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Aula 01

JFET – Transistor de
Efeito de Campo
(pág. 174 a 179)

Prof. Dr. Aparecido Nicolett


PUC-SP
Slide 1 Construção e Características do JFET

• Dispositivo de três terminais.


• Aplicado em circuitos muito semelhantes aos que utilizam o TBJ.

IE

• TBJ: controlado por corrente (IC = f(IB))


• FET: controlado por tensão (ID = f(VGS))
Slide 2 TBJ x FET

Características TBJ FET


Impedância de entrada < >
Sensibilidade à > <
temperatura
Controle de corrente > <
de saída.
Ganho de tensão > <
Estabilidade < >
Tamanho > <
Slide 3 Construção do JFET

• Existem dois tipos de JFETs: canal N e canal P. O do tipo canal N é mais utilizado.
Slide 4 Analogia de funcionamento
Slide 5 JFET (canal N) com polarização

VD > VS
VGS = 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠ 0 A

• O fluxo de carga entre fonte e dreno é


relativamente irrestrito e limitado
somente pela resistência do canal N.
• A região de depleção é mais larga
próximo do dreno, pois a polarização
reversa dreno/porta é maior que a
polarização reversa porta/fonte.
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• Admitindo uma resistência uniforme


do canal N, a variação dos potenciais
reversos podem ser observados na
figura.

• Próximo à fonte, a queda de tensão é


menor (menor resistência) e próximo
do dreno, a queda de tensão é maior
(maior resistência).

• Como a junção PN está sempre


polarizada reversamente, a corrente
de porta IG é sempre zero (IG = 0
A)
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IDS x VDS (VGS = 0 V)
Região de Saturação

Região de
Triodo

Região de Corte
Slide 8 Pinçamento – “Pinch-off”

• Apesar do estrangulamento, ID ≠ 0 A.
Os portadores passam através da região
de depleção. Nesta condição, IDS passa
a ser constante (IDS = cte na saturação).

VDS ↑ → Rch ↑→ IDS = cte,


característica de uma fonte de corrente.

Obs.: IDSS é a corrente máxima de ID, definida na condição de VGS = 0V e VDS > Vp.
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VD > VS
VGS < 0 V
VDS > 0 V
ID = IS ≠ 0 A

• A polarização negativa de VGS,


aumenta as camadas de depleção,
diminuindo a “área” de passagem
da corrente.
• O valor de VGS que resulta em
ID = 0 A é definido como Vp
(VGS = Vp).
Slide 10 Curvas Características do JFET canal N

IDSS = 8 mA

Vp = - 4 V
Slide 11 Resistor controlado por tensão

• Na região ôhmica, o JFET pode ser utilizado


como um resistor controlado por tensão.

ro
rd = [5.1]
(1 − V GS ) 2
VP

ro = resistência com VGS = 0 V


rd = resistência específica para um certo VGS
Slide 12 JFETS canal P
Slide 13 Características do JFET canal P
Slide 14 Símbolos para o JFET

Canal N Canal P
Slide 15 Resumo