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Universidade Federal do Paraná - UFPR

Denner Paganoti de Almeida - GRR20156015


Vinicius Scheibel Siqueira - GRR20155230
Turma A

TE909 - Microeletrônica II
Relatório III

Curitiba
2019
1 ESPELHO DE CORRENTE NMOS
1.1 Criar um esquemático e sı́mbolo para um espelho de corrente NMOS simples.
Utilizando os conhecimentos adquiridos em aula e a literatura, fez-se um esquemático de
um espelho NMOS. As dimensões dos transistores eram: largura igual à 160nm e compri-
mento de 120nm. Tem-se abaixo o esquemático criado:

Figura 1 – Esquemático do espelho NMOS simples

1.2 Criar um esquemático e sı́mbolo para um espelho de corrente de Wilson


NMOS.
Da mesma forma que no item 1.1, criou-se um espelho de Wilson, com as mesmas di-
mensões do item anterior.

Figura 2 – Esquemático do espelho NMOS de Wilson


1.3 Criar um esquemático de teste aplicando uma fonte de corrente ideal de 20
A à entrada do espelho. Traçar no mesmo gráfico as correntes de saı́da de
cada espelho em função da tensão de saı́da no intervalo 0 e VDD
Criou-se um esquemático contendo os dois espelhos, o simples e o de Wilson. Na figura,
o sı́mbolo superior corresponde ao primeiro e o inferior ao segundo. Foram adicionadas duas
fontes de corrente de 20µA à entrada de cada espelho. Abaixo, a figura do esquemático:

Figura 3 – Esquemático do circuito utilizado na simulação.

Os parâmetros setados para a simulação foram os seguintes:

Figura 4 – Parâmetros de simulação.

Os resultados de simulação foram os seguintes:


Figura 5 – Resultados de simulação.

1.4 Qual circuito apresenta uma faixa de operação maior em termos de tensão
de saı́da? Justificar com base nos resultados de simulação.
Observando os resultados de simulação, percebe-se que o espelho NMOS simples apresenta
uma faixa de operação maior que o espelho de Wilson. Esse, após uma tensão de saı́da
de aproximadamente 0, 8V , consegue espelhar uma corrente constante de aproximadamente
16µA,sendo mais estável à variações na entrada, enquanto o simples segue os valores de
entrada de corrente, para as tensões de saı́da.

1.5 Qual espelho apresenta uma melhor resistência de saı́da? Justificar com
base nos resultados de simulação.
O espelho de Wilson apresenta uma melhor resistência de saı́da. Essa tende ao infinito,
fazendo com que a saı́da seja mais estável que no caso simples, estando menos sujeita à
variações.

1.6 Dimensionar o comprimento dos transistores para obter uma corrente de


saı́da igual à da entrada quando a tensão de saı́da vale 2,2 V para o espelho
simples.
Para esse caso, criou-se o esquemático abaixo:
Figura 6 – Esquemático da simulação.

Fez-se uma simulação parâmetrica, mudando o comprimento L do transistor da entrada


do espelho de corrente simples. Os parâmetros de simulação foram configurados da seguinte
forma:

Figura 7 – Parâmetros da simulação.

A simulação apresentou o seguinte resultado:

Figura 8 – Resultados da simulação.

Para VOUT = 2, 2V , L=2 ∗ 10−7 m apresentou um valor de corrente de 20µA, sendo igual
à entrada.
1.7 Dimensionar o comprimento dos transistores para obter uma corrente de
saı́da igual à da entrada quando a tensão de saı́da vale 2,2 V para o espelho
de Wilson
Foi feito o seguinte esquemático para a simulação:

Figura 9 – Esquemático da simulação.

Os parâmetros de simulação foram os seguintes;

Figura 10 – Parâmetros de simulação.

A simulação apresentou L1=1, 7 ∗ 10−7 . Os resultados podem ser vistos abaixo:

Figura 11 – Resultados de simulação.


1.8 Traçar os gráficos da corrente de saı́da em função da tensão de saı́da no
intervalo entre 0 e VDD para ambos espelhos depois de redimensionados,
destacando os valores obtidos para a tensão de saı́da 2,2 V.
Substituindo os valores de L e L1 com os obtidos nos dois itens acima, observou-se que para
ambos os casos obteve-se uma corrente de 20µA para uma tensão de 2,2V. O esquemático,
os parâmetros de simulação e os resultados de simulação encontram-se abaixo:

Figura 12 – Esquemático de simulação.

Figura 13 – Parâmetros de simulação.

Figura 14 – Resultados de simulação.


2 ESPELHO DE CORRENTE PMOS
2.1 Criar um esquemático e sı́mbolo para um espelho de corrente PMOS simples.
De acordo com os ensinamentos passados em sala de aula, fez-se um esquemático de um
espelho de corrente simples utilizando transistores PMOS. As dimensões dos transistores uti-
lizados eram: largura igual à 160nm e comprimento de 120nm. Abaixo tem-se o esquemático:

Figura 15 – Esquemático do espelho PMOS simples


2.2 Criar um esquemático e sı́mbolo para um espelho de corrente de Wilson
PMOS.
Da mesma forma que foi feito no item 3.1, criou-se um esquemático para o espelho de
corrente Wilson utilizando transistores PMOS com as mesmas dimensões.

Figura 16 – Esquemático do espelho PMOS Wilson

2.3 Aplicar uma fonte de corrente ideal de 20µA à entrada de cada um dos
espelhos. Traçar no mesmo gráfico as correntes de saı́da de cada espelho
em função da tensão de saı́da no intervalo entre 0 e VDD .
Criou-se um único esquemático com o sı́mbolo criado para os dois espelhores de corrente, o
simples e o de Wilson. No esquemático está indicado qual sı́mbolo corresponde ao respectico
espelho de corrente. Abaixo tem-se o esquemático:

Figura 17 – Esquemático do circuito simulado.


Simulando o circuito tem-se os seguintes resultados:

Figura 18 – Resultados da simulação.

2.4 Dimensionar os transistores para obter uma corrente de saı́da igual à da


entrada quando a tensão de saı́da vale 0,2 V para cada um dos espelhos.
Traçar os gráficos da corrente de saı́da em função da tensão de saı́da para
ambos os espelhos no intervalo de 0 e VDD . Destacar os valores obtidos
para tensão de saı́da de 0,2 V.
Utilizando o mesmo circuito anterior, porém fixando o valor da tensão de saı́da em 0,2
V. Fez-se a simulação paramétrica variando o comprimento do transistor de 120n M à 200n
M de forma a encontrar o comprimento que faça com que a corrente de saı́da seja igual a de
entrada. Observa-se abaixo os resultados da simulação:
Figura 19 – Resultados da simulação.

Portanto, com a análise gráfica determina-se que o comprimento que satisfaz as condições
do enunciado é de 160n M.

3 REFERÊNCIA DE CORRENTE
Criar o esquemático de uma referência de corrente usando um resistor conectado entre
VDD e a entrada do espelho simples NMOS em vez de uma fonte ideal usada anteriormente.
Usar as dimensões determinadas no item 3.1 (f). Dimensionar o resistor para fornecer uma
corrente de entrada de 20 A quando a tensão de saı́da vale VDD/2. Ressimular o espelho e
traçar os gráficos da corrente de entrada e da saı́da em função da tensão de saı́da no intervalo
entre 0 e VDD
Para esse caso, utilizou-se uma simulação parâmetrica, variando possı́veis valores do resis-
tor de entrada. Os valores simulados localizaram-se entre 50KΩ e 150kΩ, sendo que o valor
do resistor que mais se aproximava da condição foi o de 90KΩ. Abaixo, tem-se o esquemático,
os parâmetros de simulação e o resultado apresentado pela simulação.

Figura 20 – Esquemático de simulação.


Figura 21 – Parâmetros de simulação.

Figura 22 – Resultados de simulação.

Simulando para o valor do resistor encontrado acima, obteve-se:

Figura 23 – Resultados de simulação.


3.1 Criar o esquemático de uma referência de corrente usando um resistor co-
nectado entre VDD e a entrada do espelho Wilson NMOS em vez de uma
fonte ideal usada anteriormente. Usar as dimensões determinadas no item
3.1 (g). Dimensionar o resistor para fornecer uma corrente de entrada de
20µA quando a tensão de saı́da vale VDD /2. Ressimular o espelho e traçar
os gráficos da corrente de entrada e da saı́da em função da tensão de saı́da
no intervalo entre 0 e VDD .
Dado enunciado, foi criado um novo esquemático, conectou-se um resistor de valor R entre
o VDD e a entrada do espelho Wilson NMOS. Tem-se o circuito:

Figura 24 – Esquemático do circuito simulado.

Para simular este circuito foram configurados os seguntes parâmetros:

Figura 25 – Parâmetros da simulação.


Realizando a simulação, obteve-se para tensão de VDD /2 o valor do resistor de 40KΩ,
como observa-se no gráfico abaixo:

Figura 26 – Corrente de saı́da.

Figura 27 – Corrente de entrada.

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