Determinación de la anchura de la banda prohibida del Germanio

Vı́ctor Chaparro Parra

Resumen
En este experimento se ha estudiado el comportamiento de la conductividad σ en función de la temperatura T
para un material semiconductor intrı́nseco, con el fin de determinar experimentalmente el valor del ancho de la banda
prohibida Eg . Para ello se ha medido el voltaje y la corriente a través de una muestra de germanio en función de la
temperatura. A partir de estas medidas, y conociendo las dimensiones
 de la muestra, se ha calculado el valor de σ
E
para cada T . Finalmente, teniendo en cuenta que σ = σ0 exp − 2KBg T , se ha realizado un ajuste lineal de ln σ vs.
1/T que permite obtener el valor de Eg a partir de la pendiente de la recta.

1. Introducción Una consecuencia inmediata es que la conductividad de-

penderá de la temperatura, ya que a mayor temperatura,
En los sólidos la energı́a disponible para los electrones mayor agitación térmica y, por tanto, mayor número de
permite distinguir entre aislantes, conductores y semicon- electrones y huecos. La conductividad total viene dada
ductores. Los estados energéticos de los electrones se en- por la suma de la debida a los electrones más la debida a
cuentran muy cerca los unos de los otros formando bandas. los huecos, esto es,
La banda prohibida o gap es un rango de energı́as para el
que no existe ningún estado electrónico. En los aislantes σ = neµn + peµp , (1)
la banda de valencia y la de conducción están separadas
por un gap grande, mientras que en los buenos conducto- donde n es la concentración de electrones, p la de huecos,
2
res ambas bandas se solapan. En el punto intermedio se e la carga del electrón, µn la movilidad de los electrones
encuentran los semiconductores, que poseen un gap entre y µ p la de los huecos. En el caso intrı́nseco, cada electrón
la banda de valencia y la de conducción mucho menor que de conducción genera un hueco, por lo que n = p ≡ ni y
en los aislantes. De esta forma, si se le suministra energı́a se tendrá
al sólido, electrones de valencia pueden pasar a la banda σ = ni e(µn + µp ). (2)
de conducción y convertirse ası́ en conductor. Aplicando la mecánica estadı́stica se puede obtener el
En los conductores la carga es transportada por los elec- valor de n integrando el producto de la densidad de esta-
trones mientras que en los semiconductores, la corriente es dos g(E) por la probabilidad de ocupación de cada estado
transportada tanto por los electrones como por los huecos f (E) a lo largo de toda la banda de conducción, es decir,
cargados positivamente.
Z ∞
Atendiendo a la existencia o no de impurezas, los semi-
n= g(E)f (E)dE, (3)
conductores se clasifican en intrı́nsecos y extrı́nsecos. Un Ec
semiconductor intrı́nseco no posee impurezas, coincidiendo
el número de electrones y de huecos. En un semiconductor donde Ec es el valor inferior de la banda de conducción.
extrı́nseco, por el contrario, existen impurezas que cam- La probabilidad f (E) viene dada por la distribución de
bian el número relativo y el tipo de portadores de carga. Fermi-Dirac. Sin embargo, a las temperaturas de interés
se puede suponer que para la banda de conducción de un
semiconductor, E − EF  kB T , siendo EF la energı́a del
1.1. Conductividad eléctrica en semicon- nivel de Fermi. Por tanto f (E) se puede aproximar a una
ductores intrı́nsecos distribución de Boltzmann obteniéndose que3
 
El principal mecanismo por el que se produce conduc- Ec − Ef
n = Nc exp − ; (4)
ción intrı́nseca1 es la agitación térmica de los electrones, kB T
mediante la cual adquieren la energı́a suficiente para su- 
Ef − Ev

perar la banda prohibida y pasar de la banda de valencia p = Nv exp − , (5)
kB T
a la de conducción, generando ası́ el par electrón-hueco.
2 La movilidad µ relaciona la velocidad de deriva de los electro-
1 También se da en los semiconductores extrı́nsecos a temperatu- nes vd con el campo eléctrico aplicado al material E a través de la
ras suficientemente altas para las cuales se ha superado la región de ecuación vd = µE.
saturación, en la que todas las impurezas están ionizadas y ya no 3 Un cálculo detallado de estas magnitudes puede consultarse en

contribuyen a la conductividad del material. [2] y en [3].

1
 Serie de medidas 1 Serie de medidas 2
donde Nc y Nv son la densidades de estados efectivas en VT ± 0.1 [mV] I ± 0.1 [mA] V ± 0.01 [V] VT ± 0.1 [mV] I ± 0.1 [mA] V ± 0.01 [V]
los bordes de conducción y de valencia, respectivamente. 5.6
5.2
26.5
26.2
0.25
0.31
5.6
5.2
26.5
26.3
0.25
0.31
Teniendo en cuenta que en el caso intrı́nseco n = p, la 4.8 25.9 0.38 4.8 25.9 0.39
4.4 25.4 0.47 4.4 25.4 0.48
concentración de portadores de carga intrı́nsecos será 4.0 24.8 0.59 4.0 24.8 0.59
  3.6 24.0 0.73 3.6 24.0 0.73
√ 1/2 Eg 3.2 23.0 0.90 3.2 23.0 0.91
ni = np = (Nc Nv ) exp − , (6) 2.8 21.7 1.15 2.8 21.7 1.15
2kB T 2.4 20.0 1.45 2.4 20.0 1.46
2.0 18.1 1.82 2.0 18.2 1.80
1.6 15.8 2.23 1.6 15.7 2.26
donde Eg = Ec − Ev es la energı́a del gap. Sustituyendo 1.2 13.2 2.72 1.2 13.2 2.72
0.8 10.6 3.19 0.8 10.6 3.19
el valor de ni en Ec. (2) se obtiene
Tabla 1: Valores experimentales obtenidos para VT , V y
 
Eg
σ = σ0 exp − , (7) I en las dos series de medidas realizadas.
2kB T
1/2
donde σ0 = (Nc Nv ) e (µn + µp ) es aproximadamente hV i ± 0.01 [V] hIi ± 0.1 [mA] T ± 3 [o K] σ [S·m−1 ]
0.25 26.5 433 212 ± 9
constante para temperaturas no muy altas4 . Se tiene pues
0.31 26.3 423 169 ± 6
que la conductividad intrı́nseca σ aumenta con la tempe-
0.39 25.9 413 135 ± 4
ratura. Para temperaturas suficientemente altas, esto es,
0.48 25.4 403 107 ± 3
cuando Eg  KB T )), σ −→ σ0 . 0.59 24.8 393 84 ± 2
0.73 24.0 383 66 ± 1
0.91 23.0 373 50.8 ± 0.8
2. Metodologı́a 1.15 21.7 363 37.7 ± 0.5
1.46 20.0 353 27.5 ± 0.3
El objetivo de este experimento es medir la conductivi-
1.81 18.2 343 20.1 ± 0.2
dad de un semiconductor intrı́nseco en función de la tem-
2.45 15.8 333 14.0 ± 0.2
peratura y obtener el ancho de la banda prohibida a par- 2.72 13.2 323 9.7 ± 0.1
tir de estas medidas. Se dispone para ello de una muestra 3.19 10.6 313 6.6 ± 0.1
de germanio de longitud l = 20 mm y sección transver-
sal s = 10 mm2 . El montaje experimental puede verse Tabla 2: Valores experimentales para la conductividad del
en Fig.1. Se coloca el germanio en un circuito cerrado. germanio en función de la temperatura. La temperatura
se ha obtenido a partir de Ec. (8) para cada valor de VT
A través de un amperı́metro en serie con la muestra se registrado en la tabla 1.
mide la intensidad de corriente I que pasa por ella. Un
voltı́metro colocado en paralelo sirve para medir la caı́da
de tensión V entre los extremos. Una vez alcanzada dicha temperatura, durante el enfria-
miento se toman medidas de la tensión del termopar VT ,
de la de la muestra V y de la intensidad de corriente I que
la atraviesa.

3. Resultados
Los valores medidos de VT , I y V se muestran el la tabla
1. Conociendo I y V se puede calcular la conductividad
del germanio para distintos valores de VT (y por ende, de
la temperatura T ) a través de

Figura 1: Circuito utilizado para medir el ancho de la
banda prohibida del germanio.
El semiconductor se caliente hasta unos 160 o C a través
de un circuito calefactor pegado a la placa de la muestra.
A partir de la medida de la tensión VT provocada por
un termopar conectado a la placa, se puede calcular la
temperatura de la muestra mediante la relación
VT
T = + 293 (o K). (8)
40 × 10−6
4 Sepuede demostrar que ni también depende de la temperatura
como T 3/2 , pero para Eg  kB T , domina la variación exponencial
[3].
I l
σ= · . (9)
V s
Se ha tenido en cuenta que σ = 1/ρ, donde ρ es la resisti-
vidad, y que la resistencia está relacionada con ρ mediante
R = V /I = ρ(l/s). Los resultados pueden consultarse en
la tabla 2. Para los cálculos se han utilizado los valores
medios de V e I obtenidos en las dos series de medidas
realizadas.
En Fig. 2 se puede ver la gráfica de σ vs. T obtenida a
partir de los datos experimentales de la tabla 2. Se observa
la dependencia aproximadamente exponencial de σ con T ,
como era de esperar en el rango de temperaturas en el que
se han llevado a cabo las mediciones.

2
 300 320 340 360 380 400 420 440
250 250

200 200

150 150
σ [S·m-1]

100 100

50 50

0 0 Figura 4: Dependencia de la anchura de la banda prohi-

300 320 340 360 380 400 420 440 bida del Ge respecto a la temperatura. Imagen obtenida
temperatura [K] de [3, pág.89].

Figura 2: Gráfica que representa los valores experimen-

tales de la conductividad en función de la temperatura. En el caso de la conductividad hay tener en cuenta que
Como era de esperar σ crece con T . Eg tiene cierta dependencia con T . En el rango de tem-
peraturas de este experimento, para el germanio la de-
pendencia es lineal dada por Eg = Eg0 − αT , donde Eg0
Teniendo en cuenta la relación dada en Ec. (9), tomando es el valor del gap a 0 o K. [1](véase Fig. 4). Los valores
E
logaritmos se tiene que ln σ = ln σ0 − 2kgB · T1 . Por tanto, re- consultados de Eg0 y a 300 o K son 0.74 y 0.67 eV, respec-
presentando en una gráfica ln σ vs. 1/T se pueden ajustar tivamente. Ası́ pues, el valor experimental está próximo
los valores a una recta y = Ax+B por mı́nimos cuadrados a éste último, al haberse realizado el experimento en un
(Fig. 3). A partir de la pendiente A se calcula el valor del rango de temperaturas para el semiconductor de entre 300
gap Eg como sigue: y 400 o K.

Eg
A= =⇒ Eg = 2kB A. (10)
2kB 4. Conclusiones
El experimento ha permitido estudiar el comportamien-
2,2 2,4 2,6 2,8 3 3,2 3,4 to de la conductividad eléctrica de un material semicon-
5,5 5,5 ductor intrı́nseco en función de la temperatura. Se ha com-
5
y = (14.42 ± 0.06) - (3920 ± 20)·x
2 5
probado la existencia de una fuerte dependencia entre am-
R = 0.9998
bas magnitudes, reflejo de la también fuerte dependencia
4,5 4,5 que hay entre la concentración de portadores de carga con
4 4 la temperatura.
En particular, se ha obtenido a partir de las medidas de
Ln(σ)

3,5 3,5
la conductividad del germanio a distintas temperaturas,
3 3 el valor del ancho de la banda prohibida con un resultado
que es un 0.6 % superior al valor consultado en la litera-
2,5 2,5
tura para T = 300 o K, diferencia que puede ser en parte
2 2 atribuible a la leve dependencia lineal del gap con la tem-
1,5 1,5
peratura en el rango de temperaturas utilizado. En el caso
2,2 2,4 2,6 2,8 3 3,2 3,4 de σ0 cabe recordar que sólo representa un lı́mite del valor
1/T × 10-3 [K-1] de σ a temperaturas muy altas. Además, tal y como se
comentó en Sec. 1.1, es sólo aproximadamente constante
Figura 3: Ajuste lineal de los datos experimentales utili- para temperaturas no demasiado elevadas.
zado para el cálculo de Eg y σ0 .
Una posible fuente de error en este experimento, además
de los accidentales, es que la muestra de germanio no
Se ha encontrado un valor para A de 3920 ± 20 o K, por esté libre de impurezas en su totalidad, pudiendo existir
lo que el valor experimental del gap del germanio es de un número pequeño de ellas que contribuyan a la conduc-
Eg = 0.676 ± 0.003 eV5 . Por otro lado, teniendo en cuenta tividad. Por otro lado también hay que considerar que T
que la ordenada en el origen es B = ln σ0 = 14.42 ± 0.06, se ha calculado a través de Ec. (8), asumiendo que la tem-
se obtiene un valor experimental de σ0 = (1.8 ± 0.1) × 106 peratura del laboratorio es siempre constante e igual a 293
o
S·m−1 . K. Sin embargo, a parte de que se tomó este valor como
una mera aproximación, sin tomar ningún tipo de medi-
5 Se ha tomado k = 8.6173324 × 10−5 eV· o K−1 . da, el valor de la temperatura pudo fluctuar a lo largo del
B

3
experimento. Esto puede llegar a introducir pequeñas va-
riaciones en los resultados experimentales, habida cuenta
de la dependencia exponencial entre σ y T .

Referencias
[1] Ashcroft, N. W. y Mermin, N. D.: Solid State
Physics, 1976.
[2] Kittel, Charles:. Introduction to Solid State Phy-
sics.
[3] Shalı́mova, K.V.: Fı́sica de los semiconductores,
1975.