros xj, tox, N e
VDD são ajustados de forma a satisfazer a equação (13).
Com base nas considerações apresentadas nas leis VC e VQC e na otimização das
características do transistor, Baccarani et al. [8] propuseram uma teoria generalizada para escalamento.
De acordo com esta teoria, todas as dimensões são escaladas por um fator 1/kd e as
polarizações são escaladas por um fator independente 1/kV. A concentração de dopantes por sua vez é
2
aumentada pela relação kd /kv. A tabela 4 resume esta lei de escalamento.
Tabela 4 – Resumo da teoria generalizada para escalamento
Parâmetro Fator de Escala
Dimensões W, L, tox e x j 1
kd
Polarização 1
kv
Concentração de dopantes, N kd
2
kv
6
Nota-se que no caso em que kd=kv esta lei coincide com a lei de campo elétrico constante.
Assim, a lei generalizada engloba a lei EC, mas não as leis VC e VQC.
As distribuições de potencial elétrico, campo elétrico e das concentrações de elétrons e lacunas
resultantes do escalamento apresentam intensidades escaladas, mas mantém-se idênticas. Por
exemplo, o campo elétrico é escalado com k d/kv.
Como conseqüência, os efeitos dependentes das formas de distribuição do campo elétrico e do
potencial elétrico continuam inalterados. Como exemples destes efeitos temos o efeito de canal
curto/DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) e perfuração MOS (Punchthrough).
Pode-se concluir, a partir desta análise, que os dispositivos escalados segundo as leis VC e
VQC apresentam alterações nas distribuições do campo elétrico e do potencial elétrico, com
degradações nos efeitos mencionados.
O desempenho elétrico dos dispositivos escalados segundo esta lei generalizada, apresenta-se
similar ao das leis EC, VC e VQC, dependendo da relação entre kd e kv, como indicado na Tabela 5.
3
kv
ta kd
2
kv
P . ta 1
2
k d .k v
As leis até então apresentadas servem como guia para o projeto de novas gerações de
processos. Na prática, além do uso destas leis, faz-se o uso intensivo de simuladores (uni, bi e
tridimensionais) de processo e de dispositivos. Como exemplos dos simuladores temos SUPREM-IV[9],
que é um simulador bidimensional de processos, MEDICI[10] e PISCES[11], que são simuladores
bidimensionais de dispositivos e DAVINCI[12], que é um simulador tridimensional de dispositivos.
Em geral, as estruturas geradas pelo simulador de processos, o qual possui modelos para as diversas
etapas individuais de processos, são alimentadas aos simuladores de dispositivos, que resolvem
bimensional ou tridimensionalmente as equações da continuidade e de Poisson. Desta forma,
incorporando-se as alterações decorrentes do processo de fabricação, nas características elétricas dos
dispositivos e uma melhor correlação entre os valores experimentais e os resultados das simulações é
obtida.
Por meio destas simulações pode-se otimizar a estrutura do dispositivo, por meio da análise dos
seguintes parâmetros e limitações:
tensão de limiar
efeito de canal curto e DIBL
perfuração MOS (Punchthrough)
corrente de corte (I0)
tempo de atraso
potência
7
corrente de porta e de substrato/confiabilidade
Início
Implantação iônica
para previnir
perfuração MOS
Concentração de
dopantes para ajuste
de VT
Verifica a
ocorrência
de efeito de
Problemas
canal curto
Cálculo de IDS, ta e P
Análise de
VDD para
confiabilidade Problemas
Final
8
3 – Limitações em transistores MOS de pequenas dimensões
A redução das dimensões dos dispositivos faz com que uma série de efeitos secundários
tornem-se mais intensos. Como principais efeitos secundários que influenciam o desempenho de
transistores de pequenas dimensões temos:
efeito de canal curto/DIBL ou ∆VT x L e ∆VT x VDS
perfuração MOS
resistência parasitária de fonte e dreno
Capacitência da camada de inversão
redução da mobilidade
injeção de portadores quentes
rupturas
efeitos de canal estreito.
Com a redução das dimensões, a quantidade de carga espacial da região do canal consumida
pelas regiões de depleção de fonte e dreno torna-se apreciável em relação a quantidade total de cargas
controladas pela porta do transistor. Desta forma, com valores menores de potencial aplicado à porta
ocorre a inversão da superfície da região de canal. Como conseqüência, um redução no valor da tensão
de limiar com comprimentos de canal menores ocorre, como ilustra a figura 5. A velocidade da redução
de VT com 1/L depende de tox, N e xj. Existem alguns modelos apresentados na literatura para a
descrição deste fenômeno, dentre os quais destacamos o de Yau [13], para substrato com concentração
uniforme e Nataraj [14], para substrato com perfil de dopagem típico de tecnologias CMOS.
VT
VT0
VT0 - ∆VT
Lminimo L
Figura 5 – Ilustração da redução de V T com a diminuição de L.
No projeto de um processo deve-se ajustar os parâmetros tox, N(x) e xj de tal forma a obter uma
variação máxima tolerada em VT (∆VT), a partir de uma tensão de limiar inicial V T0. O pior caso inclui VDD
máximo e Lmin, considerando ainda possíveis variações nestes parâmetros.
Figura 6 – Perfil do potencial elétrico (A) e da concentração de portadores (B) no equilíbrio, para
um dispositivo sofrendo de perfuração MOS.
Uma forma de observar a ocorrência ou não de perfuração MOS é analisar a corrente na região
de sublimiar do transistor. Como a corrente de perfuração MOS passa pelo corpo do dispositivo e,
portanto, não sofre influência do potencial de porta, a corrente total na região de sublimiar não mais
apresenta um comportamento exponencial com VGS, como previsto teoricamente para um dispositivo
sem perfuração MOS.
A perfuração MOS pode ser controlada com os seguintes parâmetros do transistor: L, N(x), t ox, xj
e VBS. Estes parâmetros podem ser ajustados até a supressão completa da corrente de perfuração MOS.
Em geral, uma implantação iônica com alta energia é realizada com o intuito de elevar a concentração do
corpo do transistor, de forma a evitar que a região de depleção do dreno caminhe para o interior do
canal.
10
Figura 7 – Perfil do potencial elétrico (A) e da concentração de portadores (B) no equilíbrio, para
um dispositivo sem a ocorrência de perfuração MOS.
Como demonstrado anteriormente, a impedância de saída dos transistores não varia com o
escalamento, no caso da lei por campo elétrico constante. No entanto, com o escalamento seguindo as
demais leis, onde a tensão não é escalada na mesma proporção do escalamento das dimensões, a
impedância de saída diminui com o escalamento. Desta forma, a razão RDS/Ron aumenta, tornando a
resistência parasitária mais relevante. Assim, a resistência parasitária tem uma degradação crescente
sobre o ganho dos transistores (gm) [7, 15, 16, 17], sobre a corrente de dreno e atraso das portas [18]. É
recomendado que a soma das resistências parasitárias de fonte e dreno não excedam a 10% da
resistência intrínseca do canal.
A resistência parasitária de fonte e dreno possui as seguintes componentes, como indicado na
figura 8:
Rco – Resistência de contato entre metal e difusão;
Rd – Resistência da região de difusão;
Rsp – Resistência de espalhamento próximo ao canal;
Rac – Resistência da região de acumulação, entre região de espalhamento e canal.
11
Janela de
Contato
Porta
xj Lc Ld
Extensão de
fonte/dreno
Rco Rac
Rd Rsp
'
Ld
Rd = R0 (14)
W
’
onde R0 é a resistência de folha da difusão e L d é o comprimento da região de difusão.
A resistência de folha era esperada seguir uma dependência de 1/xj com o escalamento. Isto
seria correto se a resistividade da difusão fosse constante com o escalamento. Porém, devido a
dificuldades práticas para se obter junções rasas, sobretudo tipo p+ (canalização durante a implantação
iônica e alto coeficiente de difusão), estas eram obtidas pela redução da dose da implantação iônica e,
portanto, com o aumento da resistividade da difusão. Como conseqüência, a resistência de folha seguia
n
uma relação do tipo 1 com n≅6 para junções rasas do tipo p+ [19].
xj
Atualmente, novas técnicas para a obtenção de junções rasas foram reportadas, baseadas em
recozimento térmico rápido (RTP) e implantação em silício pré-amorfizados. Segundo estudos recentes,
a componente Rd representa a parcela parasitária menos importante, tendo em vista também o uso de
siliceto sobre toda região de fonte dreno mais dopada. Desta forma, a resistência, associada à região
mais dopada de fonte e dreno, fica restrita ou embutida na resistência de contato. No entanto permanece
a componente de resistência série de difusão associada à região de extensão de fonte e dreno, também
chamada de região LDD (Lightly Doped Drain). Esta região normalmente tem nível de dopagem menor e
12
profundidade de junção também menor, resultando esta sim numa resistência crítica (para L ≅ 100 nm)
[20].
Esta componente refere-se à resistência entre o metal e uma secção da difusão localizada na
borda do contato, e normal à corrente elétrica. Esta resistência depende da resistividade de contato (ρc)
entre o metal e o semicondutor e da resistência de difusão, além de parâmetros geométricos. A
resistência Rco é bem representada pela equação [21, 22]:
R 0 ρc R0
R co = coth L c (15)
W ρ
c
ρc
Rco ≈
W .L c
N(x ) = N A e k e x (16)
Observa-se uma redução de Rsp e Rac com a redução de L, decorrente do incremento do campo
elétrico entre porta e as regiões de fonte e dreno, o que aumenta a carga na região de acumulação
dentro da difusão de fonte e dreno. Mesmo assim ela torna-se um valor crítico para tecnologias com L ≅
70 nm [20].
Q c = C ox (VGS − VT ) (17)
ε ox
onde C ox = (capacitor de placas paralelas).
t ox
Como a camada de inversão (canal) tem uma certa espessura, de 1 a 3 nm tipicamente [20], a
estrutura MOS não pode ser tratada como um capacitor de placas paralelas, quando a espessura do
isolante de porta for da mesma ordem de grandeza. Adicionalmente, o material de porta de Si-poli,
mesmo altamente dopada, apresenta uma camada de depleção de superfície.
Neste caso, a porta MOS apresenta uma capacitância efetiva por unidade de área composta por:
13
1 1 1 1
= + + (18)
C ef C ox C c C poli
ε Si ε Si
onde C c = , tc é a espessura média do canal, C poli = , tdepl é a espessura da camada de
tc t depl
depleção na porta de Si-poli.
Corrente de tunelamento ocorre quando uma barreira de potencial torna-se muito estreita, como
ilustra a expressão:
2.m ∗ .q.φ B
J tun = A. exp(−2 2
.t ox ) (19)
onde , A é uma constante de proporcionalidade, m é a massa efetiva do portador, φB é a altura da
*
14
maior e portanto menor corrente de tunelamento). Esta solução torna-se obrigatória para tecnologias
com dimensões mínimas a partir de 100 nm.
Sabe-se que a mobilidade reduz-se com o aumento do campo elétrico [5, 25, 26]. A seguir, será
apresentada a redução da mobilidade com o campo elétrico, separadamente em relação ao campo
elétrico transversal e longitudinal.
15
Figura 11 – Redução da transcondutância decorrente da elevação do campo elétrico transversal
com a redução da espessura do óxido de porta.
g m = µ.C ox
W
(VGS − VT ) (20)
L
Com comprimento de canal muito curto, o dispositivo apresenta uma saturação no valor da
corrente elétrica, expresso pela equação (21), independentemente do valor de L, sendo que todos os
portadores caminham com velocidade máxima (v max) [15].
I DS = fC ox Wv max (VGS − VT ) (21)
Nesta situação limite, a transcondutância passa a ser expressa pela seguinte relação,
independente de L e da tensão de porta:
g m = fC ox Wv max (22)
16
Resultados experimentais mostram que em dispositivos sub-micrométricos, a transcondutância
apresenta um comportamento tendendo ao expresso pela equação (22), não mais seguindo a relação
quadrática teoricamente esperada em transistores de canal longo.
A mobilidade tem seu valor reduzido por espalhamento com fônons, impurezas (dopantes),
cargas de interface e rugosidade da interface do Si e dielétrico. No entanto, uma espalhamento adicional
começa a ocorrer quando o dielétrico tornar-se extremamente fino. Para filme de SiO 2 da ordem de 1 nm,
as funções de onda de elétrons no metal e no Si começam a sobrepor-se. Nesta situação, impurezas
presentes no material de porta representam um espalhamento adicional para os portadores no canal do
MOSFET, reduzindo adicionalmente sua mobilidade.
Portadores quentes são portadores que possuem alta energia cinética e que, como
conseqüência, podem apresentar os seguintes fenômenos físicos:
a) injeção de portadores no óxido de porta, transpondo a barreira de potencial entre o silício e o óxido,
como mostrando na figura 13;
b) ionização por impacto, criando novos portadores quentes, podendo haver multiplicação por avalanche.
Observa-se pela fugira 13 que a barreira para a injeção de lacunas é muito maior que para
elétrons. Adicionalmente, o coeficiente de ionização por impacto para elétrons é maior do que para
lacunas. Desta forma, os efeitos de portadores quentes são mais intensos em transistores nMOS do que
em pMOS.
Figura 13 – Diagrama de faixas de energia, indicando as barreiras para elétrons e lacunas na estrutura
MOS.
Devido ao aumento do campo elétrico com o escalamento, transistores de menor dimensão são
mais sujeitos à ocorrência dos efeitos de portadores quentes, uma vez que os portadores adquirem
maior energia cinética.
Com relação à injeção de portadores no óxido de porta, existem 4 modos principais em
transistores nMOS, os quais encontram-se apresentados na figura 14.
a) elétrons quentes do canal
b) elétrons quentes e lacunas quentes produzidos por avalanche;
c) elétrons quentes do substrato, induzidos por ionização secundária;
d) elétrons térmicos quentes.
O fenômeno de portadores quentes gera uma série de efeitos nos dispositivos MOS, tais como:
a) corrente de porta e de substrato
17
Dependendo do campo elétrico próximo ao dreno, um significativa corrente de substrato pode
ser originada, a ponto de provocar quedas ôhmicas apreciáveis no substrato. A corrente de porta,
embora não produza queda ôhmica significativa, causa degradações em gm e VT com o tempo, reduzindo
assim o tempo de vida do componente.
b) degradação da mobilidade ou transcondutância
A degradação da mobilidade e da transcondutância está associada a geração de estados de
interface e no óxido, causados pela injeção de portadores quentes.
c) degradação da tensão de limiar
Parte dos portadores quentes no óxido são capturados por estados no óxido, incrementando a
densidade de carga aprisionada. Esta carga, por sua vez, produz uma alteração no valor de VT. Em se
tratando da injeção e captura de elétrons, a variação induzida na tensão de limiar será positiva.
d) ruptura do transistor
A queda de potencial no substrato, produzida pela corrente de substrato, pode causar uma
polarização direta na junção fonte-substrato, acionando o transistor bipolar parasitário associado à
estrutura MOS.
e) efeito tiristor parasitário (Latch-up) em CMOS
Uma das origens do disparo da estrutura tiristor parasitário intrínseco à estrutura CMOS é a
presença de corrente de substrato produzida por elétrons quentes.
Figura 15 – Limites admissíveis para VDS em função dos vários mecanismos de ruptura possíveis.
19
3.9 – Efeitos das limitações sobre o escalamento dos transistores e elaboração de “guias de
estrada”.
As limitações discutidas nos itens anteriores devem ser muito bem estudadas para permitir o
correto escalamento dos dispositivos. Isto porque elas:
a) afetam o desempenho elétrico dos dispositivos
b) determinam as condições limites de operação e
c) determinam condições de contorno para o projeto da estrutura física dos transistores e do processo
de fabricação.
A tensão de alimentação foi mantida constante na fase inicial do escalamento, como valor
padrão de 5 V. Após 1990 no entanto, devido às diversas limitações apresentadas, não foi mais possível
manter este valor. Após esta data observamos uma redução gradual do seu valor, como ilustra a Fig. 16.
O valor de VT de certa forma acompanha a mesma tendência, como também ilustrada na mesma figura.
Isto se faz necessário para manter uma boa margem de tensão de comando (drive) para bom
desempenho de velocidade de chaveamento. A redução do valor de VT traz no entanto, uma grave
dificuldade associada à alta corrente de corte I0, como explicado no item 2.1 acima. Como conseqüência,
existe muita incerteza quanto ao valor mais apropriado de VT adotar, ilustrado na figura. Por exemplo, ao
se chegar a tecnologias com VDD de 0.5 V, não sobra muito espaço para a escolha de VT que atenda
tanto a condição de baixo valor de corte, I0, ao mesmo tempo de oferecer alta corrente para rápida
comutação. Este é um dos problemas mais sérios para as futuras tecnologias.
O estudo das limitações dos dispositivos constitui também um dos ingredientes para a elaboração de
“guias de estrada” de evolução tecnológica de semicondutores. Associações de empresas de
semicondutores, juntamente com instituições públicas e universitárias, formaram grupos de trabalho para
a elaboração de parâmetros das próximas gerações tecnológicas. Estes trabalhos fazem-se necessários
com intuito de definir padrões e estratégias comuns para a definição e a solução dos futuros requisitos,
bem como das ações necessárias. A tabela 6 apresenta parâmetros selecionados, definidos para as
várias gerações tecnológicas, dos relatórios de 1997 e 1999 destes grupos de trabalho [39, 40]. Em
negrito são apresentados os valores dos parâmetros para os quais ainda não existe solução tecnológica
para a sua obtenção, representando temas e desafios de pesquisa atuais.
20
Tabela 6 – Dados selecionados dos relatórios NTRS [39] e ITRS [40] dos parâmetros
tecnológicos atuais e futuros previstos [20].
Ano 1997 1999 2002 2005 2008 2011 2014
Dimensão mínima (nm) 250 180 130 100 70 50 35
DRAM (início de vendas) 256M 1G (3G) 8G (24G) 64G (192G)
2
Área chip DRAM (mm ) 280 400 460 530 630 710 860
Espessura equivalente de 3-5 1.9-2.5 1.5-1.9 1.0-1.5 0.8-1.2 0.6-0.8 0.5-0.6
óxido (nm)
Res. máx. de material de 60 43 33 23 16 11
porta (µΩ.cm)
-8 -8 -8 -8 -8 -8
Res máx. de contato 30x10 17x10 10x10 5x10 2.5x10 1.5x10
2
siliceto/si (Ω.cm )
Resistência de folha da 350- 250- 200- 150- 120- 100-
extensão S/D (Ω/ ) 800 700 625 525 525 400
XJ da extensão S/D (nm) 50-100 42-70 25-43 20-33 16-26 11-19 8-13
Perfil da extensão S/D 14 8.5 6.5 4.5 3.2 2.2
(nm/dec.)
VDD 1.8-2.5 1.5-1.8 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.6 0.5
Uma questão de grande importância está relacionada com os problemas associados aos
sistemas fotolitigráficos e aos processos e dificuldades de realização da etapa para a definição de
dimensões altamente submicrométricas. Grande parte do custo da fabricação de CI’s está relacionada a
esta etapa.
Embora, em termos teóricos, seja possível obter-se definições de padrões até níveis atômicos,
tais sistemas seriam extremamente lentos e não atingiriam os requisitos de velocidade necessários para
produção em larga escala.
Os sistemas mais avançados de litografia atuais utilizam impressão por projeção ótica, operando
no limite de difração de Rayleigh. A imagem de um padrão principal (normalmente reduzida de 4 a 5
vezes) é projetada sobre a superfície da lâmina. Para tal, estes sistemas utilizam um complexo sistema
de lentes. A resolução do sistema fotolitográfico está diretamente relacionada com o comprimento de
onda da luz utilizada para sensibilizar o fotorresiste. A figura 17 apresenta os valores de comprimento de
onda e de dimensão mínima utilizados em função do ano.
Lasers a base de fluoreto de criptônio (KrF) e fluoreto de argônio (ArF) são utilizados para as
gerações tecnológicas de 0,25 µm e 0,18 µm, respectivamente. Entretanto, os melhores resultados são
21
obtidos com laser KrF. Para as gerações tecnológicas futuras acredita-se que o uso de lasers a base de
flúor (F2) sejam necessários, como indicado na figura 17. O gráfico apresentado mostra que o processo
óptico apresenta um limite para sua utilização para no máximo a dimensão um pouco abaixo de 100 nm
[41]. Após este limite, outras técnicas tornam-se imprescindíveis, tais como projeção de elétrons, multi-
feixes de elétrons, raio X, feixe de íons, matriz de pontas de microscopia de força atômica, etc.
4 – Limites de escalamento
Figura 18 – Evolução da energia usada para efetuar operações lógicas, ao longo dos anos.
De acordo com Meindl [42], os limites de escalamento de dispositivos podem ser agrupados em
5 classes:
1. Limites fundamentais
2. Limites do material
3. Limites do dispositivo
4. Limites do circuito
5. Limites do sistema
a) Devido a flutuações térmicas no material, qualquer informação (energia armazenada) com energia
próxima à da flutuação térmica, terá alta probabilidade (estatística de Boltzman) de ser perdida [43].
Assim, é necessário que a informação tenha no mínimo [42]:
∆ε > 4 kT (23a)
-19
ou ainda, para manter a probabilidade de erro menor que 10 , a energia deve ser maior ainda, ou seja
[44]:
∆ε > 165 kT (23b)
22
b) O princípio da incerteza da mecânica quântica diz que
∆p. ∆r > h (24)
ou que
∆ε.∆t > h (25)
A partir desta relação, obtém-se que a mínima energia armazenada, a ser detectada num
intervalo de tempo ∆t deve ser maior que h / ∆t [45]
∆ε > h / ∆t (26)
2) Os limites dos materiais, por sua vez, referem-se à propriedade dos materiais. Entre estas citamos:
a) Campo elétrico máximo que o material suporta sem ruptura por avalanche, E C
b) Velocidade máxima ou velocidade de saturação dos portadores, vmax
c) Massa efetiva dos portadores, me
Assim, o atraso mínimo relacionado a estes limites pode ser obtido por:
∆V
L min Ec
τ min = + (27)
v max v max
(limite fundamental) obtém-se τmin = 3 x 10-14 s. Da massa efetiva pode-se obter ainda a espessura
mínima de uma barreira de potencial para a qual a corrente de tunelamento seja desprezível. Quanto
menor a massa efetiva, maior esta espessura mínima. Assim, com silício pode-se fabricar dispositivos
com dimensões físicas menores que no GaAs, o qual apresenta menor massa efetiva de elétrons [43].
23
Figura 20 – Tendências de desempenho de circuitos CMOS, com desafios e soluções
tecnológicas [28]
Referências:
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24
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+
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[48] R. W. Guernsey, F. L. Gandour, “A Competitividade da Indústria Eletrônica”, ABINEE TEC 2001, São
Paulo, 21-25 de Maio 2001.
25
Integração de Processos: CMOS em Si
Jacobus W. Swart
CCS e FEEC - UNICAMP
Neste capítulo apresentaremos tecnologias de fabricação de Circuitos Integrados, CI’s, por meio da
integração de processos. Discutiremos a integração de processos para a tecnologia CMOS, por ser esta a mais
importante, ou a mais usada, na fabricação de CI’s em Si. No universo de Si, a tecnologia CMOS é a
tecnologia dominante, sobretudo em aplicações digitais, e continua cobrindo cada vez maior fatia do mercado
de CI’s. Discutiremos os vários processos envolvidos, incluindo a formação das regiões p e n de “substrato”
dos 2 tipos de transistores, nMOS e pMOs respectivamente, técnicas de isolação, projeto e fabricação do
canal e do isolante de porta, obtenção de eletrodos de porta e metalização de contatos e interconexões. Por
fim será apresentada uma breve discussão sobre a evolução da tecnologia.
A tecnologia MOS nasceu na sua versão pMOS, durante os anos 60. A tecnologia nMOS teve uma
maior dificuldade tecnológica devido à presença de cargas positivas no sistema SiO2-Si, causando a indução
de canal tipo n na superfície do Si. Como conseqüência, surge uma dificuldade para isolar os transistores
nMOS um do outro. Com o desenvolvimento de processos mais refinados de oxidação do Si para obtenção de
filmes de SiO2 e de tratamentos térmicos apropriados para reduzir cargas e estados de interface, a tecnologia
nMOS pôde ser implementada. Durante os anos 70 e início dos anos 80, a tecnologia nMOS era a tecnologia
predominante para CI’s digitais, devido às seguintes vantagens: maior mobilidade dos elétrons comparado ao
das lacunas no caso pMOS; alta densidade de integração, simplicidade do processo de fabricação e reduzido
consumo de potência quando comparado a processos bipolares.
O conceito de tecnologia CMOS foi proposto e demonstrado em 1963 por Wanlass (1). A porta
inversora CMOS é composta por transistores nMOS e pMOS em série, como mostra a Fig. 1.1a. O terminal
de entrada é ligado às duas portas, de forma que uma tensão positiva coloca em condução o transistor nMOS
e corta o pMOS, produzindo uma tensão zero na saída. Uma tensão zero aplicada ao terminal de entrada
produz um efeito complementar, produzindo uma tensão na saída igual à tensão de alimentação, VDD. Devido
ao emprego dos dois tipos de transistores complementares, a tecnologia foi chamada de CMOS (MOS
complementar). Para tanto necessita-se de regiões de “substrato” tipo n e outro tipo p. Isto é possível pela
implementação de uma região delimitada com dopagem de tipo oposto ao do substrato e que chamaremos de
ilha ou de poço (em inglês, é chamado de “well” ou “tub”). A Fig. 1.1b mostra um desenho esquemático de
estrutura física CMOS com uso de substrato tipo n e ilha do tipo p.
Uma característica fundamental de portas CMOS é que elas não consomem corrente (potência)
durante um estado estático. Apenas durante a transição de um estado a outro temos consumo de corrente
1
(potência). Esta característica o diferencia fundamentalmente da tecnologia nMOS, bem como da pMOS,
onde se tem corrente passando pela porta lógica quando esta estiver em estado “0” na saída. Esta diferença de
consumo de potência entre nMOS e CMOS não justificava a opção por CMOS na maioria das aplicações
digitais durante os anos 70, dado o número limitado de portas lógicas nos CI’s da época e dado a maior
complexidade de integração de processo no caso CMOS. Porém, com o crescimento da densidade de
integração dos CI’s, a dissipação de potência tornou-se proibitiva no caso nMOS a partir dos anos 80. Com o
intuito de reduzir a potência total do CI, com a conseqüente simplificação das cápsulas (no caso de até 1 a 2
W por cápsula) e sistemas de refrigeração nos equipamentos, a opção pela tecnologia CMOS foi mandatória,
apesar da maior complexidade de integração de processo. Durante os anos 60 e 70, a opção CMOS era
justificável apenas em aplicações tipo móveis e espaciais, onde se visava poupar as baterias de alimentação.
Como já mencionamos, a maior vantagem e motivação pela tecnologia CMOS é a baixa dissipação
de potência. Os CI’s digitais CMOS atuais com dezenas a centenas de milhões de transistores, se
incendiariam se fossem feitos com outras tecnologias, tais como nMOS ou ECL bipolar. As vantagens
adicionais de CMOS são as seguintes, agrupadas em 3 grupos:
a) Vantagens de desempenho de circuito e de dispositivo:
- A menor dissipação de potência resulta em menor temperatura de operação do CI, o que
por sua vez se traduz em maior mobilidade de portadores e menores correntes de fuga de
junções.
- Circuitos CMOS apresentam boa densidade de integração, haja vista que as larguras dos 2
tipos de transistores tendem a ser cada vez mais próximas (em transistores
submicrométricos, a corrente ID depende diretamente da velocidade de saturação dos
portadores, sendo que esta é praticamente a mesma para elétrons e para lacunas, ao
contrário das mobilidades).
- A área gasta em isolação entre transistores de polaridades opostas é considerável em
CMOS, porém esta pode ser eficientemente ocupada por trilhas de interconexões na
pastilha (“chip”), haja vista que as interconexões ocupam uma grande fração da área da
mesma em CI’s modernos.
- No passado CMOS tinha como desvantagem a alta capacitância de entrada (entrada ligada a
2 transistores em paralelo). Esta desvantagem tornou-se negligenciável, tendo em vista que
atualmente (transistores submicrométricos) a capacitância predominante é a de
interconexão.
- Circuitos CMOS apresentam maior faixa de tensão de polarização, VDD, e de temperatura
de operação permitida.
- Portas CMOS possuem alta imunidade a ruído, pela grande excursão de saída ( s=VDD –
Vss).
- Os sistemas eletrônicos resultam mais simples e baratos, tendo em vista que é permitido
maior nível de integração, resultando em menor número de chips e como conseqüência
menor número de buffers de entrada e de saída.
- CMOS é um inversor tipo “sem relação”, ou seja, seus níveis lógicos independem da
relação entre as dimensões dos 2 transistores, como acontece no caso nMOS. Como
conseqüência temos maior facilidade de projeto e maior tolerância a variações de
processos.
- Como grande parte dos transistores localizam-se dentro de regiões de ilhas, os mesmos
apresentam menor susceptibilidade a raios α (importante para portas dinâmicas, ex.
memórias DRAM).
- CMOS resulta em chaves de passagem sem perda de sinal, ao contrário do caso nMOS.
- A característica acima torna o CMOS mais apropriado para aplicações analógicas.
Adicionalmente consegue-se implementar amplificadores operacionais CMOS com menor
número de transistores e menor área do que no caso nMOS e mesmo bipolar.
b) Vantagens de confiabilidade:
- Muitos dos mecanismos de falha em CI’s são acelerados com temperatura. Como circuitos
CMOS dissipam menos potência, resulta menor temperatura e como conseqüência, maior
confiabilidade.
- Os circuitos CMOS não carregam corrente estática. Como conseqüência o fenômeno de
eletromigração é menos intenso, novamente aumentando a confiabilidade.
2
- Degradação por elétrons quentes é menos intensa em transistores pMOS que em
transistores nMOS. Assim, como em CMOS temos menos transistores nMOS que em
tecnologia nMOS, temos como efeito global, menos falhas por este fenômeno.
Adicionalmente, ao contrário ao caso de tecnologia nMOS, em circuitos CMOS não há
necessidade para o emprego da técnica de “bootstrapping”, para aumentar corrente do
transistor de carga nas transições. O uso de “bootstrapping” aumenta o campo elétrico no
transistor e como conseqüência tem-se maior degradação por elétrons quentes.
Apesar das grandes vantagens mencionadas para CMOS, ela também apresenta algumas
desvantagens como listamos abaixo:
- CMOS é vulnerável à descarga eletrostática como todas as tecnologias MOS.
- os transistores MOS são susceptíveis a efeitos de canal curto e de elétrons quentes quando o
comprimento do canal for menor que aproximadamente 2 µm.
- a necessidade de fabricar concomitantemente transistores de boa qualidade tipo nMOS e
tipo pMOS resulta em maiores dificuldades de fabricação quando comparado a um
processo nMOS.
- há dificuldades no escalamento (redução escalar das dimensões) de transistores pMOS
quando o material de porta de Si-poli n+ produz também a impossibilidade de contato direto
de linha desta com uma região p+ de fonte/dreno de transistor pMOS.
- A necessidade de contatos ôhmicos com as ilhas implica em gasto de área maior do chip,
comparado a processo nMOS.
- A formação apropriada da ilha por processo de difusão requer um processo a alta
temperatura por tempo longo. Isto representa um alto custo e possibilidade de formação de
defeitos em lâminas de grande diâmetro.
- CMOS é susceptível a disparo de ruptura tipo “Latch-up”. Este efeito será analisado no
item seguinte e implica em processos de fabricação especiais e em gasto de área para
formação de anéis de guarda para suprimir o mesmo.
2. “Latch-up” em CMOS
A estrutura física de inversor CMOS inclui um tiristor embutido, formada pela associação em série
das regiões p-n-p-n, como mostrado na Fig. 2.1a. Este tiristor pode ser analisado como formado por 2
transistores bipolares, como ilustrado na Fig.2.1b.
Em condições normais todas as junções estão reversamente polarizadas e os transistores bipolares
cortados. Existem no entanto, várias causas que podem momentaneamente polarizar diretamente uma das
junções de base-emissor dos 2 transistores. Caso isto ocorra e caso o produto dos betas dos 2 transistores for
maior que um (βnβp > 1), os 2 transistores manter-se-ão conduzindo, com formação de um caminho de baixa
impedância entre a fonte VDD e a linha de terra. Isto causa o mal funcionamento do circuito, e caso, a corrente
da fonte não for limitada, um aquecimento excessivo e danificação do componente. A curva característica do
disparo da ruptura "latch-up” é mostrada na Fig. 2.2.
3
A polarização direta de uma das junções base-emissor dos transistores ocorre por correntes espúrias
nas regiões resistivas de substrato ou das ilhas. Estes resistores presentes devem ser incluídos no modelo
como mostrado na Fig.2.3. Quanto maior estas resistências, maior será a queda ôhmica nas mesmas e mais
provável o disparo “latch-up”.
Várias podem ser as origens das correntes através dos resistores que disparam o “latch-up”:
- corrente de fuga (ou de “breakdown”) da junção ilha-substrato.
- corrente de fuga (ou de “breakdown”) das junções de dreno.
- corrente de carga ou descarregamento da capacitância da junção ilha-substrato produzido
por transitório da alimentação VDD.
- corrente induzida por radiação
- corrente de substrato gerado por ionização por impacto por portadores quentes nos
transistores MOS
- corrente por transistores MOS de campo parasitários nas bordas das ilhas.
- um pulso de tensão de ruído no terminal de entrada do circuito com valor fora do intervalo
(VSS – V DD).
- um pulso de tensão de ruído no terminal de saída do circuito com valor fora do intervalo
(VSS – V DD)
A partir do conhecimento do fenômeno e das suas origens das correntes resulta que para evitar ou
minimizar o disparo “latch-up” devemos:
a) minimizar as resistências parasitárias entre o “emissor” e o contato do substrato ou da
ilha.
b) reduzir o ganho dos transistores bipolares parasitários.
Estes objetivos podem ser alcançados por vários cuidados de “layout” e/ou do projeto da estrutura
física do CMOS e portanto do processo de fabricação, como será visto ao longo dos próximos itens.
4
Fig. 2.2 a) Estrutura de um tiristor e b) sua curva característica.
Fig. 2.3 Modelo completo do tiristor parasitário em CMOS com inclusão das resistências de
substrato e de ilha.
O projeto da estrutura física CMOS e da sua seqüência de integração de processos é uma tarefa
complexa que envolve a consideração de vários compromissos:
- dificuldade e custo de processamento.
- área ocupada ou densidade de integração.
- desempenho dos transistores.
supressão de efeitos de segunda ordem.
Para otimizar o desempenho deveríamos reduzir o efeito de corpo e capacitâncias. Isto implica em
reduzir os níveis de dopagem de corpo de substrato e da ilha. Por outro lado, níveis baixos de dopagem
afetam adversamente corrente de “punchthrough” (perfuração FET), efeito de canal curto, tensão de limiar
das regiões de campo e susceptibilidade a “latch-up”. Ou seja, para alta densidade de integração devemos
usar mais altos níveis de dopagem, com pagamento de um preço por isto. Imunidade a “latch-up” tem um
compromisso com densidade de integração, ou seja, com formação de anéis de guarda de baixa resistência e
com maior distância entre os transistores nMOS e pMOS.
A Fig. 3.1 mostra um desenho esquemático de um corte transversal de uma estrutura típica CMOS.
Para se obter esta estrutura temos os seguintes processos, que serão descritos nos itens 4 a 9 abaixo:
- formação da(s) ilha(s);
- técnicas de isolação entre dispositivos;
5
- obtenção do canal e do isolante de porta;
- obtenção da porta;
- obtenção de regiões de fonte/dreno;
- formação dos contatos e de linhas de interconexões.
-
Existem várias opções de estruturas e de processos de obtenção de ilhas. Citamos as seguintes: ilha
p, ilha n, ilha em camada epitaxial, ilhas gêmeas, ilha retrogradual e ilhas completamente isoladas. A Fig. 4.1
ilustra algumas das estruturas CMOS. Analisamos estas opções em seguida.
Fig. 4.1 Desenho esquemático de estruturas CMOS tipo a) ilha p, b) ilha n e c) ilhas gêmeas.
a) Ilha p: A estrutura CMOS com ilha p foi a primeira opção proposta junto com a invenção. Ela era a
opção natural na época devido aos seguintes fatos:
- deseja-se VTN ≈ VTP ≈ 1V.
6
- os termos VT associados às cargas de interface e do óxido e à diferença das funções
trabalho metal-semicondutor, são negativos.
- os dois fatos acima resultam em necessidade de dopagem ND (região n) menor que NA
(região p), ND/NA ≈ 10.
- Não existia a técnica de implantação iônica para dopagem e portanto devia-se usar
dopagem a partir de processo de difusão, o que obriga a dopagem da ilha ser maior que a do
substrato.
Desta forma, o uso de ilha p, com substrato tipo n, era a única opção. Adicionalmente, na época, a
tecnologia MOS usada era a pMOS e não a nMOS. Tecnologia pMOS também emprega substratos tipo n.
A obtenção da ilha é tipicamente obtida pela seguinte seqüência de etapas de processos, como
ilustrado na Fig. 4.2: uso de lâmina tipo n, orientação (100), resistividade da ordem de 5 Ω.cm; limpeza;
oxidação (~ 200 nm); fotogravação com corrosão parcial do filme de SiO2 (sem remover o fotorresiste);
implantação iônica de 11B+ (valores típicos: E ~ 80 – 200 KeV, Dose ~ 2 – 4 x 1012/cm2); remoção do
fotorresiste; recozimento em forno a alta temperatura e tempo longo para difusão do dopante até
profundidade apropriada; durante a mesma etapa pode haver uma pequena oxidação da superfície. A
profundidade, tipicamente de algumas micra, deve atender ao compromisso de reduzir área (difusão lateral),
reduzir temperatura e tempo de processo para reduzir custo e possíveis defeitos mecânicos e cristalográficos
na lâmina, ter profundidade suficiente para reduzir e/ou suprimir o efeito “latch-up” e o efeito
“punchthrough” da estrutura de transistor bipolar vertical parasitário, formado por região de fonte/dreno –
ilha – substrato.
b) Ilha n: A versão CMOS tipo ilha n só foi possível ser desenvolvida com a disponibilidade da técnica de
dopagem por implantação iônica, permitindo o ajuste das tensões limiar, VT, dos transistores
independentemente do nível de dopagem da ilha e do substrato. Como motivações para o
desenvolvimento desta versão podemos listar:
- é uma opção natural para fabricantes que migraram de tecnologia nMOS para CMOS, pois
emprega o mesmo substrato e estrutura do transistor nMOS para ambas as tecnologias.
- esta versão otimiza mais o transistor nMOS em relação ao pMOS, pois o transistor no
substrato (nMOS no caso), apresentará o menor efeito de corpo (variação de VT com
polarização da tensão fonte-substrato).Também as capacitâncias de junção são menores
para o transistor fabricado diretamente no substrato. Isto é vantajoso para circuitos que
empregam mais transistores nMOS comparado ao de transistores pMOS, como por
exemplo em circuitos dinâmicos. Porém, podemos dizer que há um melhor balanceamento
entre os transistores no caso de ilha p, já que o transistor pMOS apresenta menor
mobilidade. Assim, no caso de circuitos com igual número de transistores nMOS e pMOS,
poderia se preferir a opção ilha p.
- substratos tipo p são mais baratos, de melhor qualidade e menos sensíveis a defeitos
induzidos por processamento (3).
- a difusão de fósforo da ilha n requer um tempo e/ou temperatura um pouco menor que no
caso de ilha p de boro.
7
- fica dispensada uma implantação extra de fósforo nas regiões passivas tipo n, devido ao
fenômeno de amontoagem (pile-up) de fósforo na superfície do Si durante a oxidação de
campo, causado pela segregação do fósforo pelo óxido de silício.
- transistor nMOS produz mais corrente de substrato por ionização por impacto dos elétrons
do canal. Assim a localização deste transistor diretamente no substrato, facilita o
escoamento deste componente de corrente.
A seqüência de etapas de processo de ilha é análoga à do caso ilha p, como mostrado na Fig. 4.2,
apenas trocando a implantação iônica de 11B+ por implantação iônica de 31P+.
c) ilhas gêmeas: Neste caso, usa-se um substrato tipo n+ ou p+ com alto nível de dopagem. Sobre este
substrato cresce-se epitaxialmente uma camada de Si não dopada. Em seguida, realiza-se as etapas de
formação das duas ilhas p e n, como mostrado na Fig. 4.1. Pode-se formar as duas ilhas de forma auto-
alinhada como ilustrado na Fig. 4.3. A seqüência de etapas é como segue:
- oxidação de fina camada de SiO2;
- deposição de filme de Si3N4;
- fotogravação com corrosão do filme de nitreto para definição das regiões de ilhas n;
- implantação iônica de 31P+;
- recozimento e oxidação local do Si, com formação de filme de SiO2 sobre as ilhas n;
- remoção do filme de nitreto;
- implantação iônica de 11B+;
- recozimento para penetração dos dopantes nas regiões das duas ilhas;
- finalmente retira-se a camada de SiO2 presente sobre as ilhas n.
Fig. 4.3 Ilustração das etapas de formação de ilhas gêmeas de forma auto-alinhada
A motivação pela estrutura de ilhas gêmeas para CMOS é que para transistores de pequenas
dimensões, o projeto dos perfis de dopagem torna-se bem crítica. Desta forma, é muito vantajoso que cada
ilha possa ser formada independentemente, sem relação com o nível de dopagem da outra ilha (lembramos
que no caso de ilha p (n) tem-se que (NA D (ND
A)).
Se ao invés de crescer-se uma camada epitaxial não dopada, crescermos uma camada com dopagem
típica de uma das ilhas, basta contradopar a região da outra ilha por implantação iônica como no caso da
estrutura de ilha p ou ilha n. Neste caso, permanece no entanto, a relação mínima entre as dopagens. O uso de
substrato altamente dopado sob a camada epitaxial resulta num alto benefício para o suprimento de “latch-
up”, pela redução substancial da resistência de substrato.
d) Ilha Retrogradual: nesta estrutura tem-se um perfil de dopagem da ilha com perfil retrogradual, ou seja,
tem-se um perfil com maior concentração de portadores em posição abaixo da superfície. Isto traz um
grande benefício na supressão de “latch-up”, podendo-se chegar a uma estrutura totalmente livre de
“latch-up”. Isto se dá pelo fato que tal perfil reduz o ß do transistor bipolar vertical e também reduz a
resistência em série da ilha. A Fig. 4.4 compara os perfis típicos de estrutura ilha p convencional e ilha p
8
retrogradual. No caso de estrutura de ilha retrogradual, uma implantação iônica a alta energia (400 – 600
keV) é realizada após a formação do óxido de campo de isolação entre dispositivos, resultando na
estrutura de ilha como ilustrado na Fig. 3.1.
Como vantagens adicionais à ilha retrogradual temos a não necessidade de longo recozimento de
penetração de dopantes e maior densidade de integração permitida. Esta opção traz no entanto também
algumas desvantagens, tais como capacitâncias de junções fonte/dreno e fator de corpo maior.
e) CMOS com ilhas totalmente isoladas: nesta classe de estrutura CMOS temos CMOS/SOS (Silicon-on-
Sapphire) e CMOS/SOI (Silicon-on-Insulator). Já nos anos 60, desenvolveu-se a tecnologia de
crescimento epitaxial de filme sobre substrato isolante de safira (lâmina monocristalina de Al2O3).
Substratos de safira são muito caros e a heteroepitaxia no caso não é sem problemas. A alternativa SOI é
mais recente e consta da obtenção de lâminas de Si com filme de SiO2 enterrado abaixo da superfície,
deixando uma fina camada superficial cristalina de Si. Existem algumas técnicas para se obter tal
estrutura, entre estas citamos (4):
1) processo SIMOX (Separation by Implanted Oxygen). Implanta-se uma alta dose (~ 2 × 1018/cm2) de 16O+
com energias de ~ 150 a 180 keV e com o substrato mantido a temperatura de ~ 400o C para que se evite
a amortização da superfície. Em seguida é feito um recozimento a alta temperatura para formar o filme
de SiO2 enterrado e para recristalizar a camada superficial de Si, com crescimento epitaxial em fase
sólida a partir da superfície, até encontrar a camada isolante.
2) Processo ZMR (Zone-Melting Recrystallization). Deposita-se filme de Si-policristalino sobre lâmina de
Si oxidada. Em seguida realiza-se uma fusão localizada do filme por meio de uma tira móvel de grafite
ou por meio de lâmpada focalizada. A lâmina toda é mantida a alta temperatura (1100 a 1300o C) para
evitar tensão mecânica. Fazendo uma varredura da fonte de calor sobre a superfície tem-se a fusão local,
seguida por re-cristalização do filme ainda em forma policristalina, porém com grãos de grandes
dimensões (20 a 50 µm).
3) Processo de colagem de lâminas. Inicialmente faz-se uma colagem de duas lâminas oxidadas, com o
óxido entre elas sendo o meio químico de colagem. Existem algumas opções de processos para realizar
esta colagem, feita a alta temperatura. Após a colagem faz-se o afinamento a partir de uma das
superfícies para finalizar com uma fina camada de Si sobre a camada de óxido intermediária.
9
Após a obtenção da lâmina SOI passa-se à formação das ilhas totalmente isoladas para CMOS como
ilustrado na Fig. 4.5.
A isolação entre dispositivos deve ser tal que o funcionamento do mesmo seja determinado apenas
pelos estímulos elétricos aplicados a seus 3 ou 4 terminais, sem interferência de potenciais em dispositivos
vizinhos e ausência de correntes elétricas provenientes de outros dispositivos pelo material semicondutor. Em
CMOS devemos garantir a isolação entre dispositivos vizinhos do mesmo tipo bem como entre dispositivos
vizinhos complementares. A isolação entre dispositivos vizinhos do mesmo tipo deve ser feita de forma
similar à feita em tecnologia nMOS ou pMOS, ou seja, pelo uso de isolante espesso nas regiões de campo e
dopagem superficial suficientemente alta nestas regiões para evitar a indução de canal de inversão da
superfície. A isolação entre dispositivos complementares é crítica em CMOS, tendo e vista sua influência
sobre o disparo “latch-up”, em adição aos requisitos gerais de isolação citados acima.
Um primeiro aspecto da isolação é passivar as superfícies das junções. Isto é comumente feito
através da oxidação da superfície que, como é sabido desde os anos 50, reduz a corrente de fuga de junções
de um fator 10 a 100 (5). O processo de oxidação seguido por tratamentos térmicos apropriados reduz
drasticamente as cargas e a densidade de estados de superfície do Si, reduzindo assim os centros de
recombinação de portadores na superfície. Adicionalmente, o óxido formado isola eletricamente as junções
impedindo o escoamento de elétrons pela superfície.
Como segundo aspecto da isolação entre dispositivos temos que evitar que haja inversão da
condutividade de superfície, ou seja, que não haja formação de um canal de superfície induzido por cargas no
óxido ou por uma linha de interconexão passando por cima do óxido de campo. Isto é equivalente a impor
que a tensão de limiar da linha de interconexão seja bem maior que a máxima tensão utilizada na mesma ou
no circuito. Pela relação da tensão de limiar de uma estrutura MOS dada abaixo, nota-se que podemos
aumentar a mesma pelo aumento da espessura do óxido e pelo aumento do nível de dopagem do
semicondutor na superfície.
Onde: QSS é a carga efetiva na interface SiO2/Si; COX é a capacitância do óxido por unidade de área;
MS é a diferença de função trabalho metal-semicondutor; NA é a dopagem do semicondutor (assumido
uniforme); q é carga do elétron; si é a constante dielétrica do silício e F o potencial de Fermi no
semicondutor. A fórmula dada é para substrato tipo p. Fórmula similar existe para substrato tipo n.
No desenvolvimento de processos e estruturas de isolação entre dispositivos deve-se considerar os
seguintes compromissos: planaridade da superfície final e distância mínima permitida entre dispositivos
versus complexidade do processo e geração de defeitos no cristal. Inúmeros processos e estruturas foram
propostos (2). A técnica mais popular inventada foi a chamada de LOCOS (Local Oxidation of Silicon). Esta
10
técnica processa-se pela seguinte seqüência, como ilustrado na Fig. 5.1, no caso CMOS, após a formação da
ilha p:
- remoção de todo óxido da superfície;
- oxidação do Si para obter fina camada de SiO2 de almofada (pad oxide) para acomodar
filme de nitreto;
- deposição de filme de Si3N4 por processo CVD;
- fotogravação do filme de nitreto, protegendo as áreas ativas dos transistores nMOS e
pMOS;
- realizar etapa de fotogravação e etapa de implantação iônica para aumentar a dopagem
superficial das regiões de campo p e repetir a mesma seqüência para regiões de campo n;
- realização de oxidação térmica para obter um filme espesso (800 a 1200 nm) de óxido de
silício. Esta oxidação dar-se-á apenas nas regiões não protegidas por filme de nitreto;
- remover o filme de nitreto.
Como durante o processo de oxidação térmica ocorre um consumo de silício, observa-se que o filme
de SiO2 resulta do tipo semi-embutido (semi-recessed) e portanto não totalmente plana. O processo LOCOS
tem no entanto suas limitações, além da não planaridade, que impedem o escalamento contínuo das
dimensões dos transistores e das distâncias entre transistores. Vários processos alternativos foram propostos
como soluções para tecnologias de menores dimensões. Entre estas citamos:
a) SILO (Sealed-Interface Local Oxidation) (6);
b) SWAMI (Sidewall-Masked Isolation Technique) (7);
c) SPOT (Self-aligned Planar-Oxidation Technology) (8);
d) FUROX (Fully Recessed Oxide) (9);
e) OSELO II (10)
f) BOX Isolation (Buried-Oxide) (11);
g) Trench Isolation (12) ;
h) SEG (Selective Epitaxial Growth) (13).
11
Na isolação entre dispositivos pode se usar técnicas como LOCOS ou suas variantes: SILO,
SWAMI, SPOT, OSELO e BOX. Estas mesmas técnicas também podem ser usadas para a isolação entre
transistores complementares. No caso de se usar a técnica LOCOS, incluindo implantação iônica de anéis de
guarda como mostrado na Fig. 5.1, obtém-se boa isolação desde que a distância entre regiões n+ e p+ sejam
de pelo menos 7 µm (3). Estas distâncias podem ser fortemente reduzidas por técnicas mais radicais de
isolação como “trench isolation” e SEG.
A técnica de isolação por trincheira envolve a seguinte seqüência de etapas de processos:
- deposição de filme de Si3N4 e fotogravação com abertura de janelas para as trincheiras de
isolação.
- corrosão das trincheiras em formato U, por meio de corrosão úmida em solução
KOH/isopropanol seguido por corrosão seca em sistema RIE, até a profundidade de 3 a 6
µm.
- oxidação do Si (seguido opcionalmente por deposição de filme de nitreto).
- preenchimento da trincheira com Si-poli por deposição por CVD seguido por corrosão
(etch back).
- oxidação da superfície.
A Fig. 5.2 mostra um desenho esquemático da estrutura. A técnica de isolação por trincheira é muito
interessante para isolar as bordas das ilhas, ou seja, isolação entre dispositivos complementares. Uma
trincheira de profundidade moderada afunda (2.5 µm), isola toda a borda da junção das ilhas, reduzindo
drasticamente o beta do transistor bipolar lateral. A trincheira pode ser bem estreita (1.6 µm). Isto permite
que os transistores complementares possam ser fabricados bem próximos entre si (2.0 µm) [12].
Fig. 5.2 Desenho Ilustrativo de estrutura de isolação por trincheira em CMOS epitaxial.
No caso do preenchimento da trincheira ser feito com Si-poli dopado, pode-se usá-lo como um
capacitor. Isto é empregado em memórias tipo DRAM, onde se necessita de capacitores de armazenamento
de carga, sem ocupar muita área.
Fig. 5.3 Seqüência de etapas de processo para isolação de ilhas CMOS por crescimento epitaxial
seletivo (SEG).
12
Fig. 5.4 Corte transversal esquemático de estrutura CMOS de ilhas gêmeas com isolação por
crescimento epitaxial seletivo (SEG).
A outra técnica radical de isolação é a SEG. Nesta técnica realiza-se um crescimento epitaxial
seletivo em janelas abertas em filme de óxido de silício de 1 a 2 µm de espessura, como ilustra a seqüência
da Fig. 5.3. Antes do crescimento epitaxial seletivo pode-se realizar implantações iônicas seletivas nas
janelas para formar camadas enterradas p+ e n+ para reduzir as resistências nas ilhas. A Fig. 5.4 mostra o
desenho esquemático de estrutura CMOS obtido por este processo.
O canal e o isolante de porta do transistor MOS constituem a sua parte intrínseca. Eles determinam o
comportamento básico do transistor, além de efeitos de segunda ordem. Os parâmetros básicos incluem em
primeira ordem a tensão limiar, VT, a transcondutância, gm (variação da corrente IDS com a tensão VGS), e
fator de corpo (variação de VT com a tensão fonte-substrato, VBS). A transcondutância, por sua vez, inclui o
parâmetro de mobilidade dos portadores. Como efeitos de segunda ordem temos: efeitos de canal curto,
“punchthrough” e efeitos de portadores quentes.
Fig. 6.1 Variação de VT de transistores MOS com porta de Si-poli tipo n+ versus nível de dopagem do
substrato (2).
13
Estes parâmetros estão diretamente relacionados com o perfil de dopagem na região do canal e
abaixo do mesmo e da capacitância do dielétrico de porta, ou seja, da espessura e da constante dielétrica do
mesmo.
O projeto do dielétrico e do perfil de dopagem deve ser realizado com auxílio de programas de
simulação de processo (tipo SUPREM) e de dispositivo (tipo SPICES e MINIMOS). Este último fornece
todos os dados de desempenho do transistor (efeitos de 1ª e 2ª ordem).
O ajuste do perfil de dopagem é realizado de forma precisa por meio da técnica de implantação
iônica. É comum usar duas implantações, com energias diferentes. Uma de alta energia e baixa dose (<
1012/cm2) para controlar os efeitos de canal curto e “punchthrough”.
Fig. 6.2 Variação de VTN e VTP em CMOS ilha n com porta de Si-poli tipo n+ versus dose de
implantação iônica de 11B+ (14).
A outra implantação é de energia menor e dose um pouco maior (> 1012/cm2) para aumentar a
concentração de dopagem próxima à superfície para ajustar o VT desejado. No caso do transistor nMOS, estas
implantações são de 11B+. No caso do transistor pMOS, o dopante implantado para supressão de efeitos de
canal curto e de “punchthrough” é o de 31P+, porém para o ajuste de VT dependerá do material do eletrodo de
porta usado. Em processos convencionais CMOS é comum usar filme de SI-poli com dopagem tipo n+ para
os dois tipos de transistores. Isto faz com que a diferença de função trabalho metal-semicondutor MS, seja da
ordem de –0,85 V para o nMOS e de –0,30 V para o pMOS. Isto impede que se consiga ajustar o V TP (VT do
pMOS) pela adição de implantação iônica de 31P+, como ilustra a Fig. 6.1 (2). Por consideração dos outros
parâmetros do transistor, não podemos utilizar dopagem da ilha com concentração menor que a faixa de 1016
a 1017 cm-3. Desta forma, a alternativa que sobra para reduzir o valor de |V TP| para menor que 1.0 V, devemos
implantar um dopante com carga oposta, ou seja, ajustar o VTP também com uma implantação iônica de 11B+.
A Fig. 6.2 mostra que existe solução de uso de uma mesma implantação iônica de 11B+ para ajustar o VTN e
VTP ao mesmo tempo para um mesmo valor absoluto, para o caso de estrutura CMOS ilha n (ilha p também é
possível) (14). A Fig. 6.3 mostra os perfis de dopagem correspondentes nos dois transistores (14). A Fig. 6.3
mostra os perfis típicos de dopagem na região do canal dos transistores em CMOS ilha n com porta de Si-poli
tipo n + e dose única de implantação iônica de 11B+ de ajuste das tensões limiar (14).
A implantação iônica pode ser realizada através do dielétrico de porta ou antes da sua formação, por
exemplo através de um óxido sacrificial (“white ribbon oxide” ou efeito Kooi), como ilustrado na Fig. 6.4. A
solução convencional de uso de eletrodo de Si-poli n+ para os transistores é bem compatível com o
escalamento das dimensões dos transistores nMOS, porém não para transistores pMOS. O transistor pMOS
14
com implantação iônica de 11B+ para ajuste de VT apresenta alta susceptibilidade a “punchthrough” em
transistores com comprimento de canal menor ou da ordem de 1µm.
A alternativa neste caso é usar um material de porta com diferença de função trabalho metal-
semicondutor maior, como por exemplo filme de Si-poli p+, ou ainda, para satisfazer com um mesmo
!!#"$%&'$()*,+ MS simétrico em relação à ilha p e ilha n, como
por exemplo W, Mo, TaSi2, Wsi2, MoSi2 e NiSi2 (15). Ocorre no entanto, um grande problema com o uso de
porta de Si-poli p+. O Boro do Si-poli difunde-se facilmente através de isolante fino de SiO2 de porta,
afetando o controle de VT (16). Neste caso há necessidade de uso de dielétrico de porta mais impermeável à
difusão de Boro, tais como nitreto de Silício ou ainda oxinitretos.
Fig. 6.4 Ilustração da estrutura CMOS durante a etapa de implantação iônica de ajuste dos V T’s.
O isolante de porta tradicionalmente usado é um fino filme de SiO2. Este é o normalmente obtido por
oxidação térmica em condições de mínima densidade de cargas e de estados de interface. A espessura deste
filme é cada vez menor junto com o escalamento das dimensões horizontais dos transistores, como vemos
pelos dados da Tabela 6.1. Para transistores com comprimento de porta menor que 100 mm, esta espessura
deve ser da ordem de 5 nm ou menos. Espessuras menores que esta começam a apresentar corrente de
tunelamento considerável, impondo um limite ao escalamento das dimensões. Composições alternativas de
isolantes de porta podem ser estudadas para aliviar esta limitação.
15
Tabela 6.1 Evolução da espessura do óxido de porta junto com a redução do comprimento de porta
No início das tecnologias MOS usava-se o Al como metal de porta. Como o Al é um metal não
refratário, este devia ser depositado no fim do processo de fabricação, ou seja, após a realização de todas as
etapas de altas temperaturas. Em meados dos anos 60, no entanto, propôs-se o uso de filme de Si-poli dopado
tipo n+ como material de porta. Como motivações para tanto, tinha-se a possibilidade de dopar as regiões de
fonte/dreno de forma auto-alinhada com a porta, ou seja, a porta pode servir de máscara contra a dopagem.
Desta forma, reduzem-se drasticamente as capacitâncias parasitárias de porta-fonte e porta-dreno.
Adicionalmente, o processo de deposição de filme de Si-poli por CVD é muito mais limpo que a etapa de
deposição de Al por evaporação (resulta menor contaminação ou cargas iônicas no óxido de porta). Após a
etapa de deposição de Si-poli, normalmente por processo de LPCVD a aproximadamente 630 o C por pirólise
de silano, realiza-se etapa de fotogravação com corrosão por plasma tipo RIE, para obter paredes bem
verticais. A definição exata da dimensão das linhas de Si-poli é crítica, tendo em vista que ela define um
parâmetro fundamental dos transistores, ou seja, seu comprimento de canal. A Fig. 7.1 ilustra a estrutura após
esta etapa.
O uso de portas de Si-poli, no entanto, começou a apresentar limitações nas tecnologias da década
de 90, devido à relativamente alta resistividade (~ 500 µΩcm) do mesmo, acarretando um relativo alto atraso
RC para a propagação do sinal. Esta limitação pode ser sanada pela substituição da porta de Si-poli por
metais alternativos, tais como:
a) porta tipo policeto (siliceto de metal refratário sobre Si-poli);
b) estrutura salicide (formação auto-alinhada de siliceto sobre porta de Si-poli e sobre fonte/dreno);
c) porta de siliceto;
d) porta de metal refratário.
Nas soluções a) e b), é usual silicetos de titânio, de cobalto ou de níquel (TiSi 2, CoSi2 ou NiSi), com
resistividades de 13 a 18 µΩcm. Na solução c) tem-se proposto o uso de Wsi2 (30 – 50 µΩcm).
Fig. 7.1 Corte transversal da estrutura CMOS após etapa de fotogravação e corrosão da porta.
MoSi2 (40 – 100 µΩcm) e TaSi2 (35 – 55 µΩcm). No caso d), a solução proposta é comumente o
metal de W (8 – 10 µΩcm) [15]. A associação paralela de siliceto de Ti ou Co com o filme de Si-poli, reduz
tipicamente a resistência de folha do Si-poli original de ~ 20 Ω/ para ~ 2 Ω/. A Fig. 7.2 mostra um corte
transversal da estrutura de transistor nMOS com as 4 soluções citadas.
16
Fig. 7.2 Esquemas de materiais de porta alternativos ao Si-poli simples.
As regiões de fonte/dreno são tradicionalmente obtidas por meio de implantação iônica de 31P+ ou de
75
As para os transistores nMOS e implantação iônica de 11B+ ou 49BF2+ para os transistores pMOS. Estas
+
etapas devem ser feitas com as devidas proteções das regiões complementares por uma camada de máscara,
como tipicamente fotorresiste, como ilustrado na Fig. 8.1. Caso seja usada porta de Si-poli tipo n+, é
importante evitar a implantação dos íons de Boro no filme de porta para não produzir instabilidades,
protegendo também esta com fotorresiste (pode ser o mesmo fotorresiste usado na fotogravação do Si-poli).
As doses típicas destas implantações são de 2 a 7 x 1015/cm2. Relativamente baixas energias são usadas
(reduz a profundidade).
Transistores com dimensões reduzidas também requerem junções bem rasas. Esta dimensão deve
também ser reduzida na mesma proporção da redução das dimensões horizontais, com o intuito de suprimir
efeitos de canal curto e de “punchthrouhg”. Como conseqüência, no caso de dopante tipo n opta-se pelo íon
75
As+ ao invés do íon 31P+ e no caso de dopante tipo p opta-se preferencialmente pelo radical.
49
BF2+. Estes íons apresentam alcance menor, devido à maior massa, sendo assim mais apropriado
para junções rasas. Junções mais rasas também são obtidas se adicionalmente for evitado a canalização das
espécies penetrantes no canal. O íon de 75As+ amorfisa rapidamente o cristal de Si, suprimindo assim a
canalização. O íon de 11B+ e mesmo o radical 49BF2+ não é eficiente em amorfisar o Si. Assim neste caso é até
usual realizar uma implantação iônica de 28Si+ ou 64Ge+ com o intuito de pré-amorfização da camada
superficial do cristal de Si.
Após a etapa das implantações, necessita-se realizar uma etapa de recozimento para recristalizar a
camada amorfa e defeituosa do Si e ao mesmo tempo ativar os dopantes (Colocando-os em posições
substitucionais da rede).
É sabido que uma junção abrupta produz um campo elétrico mais intenso que uma junção gradual. A
junção n+ obtida por implantação iônica de 75As+ produz uma junção bem abrupta e portanto, um campo
elétrico intenso. Este por sua vez pode produzir efeitos de elétrons quentes com a conseqüente degradação do
transistor. Com o intuito de evitar esta junção abrupta na borda dreno/canal, desenvolveu-se a estrutura LDD
(Lightly Doped Drain), em que uma estreita fatia das regiões de fonte/dreno são formadas por uma
implantação iônica de dose intermediária. A Fig. 8.2 mostra o perfil típico de estrutura LDD. Este tipo de
perfil pode ser obtido pela seguinte seqüência de etapas (após definição da porta), como ilustrado na Fig. 8.3:
realiza-se a implantação iônica de fonte/dreno (usualmente 31P+) de dose intermediária (1 – 2 x
1013/cm2);
deposição de filme de SiO2 por processo CVD (espessura ~ espessura do Si-poli ~ 500 nm);
17
corrosão do filme de SiO2 por processo de plasma em modo RIE. Automaticamente permanecem
resquícios de SiO2 nas bordas verticais das linhas das portas. Estes são chamados de espaçadores;
realiza-se a implantação iônica de fonte/dreno de dose alta (os espaçadores protegem as regiões nas
bordas das portas);
recozimento de recristalização e ativação dos dopantes.
Fig. 8.1. Ilustração da seqüência de processos para as implantações iônicas de fonte/dreno dos
transistores pMOS e nMOS.
A resistência série de regiões de fonte e dreno também afetam adversamente o desempenho dos
transistores. Quanto mais rasas as junções, maiores serão as resistências série. Uma alternativa similar à
usada para reduzir a resistência de folha das portas pode ser usada para fonte/dreno. Ou seja, é interessante
silicetar toda a superfície destas regiões. Uma opção eficiente é silicetar as regiões de porta junto com as
regiões de fonte/dreno de forma auto-alinhada, resultando na estrutura da Fig. 7.2-b. O processo de obtenção
de tal estrutura emprega a formação de espaçadores como no processo LDD (Fig. 8.3). Após a obtenção de
espaçadores, segue-se a seguinte seqüência, como mostrado na Fig. 8.4:
deposição de filme fino de metal, Ti ou Co;
18
formação parcial de siliceto, por recozimento a temperatura intermediária;
remoção do metal não reagido sobre as superfícies de óxido (espaçadores e campo);
2º recozimento de silicetação para completar a fase estável do siliceto, TiO2 ou CoSi2.
Para manter boas características em transistores fortemente escalados é fundamental que as junções de
fonte/dreno sejam as mais rasas possíveis. Duas alternativas novas foram propostas:
a) realizar a etapa de silicetação de Co tipo SALICIDE antes da 2ª implantação iônica de
fonte/dreno (de alta dose). Em seguida à silicetação, realiza-se a implantação iônica de
fonte/dreno com energia tal que os dopantes se localizem dentro do siliceto. Um recozimento em
seguida, fará difundir os dopantes a partir do siliceto até uma espessura bem rasa dentro do Si
como ilustrado na Fig. 8.5.
b) Uso de fonte/dreno elevado. Neste caso, após formação da dopagem LDD e espaçadores, realiza-
se um crescimento epitaxial de Si nas áreas de fonte/dreno com espessura de aproximadamente 20
nm. As implantações de fonte/dreno são realizadas agora com energia tal que os dopantes se
localizem dentro da camada SEG crescida, para em seguida esta servir de fonte de difusão para
completar a formação das junções de fonte/dreno como mostrado na Fig. 8.6.
Fig. 8.3. Ilustração da seqüência de processo para obtenção de dreno tipo LDD.
19
Fig. 8.5. Seqüência de processo de formação de junções de fonte/dreno por difusão a partir de siliceto
implantado.
Fig. 8.6. a) Seqüência de processo de formação de junções de fonte/dreno por difusão a partir de filme
SEG implantado e b) Comparação de perfil de Boro obtido por este processo com processo
convencional.
9. Processos de Interconexões
Desde o início da comercialização de CI’s em 1962, observamos uma contínua redução das
dimensões mínimas (fator 2 a cada 6 anos), um contínuo aumento da área das pastilhas (fator 2 a cada 8 anos)
e uma crescente eficiência de empacotamento (otimização de “layout” e novas estruturas físicas). Estes 3
fatores levaram a um aumento sem precedentes no nível de integração, como ilustra a Fig. 10.1, devendo
chegar ao nível de GSI (Giga Scale Integration) na virada do século. Adicionalmente, em paralelo a esta
evolução, vemos uma participação cada vez maior da tecnologia CMOS, estando hoje acima de 60% do
mercado e devendo atingir na ordem de 83% em 1988.
Recentemente, as indústrias sugeriram a seguinte previsão de evolução, chamada de “road map”
(mapa da estrada), para a produção de CI’s [17]:
Fig. 10.1 a) Evolução do número de dispositivos por pastilha de Si, ou nível de integração e previsão de
desempenho e das dimensões mínimas.
21
Tabela 10.1 “Roadmap”(mapa da estrada) de evolução prevista pela indústria para produção de CI’s.
Ano 1995 1998 2001 2004 2007 2010
LMIN[µm] 0.35 0.25 0.18 0.13 0.10 0.07
DRAM [bits] 64 M 256 M 1G 4G 16 G 64 G
FMAX [MHz] 300 450 600 800 1000 1100
Área/Chip [mm2] 190 280 420 640 960 1400
Níveis de metal 4 5 5–6 6 6–7 7–8
Defeitos/m2 240 160 140 120 100 25
# Máscaras 18 20 20 22 22 22
φ/Wafer [mm] 200 200 300 300 400 400
VDD [V] 3.3 2.5 1.8 1.5 1.2 0.9
PotMAXc/refrig. [W] 80 100 120 140 160 180
PotMAXs/refrig. [W] 5 7 10 10 10 10
Planaridade/metalização [nm] 300 300 250 150 150 150
LMIN de metal 1 [µm] 0.40 0.30 0.22 0.15 0.11 0.08
“Pich” min./metal c. contato [µm] 1.0 0.75 0.55 0.40 0.27 0.20
Dim. Crítica/Via [µm] 0.40 0.28 0.20 0.14 0.11 0.08
Razão de Aspecto/Via 4.5:1 5.5:1 6.3:1 7.5:1 9:1 10.5:1
Razão de Aspecto/Metal 1.5:1 2:1 2.5:1 3:1 3.5:1 4:1
Referências:
1) F. M. Wanlass, C. T. Sah, IEEE Int. Solid-State Circ. Conf., Feb. 1963.
2) S. Wolf, “Silicon Processing for the VLSI Era – Vol. 2 – Process Integration”, Lattice Press, 1990.
3) L. C. Parrillo, “CMOS Active and Field Device Fabrication”, Semiconductor International, April 1988,
pp. 64-70.
4) D. Flandre, J. P. Colinge, “High Temperature Characteristics of CMOS Devices and Circuits on Silicon-
On-Insulator (SOI) Substrates, Anais do IX Congresso da Sociedade de Microeletrônica, Rio de Janeiro,
1991, p. 777.
5) C. T. Sah, “The Evolution of the MOS Transistor”, Proceeding of the IEEE, Vol. 76, nº 10, 1988, p.
1280.
6) J. C. H. Hu, T. Y. Chiu, S. W. S. Wong, W. G. Oldham, Sealed-Interface Local Oxidation Technology”,
IEEE Trans. Electron. Devices, Vol. ED-29, nº 4, 1982, P. 554.
7) K. Y. Chiu, J. L. Moll, J. Manoliu, “A Bird’s Beak Free Local Oxidation Technology Feasible for VLSI
Circuits Fabrication”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-29, nº 4, 1982, p. 536.
8) K. Sakuma et al., “A New Self-Aligned Planar Oxidation Tecnology”, J. Electrochem. Soc., Vol. 134, nº
6, 1987, p. 1503.
9) H. H. Tsai, S. M. Chen, H. B. Chen, C. Y. Wu, “An Evaluation of FUROX Isolation Technology for
VLSi/nMOSFET Fabrication”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 35, nº 3, 1988, p. 275.
10) T. Kaga, Y. Kawamoto, S. Iijima, Y. Sudoh, Y. Sakai, “Advanced OSELO Isolation with Shallow
Grooves for High-Speed Submmicrometer ULSI’s”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 35, nº 7, 1988,
p. 893.
11) R. F. Kwasnick, E. B. Karninsky, P. A. Frank, “Burried-Oxide Isolation with Etch-Stop (BOXES)”,
IEEE Electron Device Lett., Vol. 9, nº 2, 1988, p. 62.
12) Y. Niitsu et al., “Latch-up Free CMOS Structure Using Shallow Trench Isolation”, Tech. Dig. IEDM,
1985, p. 509.
13) J. O. Borland, “Low Temperature Silicon Epitaxy for Novel Device Structure”, in “Reduced Thermal
Processing for ULSI”, ed. by R. A. Levy, NATO ASI Series B: Physics Vol. 207, Plenun Press, 1989, p.
393.
14) T. Ohzone, H. Shimura, K. Tsuji, T. Hirao, “Silicon-Gate n-Well CMOS Process by Ful lon-
Implantation Tecnology”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-27, nº 9, 1980, p. 1789.
15) J. W. Swart, “Interconexões e Contatos em Circuitos Integrados”, Cap. 5, em Processos de
Microeletrônica, ed. V. Baranauskas, SBV e SBMicro, 1990.
16) M. L. Chen et al., “Constrains in p-Channel Device Engineering for Sub-micron CMOS Technologies”,
Tech. Dig. IEDM, 1988, p. 390.
17) P. Singer, “Looking Down the Road to Quarter-Micron Production”, Semiconductor International, Vol.
18, nº 1, 1995, p. 46.
22
Capítulo 9
a) Crescimento epitaxial:
Epitaxia é uma palavra Grega que significa “arranjo sobre” e refere-se à técnica de
deposição de camadas atômicas, em arranjo cristalino, sobre um substrato cristalino,
seguindo a mesma estrutura e orientação cristalográfica deste. A epitaxia classifica-se
em dois tipos: homoepitaxia e heteroepitaxia. A homoepitaxia refere-se ao caso de
crescermos um filme sobre um substrato, ambos do mesmo material. Como exemplo
Fig. 9.1 Exemplos de estruturas obtidas por crescimento epitaxial: a) camada de Si tipo n
sobre substrato tipo n+ ( + refere-se a nível de dopagem de alta concentração), b) camada
de Si tipo n sobre substrato tipo p com regiões tipo n+, c) camada de AlGaAs tipo n sobre
substrato de GaAs não dopado ou semi-isolante (S.I.).
Fig. 9.2 Diagrama esquemático de um sistema de crescimento epitaxial por fase vapor
(VPE).
Uma técnica mais refinada e muito mais cara é a técnica chamada MBE
(Molecular Beam Epitaxy) ou Epitaxia por feixe molecular. Esta técnica é realizada em
câmara de ultra-alto vácuo (aprox. 10-11 torr), esquematizado na Fig. 9.5. Células de
efusão, evaporam materiais, formando finos feixes de vapor do elemento químico
carregado na célula. Os feixes moleculares são direcionados para a amostra, fixa em
suporte com temperatura controlada. Os átomos condensam na superfície da lâmina e
formam as novas camadas atómicas, seguindo a mesma estrutura e orientação do
substrato. Um sistema de anteparos (“shutters”) permite a interrupção de um ou mais
feixes moleculares. Isto permite controlar a espessura, a composição e a dopagem das
camadas crescidas seqüencialmente. Obtém-se o crescimento de camadas com controle
muito preciso, a nível de uma camada atômica, sobre estes parâmetros. Esta técnica é
apropriada para a fabricação de dispositivos com hetero-estruturas e dispositivos
especiais tipo optoeletrônicos e eletrônicos de alta freqüência.
O aluno deve estar se perguntando: mas por quê ocorre a difusão dos dopantes
no cristal semicondutor? A resposta é a mesma à estudada no capítulo anterior, item
8.7.2, no caso da difusão de portadores de cargas (elétrons e lacunas). A difusão de
dopantes ainda é similar à difusão da fumaça de cigarro no ar, a qual ocorre mesmo à
temperatura ambiente. Nos sólidos, ao contrário, a difusão é normalmente desprezível à
temperatura ambiente e ocorre apenas se aumentarmos consideravelmente sua
temperatura. Como em qualquer processo de difusão, a força propulsora do mecanismo
é a existência de um gradiente de concentração. Partículas com movimento térmico
aleatório apresentarão um fluxo líquido da região de maior concentração para uma região
de menor concentração. Assim, poderemos ter a difusão de dopante da superfície de
uma lâmina para seu interior, se introduzirmos uma alta concentração do mesmo na sua
superfície, por exemplo, através de um gás ou vapor deste elemento. A difusão não
necessariamente é da superfície para o interior da lâmina, mas sim necessariamente da
região mais dopada para a menos dopada. Poderemos ter a difusão a partir de uma
camada altamente dopada no interior da lâmina, como por exemplo, de camada
enterrada obtida após etapa de crescimento epitaxial (ver Fig. 9.1b).
Fig. 9.7 Perfil típico de dopagem de uma junção pn, obtido pela difusão de impurezas a
partir da superfície.
Fig. 9.8 Formação de diodo com área delimitada: a) abertura de janela em filme de óxido
de silício, b) desenho em secção de corte da janela antes da difusão e c) após etapa de
difusão.
∂N (x,t)
F = −D . (9.1)
∂x
− E a kT
D = D0 e (9.2)
Fig. 9.11 Gráfico tipo Arrhenius do coeficiente de difusão de vários elementos químicos
em Si.
Caso D seja constante no espaço (isto nem sempre é verdade, pois ela pode variar com
a concentração da impureza), podemos simplificar a expressão (9.3) para:
∂N (x,t) ∂ 2
N ( x, t)
= D (9.4)
∂t ∂x 2
Estas duas leis de Fick permitem calcular o perfil de dopagem após uma etapa de difusão
térmica. Analisemos 2 casos:
a) No caso do processo ser tal que ela imponha como condição de contorno, a
concentração de superfície (x=0) ser constante (por exemplo, num forno contendo um
fluxo constante de gás contendo o dopante), teremos um perfil de dopagem decrescente
a partir da superfície, com NSup = constante e profundidade do perfil crescente com o
tempo, como ilustra a Fig. 9.12. A solução matemática deste caso é dada por uma função
tabulada chamada de erro complementar:
x
N (x,t) = N sup . erfc (9.5)
2 D .t
∞
Q= ∫0 N ( x ) = cte
Q(x,t = 0) = Q.δ( x)
A difusão térmica resulta numa redistribuição dos dopantes com a penetração dos
mesmos no material, resultando em perfis de concentração graduais, com profundidade
crescente e concentração superficial descrescente com o tempo, como ilustra a Fig. 9.13.
A solução matemática neste caso é uma meia Gaussiana dada por:
−x 2
Q
N ( x, t) = e 4 Dt
(9.6)
π Dt
As soluções analíticas dadas acima podem ser usadas apenas como soluções
aproximadas de primeira ordem. Na realidade, como já mencionamos, a suposição de
que D seja constante com a profundidade não é correta e resulta em erro na solução
analítica. Caso consideremos mais realisticamente, D variável com x, não existe solução
Fig. 9.12 a) Perfís de dopagem após etapa de difusão em forno com fluxo constante de
gás contendo o dopante, para tempos de processo crescentes, b) ilustração e definição
da coordenada x.
Fig. 9.13 Evolução do perfil de dopagem após sua redistribuição em forno sem nova
introdução de dopantes.
c) Implantação de Íons:
A implantação de íons é uma técnica alternativa para introduzir impurezas no
semicondutor. Ela é realizada por meio de um acelerador de partículas especialmente
projetado para esta aplicação. A Fig. 9.14 apresenta um desenho esquemático de um
implantador de íons. Uma fonte de íons é alimentada por um gás ou vapor, contendo o
elemento que se deseja implantar. Por meio de uma descarga elétrica o gás é ionizado
na fonte e extraido através de um orifício por um campo elétrico, criando-se assim um
feixe de íons, que neste ponto ainda pode ser composto de íons de diferentes elementos
ou radicais. Cada íon deixa o orifício com uma velocidade específica que depende da sua
massa:
1
EC = m ion v 2 = − q .V (9.7)
2
onde V é a tensão da fonte de extração dos íons. Da relação (9.7) obtém-se o valor da
velocidade cinética do particular íon ou radical.
Após a geração do feixe de íons, este entra num seletor de massas, constituído
por um imã com campo magnético, B, variável (ajustável pela corrente na bobina) e com
percurso de ¼ de um círculo. A força de Magnética sobre os íons faz com que estes
sigam um percurso circular de raio Rion obtido pela seguinte igualdade:
m ion .v 2
q .v . B = (9.8)
R ion
Caso o raio do percurso do íon coincida com o raio do imã, este íon selecionado sairá do
seletor. No caso contrário, os íons de massa diferente ao do selecionado, terão percurso
de raio distinto ao do raio do ima e irão colidir nas paredes do mesmo, permanecendo
adsorvidos ou implantados nestas paredes e não conseguem sair no final do seletor.
Por fim, o feixe de íons incide sobre a lâmina que fica dentro de um copo de
Faraday (com abertura com área bem determinada) e conectada a um integrador de
Os íons usualmente usados para dopar o semicondutor de Si são: 11B+ , 31P+, 75As+
(o número refere-se à massa atômica do isótopo do elemento selecionado e o símbolo +
refere-se ao fato do íon estar ionizado, pela perda de um elétron). A energia típica dos
íons pode variar de 30 a 200 keV (máquinas especiais permitem uma faixa maior de
energia, de 5 a 1000 keV). As doses típicas usadas variam de 1012 a 5x1015 íons/cm2 (em
aplicações especiais pode variar de 1011 a 1018 íons/cm2).
φ φ
N = ≅ o .4 (9.12)
∆RP
MAX
2 π .∆ R P
Fig. 9.16 Definição dos parâmetros R P e ∆RP numa distribuição Gaussiana normalizada.
O processo planar desenvolveu-se junto com a tecnologia do Si, tendo em vista que
este apresenta uma vantagem fundamental sobre os outros semicondutores, devido às
seguintes propriedades:
• Permite a formação de um filme de SiO2 por oxidação térmica da superfície do Si.
• O SiO2 formado é extremamente estável
• A interface entre Si e SiO2 é de excelente qualidade
• O Si e o SiO2 apresentam coeficientes de expansão térmica compatíveis (2.6x10-6 °C-
1
para Si e 0.5x10-6 °C-1 para SiO2)
As características acima do sistema SiO2/Si levam alguns autores a chamar o material Si
como uma dádiva de Deus, tendo em vista que elas facilitam em muito a fabricação de
dispositivos de boa qualidade. Isto justifica porque aproximadamente 98% dos
componentes semicondutores sejam feitos em Si.
x 2 + A. x o = B .( t + τ )
o (9.13)
Tanto o isolante SiO2 como o isolante Si3N4 podem ser depositados por técnica
CVD (“Chemical Vapor Deposition” ou deposição química em fase vapor). Neste
processo, o filme é obtido pela reação química de gases introduzidos num reator, sobre a
superfície da lâmina, sendo a reação catalizada por esta. Existe uma variedade muito
grande de reatores. O reator CVD pode ser similar ao reator descrito no item anterior
sobre crescimento epitaxial de Si por VPE. Ele deve ter os seguintes coponentes básicos:
controle de pressão no reator (pode ser a baixa pressão com sistema de bombas de
vácuo), controle de entrada de gases, controle de temperatura da lâmina. Opcionalmente
pode ter um sistema de geração de plasma do gás. Como exemplos de processos temos:
Terminada a fotolitografia, a superfície está pronta para a próxima etapa, como por
exemplo a dopagem por difusão ou por implantação iônica. Neste caso, a dopagem
ocorre apenas nas regiões não cobertas por óxido. Seqüência semelhante é usada para
Fig. 9.21 Curva normalizada da espessura de óxido versus tempo, obtido por crescimento
térmico.
c)
d) e)
Fig. 9.24 Desenhos de secções em corte da estrutura da lâmina com camada de SiO2 ,
após as várias etapas do processo de fotolitografia: a) aplicação do fotorresiste, b)
exposição do fotorresiste através da máscara, c) revelação do fotorresiste, d) corrosão
química da camada de SiO2, e) remoção do fotorresiste final.
C0 − C L
% − Sólida = . 100
CS − C L
CS − C0
% − Líquida = . 100
CS −CL
Dos dados da Fig. 9.27 obtém-se uma fase dupla com 37% sólido e 73% líquido.
3.1) Sistema Au-Si: A Fig. 9.28 mostra o diagrama de fase do sistema Au-Si. Uma
primeira diferença deste sistema em relação ao anterior de elementos similares, é que as
curvas de transformação de fase não apresentam mais um comportamento de variação
monotônica, podendo ter um ponto de fusão de uma liga, com temperatura inclusive
inferior aos dos pontos de fusão dos dois elementos puros. O ponto em particular e
singular de mínima temperatura de fusão é chamado de ponto de fusão eutético. A
composição da liga correspondente é chamada de liga eutética. Para temperaturas
abaixo da fusão eutética, todo o material é sólido. Para material com composição
diferente à da liga eutética, podemos ter 3 fases possíveis, dependendo da temperatura:
sólida, mistura de sólido com líquido, líquida. No caso do sistema Au-Si, observa-se as
seguintes temperaturas de fusão: 1064 °C para Au puro, 1412 °C para Si puro e 363 °C
para a liga eutética composta por 82% de Au e 18% de Si. A característica de formação
de liga eutética é freqüentemente usada para soldar o chip de Si com uma base de Au da
cápsula final de uso do componente. A Fig. 9.29 ilustra o processo de formação desta
solda. O chip é colocado sobre o suporte metálico contendo uma película superficial de
Au. Por aquecimento até temperatura acima da fusão eutética, começa a fusão na
interface, formando uma fase líquida com composição igual à da liga eutética. Após
resfriamento, temos a solidificação com permanência da liga eutética Au-Si na interface
entre os 2 materiais puros.
3.2) Sistema Al-Si: A Fig. 9.30 mostra o diagrama de fase do sistema binário Al-Si.
Observamos deste diagrama as seguintes temperaturas de fusão: 660 °C para Al puro,
1414 °C para Si puro e 577 °C para a liga eutética composta por 12% de Si e 88% de Al.
Outro detalhe importante é mostrado no gráfico ampliado da região de 0 a 1.5% de Si em
Al. Esta região do diagrama informa o limiar de solubilidade sólida de Si no Al, ou seja,
para pontos dentro do triângulo mostrado, o Si fica solúvel no Al (em estado sólido).
Considerando um ponto dentro do triângulo, por exemplo 0.5% de Si e temperatura de
500 °C, ao reduzir-se a temperatura, observa-se que passamos pelo limiar de
solubilidade sólida em 450 °C. Como conseqüência, o Si tenderá a precipitar-se em
agregados, para temperaturas inferiores a esta. Outra conclusão que podemos tirar do
detalhe deste diagrama é que, se colocarmos o Si e Al em contato direto e em equilíbrio
térmico numa dada temperatura, por exemplo 450 °C, Si irá difundir para dentro do Al até
alcançar a concentração igual à da sua solubilidade sólida nesta temperatura. Estas
considerações são de importância fundamental para o desenvolvimento e estudo de
contatos ôhmicos de Al com Si, como muito usado na fabricação de dispositivos
semicondutores. O processo de formação de contato ôhmico de linha de Al com uma
dada região de dispositivos de Si, segue a seguinte seqüência:
• Fotogravação e abertura de via de acesso através do isolante de superfície (SiO2).
Fig. 9.29 Ilustração da solda eutética de chip de Si sobre uma base de Au.
laboratório). Nota-se que as linhas de Al ligadas aos contatos ôhmicos de fonte e dreno
apresentam muitos pontos pretos correspondentes aos nódulos de Si, enquanto que a
linha de Al de porta do transistor (sem contato com Al) não possui tais nódulos.
3.3) Sistema silicetos: Silicetos são ligas de Si com metais. Vários metais
refratários reagem com o Si uniformemente, a partir de uma interface de contato de filme
metálico sobre Si, quando recozido em temperatura apropriada. Isto resulta em formação
do siliceto com boa morfologia (sem formação de crateras como ocorre no caso da
sinterização do contato Al-Si). A formação do siliceto dá-se pela reação química em
estado sólido, entre os 2 elementos, metal e Si, sendo controlado pela temperatura do
processo. Cada siliceto apresenta algumas fases (liga com dada estequiometria)
possíveis, sendo que cada uma destas tem características específicas. A tabela 9.2
apresenta a resistividade de algumas fases de vários silicetos. Normalmente, a fase mais
rica em Si é a fase mais estável do siliceto daquele metal. Deseja-se usar siliceto com
boa estabilidade térmica e de baixa resistividade. O diagrama de fase do sistema metal-
Si indica todas as fases possíveis do siliceto. A Fig. 9.33 mostra o diagrama do sistema
Pt-Si. Vale ressaltar que os diagramas de fase são obtidos a partir de estudos
metalúrgicos de materiais de corpo (grandes espessuras) e que pode haver algumas
diferenças em relação aos casos de filmes finos. Embora o diagrama de fases do sistema
Pt-Si indique 5 fases de silicetos possíveis, observa-se apenas as transformações por 3
fases de silicetos quando recozemos um filme fino de Pt sobre substrato de Si, ou seja:
Pt/Si transforma-se em Pt2Si e este em PtSi (monosiliceto de platina), como ilustrado no
desenho esquemático da Fig. 9.34. É possível ainda, em certas condições de processo,
limitar a formação siliceto, de forma auto-alinhada, sobre toda a área da janela da via de
b) Linhas de Inteconexões:
Fig. 9.34 Seqüência transformações de fases pela reação entre filme fino de Pt e
substrato de Si.
Entre os 4 metais da tabela 9.3, o Al foi e ainda é o metal escolhido para uso em linhas
de interconexões em circuitos integrados. Isto se deve à sua resistividade aceitável e
excelente aderência sobre superfícies de Si e de SiO2. Porém o grande problema do Al é
a sua alta susceptibilidade ao efeito de eletromigração. Eletromigração é um efeito de
migração de átomos do material, sob efeito da transferência de um momentum da nuvem
de elétrons da corrente elétrica passando pela mesma. Este efeito é maior, quanto maior
a densidade de corrente e a temperatura de operação. Este efeito é também tanto maior
quanto menor o ponto de fusão do material, ou seja, quanto menor a energia das
ligações químicas do material. A eletromigração é um dos mecanísmos de falha de
circuitos integrados, pois ela causa a formação de aberto em linhas e de curtos entre
linhas vizinhas. O efeito é mais problemático quando reduzimos as dimensões das linhas,
uma vez que isto aumenta a densidade de corrente pelos mesmos. Este fato, aliado à
resistividade relativamente alta do Al comparado aos outros metais citados, fez aumentar
a procura por um metal alternativo ao Al. Au e Cu são bons candidatos para substituir o
Al, porém ambos sofrem do problema de alta difusividade no Si e no SiO2. Além disto,
estes metais geram estados profundos na banda proibida do Si, afetando assim
adversamente o tempo de vida de portadores, que por sua vez dá origem a altas
correntes de fugas de junções, entre outras. É, no entanto, possível empregar estes
metais se evitarmos o contato direto dos mesmos com o Si e o SiO2, protegendo-os por
capas de materiais de barreira de difusão e com boa aderência. Após uma década de
pesquisa, chegou-se a um estágio tecnológico que já permite usar Cu com material de
interconexão, sendo incorporado em alguns produtos comerciais desde 1998.
c) Multiníveis de Interconexões
b) Diodos LED e Laser: A estrutura de diodos LED (Light Emitting Diode) e Laser
(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation) são mostrados na Fig. 9.40.
Estes tipos de diodos são fabricados tipicamente em semicondutores compostos do tipo
III-V, com diodo pn composto por heterojunção, ou seja, junção com materiais distintos. A
região emissor de luz é composto por camada de semicondutor com banda proibida (E G)
menor, para confinar os portadores e estimular sua recombinação e emissão de fótons.
e) Tecnologia CMOS: A tecnologia CMOS refere-se a uma estrutura composta pela associação de
transistores MOS complementares, ou seja, de transistores nMOS e pMOS. Tipicamente, os
transistores nMOS e pMOS são associados em série, tendo o terminal de entrada ligado às duas
portas dos transistores complementares. A Fig. 9.43 mostra o desenho esquemático de uma
estrutura CMOS. Necessitamos de regiões (poços ou ilhas) tipo n e tipo p para a fabricação dos
transistores pMOS e nMOS respectivamente. Normalmente o material de porta usado é uma
camada de silício policristalino altamente dopada. Para reduzir resistências parasitárias das linhas
de porta e de fontes e dreno, é comum ainda formar um siliceto na superfície das
mesmas, por exemplo TiSi2 ou CoSi2. A grande motivação pela tecnologia CMOS é o seu
baixo consumo de potência, de grande importância para CI´s com milhões a bilhão de
transistores. Atualmente, a grande maioria dos CI´s são fabricados em tecnologia CMOS
(> 85%).
Neste estágio os CI´s estão concluídos a nível de lâmina. Após este ponto, os CI´s
devem ser testados funcionalmente, usando um sistema com pontas de prova
diretamente sobre a lâmina. Os chips que não passarem no teste recebem um pingo de
tinta vermelha, para sua identificação de eliminação posterior. Em seguida, a lâmina é
colada numa tecido plástico e elástico. Uma serra diamantada faz cortes na lâmina nos
espaços deixados entre as colunas e linhas de chips. Esticando-se em seguida o tecido
suporte, os chips são fisicamente separados. Os chips sem o pingo de tinta vermelha são
em seguida montados e soldados sobre a base de cápsulas. Uma máquina de solda de
fios executa a conexão entre as áreas de solda dos terminais externos no chip até os
terminais da cápsula. Finalmente as cápsulas são seladas. Antes do uso ou
comercialização dos chips, os mesmos devem ser testados exaustivamente, quanto aos
parâmetros funcionais, de desempenho, de controle de qualidade e de confiabilidade.
No ano de 1936 a Bell Labs decide criar um grupo de pesquisa específico para
estudar e desenvolver dispositivos semicondutores, com o objetivo de fabricar o transistor
de efeito de campo. Um outro grupo bastante ativo nesta área e que contribuiu
significativamente com o trabalho na Bell Labs era o grupo da universidade de Purdue.
Em 1940, R. Ohi identifica pela primeira vez semicondutores de Si tipo p e tipo n. No
mesmo ano, J.Scaff e H. Theuerer mostram que o nível e o tipo de condutividade do Si é
devido à presença de traços de impurezas. Durante os anos seguintes da II Guerra
mundial, as pesquisas nesta área são suspensas na Bell Labs, devido a outras
prioridades.
Em meados dos anos 40, ao final da II Guerra mundial, o status da eletrônica era
baseado nos seguintes dispositivos básicos:
• Válvulas termiônicas, que apresentavam as seguintes características: muito frágeis,
caras e de alto consumo de potência.
• Relés elétro-mecânicos, que por sua vez eram de comutação muito lenta.
Estas limitações destes dispositivos motivaram o reinício da pesquisa e desenvolvimento
de novos dispositivos a estado sólido. Assim, em 1946, a Bell Labs recria seu grupo de
pesquisa em estado sólido, agora sob liderança de William Schockley, concentrando
esforços na pesquisa dos semicondutores Ge e Si e de transistores de efeito de campo.
Nesta época, um dos pesquisadores do grupo, Bardeen, sugere uma explicação pela
insucesso na obtenção do transistor FET baseado na alta densidade de estados de
superfície dos semicondutores (dentro da banda proibida). Mas persistindo na pesquisa
da invenção do FET, Bardeen e Brattain descobrem por acaso o efeito de transistor
Jacobus W. Swart – Materiais Elétricos – Cap.09 – p.43
bipolar, em final de 1947, mais precisamente em 16 de dezembro. Este transistor e
esquema elétrico são mostrados na Fig. 9.46. O transistor era constituído por uma base
de Ge tipo n (contato de base pelas costas da amostra) e duas junções de contato tipo p
na superfície, sendo um de emissor e outro o coletor, feitos um próximo ao outro. Após
os cuidados necessários para patentear o invento e convencer o exército americano, que
queria mantê-lo como segredo, a Bell Labs o anuncia publicamente em junho de 1948. O
descobrimento do efeito transistor bipolar é sem dúvida atribuído aos pesquisadores
Bardeen e Brattain, mas quem desenvolveu a teoria e explicação sobre o funcionamento
do transistor bipolar foi o chefe deles, W. Schokley, em janeiro de 1948. A teoria de
Schockley, de injeção de portadores minoritários pela junção emissor-base, foi
comprovada por meio de um transistor vertical fabricado em fevereiro de 1948, por J.
Shive. Esta teoria torna-se amplamente acessível com o lançamento do livro “Electrons
and Holes in Semiconductors” por W. Schokley em 1950. Mais tarde, em 1956, Schokley,
Brattain e Bardeen são condecorados com o prémio Nobel de física pelas contribuições
referentes ao transistor bipolar. A pesquisa pela obtenção do transistor de efeito de
campo foi mantida, apesar do descobrimento do transistor bipolar, sendo que em 1952, I.
Ross e G. Dacey demonstram o primeiro transistor tipo JFET. Neste caso, a porta é
constituída por uma junção pn, que controla a passagem de corrente pelo canal. Desta
forma, contornou-se o problema de estados de superfície, que ainda não tinha sido
resolvido até então.
Em 1955, Schockley deixa a Bell Labs e funda sua própria empresa, Schockley
Semiconductors, que marca a origem do Vale do Silício, no estado de California. A sua
empresa em sí não foi marcante, porém ela começou com pesquisadores e
empreendedores de alto nível, que depois criaram a Fairchild (1957) e Intel, entre muitos
outros. Entre estes pesquisadores destacam-se Gordon Moore e Robert Noyce.
impurezas de Na, que são responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta
e que causa um desvio na tensão de limiar dos transistores (altera a densidade de
portadores induzidos no canal). A combinação de transistores MOS de canal n e de canal
p num mesmo substrato, levou F. Wanlass a propor a tecnologia CMOS em 1963 (ver
Fig. 9.43). Outros marcos históricos que contribuíram enormemente para o avanço das
tecnologia MOS foram, a) o uso de filme de silício policristalino dopado como material de
porta de transistores, a partir de 1966, e b) o uso da técnica de implantação de íons para
o ajuste da tensão de limiar do transistores, pela dopagem da região de canal com muita
precisão.
Além dos dispositivos descritos acima, muitos outros foram inventados, ao longo do meio
século de vida da era dos semicondutores. K. K. Ng apresenta uma revisão ampla destes
dispositivos (“A Survei of Semiconductor Devices”, IEEE Trans.Electr. Dev., vol.43, no.
10, p.1760, Oct. 1996), que recomendamos como leitura. Ele classifica como sendo 67
dispositivos distintos, com mais aproximadamente 110 outros dispositivos relacionados,
com pequenas variações em relação aos primeiros, como parcialmente ilustrado na Fig.
9.49. Uma relação resumida destes dispositivos é apresentada na tabela 9.4, com os
mesmos organizados em grupos, baseado em suas funções e/ou estruturas.
Fig. 9.48 Fotografia do primeiro circuito integrado fabricado por processo planar na
Fairchild em 1961.
Fig. 9.52 Evolução nas dimensões mínimas empregadas nas estruturas em CI´s.
A evolução obtida até este ponto, bem como a que está por vir, é resultado de um
esforço muito grande de muitas pessoas, empresas e instituições de ensino e pesquisa.
Nenhuma empresa sozinha, nenhum país sozinho, poderia ter trilhado tão rapidamente
este caminho. Os países avançados e suas empresas têm consciência deste fato e que
torna-se mais necessário ainda para o futuro. Os avanços futuros necessitam de recursos
mais volumosos ainda e portanto de ações conjuntas de pesquisa e desenvolvimento.
Com o intuito de guiar este trabalho de desenvolvimento, a SIA (Semiconductor Industry
Association) do USA, elabora um relatório trienal, onde ela propõe um mapa de estrada
para o futuro (The National Technology Roadmap for Semiconductors). Na tabela 9.5
apresentamos alguns dados do relatório publicado em 1997. Assim, prevê-se uma
evolução gradual até pelo menos dimensões mínimas de 50 nm (ano 2012). A partir
deste ponto, provavelmente as várias limitações, físicas e tecnológicas, impedem a
realização de transistores com comprimento de canal menor que isto. Portanto, novos
conceitos físicos devem ser usados para inventar dispositivos alternativos aos dos
tradicionais MOSFET e bipolares. Entre estes já existem os dispositivos de bloqueio
Coulombiano, entre outros dispositivos de um único elétron. São propostos também os
dispositivos quânticos, onde se controla o estado do elétron de um átomo (hidrogênio por
• Dispositivos optoeletrônicos
• Dispositivos e estruturas fotônicos (ver capítulo 12)
• Sensores e atuadores
• Micromecânica
• Estruturas para biologia e medicina
• Fabricação de placas de circuitos impressos e suas evoluções.
a) b)
Patrick Verdonck
At frequencies between 1 MHz and 100 MHz, the free electrons are able to follow the variations of the
applied electric field and, unless they suffer a collision, they can gain considerable e energy, of the order of
some hundred eV. On the other hand, in this frequency range, the movement of the much heavier (positive )
ions is very little influenced (one may simplify that they are not influenced) by these electric fields: their
energy comes completely from the thermal energy of the environment and is of the order of a few hundredths
of an eV (i.e., ~0.01eV).
In the pressure range of these plasmas, from a few mTorr to a few hundreds of mTorr, the electrons will
travel much longer distances than the ions, and in this way, they will much more frequently collide with the
reactor walls and electrodes and consequently be removed from the plasma. This would leave the plasma
positively charged. However, plasmas remain neutral. To guarantee this neutrality, a DC electric field has to
be formed in such a way that the electrons are repelled from the walls. The capacitor between the power
generator and the electrode, shown in figure 1, helps to form the DC charge. During the first few cycles,
electrons generated in the plasma escape to the electrode and charge the capacitor negatively. In this way, a
negative DC bias voltage is formed on the electrode, which repels the electrons. The AC voltage becomes
then superposed on this negative DC voltage as shown in figure 2.
In most reactors, one can clearly observe this so-called dark sheath as a region with less luminosity than
the bulk of the plasma. In this region, the density and energy of the free electrons is lower. Therefore, less
collisions with molecules will occur, causing less excitations of electrons (bound to molecules) and
therefore less photons will be emitted from this region.
with:
VDC: the voltage drop between plasma and electrode 2
A1 the area of electrode 1
A2 the area of electrode 2
n an exponential factor, which is typically between 1 and 2.
Formula (1) is valid for whatever electrode is powered. If electrode 1 is powered and electrode 2 is
grounded, VDC is in this case the DC potential of the plasma, see figure 3.
One can prove that n = 1 or that n = 4, depending on the (very reasonable ) assumptions one makes about
the plasma. Anyway, the modulus of the DC voltage will increase with the ratio of grounded surface area to
powered surface area. In RIE systems, the powered electrode has in general much less area than the grounded
surfaces, resulting in a large negative DC voltage on the lower electrode. The consequences on the etching
results will be discussed later. In PE systems, the upper electrode is powered and the lower electrode is in
general grounded, together with the walls. This results in general in a small voltage drop between plasma and
lower electrode. One can decrease the voltage drop between plasma and electrode even more, when one
leaves the electrode floating. i.e. no electrical connection is made to the lower electrode.
2.2.2.2 Pressure
The pressure of the plasma does also influence the DC bias voltage, but to explain its influence is a little
more complicated.
2.2.2.3 Power
The influence of power is straightforward: an increase of power increases both the density and the energy
of the free electrons. Therefore, the DC voltage becomes more negative with increasing power.
2.2.2.4 Conclusions
When a wafer is placed on the lower electrode, one obtains a high voltage drop between wafer and
plasma:
- when a gas with low electronegativity is used, or added to an electronegative gas (e.g. N 2 to SF6)
- at low pressure
- for high power
- in RIE mode
To obtain a low voltage drop, the inverse conditions have to be used.
SiF is not a volatile molecule: it will remain on the surface. At room temperature, the first volatile
compound formed is SiF4. This compound can be formed or by reactions (5) to (7) or by reactions (5) and
(8). What exactly happens is not completely understood. For more details, see references [5,8,9].
Once SiF4 is formed at the surface of the substrate, it can desorb form the surface and become a gas
molecule, which is then removed from the reactor through the pump to the exhaust.
The most common geometry for production equipment is with the planar coil, which, together with
multipole magnets, results in high density and uniform plasmas [7,13]. Besides, it requires less dielectric,
which turns this geometry easier to fabricate. Quartz would be a good dielectric, would it not be etched, as
when using e.g. fluorine containing plasmas. Therefore, the preferred dielectric material is alumina (A1203),
which has excellent electric characteristics, but is hard and expensive to manufacture.
If no plasma is formed in the reactor, the magnetic field generated by the coil, enters the reactor. If a
plasma is formed in the reactor, an electric field can be formed in the reactor, because of Faraday’s law:
X E = µo (δH/δt) (9)
This electric field creates a current in the plasma, and the resulting total magnetic field will be null in the
reactor. The absorbed power in the plasma is then proportional to the real part of the product of the vectors of
the current and the electric field in the plasma.
Ion densities of the order of 1011 to 1012 per cm3 at pressures lower than 20 mTorr, can be obtained in these
discharges. This is one to two orders of magnitude higher than for traditional capacitively coupled
Microwave energy is often used to generate plasmas. These plasmas are, in general, denser than RF
plasmas, certainly in cavities. On the other hand, these cavities are located at a considerable distance from
the wafer. Therefore, reactive particle densities at the wafer level are often lower than for RF plasmas, and
the uniformity of the etching is in general rather poor. Using an ECR equipment, as shown in figure 7, the
densities of electrons, ions and other reactive particles can be increased, and the uniformity will be much
better than for a simple microwave reactor.
Over the last few years, several papers appeared on the electrical characterization of ECR plasmas,
mainly using Langmuir probes [15,16]. These papers show that high ion and electron densities can be
generated. High etch rates, with good anisotropy can be obtained at low pressures. The main drawback
of ECR etching is still the low uniformity of the etching as the plasma is generated at some distance
from the wafer and it then spreads out, as shown in figure 7, so that it is hard to obtain good
uniformities over large wafer diameters. As the tendency of silicon wafers is to grow ever larger, it is
the opinion of the author that ECR will be used less and less for these applications. On the other hand,
for other substrates, with (much) smaller diameters, ECR is a good technique.
5. Conclusions.
Plasma etching will remain an important technique in the fabrication of integrated circuits and microsystems
for years to come. For several applications, the use of (simple) capacitively coupled RF plasmas will remain
the best option. For specific applications, mainly where a high aspect ratio is required, plasmas at low
pressures deliver a better solution. In this text, ECR and Inductively Coupled plasmas have been discussed as
two options. ECR plasmas have serious limitations when large substrates are used, but for smaller samples,
they can be an excellent solution. Inductively coupled plasma systems, mainly with a planar coil, together
with an extra bias at the substrate holder, have proven to be very versatile, which deliver already excellent
results in production. For low pressure plasmas, this kind of equipment seems to be the most promising.
6. Acknowledgements
The author would like to thank Ronaldo Domingues for discussion of the manuscript.
7. References
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[6] Verdonck, “Dry Etching for Integrated Circuit Fabrication”, in Processos de Microeletrônica, editor
Baranauskas, 1990
[7] Lieberman, Lichtenberg, “Principles of Plasma Discharges and Materials Processing”, John Wiley &
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structure of the reaction layer”, Physical Review B, vol 24, p 15648 (1993)
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Si(100)/XeF2/Ar~ system on a time scale 100 µs-1000s, J. Vac Sci.Technol. A, vol 12, p 636 (1994)
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[11] Fonash, “An Overview of Dry Etching Damage and Contamination Effects”, J. Electrochem. Soc.
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[12] Gabriel, Mc Vittie, “How Plasma Etching Damages Thin Gate Oxides”, Solid State Technology,
June 1992, p81
[13] Paranjpe “Modeling an inductively coupled plasma source”, J. Vac Sci.Technol. A, vol 12, p 1221
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[15] Tepermeister, lbbotson, Lee, Sawin, “Comparison of advanced plasma sources for etching purposes:
II: Langmuir probe studies of a helicon and multipole electron cyclotron resonance source”, J. Vac
Sci.Technol. B, vol 12, p 2322 (1994)
[16] Gibson, Sawin, Tepermeister, Ibbotson, Lee, “Comparison of advanced plasma sources for etching
purposes III Ion energy distribution functions for a helicon and multipole electron cyclotron resonance
source”, J. Vac Sci.Technol. B, vol 12, p 2333 (1994)
Deposição de Filmes Finos
Peter J. Tatsch
1. Introdução
Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados
nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos
circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as
superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos
podem ser condutores, semicondutores ou isolantes, normalmente crescidos termicamente ou depositados a
partir da fase vapor.
Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos VLSI devem apresentar características
rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes,
com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas.
As geometrias diminutas dos dispositivos resultam em circuitos com superfícies bastante rugosas. Os
filmes nelas depositados devem ter boa aderência, baixa tensão e prover uma boa cobertura de degraus.
Normalmente as propriedades de um material na forma de filme diferem substancialmente das
propriedades do mesmo material na sua forma maciça devido à influência da superfície; a relação entre a
superfície e o volume é muito maior no caso do filme. Por outro lado as propriedades dos filmes são
altamente dependentes dos processos de deposição.
Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:
a) crescimento dos filmes pela reação da superfície do substrato com as substâncias presentes no
ambiente de processo;
b) crescimento dos filmes por deposição sem reação com o substrato.
Fazem parte do caso a) a oxidação e a nitretação térmica do Silício e a obtenção de Silicetos pela reação
do Silício com filmes metálicos depositados.
O caso b) pode ser subdividido em três subgrupos:
b.1) deposição química a partir da fase vapor: neste processo, denominado CVD (Chemical Vapor
Deposition), os filmes são formados pela reação química de espécies convenientes na superfície do substrato.
Quando o processo é utilizado para formar filmes monocristalinos ele é denominado epitaxia.
b.2) deposição física a partir da fase vapor: neste processo as espécies do filme são arrancadas
fisicamente de uma fonte, por temperatura (evaporação) ou por impacto de íons (Sputtering), e como vapor
se deslocam até o substrato onde se condensam na forma de um filme. O ambiente de processo é mantido em
baixa pressão.
b.3) deposição a partir de líquidos: neste processo a espécie, em forma líquida, é gotejado e centrifugado
sobre o substrato. Neste capítulo serão tratados os processos de deposição.
2. Mecanismos de crescimento
Normalmente os filmes são formados pela condensação (solidificação) de átomos ou moléculas de um
vapor sobre o substrato. O processo de condensação se inicia pela formação de pequenos aglomerados de
material, denominados núcleos, espalhados aleatoriamente sobre a superfície do substrato. Forças de atração
eletrostáticas são as responsáveis pela fixação dos átomos à superfície. O mecanismo de fixação é
denominado adsorção química quando ocorre a transferência de elétrons entre o material do substrato e a
partícula depositada e adsorção física se isto não ocorrer. A energia de ligação associada à adsorção química
varia de 8eV a 10EV e a associada à adsorção física é de aproximadamente 0.25eV. Átomos adsorvidos
migram sobre a superfície do substrato interagindo com outros átomos para formar os núcleos. O processo é
denominado nucleação. A medida que mais átomos interagem os núcleos crescem. Quando os núcleos
entram em contato uns com os outros ocorre a coalescência que resulta em estruturas maiores. O processo
continua formando canais e buracos de substrato exposto, preenchidos com novos núcleos até a formação de
um filme contínuo com esquematizado na figura 1.
4. Propriedades mecânicas
4.1 Aderência
A aderência de um filme depositado deve ser muito boa. O seu soltamento pode acarretar um
comportamento falho dos dispositivos A aderência depende bastante dos procedimentos de limpeza e da
rugosidade do. substrato. Uma certa rugosidade pode aumentar a aderência (maior área de contato).
Rugosidade excessiva no entanto pode gerar defeitos de cobertura prejudicando a adesão.
A aderência pode ser qualitativamente verificada colando-se uma fita adesiva sobre a superfície. Ao se
remover a fita o filme deve permanecer sobre o substrato. Outro método consiste em se raspar a superfície do
filme com uma ponta de aço-cromo com tensões variadas até que o filme seja removido. Esta tensão crítica
dá informações sobre a aderência.
4.2 Tensão
A tensão interna de um filme pode ser de compressão ou de expansão. Filmes com tensões de compressão
tendem a expandir paralelamente à superfície do substrato. Em casos extremos podem formar protuberâncias
na superfície. Filmes com tensões de expansão tendem a se contrair paralelamente ao substrato, podendo
apresentar fissuras ao exceder seu coeficiente de elasticidade. Normalmente, as tensões em um filme variam
entre 108 a 1010 dinas/cm2.
Uma tensão de expansão pode curvar o substrato tornando-o côncavo (figura 2a). Uma tensão de
compressão pode tornar um subtraio convexo (figura 2b). Pode-se utilizar um feixe de Laser para se medir a
curvatura do substrato. A tensão do filme será dada por:
___σ = ED ;
6rT
5. Processo CVD
O processo CVD, pode ser descrito de forma concisa pela seguinte seqüência de etapas:
1- reagentes específicos e gases diluentes inertes são introduzidos em determinada quantidade (com fluxo
controlado) em uma câmara de reação;
2- os gases difundem até a superfície do substrato;
3- os reagentes são adsorvidos na superfície;
4- os átomos adsorvidos reagem formando o filme;
5- os subprodutos da reação são dessorvidos e removidos da câmara.
A energia necessária para a reação pode ser provida por diferentes fontes como calor e fótons, No entanto
a energia térmica é a mais utilizada.
Embora seja desejável que a reação química ocorra apenas na superfície, ou pelo menos perto dela (a
chamada reação heterogênea), normalmente ela pode ocorre também na fase gasosa (reação homogênea). A
reação homogênea produz partículas que se introduzem no filme resultando em pouca aderência, baixa
densidade e alta concentração de defeitos[2]. A reação na superfície aquecida pode ser modelada pela
seguinte expressão:
R = R0 exp( -Ea ) ;
kT
Num processo limitado por transporte de massa o controle de temperatura do substrato torna-se
importante. Por outro lado, num processo limitado por taxa de reação o controle da concentração dos
reagentes em toda a superfície do substrato torna-se um fator importante.
Os reatores LPCVD apresentam melhores resultados que os reatores APCVD em termos de uniformidade
do filme depositado, cobertura de degrau e contaminação por partículas [3]. O processo de deposição ocorre
predominantemente no regime limitado pela taxa de reação devido a pressão média
utilizada (0.25 - 2.0 torr) e a alta temperatura (550 - 600 0C ). Estes sistemas são utilizados na deposição de
filmes como Polisilício, Si02, Si3N4, PSG, BPSG e W. As maiores desvantagens desses sistemas são a baixa
taxa de deposição (10 - 50 nm/mín) e a alta temperatura utilizada.
A figura 6 mostra dois tipos de reatores LPCVD: horizontal de paredes quentes (6a), no qual se pode
processar ate 200 por fornada, e vertical de paredes frias (6b).
Uma variante dos reatores PECVD são os reatores de plasma remoto [4]. (RPECVD) nos quais o plasma
é gerado em uma câmara separada da câmara de reação onde se encontram os substratos. As espécies
excitadas são transferidas para a câmara de reação por difusão. A grande vantagem do sistema e que os
substratos não ficam expostos diretamente à radiação do plasma e portanto não são bombardeados pelos íons
de alta energia. Como nos sistemas PECVD a temperatura de processo é baixa.
Reator APCVD
Aplicações - Óxidos de baixa temperatura, dopados ou não;
Vantagens - Simples, alta taxa de deposição e baixa temperatura;
Desvantagens - Cobertura de degraus ruins e contaminação por partículas.
Reator PECVD
Aplicações - Deposição de dielétricos sobre metais em baixa temperatura, Nitreto de Silício para passivação;
Vantagens - Baixa temperatura, alta taxa de deposição, boa cobertura de degrau;
Desvantagens - Contaminação química, como H2, e por partículas.
Reator RPECVD
Aplicações - Mesmas que PECVD e dielétricos de porta em estruturas MOS;
Vantagens - Mesmas que PECVD sem a radiação do substrato pelo plasma;
Desvantagens - Baixa taxa de deposição.
Reator ECR
Aplicações - Mesmas que RPECVD;
Vantagens - Baixa temperatura, alta qualidade dos filmes depositados, alta taxa de deposição e boa cobertura
de degrau;
Desvantagens - Alto custo do equipamento.
Filmes de Silício policristalino são formados de pequenos grãos monocristalinos com cerca de 100 nm
dispostos aleatoriamente. A interface entre os grãos, formada por átomos com ligações insaturadas, com alta
concentração de defeitos, é denominada contorno de grão. A tensão intrínseca dos filmes finos de Polisilício
é de compressão (de 1 a 5 dinas/cm2 em filmes de 200 a 500 nm, com dopagem de até 1020 átomos/cm3 e
temperaturas de tratamento térmico de 250 a 1100 0C).
A resistividade elétrica depende do tamanho de grão e da dopagem e normalmente varia entre de 10 a
30Ω/.
Filmes policristalinos geralmente são depositados pela decomposição térmica (pirólise) da Silana
(SiH4) em temperaturas que variam de 560 a 650 0C. Normalmente se utiliza a técnica LPCVD devido a
uniformidade e pureza do filme obtido, e a economia do processo [5].
A seqüência das reações é:
Na figura 9 mostra-se a taxa de deposição de Silício policristalino em função da temperatura para duas
pressões de Silana.
b) deposições em temperatura média (650 a 750 0C) - reatores LPCVD pela decomposição de Tetraetil
Ortosilicato (TEOS). Os filmes depositados apresentam uma ótima cobertura conforme. A reação total é
c) deposição em temperatura alta (~900 0C) - reatores LPCVD pela reação da Diclorosilana com Óxido
Nitroso. Os filmes depositados são muito uniformes com propriedades semelhantes ao do óxido térmico. A
reação total é
O Nitreto de Silício é um filme amorfo, isolante, utilizado como camada de passivação, máscara para
oxidações seletivas e como dielétrico de porta em dispositivos MNOS. Normalmente é depositado por duas
técnicas, dependendo da aplicação. Para oxidações seletivas e dispositivos MNOS utiliza-se a técnica
LPCVD em alta temperatura (700 a 800 0C). Os filmes resultantes tem alta densidade e apresentam uma
ótima cobertura de degrau e pouca contaminação por partículas. No entanto os filmes apresentam altas
tensões e tendem a fender para espessuras maiores que 200nm. Os reagentes são a Dicforosilana e a Amônia
que reagem segundo a reação total
Para passivação, devido aos metais de baixo ponto de fusão, utiliza-se normalmente a técnica PECVD
(200 a 400 0C). Os filmes tendem a ser não estequiométricos, com alta concentração de Hidrogênio atômico
(10 a 30 % atômica), sendo representados como SixNyHz. Os reagentes utilizados são a Silana e o Nitrogênio.
A reação total é descrita por
A taxa de deposição depende muito da potência e freqüência de rf, fluxo de gases e pressão.
7.4 Oxinitretos
Oxinitretos [SiOxNy(Hz )] podem ser formados com várias composições reagindo Silana, Óxido Nitroso e
Amônia. Pode ser usado como camada isolante entre níveis de Alumínio.
7.5 Resumo
A tabela 1 apresenta um resumo das reações CVD para Polisilício, Óxido de Silício, PSG, BPSG e
Nitreto de Silício.
R= 5.83x10-4 (M/T)1/2 pe
Neste tipo de evaporador coloca-se o material fonte em uma barquinha metálica ou suspenso por um
filamento de W. Por efeito Joule (passagem de corrente) processa-se então o aquecimento do suporte
fundindo o metal fonte. Embora muito simples, a evaporação por aquecimento resistivo apresenta varias
restrições:
a) metais refratários não podem ser evaporados devido ao seu alto ponto de fusão;
b) evaporação do material do filamento pode contaminar o filme;
c) não se consegue controlar com precisão a espessura do filme;
d) não se consegue controlar a composição de ligas.
Neste tipo de evaporador, um feixe de elétrons de alta energia (5 a 30 keV), extraído de um ânodo e
direcionado por um campo magnético, bombardeia o material a ser evaporado. O feixe de elétrons pode
fundir e evaporar qualquer material desde que consiga suprir energia suficiente. Podem-se alcançar taxas de
deposição de até 0.5 µm/min. O material fonte é colocado em um cadinho resfriado. Como o feixe de
elétrons é focalizado e varrido de maneira controlada sobre o alvo, apenas o material fonte é fundido,
permitindo a obtenção de filmes de alta pureza.
O grande problema deste tipo de evaporador é a produção de raios-X causada pelo freamento dos
elétrons no alvo. A radiação pode provocar danos ao óxido de porta dos dispositivos MOS.
Neste caso, o aquecimento é produzido por uma fonte de rf. O cadinho que suporta o material fonte
normalmente é de BN, envolto por uma bobina resfriada à qual se aplica o sinal de rf. Este sistema não
produz radiação ionizante mas tem a desvantagem do contato direto entre o material fonte e o cadinho, o que
pode provocar a contaminação do filme depositado.
As desvantagens são:
a) alto custo do equipamento;
b) a taxa de deposição de alguns materiais pode ser bastante baixa;
c) alguns materiais degradam pelo bombardeamento de alta energia;
d) como o processo é efetuado em pressões maiores que as utilizadas em evaporações, pode ocorrer uma
incorporação de impurezas ao filme depositado.
As partículas de alta energia que bombardeiam o alvo, normalmente íons de Argônio, são gerados em
plasmas de descarga luminosa. A descarga luminosa se alto sustenta, e é produzida pela aplicação de um
campo elétrico DC (com tensão em torno de 1.5 kV) entre dois eletrodos (o alvo negativo, cátodo, e o
suporte da amostra positivo, ânodo) dispostos em oposição dentro de uma câmara. O Argônio é colocado na
câmara com pressão inicial de aproximadamente 1 torr. O espaçamento entre os eletrodos é da ordem de
15cm.
Quando o material do alvo é um dielétrico (portanto não condutor) é necessário utilizar um campo de rf
para manter a descarga. Isto se deve ao fato do dielétrico ficar carregado positivamente durante a
descarga DC, diminuindo a diferença de tensão entre o cátodo e o ânodo até um valor abaixo do qual a
descarga não mais se processa.
A ionização dos átomos de Argônio no plasma se processa pelas colisões com elétrons. Para se aumentar
a eficiência desta ionização, pode-se confinar os elétrons perto da superfície do alvo por meio de um campo
magnético. Neste caso, a técnica é denominada Magnetron Sputtering.
O perfil de um degrau pode ser modificado por um fenômeno de facetamento vinculado ao processo de
Sputteríng, como mostrado na figura 11. O Facetamento decorre da dependência da taxa de remoção com o
ângulo de incidência dos íons que bombardeiam a superfície. A taxa é maior para superfícies que não estão à
900 com a direção dos íons incidentes. O fenômeno se inicia normalmente nas bordas, que sempre são
arredondadas. Como mostrado na figura 11, o facetamento do Fotoresiste pode acabar sendo transferido para
o filme subjacente. Aberturas com bordas inclinadas podem apresentar uma melhor cobertura pelo filme
superior (melhor cobertura de degrau). O facetamento é realizado antes da deposição do filme.
Filmes de Al com espessuras variando de 300 a 1200 nm são depositados por Magnetron Sputtering por
exigir altas taxas de deposição ( 300 a 1000 nm/min). Para se obter uma boa cobertura de degrau aquece-se o
substrato, o que aumenta a mobilidade dos átomos na superfície. Devem-se tomar precauções em relação ao
gás residual. Sua incorporação no filme pode causar efeitos deletérios. A presença de 02 no ambiente de
processo pode aumentar muito a resistividade do filme. O N2 causa tensões, enquanto que o H2 pode induzir à
formação de hillocks.
Ligas de Al como Al:Cu e Al:Si podem ser depositados a partir de alvos compostos simples ou a partir de
alvos múltiplos.
Ligas Ti:W são depositados por Magnetron Sputtering, por descarga DC ou rf, a partir de alvo
composto. O filme resultante tem menos Ti (~50%) devido fato do Ti ser mais facilmente espalhado pelos
átomos de Argônio (os átomos de Ti são mais leves). Deste modo, boa parte do Ti acaba sendo depositado
nas paredes da câmara.
Filmes compostos podem ser obtidos pela introdução de gases reativos na câmara. Filmes de TiN podem
ser obtidos a partir de um alvo de Ti e um plasma de Argônio e Nitrogênio.
RC = RS L2 ε0x / x0x ,
onde RS é a resistência de folha do condutor ( RS = ρcom / xcom ), L é o comprimento da conexão, ε0x é a
constante dielétrica do Si02, x0x é a espessura do Si02 subjacente, ρcon é a resistividade do condutor e xcon, é a
espessura do condutor. Portanto o produto RC decresce com a diminuição de RS. A figura 12 mostra a
variação de RC, de alguns materiais, com a largura das linhas condutoras de 1 cm de comprimento. Para
comparações, mostra-se também o atraso de porta, por estágio, de um dispositivo MOS. É portanto
imperativa a busca de materiais de baixa resistividade para se conseguir fabricar circuitos densos de alto
desempenho.
Os metais refratários possuem alto ponto de fusão, mas podem apresentar impurezas que prejudicam as
propriedades dos dispositivos MOS e seus óxidos normalmente são de baixa qualidade ou voláteis, como é o
caso dos óxidos de Mo e W. Os silicetos destes materiais apresentam problemas semelhantes. Uma boa
opção é o uso de estruturas multi-camadas, formadas por filmes de metais refratários ou silicetos, e
Polisilfcio,
Na tabela 2 são apresentadas as características dos silicetos mais utilizados, recozidos em temperaturas
inferiores à 1000 0C . A resistividade é fortemente dependente do método de formação, dos tratamentos
térmicos da estequiometria do composto e da pureza.
________________________________________________________________________________
Material Metal + Poly-Si Metal + Si Crystal Co-Sputtcr Co-Evaporation CVD
TiSi2 13 15 25 21 21
TaSi2 35 50 38
MoSi2 90 15 100 40 120
WSi2 70 30 40
PtSi 28 35_______________________________
Os silicetos podem ser formados basicamente por quatro técnicas, todas elas exigindo uma etapa de
sinterização (tratamento térmico ) ou recozimento posterior à deposição:
1- deposição do metal puro sobre Silício;
2- evaporação simultânea do metal e do Sílício (fontes separadas);
3- sputtering de um alvo composto e sputtering de alvos independentes;
4- CVD.
Na técnica de deposição do metal puro, a formação do siliceto se da pela reação metalúrgica direta entre o
metal e o Silício, na etapa de sinterização:
M + xSi → Msix
O metal pode ser depositado por evaporação, por sputter ou por CVD. O filme resultante é rugoso e a
composição depende das fases formadas que, por sua vez dependem do ambiente de sinterização. O filme
permite corrosão seletiva. TiSi2 é formado em temperaturas acima de 600 0C, enquanto que a reação de Pt e
Si já se processa à 350 0C.
A técnica de evaporação simultânea resulta em filmes lisos. A etapa de sinterização não é crítica. No
entanto, o filme não permite corrosão seletiva, apresenta uma cobertura de degrau ruim e o controle da
composição é difícil. As altas temperaturas de fusão dos metais (1700 0C, 2500 0C e 3200 0C para Ti, Mo e
W respectivamente) podem causar contaminação dos filmes devido à desgasificação dos componentes da
câmara de processo.
A técnica de sputtering é ótima para a fabricação de filmes de silicetos. No caso de alvos independentes,
existe uma dificuldade na calibração da composição do filme depositado. No caso de alvo único composto,
deve-se escolher uma composição adequada para se conseguir a composição desejada do filme. Uma vez
tomadas estas precauções, um ótimo controle de composição é obtido.
A técnica CVD exibe uma série de vantagens sobre as outras técnicas: melhor cobertura de degrau, filmes
mais puros ( baixa concentração de O2 ) e alto rendimento de produção. No entanto, requer a existência de
compostos voláteis dos metais para a sua realização. A reações utilizadas para a deposição de Wsi2 e TiSi2
são:
WF6 é um gás corrosivo, com densidade relativamente alta e pressão de vapor moderada na temperatura
ambiente. TiC14 é um líquido corrosivo, com pressão de vapor de 11 torr em temperatura ambiente.
Na medida em que as dimensões dos contatos diminuem, a resistência de contato, assim como a
resistividade de folha das junções rasas de dreno de fonte, aumentam. Para reduzir o valor destes parâmetros
e da resistência das linhas de Polisilício. foi desenvolvida a tecnologia de siliceto auto-alinhada. Nesta
tecnologia, o metal é depositado sobre uma estrutura MOS, reagindo com o Si exposto do dreno, da fonte e
da porta de Polisilício para formar um siliceto, Espaçadores de óxido, com espessura entre 200 e 300 nm,
evitam que a porta, o dreno e a fonte sejam conectadas eletricamente pelo siliceto formado. Em seguida, uma
corrosão seletiva remove o metal que não reagiu com o Si. Na figura 14 mostra-se a seqüência do processo.
Filmes de Polycide possuem uma resistência de folha de 1 a 5 Ω/. Para se obter resistências menores, é
necessário utilizar diretamente os metais refratários. Na tabela 3 são apresentadas as propriedades dos
principais silicetos e metais refratários.
_______________________________________________________________________________________________
Material Melting Point (0C) Resistivity (µΩ-cm) Thermal Coefflcient of Expansion (10-6/0C)
Si 1420 500 (heavíly doped poly) 3.0
Na redução com Hidrogênio em temperaturas <500 0C, as superfícies de Si, de metal ou de silicetos
atuam como catalisadores da dissociação do H2, o que não ocorre com as superfícies de SiO2, o que resulta
em uma deposição seletiva,
No caso da Silana a seletividade é conseguida em temperaturas abaixo de 3250C.
A redução por Si é auto-limitante, podendo ser utilizada na deposição de filmes finos de W. O filme de
W depositado atua como barreira para o Si, impedindo a reação.
Hilocks são projeções de metal causadas pelos valores diferentes dos coeficientes de expansão do metal e
do filme subjacente. Se o filme metálico tem uma expansão muito maior que a do substrato, durante um
processo de recozimento ele fica submetido a uma tensão de compressão alta que é aliviada pela formação
das projeções. Os hillacks podem provocar curto circuitos entre camadas condutoras de estruturas multí-
níveis e problemas no processo litográfico.
V, T, p
Figura 1 : Gás em Equilíbrio numa Câmera
O comportamento do gás em vácuo pode ser descrito usando o conceito de "gás ideal".
Um "gás ideal" é um gás cujo estado é tal que o volume total de todas as moléculas é
desprezível comparado com o volume da câmera em que estão confinadas e a energia de
atração entre as moléculas é desprezível comparada com a energia térmica média do gás.
Num gás ideal o volume, a pressão e a temperatura estão relacionadas por:
(1/n)(dnv/dv) = √[(2m3)/(π
πk3T3)].v2.exp[-(mv2/2kT)
que dá a fração das moléculas com uma velocidade absoluta v num intervalo unitário em torno de
v.
n = número de moléculas/volume; dnv = no de moléculas com velocidades entre v e v+dv ; m =
massa da molécula; k = constante de Boltzman = 1.38x10-23 J.K-1; T = temperatura absoluta.
A figura 2 ilustra a distribuição das velocidades das moléculas de nitrogênio em 2
temperaturas. As curvas representam, numa dada temperatura e num dado instante, o número de
moléculas que têm uma determinada velocidade. O pico da curva dá a velocidade mais provável e
a maioria das moléculas apresentam velocidades desta ordem. Mas existem uma pequena fração
das moléculas que se movimentam a velocidades relativamente lentas, assim como, as que se
movimentam a velocidades mais rápidas. A velocidade média é denotada por v. Nota-se também
que não há moléculas com velocidade zero ou com velocidade infinita.
Observamos que quanto maior a temperatura T, maior é a velocidade média e que para
gases diferentes, a velocidade média será maior para o gás com moléculas de menor massa
(menor M). Alguns valores típicos de velocidade média a temperatura ambiente: hidrogênio - 1760
m/s; hélio - 1245 m/s; nitrogênio - 470 m/s, Argônio - 400 m/s; vapor de água - 587 m/s.
Pressão e Livre Caminho Médio
λ = 1/[21/2.π
π.do2.n]
onde :
do é o diâmetro molecular e
n a concentração do gás
A concentração n geralmente
não e conhecida. Substituindo
Movimento Aleatório das na expressão por n = p/kT,
Moléculas
temos:
Nem todos os caminhos livres
são de mesmo comprimento. λ = kT/21/2.π
π.do2.p
Segundo a teoria cinética dos
gases, o valor médio destes
λ= 6.6/p(Pa) = 0.05/p(torr)
Em geral, temos :
S = ∆V/∆
∆t (l/s)
Q = P.S (torr.l/s)
∆V/∆
Q = P.∆ ∆t (torr.l/s)
P(dV/dt) = Q = kT(dN/dt)
As bombas de vácuo são geralmente especificados pela
velocidade de bombeamento.
Condutância do Tubo
Condutância do Tubo
Condutâncias em Série
Os componentes de vácuo também podem ser associados em
série ou em paralelo.
P1 - P2 = Q/C1 e P2 - P3 = Q/C2
Condutâncias em Paralelo
onde,
Qtot é a corrente molecular total (Q1 + Q2)
logo :
Ctot = C1 + C2
Ctot = C1 + C2 + + Cn
Faixas de Pressão
Bombas de Vácuo
- bombas de transferência e
- bombas de captura.
Bombas Mecânicas
câmara e a bomba rotativa. Em muitos casos a segunda opção é a escolha mais econômica. A
bomba projetada para este propósito é a bomba Roots.
Bombas Difusoras
A grande maioria das bombas de difusão empregadas tem várias aberturas de ejeção
de fluído e são chamadas de bombas multiestágio. A figura 17 ilustra uma bomba com três
estágios(ejetores) e alguns acessórios. A câmara a ser bombeada é conectada no flange
superior e a bomba de apoio é acoplada no flange inferior(foreline). Um problema inerente as
bombas de difusoras é a perda de fluído cujo vapor se difunde para fora da bomba. A perda
através do tubo de saída pode ser diminuída usando série de placas refrigeradas(baffle), que
re-condensam o fluído, devolvendo-o ao reservatório. A perda através do topo da bomba pode
ter conseqüências mais sérias uma vez que o vapor de óleo pode migrar para o sistema de
vácuo(backstream), contaminando a câmara de vácuo e o processo de fabricação. Este
problema pode ser evitado em grande parte pela utilização de um dispositivo chamado de
"armadilhas" (traps), com superfícies frias muito eficientes para reter o vapor de fluído. A
primeira dessas armadilhas(baffle) é projetada de tal forma que as moléculas de gás ou vapor
não atravesse sem colidir pelo menos uma vez com a superfície da placa. As moléculas de
vapor que cruzam esta armadilha, terão chance de serem capturadas na segunda
armadilha(cold trap) resfriada à baixa temperatura, com nitrogênio líquido.
Bombas Turbomoleculares
Medidores de Pressão
Região da tecnologia de vácuo: estende a cerca de 19 ordens
de grandezas abaixo da pressão atmosférica, isto é,
aproximadamente 10-16 torr.
Não existe medidores para medir intervalos tão grandes.
Na prática, existem vários medidores para diferentes regiões.
Conforme mostra a figura abaixo, cada tipo de medidor é sensível a
variação de pressão numa região específica.
Região de pressão dos medidores de vácuo
Medidores Bordon
Medidor Bordon
Medidor de Diafragma
Principio: a pressão causa uma deformação no diafragma.
O movimento de deformação do diafragma, desloca o ponteiro que
se move sobre uma escala calibrada.
As escalas dos medidores Bordon e Diafragma independem do gás.
São calibrados nos intervalos de 0 - 25; 0 - 50; 0 - 125 e 0 - 1000
mbar. Precisão : ±5%.
Medidores de Membrana Capacitiva - Baratron
Rf = R2 x R3/R4
1
A rede
Simuladores de processos e dispositivos tratam a seção da estrutura de um
dispositivo como uma rede de pontos. Em cada ponto, as equações são
resolvidas para a grandeza em interesse (concentração de dopantes, potencial
elétrico ou densidade de corrente). Em simuladores unidimensionais, o
espaçamento da rede é especificado apenas na direção vertical (perpendicular à
superfície do silício. Em simuladores bidimensionais, o espaçamento é
especificado tanto na direção vertical como lateral.
Regiões em que o parâmetro que está sendo simulado varia rapidamente com a
distância requer um espaçamento menor (um grande número de cálculos devem
ser feitos numa pequena distância). Em regiões em que o parâmetro muda mais
lentamente o espaçamento pode ser maior sem comprometer a precisão e com
um menor tempo de computação.
Geralmente a região imediatamente abaixo da superfície do silício é onde a
concentração de dopante muda rapidamente, portanto uma rede mais apertada é
necessária para alta resolução.
SUPREM:
2
Fig. 3 Perfis de dopagem unidimensional e bidimensional de região de
fonte/dreno com dopagem de As e P (estrutura LDD).
3
phos poly /gas Trn.0=0.0
bor poly /gas Trn.0=0.0
phos oxide /gas Trn.0=0.0
bor oxide /gas Trn.0=0.0
#the vertical definition
line x loc=0.0 tag=top spacing=0.01
line x loc=0.1 spacing=0.01
line x loc=0.25 spacing=0.05
line x loc=0.5 spacing=0.05
line x loc=3.0 tag=bot
#the silicon wafer
region silicon xlo=top xhi=bot
#set up the exposed surfaces
bound exposed xlo=top xhi=top
bound backside xlo=bot xhi=bot
#calculate the mesh
init boron conc=2.50e14
#35 the pad oxide
deposit oxide thick=0.030
#36 the uniform boron implant
implant boron dose=1.2e12 energy=30 pearson
#37 oxide etching
etch oxide all
#38 anneal of implant (boron) gate oxidation
diffuse time=5 temp=950 nitrogen
diffuse time=60 temp=950 dry
#39 deposit the poly
deposit poly thick=0.500 div=10 phos con=1.0e19
#40 anneal phos diffuse in poly
diffuse time=35 temp=925 nitrogen
#42 anneal Si poly
diffuse time=5 temp=950 nitrogen
diffuse time=5 temp=950 dry
diffuse time=10 temp=950 nitrogen
#save: outfile
struct outf=poly.str
#49 the uniform phos implant (drain/source)
implant phos dose=2e15 energy=30 pearson
#49 the uniform arsenic implant (drain/source)
implant arsenic dose=7.5e15 energy=30 pearson
# 52 anneal of implant (phos+ars) drain/source
diffuse time=5 temp=950 nitrogen
diffuse time=15 temp=950 dry
#54 phos-ars anneal (drain/source)
diffuse time=20 temp=950 nitrogen
struct outf=imp4.str
##plot the final profile of gate (unidim. program) -1Dim
select z=log10(phos)
plot.1d x.ma=2.0 y.mi=12.0 y.max=18.0
4
select z=log10(boron)
plot.1d x.max=2.0 cle=f axi=f
select z=log10(abs(doping))
plot.1d x.ma=2.0 y.mi=12.0 y.max=18.0
end
6
#52 anneal of implant (phos+ars) drain/source
diffuse time=5 temp=950 nitrogen
diffuse time=15 temp=950 nitrogen
#54 phos-ars anneal (drain/source)
diffuse time=20 temp=950 nitrogen
struct outf=imp4.str
# plot the total profile (drain) -2Dim.
select z=log10(abs(phos+ars))
plot.2d bound fill y.max=1.0
foreach v (15.0 to 21.0 step 0.5)
contour val=v
end
7
PISCES:
8
Fig. 8 Distribuição de potencial elétrico em um dado transistor MOS, obtido
por simulação PISCES.
Title Short Channel (L=2.0 um) MOSFET with doping for ajust of VT
$ Name: Hugo R. Jimenez Grados
$ Especifications: L= 2.0 um Xj=0.5 Tox=0.035 um
$ O L efetivo 'e menor pelo efeito de difusão lateral.
$ * * * A : define rectangular grid * * *
mesh rectangular nx=38 ny=23 outf=nmeshb.msh
x.m n=1 l=0 r=1
x.m n=4 l=0.50 r=.7
x.m n=8 l=0.70 r=.75
x.m n=15 l=1.0 r=1.0
x.m n=17 l=1.2 r=1.0
x.m n=24 l=1.8 r=1.0
x.m n=26 l=2.0 r=1.0
x.m n=31 l=2.30 r=.8
x.m n=35 l=2.50 r=1.33
x.m n=38 l=3.00 r=1.40
y.m n=1 l=-.035 r=1
y.m n=4 l=0 r=1
y.m n=9 l=0.10 r=1.25
y.m n=14 l=0.40 r=1.15
y.m n=16 l=0.50 r=1.15
y.m n=23 l=2.0 r=1.25
$ * * * eliminate
elim ix.lo=13 ix.hi=26 iy.lo=20 iy.hi=23 y.dir
9
elim ix.lo=1 ix.hi=38 iy.lo=21 iy.hi=23 y.dir
elim ix.lo=5 ix.hi=13 iy.lo=21 iy.hi=23 y.dir
elim ix.lo=25 ix.hi=33 iy.lo=21 iy.hi=23 y.dir
$ * * * distort * * *
spread left w=0.70 up=4 lo=16 y.lo=0.5 en=1.2 gr1=1.3
+ gr2=.5 mid=13 y.mid=0.35
spr righ w=0.70 up=4 lo=16 y.lo=0.5 en=1.2 gr1=1.3
+ gr2=.5 mid=10 y.mid=0.3
$ * * * regions
region num=1 ix.l=1 ix.h=38 iy.l=1 iy.h=4 oxide
region num=2 ix.l=1 ix.h=38 iy.l=4 iy.h=23 silicon
$ * * * electrodes
elec num=1 ix.l=4 ix.h=35 iy.l=1 iy.h=1
elec num=2 ix.l=1 ix.h=38 iy.l=23 iy.h=23
elec num=3 ix.l=1 ix.h=3 iy.l=4 iy.h=4
elec num=4 ix.l=36 ix.h=38 iy.l=4 iy.h=4
$ * * * doping and fixed charge
dop reg=2 unif conc=2.5e14 p.type
DOP GAUSS CONC=8.0E16 P.TYPE
+ JUNC=0.75 y.top=0 y.bot=0 char=0.1
dop reg=2 n.type gaussian x.right=.90 ratio.lateral=.8
+ conc=1e20 junction=.5
dop reg=2 n.type gaussian x.left=2.1 ratio.lateral=.8
+ conc=1e20 junction=.5
$....Plot grid
options plotdev=xterm
$options plotdev=lw plotfile=grid.ps
$plot.2d grid no.top bound pause
$plot.2d no.top bound junction pause
$contour doping abs log min=15 max=20 del=0.5
$plot.2d junction no.top bound pause
$contour poten ncont=5
$$ Perfil do doping in y=0
$plot.1d dop log abs a.x=0 a.y=0 b.x=3 b.y=0 pause
$$Perfil vertical em x=0.2 (Source)
$plot.1d dop log abs a.x=0.2 b.x=0.2 a.y=0 b.y=2 pause
$$ Perfil vertical em x=1.5 (gate)
plot.1d dop log abs a.x=1.5 b.x=1.5 a.y=0 b.y=2 pause
$$Perfil vertical em x=2.8 (drain)
$plot.1d dop log abs a.x=2.8 b.x=2.8 a.y=0 b.y=2 pause
end
Title Long Channel MOS (2.0 um channel) with doping for ajust of VT=0.8 v
$$ Name: Hugo R. Jimenez Grados
$ Especifications: L= 2.0 um Xj=0.5 Tox=0.035 um
$ * * * define rectangular grid
$ date from program grid.p2 : file nmeshb.msh
mesh inf=nmeshb.msh
$ * * * Symbolic Factorization (Gummel) and Parameters
10
symb gummel carr=1 electrons
method iccg damped
$ * * * Materials/Contacts
mater num=2 g.surf=0.75
contact num=1 n.poly
$ * * * Models
models conmob temp=300 fldmob print
$ * * * Solve Initial Bias Point; Save in nbiasbinit
solve initial outfile=nbiasbinit.slv
$ * * * Switch to Newton Method
symb newton carriers=1 electrons
method autonr
$ * * solve for gate characteristics * *
$ * * Solve for Vds = 1.0 volts; Save in nbiasb15a
$ solve v4=2.0 outf=nbiasb15a.slv
$ * * Setup I-V Log File
$log outf=nIVb15.log
$ * * Step Vgs from 0 to 1.0 volts (vds=1.0 volts)
$ solve v1=0.0 vstep=0.1 nsteps=10 electrode
$ * * solve for drain characteristics * *
$ * * Solve for Vgs = 1.0 volts; Save in ivds
$solve v1=1.0
$log outf=ivds.log
$ * * Step Vds from 0 to 5.0 volts (vgs=0.0 volts)
$solve v4=0.0 vstep=0.1 nstep=50 elect=4
$ * * solve for n , for poten and for Efield
solve v4=5.0 v1=0.0 v3=0 v2=0 outf=nbias.slv
options plotdev=xterm
$options plotdev=lw plotfile=JELECT.ps
$* * Plot Id vs Vgs (Log and Linear Scales)
$plot.1d x.axis=v1 y.axis=i4 pause
$plot.1d x.axis=v1 y.axis=i4 log points pause
$* * Plot Id vs Vds (Log and Linear Scales)
$plot.1d x.axis=v4 y.axis=i4 log points pause
$plot.1d x.axis=v4 y.axis=i4 pause
$ * * *Perfil do potential in y=0
plot.1d poten abs a.x=0 a.y=0 b.x=3 b.y=0 pause
$ * * * Perfil do potential in y=1.0
$plot.1d poten abs a.x=0 a.y=1.0 b.x=3 b.y=1.0 pause
$ * * Perfil do potential bidimen
plot.2d no.top bound junction pause
contour poten min=0.0 max=7 del=0.5 pause
$ * * electron concentration in y=0
plot.1d electron log abs a.x=0 a.y=0 b.x=3 b.y=0
+ min=0 max=20 spline nspl=300 points pause
$ * * electron concentration in y=1.0
$plot.1d electron log abs a.x=0 a.y=1.0 b.x=3 b.y=1.0
$+ min=0 max=20 spline nspl=300 points pause
$ * * electron concentration - bidimen
11
plot.2d no.top bound junction pause
contour electron log min=10 max=20 del=1.0 pause
$ * * Electric field in y=0
$plot.1d E.field abs a.x=0 a.y=0 b.x=3 b.y=0 pause
$ * * Electric field in y=1
$plot.1d E.field abs a.x=0 a.y=1.0 b.x=3 b.y=1.0 pause
$ * * Electric field - bidimen
$plot.2d no.top bound junction pause
$contour E.field log min=0 max=20 del=2.0 pause
$ * * *current densities in y=0
$plot.1d J.Electr abs a.x=0 a.y=0 b.x=3 b.y=0 pause
$ * * current densities - bidimen
$plot.2d no.top bound junction pause
$contour J.Electr log min=2 max=10 del=0.5 pause
end
12
Fig. 10 Distribuição de potencial elétrico.
1. Introdução
Após o sucesso dos circuitos integrados (CIs) digitais na década de 80, com a
extraordinária evolução da capacidade de integração, confiabilidade e desempenho, tudo isso
associado à redução dos custos de fabricação, a década de 90 foi marcada principalmente pelo
interesse nos microssistemas e nas micro-máquinas. O avanço nos processos de fabricação de
CIs permite hoje a construção de micro-estruturas mecânicas (suspensas), móveis ou não, que
podem ser exploradas como sensores e/ou atuadores em sistemas miniaturizados. Certamente
inúmeras são as áreas de interesse e aplicações potenciais para essas micro-estruturas. A
indústria automobilística, as telecomunicações, os sistemas médicos e biomédicos representam
o mercado principal, embora as áreas de instrumentação, controle de processos, aeronáutica e
certamente a automação industrial vêem nesses micro-mecanismos mecânicos uma forma de
desenvolver sensores e atuadores para aplicações antes limitadas pelo tamanho dos
dispositivos. O mercado mundial de microssistemas, representava 12 bilhões de dólares e 1,3
bilhões de unidades em 1996, e deverá passar para 34 bilhões de dólares e 5,4 bilhões de
unidades até o ano 2002. Hoje o crescimento dos mercados de sensores de pressão e
acelerômetros (1 eixo) é de 18% e 15%, respectivamente.
Microssistema
Por fim, assim como ocorre nos CIs eletrônicos, o silício é o material mais usado para a
construção dos microssistemas integrados principalmente pelo seu custo e pelo avançado
estado de desenvolvimento das tecnologias disponíveis [PET82]. Por outro lado, materiais
alternativos como o AsGa, InP e o quartz têm sido considerados para aplicações onde o silício
não se apresenta apropriado (opto-eletrônica, piezoeletricidade, altas temperaturas,...)
[HJO94][LEC98].
2. Processos de Fabricação
Portanto, o grande desafio consiste em fabricar micro-sensores e micro-atuadores sobre
um substrato antes utilizado apenas para a construção de componentes eletrônicos
(transistores, diodos, resistores,...). Estes dispositivos têm sido construídos principalmente
através do uso de micro-estruturas suspensas ou micro-usinadas. As estruturas comumente
3
encontradas são pontes, vigas e membranas, embora outras geometrias podem também ser
realizadas para as mais diversas aplicações.
substrato
etching
4
No caso da usinagem pela face anterior, a suspensão da estrutura deve-se
principalmente ao processo de corrosão lateral (underetching). Neste caso o alinhamento da
máscara para a etapa de gravação é muito simples (convencional dos processos de
microeletrônica), permitindo a obtenção de estruturas menores e refinadas. A geometria da
estrutura é determinada pelo posicionamento das aberturas na máscara previstas para a
corrosão do substrato.
A usinagem pela face posterior do substrato, por sua vez, é bastante utilizada para a
realização de membranas. O objetivo principal é a realização de uma corrosão profunda e
praticamente sem corrosão lateral significativa. Porém, neste caso, o alinhamento da máscara
posterior geralmente representa uma dificuldade, assim como o controle da profundidade da
corrosão, resultando consequentemente em estruturas maiores e mais grosseiras.
5
acessível externamente pode ser removida através de um ataque seletivo. O óxido de silício e o
alumínio são bastante utilizados como camadas sacrificiais em processos de silício.
SiO2 SiO2
Metal
Poly-Si_3
Poly-Si_2
Si3N4
Para uma melhor exposição do assunto, os dispositivos foram divididos nos seguintes
grupos :
• dispositivos térmicos;
• dispositivos óticos;
6
• dispositivos mecânicos;
• dispositivos para RF e microondas.
Observa-se que a classificação adotada neste texto não inclui todos os dispositivos
micro-usinados possíveis ou existentes. Sensores químicos ISFET, sensores acústicos SAW,
sensores magnéticos Hall são alguns exemplos de dispositivos que podem também tirar
proveito de técnicas de micro-fabricação para melhorar o seu desempenho. Além disso, alguns
dispositivos poderiam ser apresentados em dois ou mais grupos, como no caso de espelhos
móveis (mecânicos) para aplicações óticas, ou atuadores térmicos para chaveamento
mecânico.
7
V = αab . ∆T
8
(a) (b)
TIMA].
Figura 4: Sensores infra-vermelhos CMOS - (a) bolometro e (b) termopilha [
UW-Madison].
Figura 5: Atuador mecânico de dilatação térmica diferenciada [
9
A utilização de estruturas micro-mecânicas ou micro-estruturas tri-dimensionais (3D)
podem ser aproveitadas em circuitos óticos e opto-eletrônicos. A denominação MOEMS
refere-se exatamente ao uso de estruturas micro-usinadas (geralmente móveis) para a produção
de alterações ou efeitos em sinais óticos, muitas vezes detectados ou monitorados com o
auxílio de circuitos elétricos. O interesse nesta linha de desenvolvimento representa uma
extensa lista de aplicações que vão desde impressoras a laser, scanners, leitores de código de
barras, até sistemas de projeção de imagens.
(a) (b)
Figura 6: Espelhos micro-usinados : (a) horizontal e (b) vertical [BUH97][KIA98].
10
ondas fixos. Guias de ondas colocados sobre membranas podem servir como sensores de
pressão e de força [BEN95]. Por outro lado, guias de ondas formados por camadas suspensas
na superfície do substrato, apresentado na Figura 7, são interessantes como sensores de
deslocamento baseado na modulação de sinais óticos [HAR98]. Esta estrutura em particular
apresenta o grau de liberdade de movimento no próprio plano de propagação dos sinais óticos,
permitindo com isso o uso na detecção de estímulos acústicos, mecânicos (acelerômetro) e
fluxo de líquidos e gases.
Existem ainda diversas outras estruturas que são construídas através de técnicas de
micro-usinagem para o seu uso em circuitos opto-eletrônicos, como cavidades ou espelhos de
11
Bragg, dispositivos Mach-Zehnder e cavidades ressonantes Fabry-Perot para a filtragem,
seleção e modulação de sinais óticos [LEC98].
12
TIMA].
Figura 9: Estrutura comb-drive para o uso em acelerômetros [
Uma forma de evitar a dissipação de potência do sensor, muitas vezes indesejável para
aplicações onde o consumo de energia representa um fator crítico, é a utilização do efeito
piezo-elétrico para a sensação de movimentos. Porém, nem todo material apresenta a piezo-
eletricidade, como no caso o silício que é piezo-resistivo mas não é piezo-elétrico. Para a
construção de sensores deste tipo em processos CMOS deposita-se ZnO na superfície do
mesmo, juntamente com eletrodos metálicos. O AsGa, por sua vez, é piezo-elétrico e por isso
permite uma fácil integração de sensores com módulos elétrico/eletrônicos em seus processos.
A principal vantagem deste tipo de componente é justamente a ausência de consumo, pois o
próprio efeito piezo-elétrico gera cargas elétricas durante um estresse mecânico.
Por outro lado, no caso de atuadores mecânicos, duas forças principais podem ser
utilizadas para movimentar as estruturas, são elas as forças eletrostáticas geradas por fortes
campos elétricos e a piezo-eletricidade. Pode-se pensar também em movimentos lineares ou
vibratórios (dispositivos ressonantes). O uso de forças eletrostáticas exige normalmente
tensões elevadas e não permitem grandes deslocamentos. Por outro lado, conforme visto
anteriormente, nem todo material é piezo-elétrico, e além disso o direcionamento
cristalográfico do material deve ser cuidadosamente escolhido para a exploração deste efeito.
Movimentos lineares podem ser exemplificados por relés, pinças, ou mesmo atuadores
por dilatação térmica. No caso de movimentos vibratórios, os atuadores ressonantes têm sido
muito usados. Os tipos de vibrações apresentados pelas estruturas assim como as frequências
13
de ressonância estão diretamente associadas às geometrias das mesmas [TAY98]. Em se
tratando de dispositivos micro-usinados, o silício e o quartz apresentam um alto fator de
qualidade (Q-factor) e outras propriedades mecânicas que os torna os melhores candidatos
para tal propósito [STE91]. O AsGa pode também ser eficientemente usado em atuadores
ressonantes pela presença da piezo-eletricidade [SOD94]. Aplicações interessante para esses
componentes são a construção de filtros e conversores eletro-mecânicos [LIN98].
Bombas de propulsão são muito úteis para este tipo de aplicação, e sua construção se
mostra um pouco mais complexa. Na realidade as bombas de propulsão fazem uso das micro-
válvulas justamente para controlar a direção do fluxo. Na ilustração da Figura 11b é mostrada
uma micro-bomba construída de forma híbrida, ou seja, utilizando vários substratos
14
sobrepostos e apropriadamente usinados [BER98]. A parte superior representa a parte de
atuação propriamente dita. O aquecimento, para dilatação térmica, e o esfriamento de um
determinado material permitem o movimento. Este material é colocado em ambos os lados do
atuador e excitado de forma complementar: quando um lado aquece e se dilata, o outro esfria e
retorna ao seu tamanho original, sugando ou bombeando o líquido através da cavidade central.
Válvula fechada
Entrada de fluxo
fechado
(a) (b)
Figura 11: Micro-fluídica: (a) micro-válvula e (b) micro-bomba [VAN98][BER98].
15
telecomunicações em RF e microondas. Embora alguns processos de fabricação baseados em
AsGa, que é um material semi-isolante, estejam atualmente disponíveis para a construção de
circuitos integrados monolíticos para microondas (MMIC - Monolithic Microwave Integrated
Circuits), as capacitâncias parasitas em relação ao plano de massa na face posterior do chip
são as principais responsáveis pela degradação do comportamento desses componentes
[PUC81]. Em silício, este fenômeno é ainda agravado pela ausência de um plano de massa
específico e pela condutividade parasita do substrato.
Indutores verticais e com núcleos magnéticos têm sido desenvolvidos com o uso de
processos específicos de micro-usinagem. É importante lembrar que nesses processos a
integração da eletrônica é geralmente comprometida [KIM97][YAM95].
16
(a) (b)
Figura 12: Dispositivos para RF: (a) indutor e (b) transformador [RIB98].
17
Figura 13: Estrutura de um giroscópio e suas equações matemáticas.
Figura 14: Estrutura de um micro-relê (a) e seu circuito elétrico equivalente (b) [RIB98].
Caso haja necessidade de uma estudo térmico, mecânico ou mesmo elétrico mais
detalhado e preciso de estruturas tri-dimensionais pode-se fazer uso de ferramentas de
métodos de elementos finitos como ANSYS (ver Figura 15). Este tipo de simulação é
bastante mais complexa e trabalhosa de ser realizada, porém fornece resultados muito
próximos do comportamento real do dispositivo. Por isso, ele é geralmente restrito à avaliação
de dispositivos individuais, para então, a partir dos resultados obtidos, gerar-se modelos
simplificados com os parâmetros desejados do comportamento dos mesmos [ROM98].
18
Figura 15: Ilustrações de simulações com elementos finitos [RIB98].
ENTITY resistor IS
GENERIC (resistance : real := 1.0);
PORT (TERMINAL n1, n2 : electrical);
END ENTITY resistor;
19
geradores de layout em relação às bibliotecas de células fixas ou parametrizáveis é o grau de
liberdade na definição do dispositivo final a ser construído [KAR96].
5. Conclusão e Perspectivas
A possibilidade de construção de micro-estruturas suspensas bem como sua utilização
em micro-sensores não é algo novo que surgiu de uma revolução tecnológica na área de
processo de fabricação de circuitos integrados. Pelo contrário, micro-sensores de pressão por
exemplo datam da década de 60. O aumento no interesse sobre esta área de desenvolvimento
deve-se principalmente à evolução e ao amadurecimento da microeletrônica, despertando o
interesse de pesquisadores e industriais sobre a possibilidade colocar mais do que funções
eletrônicas dentro de um único chip, ou seja, permitir a integração completa de microssistemas
20
formados por sensores e atuadores (eletrônicos ou não), interfaces analógicas e controles
digitais inteligentes.
O real avanço desta nova linha de trabalho não deve-se apenas à evolução de técnicas
de fabricação vindos da microeletrônica, mas principalmente à identificação de potenciais
aplicações que despertem o interesse de industriais e áreas afins como as telecomunicações,
medicina e automobilística. Tal visão das necessidades do mercado é essencial para a
proposta, o desenvolvimento e o sucesso de uma nova técnica de micro-usinagem.
Sensores não-usinados (não-suspensos) mas que possam ser integrados ao chip também
devem ser cuidadosamente tratados a fim de desenvolver sensores inteligentes multi-tarefas
fabricados em um único CI. Um bom exemplo disso são os sensores magnéticos ou de efeito
Hall. Outra questão que não deve ser esquecida é quanto ao encapsulamento dos
microssistemas visto que as estruturas micro-usinadas podem ser facilmente danificadas nesta
etapa de fabricação. Além disso, as ferramentas de auxílio a projeto CAD/CAE (Computer-
Aided Design/Engineering) encontram-se bastante imaturas, da mesma forma que as
metodologias para testabilidade e caracterização de tais dispositivos.
O que certamente se vivenciará nos próximos anos ou mesmo no próximo século será
uma revolução tecnológica onde os circuitos integrados eletrônicos representarão apenas uma
pequena parcela do desenvolvimento. Monitoramento dos sinais vitais humanos e animais;
chips funcionando como minúsculas farmácias e atuando no funcionamento de organismos
vivos; desenvolvimento de automóveis mais segurose inteligentes monitados pelos mais
diversos sensores e atuadores; aperfeiçoamento de equipamentos eletrô-mecânicos como
câmeras, microfones, bombas de propulsão e micro-válvulas; análises químicas e bioquímicas
automatizadas; e inúmeras outras aplicações promissoras.
Em particular, as áreas onde esta nova tecnologia terá maior atuação serão a
automobilística e a biomédica principalmente devido ao volume do mercado envolvido.
21
Porém, independente de uma aplicação específica, um fato que será cada vez mais evidente é o
caráter multi-disciplinar dos microssistemas. Não haverá especialistas conhecedores de todos
as questões que envolvem o projeto de MEMS, como é encontrado hoje na eletrônica, na
mecânica ou na química. Mas serão necessárias equipes multi-disciplinares e uma linguagem
comum de comunicação.
Além disso, o estado atual desta área permite uma total liberdade de desenvolvimento
onde a criatividade pode ser explorada ao máximo para a construção de novos sensores e
atuadores miniaturizados. Futuramente, o próprio progresso do conhecimento definirá um
conjunto de estruturas padronizadas com modelos associados que servirão de base para novos
dispositivos, para então chegarmos ao que observamos hoje com os CIs digitais, ou seja, uma
´saturação´ pela quantidade de profissionais e empresas envolvidas e pela dificuldade de se
obter pequenos progresos.
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24
[Sandia National Laboratories]
25
Introdução à Tecnologia LIGA
Introdução
No início dos anos 60, em paralelo com o surgimento dos Circuitos Integrados (CIs) , que são a base da
tecnologia eletrônica que ainda está causando profundas transformações no nosso modo de vida, surgiram os
primeiros dispositivos micromecânicos, feitos com a mesma tecnologia utilizada para fazer os CIs. Nathanson,
da Westinghouse, fez o transistor de porta ressonante, constituído de uma haste em balanço de 240µm de
comprimento e 4µm de largura, suspensa 10µm acima da porta de um transistor MOS (Figura 1). Esse
dispositivo era um filtro eletromecânico (Q≅100), e foram construídos exemplares com freqüências de
ressonância entre 1 e 50kHz.
Figura 1 - As primeiras experiências com hastes vibrantes micromecânicas foram feitas na Westinghouse, em
1965, conforme o desenho acima. Um sinal elétrico de entrada faz a haste metálica vibrar, e quando o sinal de
excitação contém harmônicas na freqüência de ressonância da haste a amplitude da oscilação mecânica é
suficiente para induzir um sinal de saída na porta do transistor MOS, que fica sob a haste.
1
Figura 2 - Concepção de uma cabeça de impressora a jato-de-tinta. Vê-se duas placas de vidro, uma espessa e
uma delgada, soldadas anodicamente em uma bolacha de silício; um canal de suprimento de tinta, e uma
cerâmica piezzo elétrica fixada na placa de vidro delgada com resina epoxi [5].
Figura 3 - Sandler e outros, de Stanford, demonstraram um transdutor de pressão capacitivo com circuitos de
interface integrados no mesmo substrato de silício. Esse projeto visava a construção de um transdutor de
pressão implantável para uso em biomédicas. Uma placa de vidro provida de rebaixos é soldada ao silício,
selando o circuito eletrônico e contendo um dos eletrodos do capacitor [5].
2
Figura 4 - O acelerômetro capacitivo integrado é constituído de a) uma haste em balanço acoplada a um
circuito de detecção MOS. A capacitância das hastes é, tipicamente, de 3pF, e faz parte de um circuito divisor
de tensão capacitivo b) que produz variações de tensão em resposta a variações de capacitância, excitando o
transistor de detecção [5].
Outros dispositivos típicos dessa tecnologia (anos 70) são o cromatógrafo de gás de 2" de diâmetro (Figura 5),
cuja coluna capilar mede 1,5 metros de comprimento e foi corroída em uma bolacha de silício de 2" de
diâmetro; um minirefrigerador (Figura 6) utilizado para refrigerar detectores de infravermelho; acopladores para
fibras ópticas (Figura 7); e defletores de feixes de luz (Figura 8).
3
Figura 5 - Este cromatógrafo de gás de 50mm de diâmetro foi feito em Stanford, no início dos anos 80. A
separação de gases é baseada nas diferenças de solubilidade dos vários gases no líquido que reveste a coluna
capilar. Um gás de arraste inerte flui continuamente na coluna capilar. Quando a válvula de injeção é aberta,
um pulso do gás a ser analisado é introduzido na coluna e arrastado pelo gás de arraste. Na medida que a
amostra flui pela coluna, seus gases componentes são sucessivamente absorvidos e adsorvidos no revestimento
líquido da coluna. Cada gás é identificado pelo seu tempo de retenção na coluna. Quando os gases chegam ao
final da coluna eles passam por um orifício até um canal na outra face da bolacha de silício, onde há um
detector de condutividade térmica. Os gases da amostra têm condutividade térmica menor que a do gás de
arraste (He) e produzem picos de tensão na saída do detector. O volume de cada gás é determinado pela área
sob o pico que ele gera [5].
4
Figura 7 - Dois exemplos do emprego de silício para acoplamento de fibras ópticas: a) Acoplamento uma fibra
com um fotodiodo detector usando-se um canal em V para alinhamento preciso. b) Acoplamento de uma fibra
óptica a uma guia de ondas ópticas de filme fino, onde uma camada enterrada de fim de corrosão é usada para
obter-se melhor precisão no alinhamento vertical [5].
Figura 8 - Defletor de feixes de luz acionado aletromagneticamente. É constituído de uma moldura fixa
(estator) à qual se liga um rotor através de barras de torção. Sobre o rotor estão uma bobina planar e um
espelho. A bobina é alimentada por trilhas que passam sobre uma das barras de torção. Em presença de um
campo magnético externo, há a produção de um torque no rotor ao se passar uma corrente elétrica pela
bobina, e o espelho é assim girado em torno do eixo das barras de torção [6].
2. Os processos de corrosão anisotrópica de silício utilizados são de difícil compatibilidade com os processos
de fabricação de circuitos integrados.
5
Duas novas tecnologias de microfabricação, que objetivavam a superação desses obstáculos, foram criadas no
início dos anos 80:
Na Universidade da Califórnia em Berkeley foi criada uma tecnologia que utiliza apenas os mesmos processos
de fabricação utilizados em circuitos integrados [1,2,7]. Possibilitou a construção de microturbinas, motores
eletrostáticos e ultrasônicos, juntas mecânicas, etc. (Figura 9), mas a espessura das microestruturas era limitada
a 5µm, e os materiais tinham necessariamente que ser os mesmos utilizados em microeletrônica (Si, SiO 2, Si3N4,
polisilício, Al, Cr, etc.).
Figura 9 - Um trem de engrenagens parcialmente solto do substrato (escala de 100µm por traço) [8].
No Forschungszentrum Karlsruhe, Alemanha, foi criada uma tecnologia em que as partes mecânicas são feitas
em pequenos moldes produzidos por litografia profunda por raios-x (Figura 10). Essa tecnologia possibilita a
fabricação de microestruturas de elevada razão-de-aspecto (por exemplo, uma parede de 200µm de altura por
apenas 2µm de largura) em materiais tão diversos quanto metais, polímeros ou cerâmicas. Essas microestruturas
podem ser adicionadas a circuitos integrados, formando sistemas integrados. Por ser essa tecnologia formada
por etapas sucessivas de Litografia, Eletroformação e Moldagem, foi batizada com as iniciais em alemão dessas
operações (LIGA).
A Tecnologia LIGA
A tecnologia LIGA foi originalmente concebida com base na litografia profunda por raios-x (LIGA-RX)
[1,2,3,8,…,12], mas recentemente, graças a avanços na área de materiais, viabilizou-se uma variante tecnológica
baseada em litografia profunda por ultravioleta (LIGA-UV) [17].
A etapa primária da fabricação de uma microestrutura é a litografia profunda [2,3,4,13,…,16], que pode ser
tanto por raios-x quanto por ultravioleta, mas ambas obedecem ao esquema mostrado na figura abaixo (Figura
6
10), onde usa-se máscaras litográficas convencionais no caso UV e máscaras especiais no caso RX [2,3,4,18]. O
leitor poderá ver uma detalhada descrição do processo de litografia profunda por raios-x em PMMA no texto de
Aida El-Kholi, neste mesmo livro.
RADIAÇÃO
MÁSCARA
(C)
(A)
(B)
Figura 10 - Etapas da litografia profunda: A) Desenho da máscara litográfica, onde as regiões claras são
transparentes à radiação e as regiões escuras são opacas à radiação, B) Projeção da imagem da
microestrutura numa resina fotosensível (fotorresiste), tornando insolúvel as regiões atingidas pela radiação, e
C) Revelação da resina, removendo-se as regiões não-atingidas pela luz e obtendo-se a microestrutura de
fotorresiste.
Caso se deseje uma microestrutura de fotorresiste, já se tem o produto final. Como exemplo deste caso podemos
citar a fabricação de engrenagens plásticas para relógios de pulso, que estão sendo feitas pelo processo LIGA-
UV para a empresa Swatch.
Caso se deseje produzir microestruturas de metal deve-se usar as microestruturas de resiste produzidas por
litografia ou microestruturas de plástico produzidas por moldagem como fôrmas para a eletroformação [2,19]
das microestruturas metálicas (Figura 11).
7
Figura 11 - Microestruturas metálicas podem ser produzidas a partir de formas produzidas por litografia
profunda, empregando-se o processo de eletroformação. Usualmente emprega-se Au, Ni, Cu e Cr no processo
de eletroformação. Dado um molde como ilustrado à esquerda, produzem-se as microestruturas metálicas da
ilustração da direita..
Caso se deseje produzir microestruturas cerâmicas, pode-se usar as microestruturas produzidas por litografia
como fôrmas nas quais se coloca lama cerâmica e procede-se à queima em forno, onde o molde é perdido
[11,12].
O processo de eletroformação é utilizado também para produção de moldes para termomoldagem ou para
injeção de plástico [2,21], casos em que as microestruturas de resiste são replicadas em plástico. Essas estruturas
de plástico, por sua vez, podem ser utilizadas para a produção de partes metálicas ou de cerâmica em grande
escala e a baixo custo, substituindo o fotorresiste nos respectivos processos. Podem ainda as microestruturas de
plástico ser os produtos finais, merecendo especial destaque a produção de microreatores químicos descartáveis
de plástico para uso em laboratórios de análises clínicas [2,21,22]. Os plásticos mais utilizados são o PMMA,
PVDF, POM e PA.
8
A) B)
Figura 12 - Microengrenagem de 470µm de diâmetro e 125µm de espessura produzida por litografia profunda
em fotorresiste SU-8. a) Caso em que se utilizou litografia UV. b) Caso em que se utilizou litografia RX. Note-se
a superior verticalidade das paredes obtida com RX.
Pode-se também fazer canais e eixos verticais de fotorresiste, nos quais podem ser montadas microegrenagens e
microturbinas, formando-se micromáquinas, como mostrado na figura abaixo (Figura 13).
A) B) C)
Figura 13 - A) Micromotor hidráulico, e microfluxômetro. As engrenagens menores do micromotor, de 1mm de
diâmetro, são giradas pelo fluir de um líquido ou gás e o movimento é transmitido às engrenagens maiores, de
2 e 4 mm de diâmetro, respectivamente B) Detalhe do microfluxômetro com turbina de 2mm de diâmetro.
C) Fotografia de uma turbina. Em ambos os casos os canais e eixos foram feitos em fotorresiste SU-8 sobre
substrato de silício e as partes móveis foram feitas à parte e montadas nos eixos. Note-se os canais para fibras
ópticas para medição da velocidade de rotação das engrenagens e da turbina.
Na maioria dos microssistemas de análises químicas e bioquímicas precisa-se realizar as operações de filtragem
e mistura da amostra com um solvente, o que pode ser feito em filtros e misturadores constituídos apenas de
canais e orifícios, como mostrado na figura abaixo (Figura 14).
9
Misturador
Figura 14 - a) Elementos filtrantes para líquidos. As partículas em suspensão no líquido ficam retidas na
matriz de postes. b) Misturador para líquidos. Há duas entradas e uma saída, e na junção dos canais de
entrada há elementos geradores de turbulência (turbuladores) para acelerar o processo de mistura. Ambos os
dispositivos foram feitos no LNLS com litografia profunda UV em fotorresiste SU-8.
Dispositivos mais complexos, feitos pela combinação de partes de polímero e filmes finos, já estão em produção
comercial, merecendo citar-se as bombas para líquidos e as válvulas para líquidos e gases [ 23,…,25]. O leitor
poderá ver a detalhada descrição de um atuador linear LIGA no texto de Manfred Kohl, neste mesmo livro.
Complexos dispositivos metálicos, tais como acelerômetros, filtros para líquidos e conectores elétricos, e
dispositivos ópticos tais como redes de difração, guias de ondas, lentes e chaves, podem ser vistos na referência
[12].
Conclusão
Foi apresentada ao (à) leitor (a) uma visão geral da tecnologia LIGA, preparando-o (a) tanto para o
entendimento dos demais seminários sobre o assunto quanto para a leitura da bibliografia apresentada, onde uma
descrição detalhada de cada tópico pode ser encontrada.
Referências
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1996.
2. Mark J. Madou, “Fundamentals of Microfabrication”, CRC Press, 1997.
3. P. Rai-Choudhury, editor, “Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication; Vol. 1:
Microlithography”,1997.
4. P. Rai-Choudhury, editor, “Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication”, Vol. 2:
Micromachining and Microfabrication”, 1997.
5. Petersen, K. E., "Silicon as a mechanical material," Proc. of the IEEE, (USA), Vol. 70, No. 5, pp. 420-457,
May 1982.
6. Ferreira, L. O. S, and Moehlecke, S., "A silicon micromechanical galvanometric scanner," Sensors and
Actuators - A, Vol. 73, No. 3, pp. 252-260, March, 1999.
7. Mehregany, M., Gabriel, K. J., "Integrated Fabrication of Polysilicon Mechanisms," IEEE Trans. On
Electron Dev., (USA), Vol. 35, No. 6, pp. 719-723, June 1988.
8. Frazier, A. B.; Warrington, R. O.; and Friedrich, C., “The Miniaturization Technologies: Past, Present, and
Future,”, IEEE Trans. on Industr. Electron., Vol.42, No. 5, pp. 423-430, october, 1995.
9. Ehrfeld, W.; Lehr, H., "LIGA Method: Deep x-ray Lithography for the Production of Three-Dimensional
Microstructures from Metals, Polymers and Ceramics," (Preprint) Radiation Physics.
10
10. Barcher, W.; Menz, W.; and Mohr, J.,”The LIGA Technique and Its Potential for Microsystems - A
Survey,” IEEE Trans. on Industr. Electron. , (USA), Vol. 42, No. 5, pp. 431-441, october, 1995.
11. Ugarte, D. “Deep X-ray Lithography for Microfabrication”, Proc. of the VII LNLS Users Workshop,
Campinas, SP, Brazil, 15-17 Dec. 1993.
12. Ehrfeld, W. and Münchmeyer, D., “Three-dimensional microfabrication using synchrotron radiation”,
Nuclear Instrums. and Methods in Phys. Res., Neederlands, Vol. A 303, pp. 523-531, 1991.
13. Vladimirsky, Y.; Morris, K; Klopf, J. M.; Vladimirsky, O.; and Saile, V., “X-ray Micro-Lithography
Exposure System for High Aspect Ratio Micromachining”, Proc. of SPIE, (USA), Vol. 2640, pp. 36-44,
1995.
14. Dahlbacka, G. H; Pearce, J.; and Younger, F., “Beamlines for thin and thick resist X-ray lithography”,
Nuclear Instrums. and Methods in Phys. Res. , Neederlands, Vol. A 319, pp. 359-365, 1992.
15. Mohr, J.; Ehrfeld, W.; Münchmeyer, D., “Requirements on resist layers in deep-etch synchrotron radiation
lithography”, J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 6, No. 6, pp. 2264-2267, Nov/Dec 1988.
16. Feiertag, G., Ehrfeld, W., Lehr, H., Schmidt, A. and Schimidt, M., “Calculation and experimental
determination of the structure transfer accuracy in deep x-ray lithography”, J. Micromech. Microeng., Vol.
7, pp. 323-331, 1997.
17. Despont, M., Lorenz, H., Fahrni, N., Brugger, J., Renaud, P., and Vettiger, P., “High-Aspect-Ratio,
Ultrathick, Negative-Tone Near-UV Photoresist for MEMS Applications”, Proc. Of the 10th MEMS
Workshop, Nagoya, Japan, pp. 6412-6416, Jan. 26-30, 1977.
18. Vladimirsky, Y., Vladimirsky, O., Saile, V., Morris, K. H., and Klopf, J. M., “Transfer mask for hign aspect
ratio micro-lithography”, Proc. of the SPIE, Vol. 2437, pp. 391-396, 1995.
19. Maner, W., and Ehrfeld, W., "Electroforming Techniques in the LIGA Process for the Production of
Microdevices," Materials & Manufacturing Processes, 4 (4), 527-537 (1988).
20. Both, A., Bacher, A., Heckele, M., Müller, K. D., Ruprecht, R., Strohrmann, M., “Molding Process with
High Alignment Precision for the LIGA Technology, Proc. of the Micro Electro Mechanical Systems –
MEMS’95, pp. 186-190, 1995.
21. Boone, T. D., Hooper, H. H. and Soane, D. S., “Integrated Chemical Analysis on Plastic Microfluidic
Devices”, Proc. of the Solid State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island, South Carolina,
USA, pp. 87-92, June 8-11, 1998.
22. Elderstigm H. and Laarsson, O., “Polymeric MST – high precision at low cost”, J. Micromech. Microeng.,
Vol. 7, pp. 89-92, 1997.
23. Gebhard, U., Hein, H., Just, E. and Ruther, P., “Combination of a Fluidic Micro-Oscillator and a Micro-
Actuator in LIGA-Technique for Medical Application”, 1997 International Conference on Solid-State
Sensors and Actuators, Chicago, June 16-19, 1997, pp. 761-764.
24. Bustgens, B., Bacher, W., Menz, W. and Schomburg, W. K., “Micropump Manufactured by Thermoplastic
Molding”, Proc. of the Micro Electro Mechanical Systems – MEMS’94, pp. 18-21, 1994.
25. Schomburg, W. K., Ahrens, R., Bacher, W., Engemann, S., Krehl, P. and Martin, J., “Long-Term
Performance Analysis of Thermo-Pneumatic Micropump Actuators”, 1997 International Conference on
Solid-State Sensors and Actuators, Chicago, June 16-19, 1997, pp. 365-368.
11
Centro de Componentes Semicondutores
Projetos
de
Circuitos Integrados
• Full Custom - É um circuito monolítico que pode ser projetado "manualmente" , desde
o início.
Donde podemos concluir que o tipo de ASIC mais versátil e com maior capacidade de
integração (Densidade) é o Full-Custom, mas também tem um elevado custo de
desenvolvimento, demora muito tempo para chegar até o mercado e risco de não
funcionar corretamente devido a sua complexidade (Imagine um µprocessador com 9
milhões de transistores). Como podemos ver temos vários modos de projetar um circuito
integrado.
4
Teoria do MOS (Metal Oxide Silicon)
Para projetar de circuitos integrados devemos primeiramente especificar o projeto a
ser executado conforme mostra a figura-2. Com base nas especificações do projeto
devemos escolher qual o tipo de ASIC´s atende melhor as especificações do projeto. E
finalmente, a ferramentas de CAD apropriadas.
5
Projetos de Circuitos Integrados
Considere a figura-4 com uma seção transversal de um transistor MOS com as regiões de:
dreno, fonte e substrato. Aplicando uma tensão Vgs na porta do transistor e colocando a
Projetos de Circuitos Integrados
fonte, dreno e bulk para terra formaremos um capacitor MOS. Deste modo, verificaremos
três tipos de capacitância MOS em função da tensão Vgs na porta do transistor:
• Acumulação;
• Depleção;
• Inversão.
Acumulação:
Considere a tensão Vgs < 0 conforme mostra a figura-5. Nesta condição as lacunas se
concentram junto ao óxido de porta. A espessura do óxido no modelo SPICE MOS é
chamado de TOX (Thickness Oxide).
Depleção
Considere a figura-4 com uma tensão Vgs não suficiente negativa para ter uma alta
concentração de lacunas ou uma tensão Vgs não suficiente positiva para ter uma alta
concentração de elétrons. Nesta condições teremos uma superfície embaixo da porta do
transistor depletada. Assim, temos duas condições:
• Quando a tensão Vgs torna-se mais negativa (<<0) temos um acumulo de lagunas
em embaixo da porta do transistor.
• Quando a tensão Vgs torna-se mais positiva (>>0) temos um acumulo de elétrons
embaixo da porta do transistor.
7
Projetos de Circuitos Integrados
Logo, com o aumento da tensão Vgs será formada uma capacitância embaixo da porta do
transistor conforme mostra a figura-5 esta capacitância será chamada de "capacitância de
depleção" conforme mostra a figura-6.
Inversão
Quando a tensão Vgs é maior do que a tensão de limiar Vt (Vgs>Vt) temos uma
grande concentração de elétrons na superfície do Si junto ao óxido de porta conforme
mostra a figura-6.
Na figura-7 podemos verificar a variação da capacitância de óxido C´ox do
transistor MOS. Podemos observar as 3 condições de capacitância de óxido.
8
Projetos de Circuitos Integrados
εo.LD
Cgd = CGDO.W = .W (3)
Tox
e
Cgs = CGDO.W (4)
A capacitância total, normalizada independente da largura e comprimento do canal
do transistor MOS, entre o porta e terra no circuito da figura-4 é a soma de Cgs, Cgd e Cgb
conforme a equação-7.
εo
C´ox = (5)
Tox
O termo C´ox é chamado capacitância de óxido para um determinado processo. Por
aF
exemplo da foundry MOSIS (CN20) temos um C´ox de 800 conhecendo o L e W do
µm 2
transistor podemos calcular a capacitância de óxido total do circuito conforme a equação-
6.
Cox = C´ox.W.L (6)
9
Projetos de Circuitos Integrados
Na tabela-1 temos um sumário das capacitância envolvidas no transistor MOS em
diversos tipos de operação.
Tabela 1 Capacitâncias MOS.
Nome Região de Corte Região Linear Região de Saturação
Cgd 1
.W.L.C' ox
CGDO.W CGDO.W
2
Cdb Cjdep Cjdep Cjdep
Cgb C' ox.W.Leff + CGBO.L CGBO.L CGBO.L
Cgs 1
.W.L.C' ox
2
.W.L.C' ox
CGSO.W 2 3
Csb Cjdep Cjdep Cjdep
10
Projetos de Circuitos Integrados
R: Xd =
2 si φ s − φF
=
( )
2 . (11,7 ). 8.85x10 -14 F/Cm . (2 . 0.29V )
= (0.866µm)
q.N A C 15 Atoms
1.6x10 . 10 .
-19
atom cm 3
Considere o circuito onde a tensão Vgs = Vt e de acordo com a figura-9. A tensão entre A
e B será VBC :
Podemos verificar através da figura-9 que há uma capacitância de óxido C´ox cujo isolante
é um óxido e a diferença de potencial é dada pela equação-12.
Q´b
VBC = (12)
C´ox
O potencial de superfície necessário é dado pela equação-13.
Q´b
VB = − 2φF (13)
C´ox
Cargas positivas existem na interface óxido-silício devido a imperfeições da superfície ou
pelo uso de implantação de íons para ajustar a tensão de limiar dos MOS. Estas cargas
positivas são chamadas de Q´ss com a unidade de coulombs/área. Assim, a equação-13
pode ser rescrita conforme equação-14.
Q´b − Q´ss
VB = − 2φF (14)
C´ox
A tensão de limiar é o potencial entre o ponto D (bulk) e o ponto A (Material)
conforme mostra a figura-8. A diferença de potencial entre o porta e bulk (substrato tipo P)
pode ser determinada pela somatória de potenciais entre diferentes materiais do MOS
conforme mostra a figura-10. Somando potenciais de contato entre bulk e porta poly n+
com uma concentração de ND,Poly temos a equação-15.
11
Projetos de Circuitos Integrados
K.T ND,Poli K.T NA
φms = φG − φF = ln + ln (15)
q ni q ni
= −φms − 2φF +
Q´bo − Q´ss
C´ox
+
2.q.ε si .NA
C´ox
[ 2φ F + Vsb − 2φF ] (18)
Quando a fonte esta em curto em relação ao substrato Vsb=0.
Q´bo − Q´ss
Vt NO = −φ ms − 2φ F + (19)
C´ox
O coeficiente do efeito de corpo ou fator de corpo é dado pela equação-20.
2.q.ε si .NA
γ= (20)
C´ox
12
Projetos de Circuitos Integrados
Pergunta:
Estime o γ (GAMMA)
Exemplo - 3:
O que acontece com a tensão de limiar quando a uma contaminação de sódio causa uma
aC
impureza de 40 na interface óxido-semicondutor ?
µm 2
R:
10 20
φms = φ F − φ G = −290mV − 26mV. ln = 879mV
1.45 x10 9
− 2 φF = 580mV
aC
139
Q´bo µm2
= = 173mV
C´ox aF
800
µm2
Q´ss
= 50mV
C´ox
A tensão de limiar da equação-19 sem a contaminação é de -126mV, com a contaminação
do sódio a tensão de limiar é de -176mV. Para compensar ou ajustar a tensão de limiar
pode ser implantado íons p+. Este íons efetivamente aumentam o valor da tensão de limiar
C´c
por C´ox , onde Q ´c é a densidade de carga pela unidade de área devido a implantação.
Se NI é a dose de implantação iônica em atoms/Unidade de área. Assim, podemos
escrever a seguinte equação:
Q´c = q.NI
e a tensão de limiar será: (24)
Q´bo − Q´ss + Q´c
Vt NO = −φms − 2φF + (25)
Cóx
13
Projetos de Circuitos Integrados
Região de Corte
Na região de corte do transistor nMOS com uma tensão de porta Vgs=0 a corrente
entre dreno e fonte será = "0" ( na verdade ela pode ser da ordem de pA ou nA.
Região de Triodo
Quando Vgs>Vt forma um canal invertido em baixo da porta do transistor e com
uma tensão Vds > 0, temos um fluxo de corrente entre fonte e dreno conforme mostra a
figura-12. Inicialmente as cargas são armazenadas sobre a capacitância de óxido C´ox. O
potencial entre o eletrodo de porta e o canal é Vgs-V(y), a carga da camada de inversão
será dada pela equação-26.
14
Projetos de Circuitos Integrados
A variação da resistência de canal em função do comprimento dy e da largura W e
dado pela equação -29.
1 dy
dR = . (29)
µn.Q´l(y ) W
Onde, µn é a média da mobilidade de elétrons através do canal com a unidade de
cm2/V.sec.
A queda de tensão na resistência variável é dada pela equação-31.
Id
dV( y ) = ID . .dy (30)
W.µ n .Q´ l (y )
Substituindo a equação-28 em 30 temos:
Id.dy = W.µn.C´ox(Vgs − V (y ) − Vt N ).dV (y ) (31)
Deste modo, teremos a Transcondutância do transistor nMOS conforme mostra a
equação-32.
ε OX
KpN = µn.C´ox = µn (32)
Tox
O transistor pMOS será representado pela equação-33.
ε OX
KpP = µp.C´ox = µp (33)
Tox
A corrente do Id será obtida pela integração do lado esquerdo da equação-31. Os
limites de integração da equação-34 são em função do comprimento de canal (0 a L) e da
tensão entre dreno e fonte conforme mostra a equação-34.
L Vds
Id∫ dy = W .KP. ∫ (Vgs − V (y ) − Vt N ).dV (y ) (34)
0 0
ou
W Vds 2
Id = KPN. (Vgs − Vt N ).Vds − (35)
L 2
Entretanto, descreveremos a equação-35 em função do parâmetro da transcondutância
conforme mostra a equação-36.
W
β = KPN. (36)
L
ou
Vds 2
Id = β(Vgs − Vt N ).Vds − (37)
2
A equação-38 descreve a corrente id para o transistor pMOS.
W Vds 2
Id = KPP . (Vgs − Vt N ).Vds − (38)
L 2
Região de Saturação
Quando o transistor MOS opera em pinched-off temos Vds≥Vgs-Vt e Vgs>Vt logo estará
na região de saturação. Substituindo Vds,sat dentro da equação-35 temos a equação-39.
Id =
KPN W
.
2 L
[ 2
]
(Vgs − VtN )2 = β (Vgs − VtN ) (39)
Desprezando a difusão lateral de fonte e dreno, podemos considerar como
comprimento de canal, a diferença entre L e o comprimento da região de depleção junto
ao dreno, como mostra a figura-13
L elc = L draw − XDl (40)
15
Projetos de Circuitos Integrados
Substituindo a equação-40 em 39 temos a representação da corrente de dreno na
equação-41.
Id =
KPN W
. (Vgs − VtN )2 (41)
2 L elec
ou seja,
1 dX dl
λ= . (43)
L elec dVds
O λ é o parâmetro do comprimento da modulação de canal: é maior que 0.1 para
dispositivos de canal curto e para dispositivos de canal longo é maior que 0.01. Podemos
rescrever a equação-43 dentro da equação 41 e temos como resultado a equação-44.
. (Vgs − Vt N ) .[1 + λ C (Vds − Vds, sat )]
KPN W
Id =
2
(44)
2 L
2.2 Modelamento do MOS no simulador SPICE nível 1
Através dos cálculos na seção 6 podemos montar um arquivo de parâmetros de
modelos para o simular elétrico AIMSPICE.
Nível 1 Parâmetros do modelo para VtN;
Os seguintes parâmetros são relatados para calcular o VtN no SPICE.
16
Projetos de Circuitos Integrados
Símbolo Nome Descrição Default Típico Unidade
VtNO VTO Zero-bias threshold voltage 1.0 0.8 Volts
γ GAMMA Body-effect parameter 0 0.4 V1/2
2φF PHI Surface to bulk potential 0.65 0.58 V
NA NSUB Substrate doping 0 1E15 cm-3
Q'ss/q NSS Surface state density 0 1E10 cm-2
TPG Type of gate material 1 1 -
17
Circuito Inversor
e
Portas Lógicas
Projetos de Circuitos Integrados
3 Circuito Inversor no processo nMOS
Depleção
pMOS
Enriquecimento
Depleção
nMOS
Enriquecimento
CMOS
Carga saturada
A figura-14 mostra este tipo de inversor. Pode-se notar que a porta do transistor de carga
está ligada ao dreno; desta forma Vgs=Vds e por seguinte Vds > V´ds (Tensão de
saturação). Assim, o transistor de carga operará na região de saturação.
20
Projetos de Circuitos Integrados
Vo≈Vdd-Vt (Vbs) (46)
Carga saturada - Para o cálculo do nível lógico inferior que VtD -=VtL posto que
(Vbs)L=Vbg-Vo e como Vo→0, resulta que (Vbs)L=(Vbs)D.
Como nível lógico superior , Vdd-VtL deve excitar adequadamente o estágio seguinte,
assumiremos que Vin = Vdd-Vt.
Posto que Vo deve tender a zero Volts, usaremos as seguintes expressões:
βD
Para QL, Id = .(Vgs − Vt ).Vds (50)
2
21
Projetos de Circuitos Integrados
Assim:
βD
β D .(Vdd − 2.Vt ).Vo = .(Vdd − Vo − Vt )
2
2
Desprezando Vo2,
.(Vdd − Vt )
2
Vo = (51)
2.[(Vdd − 2.Vt )(
. βR + 1) + Vt ]
onde
W
.β R L D
βR = = (52)
βL W
L L
2
β D .(Vdd − Vt ).Vo = β L (Vgg − Vo − Vt )(
. Vdd − Vo ) − (Vdd − Vo )
1
(53)
2
Desprezando Vo2,
A
B C
Considere uma tensão de entrada Vin igual a =0V na entrada do inversor. Isto faz
com que o transistor pMOS entre em estado de condução e consequentemente a chave
ch esta fechada. No transistor nMOS temos uma situação contrária, ou seja, ele está
cortado e consequentemente a chave ch está aberta conforme mostra a figura-16 B.
Assim, a tensão de saída Vout é igual a Vdd. Considere agora uma tensão de entrada no
22
Projetos de Circuitos Integrados
inversor Vin = Vdd(5v, normalmente) conforme mostra a figura-16 C, teremos uma
situação contrária, ou seja, o transistor pMOS está cortado e o transistor nMOS está
conduzindo. Assim, a tensão de saída Vout do inversor é aterrada. Deste modo, teremos
na saída do inversor uma tensão inversa da entrada. Aprendemos anteriormente que o
transistor MOS trabalha nas regiões de Corte, Saturação e Triodo e que o inversor tem
uma tensão de entrada Vin e tensão de saída Vout. Logo podemos levantar a sua curva
de transferência Vin X Vout conforme mostra a figura-17.
[
IDP = K P . 2.(Vdd − Vin − Vt P ). (Vdd − Vout ) − (Vdd − Vout )
2
] Vout ≥ Vin + Vt P (47)
1 W
Onde: KP = µ P .Cox
2 L
Para a condição de Saturação temos:
23
Projetos de Circuitos Integrados
IDP = K P .(Vdd − Vin − Vt P )
2
Vout ≤ Vin − Vt P (48)
βN
(Vsp − Vt N )2 = β P (Vdd − Vsp − Vt N )2 (49)
2 2
Resolvendo temos:
βN
.Vt N + (Vdd − Vt P )
βP
Vsp = (50)
βN
1+
βP
24
Projetos de Circuitos Integrados
corretamente o sinal. Para isso, necessitamos calcular o tempo de carga e o tempo de
descarga do sinal. Na figura-19 temos um circuito inversor com uma capacitância ligada
na saída Vout. Assim, podemos verificar o tempo de carga e descarga em função dos
transistores pMOS e nMOS. O transistor pMOS tem a função de carregar o capacitor e o
transistor nMOS tem a função de descarregar o capacitor na sadia do inversor. Logo,
podemos concluir que o tempo de fase de descarga TPHL é diferente do tempo fase de
carga TPLH . Isto deve se à diferença de mobilidade das cargas nos transistores, ou seja, a
mobilidade no transistor nMOS e maior que a do transistor pMOS.
Figura 19 Circuito Inversor com carga capacitiva na saída.
25
Projetos de Circuitos Integrados
C.[Vdd − (Vdd − Vt )] C.Vt
TFHL1 = = = Tempo de A → B (51)
K N (Vdd − Vt ) K N (Vdd − Vt )
2 2
Para encontrar o tempo atraso de Vdd-Vt até Vdd/2 devemos integrar ambos os lados da
equação-53. Denotando a componente de atraso de TFHF2 temos:
Vdd
Vout =
KN 1 2 1
.TFHL2 = − ∫ dVout (54)
C 2(Vdd − Vt ) Vout = Vdd − Vt 1
Vout 2 − Vout
2(Vdd − Vt )
dx 1
∫ = ln1 − (55)
ax − x
2
ax
C 1 3Vdd − 4 Vt
TPHL 2 = − ln (56)
2.K N .(Vdd − Vt ) 2 Vdd
C Vt 1 3Vdd − 4 Vt
TPHL 2 = − . + ln (56)
K N .(Vdd − Vt ) Vdd − Vt 2 Vdd
0.8.C
TPHL = (57)
K N .Vdd
Para calcular TPLH devemos utilizar um processo semelhante a partir da equação-56 e no
lugar de KN devemos colocar KP.
5 Portas Lógicas
Nesta etapa faremos estudo de portas lógicas NAND e NOR utilizando o processo
CMOS. Para entender melhor o funcionamento, primeiramente devemos fazer as
seguintes considerações para os transistores:
26
Projetos de Circuitos Integrados
• Transistor nMOS - Quando aplicado uma tensão 5V na porta, o transistor
conduz e quando aplicado 0V, o transistor corta.
Devemos fazer outra consideração, com relação aos níveis lógicos "0" e "1" onde a nível
"1" entende-se como 5V e para nível "0" entende-se como 0V.
Na primeira condição da tabela verdade temos as entradas "A" e "B" com nível lógico "0",
logo os transistores pMOS estarão no estado de condução e os transistores nMOS
estarão cortados e consequentemente a saída "S" estará em Vdd=5V⇒ nível lógico "1".
Na segunda condição da tabela verdade temos as entradas A com nível lógico "0" e a
entrada B com nível lógico "1", logo um transistores pMOS esta no estado de condução e
o outro em estado de corte. Para os transistores nMOS teremos a mesma situação um
conduzindo e o outro cortado. Como os transistores nMOS estão em série e um dos
transistor esta cortado então teremos na saída a tensão Vdd=5V⇒ nível lógico "1". Na
terceira condição teremos uma situação semelhante, mas usando outros transistores. Na
Quarta condição as entradas "A" e "B" estão em nível lógico "1". Desta forma os
transistores pMOS estão cortados e os transistores nMOS estão conduzindo. Deste modo
teremos na saída "S" uma tensão de 0V nível lógico "0". Considerando a) UN = 2.µ P b) N
27
Projetos de Circuitos Integrados
transistores em série apresentam uma impedância equivalente "N" vezes maior, c)
desejamos uma impedância equivalente para a carga (Transistores pMOS) do nó de
saída, a relação entre as dimensões dos transistores deve seguir a relação:
W N W
= . (58)
L N 2 L P
28
Projetos de Circuitos Integrados
Simulações Elétricas
com o
AIMSPICE
Projetos de Circuitos Integrados
6 AIMSPICE - TEORIA
30
Projetos de Circuitos Integrados
6.1 Análise DC do (Ponto de Operação)
31
Projetos de Circuitos Integrados
32
Projetos de Circuitos Integrados
33
Projetos de Circuitos Integrados
6.4 Análise de Transiente
34
Projetos de Circuitos Integrados
35
Projetos de Circuitos Integrados
36
Projetos de Circuitos Integrados
6.5 Análise da função de Transferência do Inversor
37
Projetos de Circuitos Integrados
6.6 Análise de Ruído
38
Projetos de Circuitos Integrados
6.7 Processador Gráfico AIM POST PROCESSOR
39
Projetos de Circuitos Integrados
7 AIMSPICE - PRÁTICA
Objetivo:
Verificar o comportamento do transistor nMOS através de simulações com o
AIMSPICE.
Procedimento:
Montar o circuito da figura-23 com os seguintes dados: W= , L=
40
Projetos de Circuitos Integrados
7.2 Experiência - 2 Transistor pMOS
Objetivo:
Verificar o comportamento do transistor pMOS através de simulações com o
AIMSPICE.
Procedimento:
Montar o circuito da figura-24 com os seguintes dados: W=10µm, L=10µm, VDD=5V.
41
Projetos de Circuitos Integrados
7.3 Experiência - 3 Circuito Inversor pMOS
Objetivo:
Verificar o comportamento de um inversor pMOS através de simulações com o
AIMSPICE.
Procedimento:
Montar o circuito da figura-25 com os seguintes dados: W1=10µm, L1=10µm, W 2=10µm,
L2=10µm, VDD=5V.
2) Deixando a tensão Vgs1 em 1V, 2,5V e 5V coloque uma fonte de tensão de (0 - 5)V
PWL do AIMSPICE na entrada vgs2. E trace a curva vgs2 X Vs.
42
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7.4 Experiência -4 Circuito Inversor pMOS com capacitância na saída.
Objetivo:
Verificar o tempo de subida do sinal de saída do transistor com diferentes
capacitâncias através de simulações com o AIMSPICE.
Procedimento:
Montar o circuito da figura-1 com os seguintes dados: W1=10µm, L1=10µm, W 2=10µm,
L2=10µm, VDD=5V.
43
Projetos de Circuitos Integrados
7.5 Experiência -5 Circuito VCO (Voltage Control Oscillator) com
transistores pMOS
Objetivo:
Verificar a variação da freqüência de oscilação do circuito VCO em função da
tensão Vg do oscilador.
Procedimento:
Montar o circuito VCO com 5 inversores em série as dimensões dos inversores são
W=10µm, L=10µm conforme mostra a figura-5.
44
Projetos de Circuitos Integrados
7.6 Experiência -6 Circuito Flip-Flop RS com transistores pMOS.
Objetivo:
45
Editor
de
Layout
de
Circuito Integrado
Projetos de Circuitos Integrados
8 Editor de Layout MICROWIND
Projetos de Circuitos Integrados
8.1 Simulador Elétrico do MICROWIND
48
Projetos de Circuitos Integrados
8.2 Projeto de um circuito Inversor no processo CMOS
49
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8.3 Visualização 3D do Inversor
50
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9 Referências Bibliográficas
Microelectronic Circuits
Adel S. Sedra and Kannett C. Smith
Saunders College Publishing
51
Descrição do Processo MOS do CCS/UNICAMP
José Alexandre Diniz
O processo MOS consiste basicamente das etapas que estão apresentadas na Figura 1. Nos
itens posteriores deste capítulo, as etapas são descritas e explicadas detalhadamente.
1. Lâminas de silício do tipo n, (100), com resistividade entre 4 e 6 ohm 6. Remoção do fotorresiste 1 1 . Fo to gra vação d e co ntato s, etch d o ó x id o e rem o ção do fo to rresiste,
.cm. Lâminas para dispositivos mais uma lâmina teste. fin a liza nd o co m a lim p e za R C A
Medidas de resistividade (4 pontas) e espessura.
7. Implantação Iônica
4. Aplicação do fotorresiste e exposição à luz ultravioleta
8. Recozimento e oxidação úmida
9. Fotogravação de canal e contatos, etch do óxido e remoção do
fotorresiste, finalizando com a limpeza RCA
5. Etch do óxido em solução de HF/NH4F
Figura 1 Processo pMOS do CCS/UNICAMP para fabricação do chip teste
1. O Substrato de Silício
O tipo de dopante, a orientação cristalina e a resistividade do substrato de Si, que será utilizado,
são características importantes na fabricação e no desempenho dos dispositivos.
O tipo de dopante, p ou n, determina os portadores majoritários, lacunas ou elétrons,
respectivamente, presentes no substrato e qual processo MOS, pMOS ou nMOS, que será empregado.
Em lâminas tipo n, executase o processo pMOS, enquanto em tipo p, o nMOS, pois o canal de modo
enriquecimento ou depleção do transistor MOS é formado por portadores minoritários presentes no
substrato. Dispositivos nMOS apresentam mobilidade maior que os pMOS, pois a mobilidade de elétrons
é cerca de três vezes maior que a de lacunas. O tipo de dopante pode ser determinado por um sistema
de pontaquente ou pela visualização do formato do substrato, como indicado na Figura 2.
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N<111> N<100>
180o
P<111> P<100>
90o
Figura 2 Tipos de dopantes e as orientações Cristalográficas de Substratos de Si, vistos de cima.
A Figura 2 mostra que a orientação cristalográfica e o tipo de semicondutor podem ser obtidos
por inspeção visual do formato da lâmina. Normalmente, para o Si utilizamse duas possibilidade de
crescimento ou orientação direcional <111> ou <100>. O tipo n ou p de semicondutor pode ser
identificado pela presença e pelo posicionamento dos chanfros laterais. A orientação cristalográfica
pode influir principalmente na taxa de oxidação do substrato e na densidade de defeitos no óxido de Si
crescido sobre a lâmina, que originam centros de armadilhamento de cargas no isolante. Estas cargas
podem responder de forma indesejável ao campo elétrico aplicado ao dispositvo, reduzindo seu
desempenho. Óxidos crescidos sobre lâminas com orientação <100> apresentam menos defeitos que os
crescidos sobre substratos com orientação <111>. Para fabricação do Chip teste do CCS são utilizadas
lâminas tipo n, para executar o processo pMOS, e com orientação <100>, o que resulta em menos
defeitos nos óxidos crescidos.
A resistividade ρ indica qual a concentração de dopantes (portadores majoritários) do substrato
de Si. É calculada pelas expressões (1) e (2), onde V/I é medido em um equipamento de quatro pontas,
Rs é a resistência de folha e t é a espessura do substrato. Quanto maior a resistividade menor é a
concentração de dopantes na lâmina. Normalmente, utilizamse substratos com concentrações da ordem
de 1014 a 1016 cm3, resultando em correspondentes resistividades de 1 a 22 Ω.cm. Para fabricação do
Chip teste do CCS, utilizamse lâminas com valores de resistividade entre 4 e 6 Ω.cm, com concentração
de portadores da ordem de 1015 cm3.
V
R S =4, 53 (Resistência de folha) (1)
I
=R s∗t (Resistividade) (2)
2. Limpeza padrão RCA
A limpeza das lâminas de silício, representadas em corte lateral na Figura 3, é fundamental num
processo de microfabricação. Para garantir uma limpeza eficaz, com a menor quantidade possível de
impurezas, seguese um processo padrão RCA que consiste na seguinte seqüência de etapas,
mergulhandose as lâminas em soluções de:
• H2SO4/H2O2 (4:1) em 80°C por 10 min: esta solução denominada "piranha", utilizase para
remover principalmente quantidades de gordura presentes na superfície das lâminas de silício;
• HF/H2O (1:10) em temperatura ambiente por 10s: nesta etapa de limpeza removese o óxido de
Si (SiO2) nativo na superfície do silício. A reação química do processo é a seguinte:
2
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SiO2 + 4HF → SiF4 + H2O.;
• NH4OH/H2O2/H2O (1:1:5) em 80°C por 10 min: nesta etapa, removemse a gordura e os metais
do grupo IB e IIIB (Cu, Ag, Zn, Cd);
• HCl/H2O2/H2O (1:1:5) em 80°C por 10 min: nesta etapa dissolvemse os íons alcalinos e
hidróxidos de Fe+3, Al+3 e Mg+3 das superfícies dos substratos.
Entre uma solução e outra, as lâminas são submetidas a um enxágüe com água DI (deionizada)
18 MΩ.cm por 3min. A secagem destas lâminas é feita com jato de nitrogênio. No item 2.3 é apresentado
o procedimento inteiro de limpeza RCA.
Figura 3 Representação da lâmina de Si em corte lateral
2.1 – Material Utilizado.
O material normalmente utilizado na limpeza de lâminas é listado abaixo:
• 3 béquers de vidro pyrex
• 1 béquer de polipropileno
• 1 "hot plate"
• 1 barqueta de quartzo
• 1 pinça de aço inoxidável
• 1 pinça de polipropileno
• 1 litro de Ácido Sulfúrico (H2SO4)
• 1 litro de Ácido Fluorídrico (HF)
• 1 litro de Hidróxido de Amônia (NH4OH)
• 1 litro de Ácido Clorídrico (HCl)
• 1 litro de Peróxido de Hidrogênio (H2O2)
Toda água utilizada é deionizada de 18 MΩ.cm e todos os produtos químicos utilizados são de
grau eletrônico.
2.2. Limpeza dos béquers, barquetas e pinças.
Antes do início da limpeza das lâminas, verificase se os recipientes e materiais que serão
manipulados estão limpos. Caso contrário, ocorre duas etapas de limpeza destes materiais: a de pré
lavagem e a de retirada de gordura. A etapa de prélavagem é a seguinte: os béquers, as barquetas e as
pinças são lavados com detergente apropriado. Outra possibilidade é que aos invés da lavagem com
detergente, os béquers e as barquetas, que formam basicamente a parte de vidraria, podem ser
mergulhados em uma solução de água régia (HCl/HNO3 (3:1)) com posterior enxágüe em água DI
(deionizada). Em seguida, executase a etapa de retirada da gordura dos materiais com o seguinte
procedimento:
•Fazer uma solução de H2O + H2O2 + NH4OH na proporção de 7:2:1;
•Enxaguar o béquer com água;
•Verificar visualmente se o béquer está realmente limpo (as gotas de água devem escorrer das
paredes do vidro).
2.3. Procedimento para limpeza das lâminas de Silício
Em béquers separados prepare as soluções de:
(I) H2SO4 + H2O2 na proporção de 4:1 (solução “piranha”);
(II) HF + H2O na proporção de 1:10 (solução para remoção do óxido nativo);
(III) NH4OH + H2O2 + H2O na proporção de 1:1:5 (solução para remoção de gordura e metais do
grupo IB e IIIB (Cu, Ag, Zn, Cd));
3
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(IV) HCl + H2O2 + H2O na proporção de 1:1:5 (solução para remoção de íons alcalinos e
hidróxidos de Fe+3, Al+3 e Mg+3);
Com estas soluções devese obedecer o seguinte procedimento:
• Aqueça as soluções à 80° C no "hot plate";
• Mergulhe a lâmina por 10 minutos na solução (I);
• Enxágüe em água corrente por 3 minutos e deixe mais 3 minutos dentro do béquer com água;
• Mergulhe a lâmina por 30 segundos na solução (II);
• Enxágüe em água corrente por 3 minutos e depois deixe as lâminas por mais 3 minutos dentro
do béquer com água;
• Mergulhe a lâmina por 10 minutos na solução (III);
• Enxágüe novamente em água corrente por 3 minutos e depois deixe as lâminas por mais 3
minutos dentro do béquer com água;
• Mergulhe a lâmina por 10 minutos na solução (IV);
• Enxágüe novamente em água corrente por 3 minutos e depois deixe as lâminas por mais 3
minutos dentro do béquer com água;
• Seque as lâminas com Nitrogênio (N2);
• Coloque as lâminas na caixa para transportálas;
• Não exponha as lâminas limpas ao ambiente do laboratório.
IMPORTANTE: Neutralizar todas soluções antes de descartar na pia. Utilizar avental e luvas durante
qualquer manipulação de produtos químicos e de lâminas.
3.Oxidação Úmida de Campo para Isolação de Dispositivos
← Substrato de Si tipon
Figura 4 Representação da lâmina de Si em corte lateral com óxido de campo crescido.
A oxidação úmida é realizada colocandose as lâminas de Si no forno térmico convencional em
alta temperatura de 1000 °C e em ambiente de H2O (vapor) e de O2. Esta etapa é executada para
formação do óxido de Si de campo, que isola um dispositivo do outro na lâmina. A Figura 4 representa o
óxido de Si crescido sobre o substrato de Si. Para isso, a espessura do óxido de campo deve ser maior
que 0.5µm. Para controle do processo, clive uma lâmina teste em 4 partes denominadas T1, T2, T3 e
T4. Coloqueas junto com as lâminas inteiras onde serão confeccionados os dispositivos. Com estas
amostras teste podese fazer as medidas de espessura do óxido.
O procedimento de oxidação úmida no CCS/UNICAMP é o seguinte:
• Utilize o Forno de Penetração de Fósforo em temperatura de 1000 °C;
• Execute a entrada da barqueta de quartzo com as lâminas no forno em ambiente de N2, com
fluxo de 1l/min, por um tempo maior que 3 min;
• Deixe as lâminas neste ambiente de N2 por 10 min;
• Desligue a linha de N2 , ligue a linha de O2 , com fluxo de 1l/min, e deixe as lâminas neste
ambiente por 10 min (oxidação seca);
• Ligue o sistema de borbulhador O2/H2O, com aproximadamente 63 gotas de H2O/min, para
manter as lâminas em ambiente úmido por 180 min (oxidação úmida);
• Desligue o sistema de borbulhador O2/H2O, ligue a linha de N2 , com fluxo de 1l/min, e deixe as
lâminas neste ambiente por 10 min (recozimento do óxido crescido);
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• Execute a saída da barqueta de quartzo com as lâminas do forno em ambiente de N2, com fluxo
de 1l/min, por um tempo maior que 3 min;
Observações: A espessura esperada do óxido é da ordem de 0.8 µm.
4. Processo Fotolitográfico do Primeiro Nível de Máscara
para Obtenção de Fonte/Dreno
A fotolitografia é a etapa de processo exigida para gravar padrões de uma máscara para o substrato
onde é fabricado o chip. A Figura 5 mostra basicamente o processo fotolitográfico. Utilizandose de um
sistema de “spinner” em alta velocidade de rotação, maior que 3000 rpm, por centrifugação espalhase
sobre a camada do óxido uma resina fotoresistiva, que é um líquido orgânico polimérico, denominado
fotorresiste. Este resiste é colocado em uma estufa em temperatura de aproximadamente 100ºC para
secar. A Figura 5(a) mostra a representação do fotorresiste espalhado sobre o óxido de campo. Esta
resina polimerizada não é solúvel em certos solventes, denominados reveladores. Executase a
despolimerização por luz ultravioleta que passa através das aberturas da máscara que contém o padrão
a ser transferido ao substrato, como representado na Figura 5(b). A parte opaca da máscara evita a
exposição à luz ultravioleta das regiões do substrato que serão posteriormente processadas. Para
remover a parte do resiste despolimerizada, utilizase o solvente revelador.
Óxido de Si
Substrato
(a)
Resiste
Óxido de Si
Substrato
(b)
Figura 5 Representação da lâmina de Si em corte lateral com óxido de campo crescido. Representase em (a) o
fotorresiste espalhado sobre o óxido e em (b) a despolimerização do resiste pela exposição à luz ultravioleta para
transferência de padrão da máscara para o óxido.
Para o início da fotolitografia, estando a lâmina limpa e a umidade do ambiente abaixo de 50%,
espalhase sobre a amostra o promotor de aderência do resiste, denominado HMDS, em um spinner em
alta velocidade de rotação de 7000 rpm por 40 segundos. Em seguida, uma camada de fotorresiste é
aplicada sobre a lâmina com o HMDS espalhado. Para isso, depositase algumas gotas de fotorresiste
(AZ 1350J) sobre a lâmina, espalhase o fotorresiste através do spinner em alta velocidade de rotação de
7000 rpm por 40 segundos, colocase a lâmina na estufa para secagem e aderência do fotorresiste. Após
a aderência do resiste, colocase a lâmina e a máscara em uma fotoalinhadora com fonte de luz
ultravioleta. Na fotoalinhadora, alinhase a máscara e a lâmina através do sistema óptico, e acionase a
exposição aos raios ultravioleta (UV) do substrato com resiste, em uma potência de 9mW.cm2 durante
20 segundos, despolimerizando as regiões expostas. A revelação do resiste é executada através da
imersão das lâminas em solução MF312/H2O (1:1) por 60s. Para finalizar, colocase as lâminas na
estufa em 90ºC por 30 min para endurecimento do resiste não revelado.
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5. Remoção do Óxido para Obtenção da Fonte/Dreno
Resiste
Óxido de Si
Substrato
Figura 6 Representação da lâmina de Si em corte lateral com óxido de campo removido nas áreas sem proteção do
resiste.
Como representado na Figura 6, a etapa de fotolitografia é utilizada para remover seletivamente
o óxido de algumas regiões, que serão processadas posteriormente para a obtenção da fonte/dreno do
transistor MOS. Executase a remoção do óxido mergulhandose as lâminas em uma solução tampão
("Buffer") de HF e NH4F. Para controle da remoção do óxido colocase junto nesta solução as amostras
teste T3 e T4 com óxido crescido sobre os substratos. Esta solução corrói o óxido de silício a uma taxa
de 100nm/min e não reage nem com o resiste e nem com o substrato de Si. Verificase que o óxido está
totalmente removido quando estas áreas nas lâminas sem resiste de proteção ou as amostras teste T3 e
T4 apresentarse totalmente secas quando retiradas da solução “Buffer”. Após a retirada do óxido, retira
se a camada protetora de fotorresiste com acetona. A Figura 7 mostra a lâmina sem a camada protetora
de fotorresiste sobre o óxido e as áreas expostas do substrato.
Óxido de Si
Substrato
Figura 7 Representação da lâmina de Si em corte lateral sem a camada protetora de fotorresiste sobre o
óxido e as áreas expostas do substrato.
6. Implantação de Íons de Boro e de Fósforo para Obtenção da Fonte/Dreno e de
Contato Ôhmico MetalSemicondutor na Base do Substrato, Respectivamente.
Óxido de Si
Substrato
(a)
6
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Óxido de Si
Substrato
(b)
Figura 8 Representação da lâmina de Si em corte lateral com óxido de campo crescido protegendo as áreas do
substrato que não devem ser implantadas. Representase em (a) a implantação de Boro para formação de fonte/dreno
do transistor MOS e em (b) a implantação de Fósforo para obtenção de contato ôhmico metalsemicondutor na base do
substrato.
7. Recozimento para Ativação de Dopantes Implantados com Posterior Oxidação
Úmida para Formação de Óxido na Região de Fonte/Dreno
O recozimento pósimplantação para reconstrução das camadas implantadas e ativação dos
dopantes nas regiões n+ e p+ (Figura 9). Realizase o recozimento em forno convencional, em ambiente
de N2, com temperatura de 10000C e tempo de 20 min. A oxidação úmida posterior é realizada para a
formação de óxido na região p+ de Fonte/Dreno. Realizase a oxidação também em forno convencional,
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em ambiente de O2, com temperatura de 10000C e tempo de 100 min. O procedimento para o
recozimento pósimplantação com posterior oxidação úmida é similar ao mostrado no item 3. A única
diferença é que depois da entrada das lâminas no forno convencional ao invés de deixar os substratos
em ambiente de N2 por 10min, aumente este tempo para 20 min para a execução do recozimento. O
restante do procedimento é o mesmo já apresentado. Para controle dos processos colocase junto com
as lâminas, onde estão sendo fabricados os dispositivos, as amostras testes T1, T2, T3 e T4. Obtémse a
medida de espessura do óxido crescido sobre os cacos T1 e T3. Removese com solução “Buffer” de HF
o óxido crescido sobre caco T4. Medese no mesmo caco T4, a resistência de folha Rs e a profundidade
de junção da camada implantada Xj. A medida de Rs é feita pelo equipamento de quatro pontas com
descrito no item 1. Para a medida de Xj, desbastase mecanicamente a lâmina teste e com um líquido
revelador obtémse o contraste de imagem (verificada por um microscópio óptico) entre a parte dopada e
a não dopada, como mostra a Figura 10. O resultado esperado para a região p+ da fonte/dreno é da
ordem de 1,4µm.
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Óxido de Si
Substrato
Figura 9 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao recozimento para ativação de dopantes
implantados com posterior oxidação úmida para formação de óxido na região p+ de Fonte/Dreno
Figura 10 Ranhura feita para medir profundidade de junção Xj
8. Processo Fotolitográfico do Segundo Nível de Máscara para Definição das Áreas
de Porta e de Contatos Metálicos de Fonte/Dreno. Remoção do Óxido de Campo
sobre a Fonte/Dreno seguida da Remoção do Fotorresiste, Finalizando com a
Limpeza RCA.
Fonte/Dreno Porta
Óxido de Si
Substrato
Figura 11 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao processo fotolitográfico do segundo nível de
máscara para definição das áreas de porta e de contatos metálicos com posterior remoção do óxido da fonte/dreno
seguido da remoção do fotorresiste,
finalizando com a limpeza RCA.
O processo fotolitográfico do segundo nível de máscara é feito para a abertura no substrato das
regiões de contatos metalsemicondutor de fonte/dreno e de porta, como mostra a Figura 11. O
procedimento deste processo fotolitográfico é o mesmo apresentado no item 4. Para a abertura destas
regiões no substrato, removese o óxido de campo crescido sobre a fonte/dreno com solução "Buffer" de
HF, seguido da remoção do fotorresiste com as lâminas mergulhadas em acetona, finalizando com uma
limpeza RCA completa. Os procedimentos destas etapas já foram descritos nos items 5 e 2,
respectivamente.
9
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9. Oxidação Seca para Crescimento do Óxido Fino de Porta
Óxido de Porta
Óxido de Campo
Substrato
Figura 12 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao processo de oxidação seca para crescimento
do óxido fino de porta com 75nm de espessura.
Executase esta etapa para o crescimento do óxido de Si de porta, que forma a estrutura
principal do dispositivo metalóxidosemicondutor. A Figura 12 representa o óxido de Si crescido sobre o
substrato de Si. Para isso, a espessura do óxido de porta deve ser menor que 100nm. Realizase a
oxidação seca colocandose as lâminas de Si no forno térmico convencional em alta temperatura de 1000
°C e em ambiente oxidante com cloro. A presença do cloro na mistura na forma de tricloroetileno, TCE,
neutraliza os íons alcalinos, como o Na+, que podem estar presentes no ambiente de processo e são
cargas móveis nos óxido de Si. Estas cargas respondem rapidamente e descontroladamente ao campo
aplicado na região de porta dos dispositivos MOS, danificandoos. Portanto, empregase o cloro para
manter o controle de contaminantes no ambiente oxidante. Para controle do processo, coloque os cacos
T1, T2 e T3 junto com as lâminas inteiras onde serão confeccionados os dispositivos. Com os cacos T1,
T2 e T3 podese medir as espessuras dos óxidos da região de porta , de fonte/dreno e de campo,
respectivamente.
O procedimento de oxidação seca no CCS/UNICAMP é o seguinte:
• Utilize o Forno de Oxidação com linha secundária de O2+TCE em temperatura de 1000 °C;
• Execute a entrada da barqueta de quartzo com as lâminas no forno em ambiente de N2, com
fluxo de 1l/min, por um tempo maior que 3 min;
• Deixe as lâminas neste ambiente de N2 por 5 min;
• Desligue a linha de N2 , ligue a linha principal de O2 , com fluxo de 1l/min, e deixe as lâminas
neste ambiente por 5 min (oxidação seca sem cloro);
• Desligue a linha principal de O2 e ligue a linha secundária de O2+TCE, com aproximadamente
1% de TCE na mistura, para manter as lâminas em ambiente oxidante com cloro por 30 min (oxidação
seca com cloro);
• Desligue a linha secundária de O2+TCE e ligue a linha principal de O2, para manter as lâminas
em ambiente oxidante sem cloro por 5 min (oxidação seca sem cloro);
• Ligue a linha de N2 , com fluxo de 1l/min, e deixe as lâminas neste ambiente por 30 min
(recozimento do óxido crescido);
• Execute a saída da barqueta de quartzo com as lâminas do forno em ambiente de N2, com fluxo
de 1l/min, por um tempo maior que 3 min;
O óxido fino também cresce sobre a região exposta de fonte/dreno, como mostra a Figura 12. A
espessura esperada do óxido de porta é da ordem de 75nm.
10
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Centro de Componentes Semicondutores CCS
10. Processo Fotolitográfico do Terceiro Nível de Máscara para Definição das Áreas
de Contatos Metálicos de Porta e de Fonte/Dreno. Remoção do Óxido Fino sobre a
Fonte/Dreno seguida da Remoção do Fotorresiste, Finalizando com a Limpeza RCA.
Fonte/Dreno Porta
com óxido removido
Óxido de Si
Substrato
Figura 13 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao processo fotolitográfico do terceiro nível de
máscara para definição das áreas de contatos metálicos de porta e de fonte/dreno, com posterior remoção do óxido
fino sobre a fonte/dreno, seguido da remoção do fotorresiste, finalizando com a limpeza RCA.
Utilizandose a terceira máscara, executase a fotogravação dos locais de abertura dos contatos
metálicos de porta e de fonte/dreno. O procedimento deste processo fotolitográfico é o mesmo
apresentado no item 4. Para a abertura destas regiões no substrato, removese o óxido de campo
crescido sobre a fonte/dreno com solução "Buffer" de HF, seguido da remoção do fotorresiste com as
lâminas mergulhadas em acetona, finalizando com uma limpeza RCA completa. Os procedimentos
destas etapas já foram descritos nos itens 5 e 2, respectivamente.
11. Evaporação de Alumínio para a Formação de Contatos Metálicos de Porta e de
Fonte/Dreno
Filme de Al Porta
Fonte/Dreno Óxido de Si
Substrato
Figura 14 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao processo de evaporação de Alumínio para a
formação de contatos metálicos de porta e de fonte/dreno
Para formação de contatos metálicos de porta e de fonte/dreno, evaporase uma camada de Al de 1µm
sobre toda a lâmina (Figura 14). No CCS/Unicamp, executase a evaporação introduzindose as lâminas
em uma câmara de altovácuo com um sistema de feixe de elétrons, que é usado para fundir a fonte
metálica, que se deseja depositar sobre o substrato. A fonte metálica utilizada é de Al com grau de
pureza de 99,999%. A pressão de base para iniciar o processo é da ordem de 5 x 107 Torr, que é obtida
através de um sistema de vácuo acoplado que contém duas bombas de vácuo do tipos mecânica e
difusora. Durante a evaporação, a pressão é de aproximadamente 5.105 Torr.
11
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Centro de Componentes Semicondutores CCS
12. Processo Fotolitográfico do Quarto Nível de Máscara para Corrosão de Alumínio.
Formação de Contatos Metálicos de Porta e de Fonte/Dreno e de Interconexão
Metálica de Dispositivos.
Contato de Al Contato/Porta
Fonte/Dreno
Óxido de Si
Substrato
Figura 15 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao processo fotolitográfico do quarto nível de
máscara para corrosão de Alumínio, obtendose a formação de contatos metálicos de porta e de fonte/dreno e de
interconexão metálica entre dispositivos.
Utilizandose a quarta máscara, executase a fotogravação dos locais entre os contatos, onde o filme de
Al deve ser removido para se separar os contatos e as interconexões (Figura 15). O procedimento deste
processo fotolitográfico é o mesmo apresentado no item 4. Após a fotogravação, executase a remoção
do Al mergulhandose as lâminas em solução de Ácido Orto Fosfórico + Acido Nítrico (9,5:0,5). A taxa de
corrosão do Al nestas condições é de 300nm/min. Em seguida, executase a remoção do fotorresiste com
as lâminas mergulhadas em acetona, como descrito anteriormente.
13. Evaporação de Al para Formação de Contato Metálico nas Costas do Substrato.
Sinterização dos Contatos de Al.
Contato de Al Contato/Porta
Fonte/Dreno
Óxido de Si
Contato de Al
Base Substrato
Figura 16 Representação da lâmina de Si em corte lateral submetida ao processo evaporação de Al para formação de
contatos metálico nas costas do substrato com posterior
sinterização dos contatos de Al.
Para formação de contatos metálicos de base, evaporase uma camada de Al de 1µm sobre as
costas da lâmina (Figura 16). O procedimento de evaporação já foi descrito no item 11. Para terminar os
dispositivos, executase o processo de sinterização. No processo de sinterização dos contatos de Al,
executase o recozimento das estruturas metal/semicondutor ou metal/óxido/semicondutor em baixa
temperatura de aproximadamente 4500C e em ambiente inerte de N2 e de H2. Esta etapa serve para
reestruturar as camadas e reduzir os defeitos nas interfaces das estruturas, que podem ter sido gerados
durante a evaporação. Estes defeitos podem ser cargas superficiais de ligações incompletas nas
interfaces. Estas ligações incompletas são saturadas pelo hidrogênio presente no ambiente. No
CCS/UNICAMP, a fonte de hidrogênio no ambiente de sinterização é o vapor d’água que é arrastado do
borbulhador para dentro do forno pelo gás N2.
O procedimento de sinterização de contatos de Al no CCS/UNICAMP é o seguinte:
• Utilize o Forno de sinterização de contaos de Al em temperatura de 440 °C;
12
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Centro de Componentes Semicondutores CCS
• Execute a entrada da barqueta de quartzo com as lâminas no forno em ambiente de N2, com
fluxo de 1l/min, mais vapor d’água por um tempo maior que 3 min;
• Deixe as lâminas neste ambiente de N2 mais vapor d’água por 30 min;
• Execute a saída da barqueta de quartzo com as lâminas do forno em ambiente de N2, com fluxo
de 1l/min, mais vapor d’água por um tempo maior que 3 min.
Finalizada a fabricação, a próxima etapa é a da caracterização elétrica dos dispositivos.
13
DESCRIÇÃO DO CHIP DIDÁTICO − CCS 02
1. Introdução
Esse "chip" foi concebido para para ser usado tanto para processo
PMOS quanto para NMOS. Possui diversas estruturas de caracterização
de processo e também alguns circuitos básicos digitais. É possível fabricar
dispositivos MOS de enriquecimento e também de depleção e também
transístores bipolares, mas não simultaneamente, pois esse jogo de
máscaras (de cinco níveis) foi desenhado de forma a se optar uma
sequência ou outra de processos.
2. Descrição
1.1) Diodo pn
a) Fator de idealidade:
q. log e
log( I D ) = VD + log( I 0 )
ηkT
1 q log e
η= .
α kT
α =
η =
b) Tensão de ruptura BV
BV [V] =
Comente o resultado.
1
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
Neste item, meça o valor da corrente reversa para |VD| = 5 V. Compare este valor com
os valores obtidos em outros dispositivos e com o das outras lâminas processadas.
C ε .ε .A εSi = 11,9
Wf = ac − 1 ⋅ 0 Si
C inv C ac Cinv ⇒ Capacitância na região de inversão
Wf =
• capacitância de "flat-band"
2
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
CFB =
kT N A ,D φF>0 ⇒ tipo p
φ MS = −0,6 − φ F , onde φ F = . ln e
q n i φF<0 ⇒ tipo n
ni= 1,45 x 1010 e VFB é a tensão onde a capacitância é igual à CFB, obtida através da curva C x
V.
= [ VFB − φ MS ]. ac
VFB = Q ef C
ΦF = q q.A
ΦMS =
Qef/q =
b) Obtenha a curva ID x VGS para |VDS| = 0,1 e |VBS| = 0, 2 e 4V. Determine valor de V T0,
mobilidade (µ) e fator de corpo (γ) e comente os resultados obtidos.
VT0 =
L ⇒ comprimento do canal
L eff ⋅ A ⋅ gm XJ ⇒ profundidade da junção
µ= , onde Leff = L - 1,4 XJ
W ⋅ Cac ⋅ VDS W ⇒ largura do canal
Cac, A ⇒ parâmetros obtidos na medida C x V
gm ⇒ transcondutância máxima
3
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
µ=
c) Obtenha a curva ID x VGS, com VDS = VGS e VBS = 0V. Encontre o valor de VT0 e
compare com o valor encontrado anteriormente. Qual método é mais preciso na
determinação de VT0?
d) Obtenha as curvas ID x VGS em região sub-limiar, com |VDS| = 1, 2 e 3,9 V, e VBS = 0V.
Determine o fator de idealidade e explique o formato das curvas obtidas.
n=
5 3 1
6 4 2
V 24
Rs = ∗ 4,53
I 13
4
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V35 W
Rs = ∗
I 46 L
• Perguntas:
i) Compare os valores obtidos na tabela 7 com os valores obtidos para o caco de teste
durante o processamento?
ii) Compare os valores obtidos para W/L na tabela 8 com o valor nominal de máscara, no
caso de este estar disponível?
1.5) Flip-Flop
5
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Vdd In2
6
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
1 16
R1 R2
2 15
R3
contato do substrato
13
14 3
R4 R5
4 5
R6 R7
7 contato do poço p 6
R8
R9
8 12
9 11
10
1
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
resistividade W
RS = = R×
espessura L
onde R é a resistência já medida, W e L as dimensões dos resistores (largura e comprimento
respectivamente). Essas dimensões se encontram na tabela a seguir.
De posse dos valores dos resistores e das dimensões dos resistores podemos então
calcular a resistência de folha (Rs) e preencher a tabela abaixo:
• Perguntas:
2
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
1 16
2 15 2 15
3
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
1.2) Chip 2
T R A N S IS T O R N 3 V G S = 7 ,0 V
-4
4 .0 x 1 0
-4 V G S = 6 ,0 V
3 .0 x 1 0
ID S [A ]
-4
2 .0 x 1 0 V G S = 5 ,0 V
-4
1 .0 x 1 0 V G S = 4 ,0 V
V G S = 3 ,0 V
0 .0
0 2 4 6 8 10 4
V D S [V ]
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
b) Trace as curvas ID × VGS ( HP4145 ) para |VDS| = 0,1V e |VBS| = 0V , 1,5V , 3,0V e 4,5V
calculando os valores de VT, µ e γ (fator de corpo).
-6
8 .0 x 1 0
-6
7 .0 x 1 0 T R A N S IS T O R N 3
FONTE E CORPO EM COMUM
-6
6 .0 x 1 0
-6
5 .0 x 1 0
ID [A ]
-6
4 .0 x 1 0
VBS
-6
3 .0 x 1 0 0V
1 .5 V
-6
2 .0 x 1 0
- 1 .0 x 1 0
-3 3 .0 V V G S = -7 V
-6 T R A N S IS4T.5OVR P 4
1 .0 x 1 0
-4
- 8 .0 x 1 0
0 .0
V G S = -6 V
0 .0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0
- 6 .0 x 1 0
-4 V G S [V ]
V G S = -5 V
I D [A ]
-4
- 4 .0 x 1 0
V G S = -4 V
-4
- 2 .0 x 1 0
V G S = -3 V
V G S = -2 V
0 .0
0 -2 -4 -6 -8 -1 0
V D S [V ]
-5
- 1 .6 x 1 0
-5 VBS=0V
- 1 .4 x 1 0
-5
- 1 .2 x 1 0 T R A N S IS T O R P 4
V B S = 1 .5 V
-5
- 1 .0 x 1 0
V B S = 3 .0 V
ID [A ]
- 8 .0 x 1 0
-6
V B S = 4 .5 V
-6
- 6 .0 x 1 0
-6
- 4 .0 x 1 0
-6
- 2 .0 x 1 0
0 .0
5
0 .0 - 0 .5 - 1 .0 - 1 .5 -2 .0 -2 .5 -3 .0
V G S [V ]
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
Para N3:
Vt (V) VBS (V)
1.78 0,0
Para P4:
Vt (V) VBS (V)
-1.21 0,0
-1.53 1,5
-1.75 3,0
-1.89 4,5
c) Através das curvas de log(ID) × VGS ( HP4145 ) na região sub-limiar com |VBS| = 0V e |VDS
| = 0V , 1,5V , 3,0V e 4,5V , calcule o fator de idealidade destes transistores. Obs: pode-
se traçar uma reta entre dois pontos da curva na HP, o que facilita a obtenção dos
coeficientes angular e linear da reta ou mesmo copiar os dados da HP e colocá-los no
software Origin.
1 E -6
T R A N S IS T O R N 3
1 E -7
1 E -8
1 E -9
ID [A ]
VDS
1 E -1 0 0 .1 V
1 .5 V
1 E -1 1 3 .0 V
4 .5 V
1 E -1 2
1 E -1 3 6
0 .0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0
V G S [V ]
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
n = [1/grad]/60mV =
1/grad = 138 mV/dec
Comentários:
1 E -5
1 E -6
tr a n s is to r P 4
1 E -7
1 E -8
I D [- A ]
VDS
1 E -9
-0 .1 V
1 E -1 0
-1 .5 V
-3 .0 V
1 E -1 1 -4 .5 V
0 .0 - 0 .2 - 0 .4 - 0 .6 - 0 .8 - 1 .0 - 1 .2 - 1 .4 - 1 .6 - 1 .8 - 2 .0
V G S [V ]
36 PMOS
VSB CONECTADO
34
32
C [p F ]
30
VDB=VSB
28
0V
-1 V
26
-2 V
24
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1
V G B [V ]
7
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
Comentários:
8
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
qVD 2 D DP
I D = I 0 .(e kT
− 1) ; I 0 = qAni N +
LN N A LP N D
Para chegar à este modelo, Shockley teve que fazer algumas aproximações,
circunscrevendo o modelo à uma região de validade. Atentando para esta região, é possível
verificar o quão próximo estão as condições dos diodos reais das assunções tomadas por
Shockley.
Um modo para a verificação deste "quão próximo" é pela introdução de um fator no
modelo acima, ad hoc, o chamado fator de idealidade η. Assim, a expressão, para VD > 100
qV D
mV, o que implica em exp >> 1, fica:
ηkT
qV
I D = I 0 exp D
ηkT
Feitas estas considerações, com o chip no escuro, trace a curva I x V dos diodos D4,
D7 e D8 utilizando o analisador de parâmetros HP 4145B, tanto em escala linear como em
logarítmica (base 10).
Como a escala de ID está em base 10, o coeficiente angular α da reta obtida está
relacionado com η por:
1 q log e 1 1 1 1
η= . ≅ . = .
α kT α 60mV GRAD 60mV
9
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
D4
D7
D8
Tabela 5 – Fator de idealidade
Para verificar o comportamento dos três diodos na região reversa e encontrar o valor
da tensão de rompimento (Breakdown Voltage BV), utilize o analisador de parâmetros,
atentando para o limite do equipamento de +/-100V. Além disso, imponha o limite de 10 mA
para a corrente no diodo.
Diodo BV [V]
D4
D7
D8
Tabela 6 – Tensão de rompimento
A tensão de rompimento BV obtida acima pode ser ocasionada devido a dois dos
fenômenos perguntados acima. No presente caso, qual seria o fenômeno responsável pelo
valor obtido de BV? Qual o critério utilizado para esta distinção? Explique qualitativamente o
fenômeno em questão.
Sabido a natureza do fenômeno, como poderia ter sido previsto a ordem das
magnitudes obtidas (em módulo), por exemplo, BVD7 > BVD4 > BVD8? Respalde sua previsão,
ou melhor, sua constatação, com base no leiaute do chip didático e na fórmula a seguir.
ECR 2 K S ε 0 1
BV ≅
2q N A // N D
10
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
KSε0 A KSε0 A
CJ = = m
W 2K S ε 0 1
.(Vbi − V D ).
q N A // N D
b.1) Característica ID x VD
11
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
Uma vez que pares elétron-lacuna podem ser gerados pelo processo conhecido como
fotogeração, a análise da potência gerada pode ser feita conectando o diodo D5 à um resistor
R = 1MΩ, segundo o circuito abaixo:
figura 8 - Fotogeração
Anote o valor de tensão medido VR nas duas condições. Na condição com luz, utilize a
máxima intensidade da fonte luminosa:
Condição VR [V]
Sem luz
Com luz
Tabela 8 – Fotogeração
V2
Pg = = µW
R
Pg W
P= =
A m2
Calculado P, encontre a área necessária A1W para que uma potência de 1W seja
gerada.
1
1m2 - P ⇒ A1W = = m2
P
A1W - 1W
12
Curso de Microfabricação – CCS – UNICAMP
Uma vez analisado o efeito da luz, agora será estudado o comportamento da corrente
ID variando-se a tensão de polarização reversa.
Para isto, utilize o analisador de parâmetros HP 4145B e complete a tabela abaixo:
ID
VD [V]
Sem luz Com luz
0
-4
-7
Tabela 9 – Polarização reversa
N inversores saída
13
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Meça a freqüência de oscilação nos pinos 6, 7 10, 12, 14 e 15, para um V DD = 5V, e
preencha a tabela a seguir.
Agora, para o pino 14, varie VDD conforme os valores pedidos na tabela abaixo e após
medir o valor da freqüência complete a tabela abaixo.
• Perguntas:
14
“Oficina de Microfabricação: Projeto e Fabricação de CI´s MOS”
Data: .
Medida de resistividade por 4 pontas: V/I = ohm
Medida de espessura: µm
Resulta: Rs = ohm/sq.
Resistividade = ohm.cm
Data:
Observar no microscópio
Observação
Data:
Forno de Pen. de Boro, T = 1000 C,
Entrada em N2, > 3 min.
N2 = 20 min
O2 = 10 min
O2 / H2O = 180 min. (aprox. 63 gotas / min)
N2 = 10 min
Saída em N2, > 3 min.
Observações:
Medida do óxido: µm (esperado: 0.735 µm).
1
Clivar lamina teste pMOS em 4 quadrantes: T1, T2, T3 e T4 e lâmina teste
nMOS em 4 quadrantes: T5, T6, T7, T8
(opcional, clivar em 2 meias lâminas, para clivar em quadrantes
posteriormente, após etapas # ?)
4) Fotogravação de fonte/dreno (# 1)
Data:
Receita padrão no. F1
Aplicar HMDS 7000 rpm, 30”,
Aplicar AZ 1350J, 7000 rpm, 30”
Soft-bake, 92C, 30 min.
Exposição 14”
Revelador MIF 312 / H2O DI (1/1), 1 min.
Ver no microscópio
Observações:
Data:
Até remover todo óxido das costas da lâmina
Tempo = (13´?)
Ver no microscópio
Remover óxido dos cacos T3 e T4, T5 e T6
Observações:
6) Remoção do fotorresiste
Data:
Lavar em acetona
Ferver em acetona, isopropanol, água DI
Fazer limpeza padrão RCA completa
Ver no microscópio
Observações:
7) I/I de Fonte/Dreno
Data:
2
I/I de 11B+, E=50 keV, 5.0 E15 cm-2, laminas pMOS
I/I de 31P+, E=80 keV, 7.0 E15 cm-2, lâminas nMOS
Incluir lâmina para controle: cacos T3 e T4 (pMOS), T7 e T8 (nMOS)
I/I de 31P+, E=50 keV, 5.0 E15 cm-2, nas costas das lâminas pMOS
Observações:
Limpeza padrão RCA completa.
Data:
Incluir todos os cacos testes.
Forno no. Pen.Boro, T=1000 C
Entrada, N2 > 3 min.
N2 = 20 min
O2 = 5 min.
O2 + H2O = 100 min.
N2 = 10 min.
Saída, N2, > 3 min
Medida da espessura de óxido sobre cacos T1 e T3:
Xo(T1) = µm (esperado 0.94 µm)
Xo(T3) = µm (esperado: 0.54 µm)
Remover óxido sobre caco T4 e T8
Medida de Rs e Xj no caco T4 e T8: Rs = Xj =
Observações:
Data:
Receita padrão no. F1 (ver item 4)
Ver no microscópio
Observações:
Data:
Até remover todo óxido do caco T1 e T5
t= (estimado 18 min).
Ver no microscópio
3
Observações:
Data:
Lavar em acetona
Ferver em acetona, isopropanol, água DI
Fazer limpeza padrão RCA completa
Ver no microscópio
Observações:
12) Oxidação de porta: 50 nm (incluir cacos teste T1, T2, T3, T5, T6 e T7)
Data:
Forno de oxidação com TCE: , T=1000 C
Entrada, N2 > 3 min.
N2 = 5 min
O2 = 5 min.
O2 + (1%) TCE = 30 min.
O2 = 5 min
N2 = 30 min.
Saída, N2, > 3 min
Medida da espessura de óxido sobre cacos teste T1 e T5 (gate), T2 e T6
(campo) e T3 e T7 (S/D): Xo(T1,5) = Xo(T2,6) = Xo(T3,7) =
Remover óxido do caco T3 e T7 (junto com a etapa 14)
Medida de Rs e Xj no caco T3: Rs = xj =
Observações:
13)Fotogravação de contatos (# 3)
Data:
Receita padrão no. F1
Ver no microscópio
Observações:
Data:
4
Até remover todo óxido do caco teste T1 e T5, T3 e T7
t= (estimado 1 a 2 min)
Ver no microscópio
Observações:
Data:
Lavar em acetona
Ferver em acetona, isopropanol, água DI
Ver no microscópio
Observações:
Data:
Fazer limpeza padrão RCA sem etapa da piranha.
Pressâo base =
Pressão de evaporação =
Tempo de evaporação =
Data:
Receita padrão no. F1
Ver no microscópio
Observações:
Data:
Até remover todo Alumínio exposto
t=
Ver no microscópio
Observações:
19) Remoção do fotorresiste.
Data:
5
Lavar em acetona
Ferver em acetona (2 X), isopropanol, água DI
Ver no microscópio
Observações:
Data:
Fazer limpeza com solventes,
Pressâo base =
Pressão de evaporação =
Tempo de evaporação =
21)Sinterização de contatos.
Data:
Forno de Liga , T = 450 C
Gás verde (forming gás), t = 30 min.
Ver no microscópio
Observações:
22)Medidas Elétricas.
Datas:
Good Luck. !!!
6
Curso de Microfabricação - CCS - UNICAMP
Inicia-se agora uma jornada de três meses através dos processos descritos neste guia,
com o intuito de se fabricar transistores pMOS e nMOS, tipo enriquecimento.
1
.Lâ
m ina
sd esilíciodotipon,(100 ),c
omresis
tiv
ida
d eentre4e6o
hm 6
.Re
m o
çãod
ofo
torre
siste 1
1.F
oto
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s,e
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oó x
idoeremoçãod
ofo
torresiste,
.cm.Lâ m inasparadis
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isu malâminateste
. fin
alizandocomalimp
ezaR C
A
M
ed
ida
sdere
sis
tiv
ida
de(4p
onta
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Esta jornada, entretanto, começou muito antes, com a obtenção das lâminas de silício
que estão sendo entregues neste momento. Diversas etapas já foram realizadas até então, que
vão desde a extração do quartzo, sua redução em Si policristalino (grau metalúrgico), sua
purificação em níveis de ppba (grau eletrônico) até a obtenção de Si monocristalino do Si
policristalino fundido, resultando em tarugos que, uma vez laminados, deram origem às
lâminas.
Dependendo da orientação da semente utilizada, isto é, de um pedaço de Si
monocristalino que inicia o processo de crescimento e da quantidade de dopantes inserida no
seu decorrer (processo Czchochralski), as lâminas obtidas terão diferentes orientações
cristalinas e dopagens.
Assim, antes do início de qualquer modificação nas lâminas, é mister caracterizá-las.
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1
Qual a relação entre a concentração de dopantes e a resistividade? ρ =
qN A, D µ p ,n
ρ V
Rs = = 4.53.
t I
Processo pMOS: RS = Ω
Processo nMOS: RS = Ω
No meio tempo entre a aula de hoje e a próxima, será realizado nas lâminas do
processo nMOS tanto a limpeza completa, padrão RCA, como a implantação de íons de B, de
acordo com os seguintes parâmetros:
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Por qual motivo isto é feito? A dopagem nas proximidades da superfície influencia no
valor da tensão de limiar VT? Explique.
Dica : V [V ] = V ± 2 kT ln N A, D A
±
kT N
4qε S i ε 0 N A, D ln A, D
q n
T fb
i C max q ni
Para evitar o acúmulo de impurezas na interface entre o Si e o SiO2 que será formado,
realize a limpeza padrão RCA completa, com a submersão da lâmina nas seguintes soluções:
Entre uma solução e outra, as lâminas são submetidas a um enxágüe com água
deionizada (DI), resistividade de 18 MΩ.cm, por 3min. A secagem destas lâminas é feita com
jato de nitrogênio.
Descreva as funções de cada etapa da limpeza.
Como dito no item 1, as lâminas são compostas de Si monocristalino, que foi obtido a
partir de uma matriz também monocristalina, a semente. Nesta etapa, o óxido, além de
consumir parte do Si da lâmina para a formação do SiO2, também está crescendo sobre a
lâmina. Tendo estas considerações em mente, o que se pode afirmar sobre a estrutura
cristalina do óxido?
Feito isto, coloque a lâmina na estufa à aproximadamente 100oC durante 30 min para
evaporação do solvente e fixação do fotoresiste.
Agora, com o auxílio da fotoalinhadora, grave o padrão da máscara no fotoresiste,
expondo o conjunto em luz ultravioleta, polimerizando as regiões expostas de fotoresiste.
Realize a revelação do fotoresiste, utilizando o revelador AZ 312 MIF e H2O DI (1:1).
Descubra o significado da sigla MIF e, por conseqüência, sua importância para o
processo.
Para finalizar, coloque as lâminas na estufa em 110ºC por 30 min para o enrijecimento
do resiste não polimerizado.
Feita a gravação no óxido, o fotoresiste, com sua missão cumprida, deve ser removido.
Isto é feito utilizando-se acetona fria, seguida por isopropanol frio, acetona quente e H2O DI.
Terminado, faça a limpeza padrão RCA completa novamente.
Observe no microscópio o resultado final.
Nesta etapa serão formadas as regiões de fonte e dreno do transistor MOS. Para isto, é
preciso alterar as dopagens nestas regiões. Uma das técnicas empregadas para este serviço é a
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implantação de íons. Quais são as vantagens desta técnica? Qual sua importância para a
tecnologia MOS?
Após isto, remova o óxido dos cacos T4 e T8 e meça RS e xj. Para medir xj, desbaste
mecanicamente a lâmina e utilize o líquido revelador para contrastar a imagem entre a região
dopada e a não dopada :
Processo pMOS: ( V / I ) = Ω ⇒ RS = Ω
Processo nMOS: ( V / I ) = Ω ⇒ RS = Ω
Processo pMOS: xj = µm
Processo nMOS: xj = µm
Remova o fotoresiste utilizando acetona fria, seguida por isopropanol frio, acetona
quente e H2O DI.
Na seqüência, faça a limpeza padrão RCA completa.
Observe no microscópio o resultado final.
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O óxido formado nesta etapa deve ser o de melhor qualidade. Por quê?
Para que este objetivo seja alcançado, faz-se a oxidação segundo parâmetros a seguir.
Inclua no presente processo os cacos T1, T2, T3, T5, T6 e T7.
Por qual motivo se utiliza O2 na terceira etapa? Explique o motivo do uso do TCE e de
sua baixa concentração.
Por que o óxido sobre a região dos contatos foi removido no item 9, uma vez que isto
poderia ter sido feito nesta etapa?
Remova o fotoresiste utilizando acetona fria, seguida por isopropanol frio, acetona
quente e H2O DI.
Observe no microscópio.
Antes de depositar o Al, faça a limpeza padrão RCA sem a etapa da "piranha" e a de
HF. Por que estas etapas foram excluídas?
Como o Al foi depositado sobre toda a lâmina, é necessário retirar os curtos formados.
Para isto repete-se, para a máscara em questão, o processo descrito no item 4.
Observe o resultado no microscópio.
Remova o fotoresiste utilizando acetona fria, seguida por isopropanol frio, acetona
quente e H2O DI.
Observe no microscópio.
Bem, após meses, a longa jornada chega ao seu fim. Agora, é tempo de coletar os
resultados deste trabalho. Se bom ou se ruim, somente elas, as medidas elétricas, dirão.
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