REPUBLICA BOLIBARIANA DE VENEZUELA

MINISTEREIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACION UNIVERCITARIA

INSTITUTO UNIVERSIARIO POLITECNICO SANTIAGO MARIÑO
MATURIN EDO MONAGAS
ING: 43

TRANSISROR BJT

PROFESOR : INTEGRANTE:

LUIS ALMEIDA JHOJANNYS QUINTERO

 INTRODUCCION:
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado
en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que
recibieron el premio Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas
inglesas BJT (bipolar junction transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales
(llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp
Entre sus principales aplicaciones podemos distinguir Analógicas: amplificadores,
seguidores de tensión. Digitales: conmutadores
 DESARROLLO:

TRANSISTOR:

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una

zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este
caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos
zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un
transistor npn. La zona central se denomina base, y las laterales emisor
y colector. Cada una de las zonas consta de un terminal por donde extraer
las corrientes. Estos terminales se representan por la inicial del nombre
de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C (colector).

CIRCULACIÓN DE LAS CORRIENTES:

La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona
encargada de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del
transistor pnp. La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de
la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al
de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte
posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.La zona
de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
“colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces
de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las
tres.Este tipo de polarización será el usado cuando el transistor trabaje
en región activa, como se verá en los siguientes apartados. La unión
emisor-base queda polarizada como una unión en directa, y la unión
colector-base como una unión en inversa.
Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que
la unión está en directa. El efecto transistor provoca que la mayor parte
de la corriente anterior NO circule por la base, sino que siga hacia el
emisor (ICp). Entre el colector y la base circula una corriente mínima por
estar polarizada en inversa (ICn más una parte ínfima de ICp)
Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor, más otra
de colector, más la corriente de recombinación de base (IEn+ICn+IBr)
A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones básicas
como son las siguientes:
IE+IB+IC= 0 (I)
Esta ecuación viene impuesta por la propia estructura del circuito, es
decir, el transistor es un nodo con tres entradas o salidas, por tanto la
suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha de ser cero. Cada
una de las corrientes del transistor se puede poner en función de sus
componentes de la siguiente forma:
IE = IEn + IEp
IC = ICn + ICp
IB = IEn + ICn + IBr
 Sentidos de tensiones y corrientes en el transistor bjt

CONEXIÓN EMISOR – COMUN:

En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo emisor
con RB como resistencia limitadora de corriente usando diferentes
valores de fuentes y resistencias se puede controlar la corriente de base
en el circuito colector hay una fuente de tensión VCC que polariza en
inversa al diodo colector a través de RC

VBB – fuente de tensión de base

VCC – fuente de tensión del colector
 VBE – voltaje base- emisor
VCE – voltaje colector – emisor
VB – voltaje de base
VC – voltaje de colector
VE – voltaje de emisor

VCE = VC
VCB = VC – VB
VBE = VB

CURVA DE ENTRADA:
No hay una única curva que relacione IB con VBE, sino que hay una
familia de curvas en función de VCE. De nuevo, al igual que en el caso
anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.

Efecto Early en la característica de entrada en emisor común

Si observamos las tensiones aplicadas en la figura 4.20, vemos como la

tensión VBE es positiva, con lo que la unión de emisor estará polarizada en
directa. Por otra parte, la tensión VCE también es positiva. Si observamos
en el triángulo de tensiones en los terminales del transistor, podemos
obtener la tensión entre colector y base, que es precisamente la que nos
dice el estado de polarización de la unión de colector.
VCB VCE VBE
Por tanto siempre que estemos aplicando tensiones VCE > VBE,
tendremos que la tensión VCB será positiva y por tanto la unión de
colector estará polarizada en inversa, es decir, estaremos en la zona
activa.
De la misma expresión se deduce que si mantenemos VBE constante, un
aumento de VCE implica un aumento de la tensión VCB, o lo que eso
mismo, estamos aplicando una mayor polarización inversa a la unión de
colector, lo que lleva implícito (como ya se ha descrito anteriormente) una
disminución de la anchura efectiva de la base. Es decir, el parámetro α
disminuye (habrá menos portadores que se recombinan en la base).Las
componentes de las corrientes, en este caso serán:
IE = InE + IpE
IC = InC + ICO
IB = IpE + (InE – InC) – ICO
Si tenemos en cuenta que InC = α . InE tendremos que:
IB = IpE +InE (1- α ) – Ico de donde deducimos que si α aumenta, IB
disminuye. De ahí que no tengamos una única curva de entrada, sino
que la relación entre IB y VBE depende de la tensión VCE. Y cuando
mayor sea VCE, menor es la corriente IB.

CURVA CARACTERISTICA DE SALIDA:

En las características de salida en emisor común se representa

Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqué de la

forma de las curvas en cada una de las zonas de interés:
Zona activa:
Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de
la curva
IB = 0 y para tensión es VCE superiores a 0,2 V.
En la zona activa se sigue cumpliendo
IC = a . IE + Ico
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en
las curvas son IC e IB, eliminamos la variable IE sabiendo que IE = IB+IC
transformamos la expresión en:

Tenemos que IC no depende de la tensión VCE y depende únicamente del

valor de IB. Así, las curvas en la zona activa deberían ser perfectamente
horizontales. Esto sería cierto si α fuera constante, pero como vimos en el
caso anterior, el parámetro α depende de la tensión VCE debido al efecto
Early.
ZONAS DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR:
Están identificadas cuatro condiciones típicas de polarización del
transistor. Dependiendo del sentido o del signo de voltaje en las junturas,
el transistor estará operando en alguna. A continuación un gráfico que
ilustra lo que se ha explicado hasta aquí.
Dependiendo de la condición de polarización, directa o inversa, el
transistor estará en una región de trabajo u otra. En el modo activo el
transistor estará trabajando como un amplificador y en los modos de corte
y saturación el transistor estará en uso como un interruptor.

La región activa directa.

Esta región es la que corresponde a una polarización directa de la juntura

emisor-base. Es la región de operación normal del transistor para
amplificación. En esta región la corriente de colector es proporcional a la
corriente de base. Se cumple que IC = β IB β es conocido como la
ganancia del transistor
Región activa inversa.
Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una
polarización directa de la unión colector-base. Esta región es de uso muy
poco frecuente.
Región de corte
Aquí se trata de polarización inversa de ambas junturas. La operación en
esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo de
apagado. El transistor actúa como un interruptor abierto (IC=0)
En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, las uniones BE
y BC. De esta forma no hay portadores de carga móviles, no puede
establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores
minoritarios si pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero
dan lugar a corrientes muy bajas. Entonces, un transistor en corte equivale
prácticamente, a un circuito abierto.
Región de saturación
Implica polarización directa de ambas uniones. La operación en esta
región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido.
El transistor actúa como un interruptor cerrado. (VCE=0)
DIFERENTES TIPOS DE POLARIZACION:
La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de
diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.
La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco
recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se
puede producir deriva térmica que autodestruye el transistor.
La polarización con una fuente es mucho más estable aunque el que más
se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización.
La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en
saturación al mantener su tensión colector-base positiva.
A continuación se muestran esquemas de polarización y algunas fórmulas
para poder implementar estos circuitos.
Polarización con una fuente:
Polarización con dos fuentes :
Polarización con partidor de tensión:
Auto polarización del transistor
TRANSISTOR PNP:
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor

dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga
eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite
que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en

la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
Como se comporta un transistor pnp en saturación
Un transistor pnp en saturación se comporta de la misma manera que un
transistor npn en saturación a excepción de el sentido de la corriente
eléctrica y las tensiones entre emisor, base y colector.

En la imagen de abajo vemos que la flecha en la parte del emisor entra en

el transistor y el colector se sitúa en la parte de abajo.
La corriente eléctrica se mueve desde la parte del emisor hasta salir por la
parte del colector, y también por la parte de la base.
En las siguientes ecuaciones vemos cómo se comportan las intensidades
y la relación que existe entre la ganancia y las intensidades.

La diferencia que existe entre las tensiones de los terminales (emisor, base
y colector) del transistor es muy importante puesto que cambia la
polarización entre los terminales del transistor :VEC=VEB+VBC