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flash?part=2
Memórias
ROM (Read Only Memory) – é uma memória somente de leitura a semicondutor , ou
seja, os dados são armazenados no processo de fabricação, não permitindo nova
gravação Em computadores antigos a ROM continha a programação (BIOS-Basic Input
Output System) que permite a inicialização de um computador.
As ROMs são não voláteis e por isso são empregadas para guardar dados que não
mudarão durante a operação de um sistema, uma vez que, após cessada a alimentação
elétrica os dados não se perdem.
O processo de gravação de dados em uma ROM é denominado programação ou queima.
Algumas ROMs não podem ter seus dados alterados, enquanto que outras podem ter
seus dados apagados e regravados.
Aplicada no armazenamento de programas de sistemas operacionais em computadores e
outros sistemas digitais (eletrodomésticos, sistema de segurança, caixa eletrônico),
Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada na
construção de um circuito combinacional qualquer. Simbologia (mais comum):
A Arquitetura básica utilizada para ROM nos processos de fabricação dos circuitos
integrados atuais:
PROM (Programmable Read-only Memory) é uma ROM que é fornecida virgem para o
comprador. Para a gravação de dados na ROM deve ser usado um equipamento
especial. A gravação é feita de uma só vez, para toda a capacidade da PROM, e uma vez
realizada, não pode ser desfeita. A gravação é feita através da circulação de uma
corrente elétrica que rompe o fusível onde deseja-se armazenar o nível lógico ‘0’.
EPROM
Uma EPROM, ou Erasable Programmable Read-Only Memory, é um tipo de dispositivo
de memória de computador não-volátil, isto é, mantém seus dados quando a energia é
desligada. Uma EPROM é programada por um dispositivo eletrônico que fornece
tensões maiores do que as usadas normalmente na alimentação do dispositivo. Uma vez
programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposição a uma forte luz
ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 micros). O processo de apagamento
dura de 10 a 30 minutos.
Uma EPROM pode ser programada pelo usuário e pode ser apagada e reprogramada
quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste em aplicar
tensões especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo (50ms por
locação).
EEPROM
Memória Flash
Depois da escrita ser concluída, uma carga negativa na porta flutuante aumenta a tensão
de limiar (Vt) da célula acima da tensão equivalente a 1 lógico da linha de seleção de
palavra (worldline). Quando a linha de seleção de palavra de uma célula escrita é levada
ao nível lógico 1 durante uma leitura, a célula não conduzirá. Um amplificador sensor
detecta e amplifica a corrente da célula, e fornece uma saída 0 para uma célula escrita.
Para apagar o conteúdo de uma célula Flash, a tensão de fonte (Source) é colocada em
VPP=12 Volts, a port (Control Gate)
de controle é aterrada e o dreno
(Drain) fica flutuando ( Fig.
10).Devido à grande tensão aplicada
na fonte (em relação à tensão na
porta), há uma atração dos elétrons
negativamente carregados da porta
Depois da operação de apagar ser
completada, a ausência de cargas na
porta flutuante baixa a tensão Vt da
célula para um valor abaixo da
tensão equivalente a 1
o transistor conduzirá mais corrente que uma célula escrita, fornecendo saída lógica 1
lógico da linha de seleção de palavra (worldline). Quando uma célula apagada tem a
linha de seleção de palavra (worldline) colocada no nível lógico 1 durante uma leitura,
Flash um comportamento de ROM. Em outras palavras, se a tensão VPP for menor que
6,5Volts, o registrador de comando vai para 00H e a memória entra no modo de
somente leitura