LABORATORIO TRANSISTOR BJT

POLITÉCNICO GRANCOLOMBIANO

Adriana Casas Guerrero

Maicol Andres Angel Duarte
Abril 06 de 2019
Bogotá, D.C

Resumen:En la práctica de laboratorio se realizó el

montaje de un circuito en el cual se utilizó un
transistor 2n3404 con lo cual se buscaba hacer un
comparativo de las gráficas de señal entre el montaje
practico y simulado .
Abstract -In this document the analysis of a transistor
is presented bjt through a practical laboratory test
and Simulated in Multisim software.
Keywords -transistor, resistencias ,osciloscopio
II. Objetivos Generales
Identificar cual es el comportamiento de un transistor npn
en un circuito logrando identificar si se encuentra en zona
activa ,zona de corte o zona de saturación .
Realizar el montaje y la simulación y de esta manera
poder realizar una tabla de variación entre los dos
resultados obtenidos.

III. Objetivos Específicos

I. INTRODUCCIÓN
 Comprender la funcionalidad que cumple cada
El transistor BJT por sus siglas en inglés (Bipolar junction componente que hace parte del circuito al
transistor) también llamado transistor bipolar o transistor producirse la amplificación de una señal de
de unión. es un elemento semiconductor comúnmente entrada.
encontrado en todos los dispositivos electrónicos por tal  Mediante un software de simulación de circuitos
motivo fue considerado el mayor invento del siglo XX. es evidenciar el comportamiento del transistor.
un dispositivo básico el cual fue quien dio origen a los  Implementar un diseño que nos permita mantener
hoy más comúnmente conocidos circuitos integrados. el funcionamiento del transistor en la zona activa.
Permite el control y la regulación de una corriente grande
mediante una señal muy pequeña; son elementos que han IV. Marco teórico
facilitado en gran medida la electrónica de hoy en día.
Es un componente de tres terminales que se originó en
laboratorios Bell el cual cuenta con diversas funciones Transistor
una de las más importantes la amplificación de corrientes Un transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
eléctricas. Al igual que los diodos se fabrican en versiones que cumple funciones de amplificador, oscilador,
de silicio y germanio conmutador o rectificador.
Podemos encontrar de 2 tipos los cuales son NPN consta
de tres cristales semiconductores y el cristal positivo está
rodeado por dos negativos.
PNP este transistor consta de tres cristales
semiconductores, pero ya con el negativo en el centro
rodeado de dos positivos.

1
Número de Parte: 2N3404

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN Se realiza simulación de circuito en multisim para

verificar de forma teórica los valores y poder rediseñar
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS y cambiar valores de los componentes hasta llegar al
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.56 W punto operacional adecuado.

V. Simulación en Multisim
Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Ilustración 1simulacion del circuito

Ganancia de corriente contínua (hfe): 75

Empaquetado / Estuche: X28-1

Protoboard
Es una Placa que nos permite realizar pruebas
prácticas de diferentes circuitos, ya que tiene
Medición en la simulación de nuestra corriente ic
conexiones internas que facilitan la conexión de los
componentes sin necesidad de soldar.

Resistencia
Es un elemento pasivo que disipa energía en forma de Ilustración 2IC corriente del colector
calor. Establece una relación de proporcionalidad
entre la intensidad de corriente que la atraviesa y la Medición de la corriente en la base del transistor
tensión en sus extremos.

Fuente
Es un elemto activo que es capaz de entregar energía,
los hay de dos tipos, uno que es capaz de generar
una diferencia de potencial entre sus extremos y otro
proporcionar una corriente eléctrica para que
otros circuitos funcionen.
2
 Ilustración 5Grafica zona de operación en recta de carga

VI. Montaje en laboratorio

Se utilizo también un potenciómetro para poder

modificar el valor resistivo en el circuito.

Ilustración 3IB corriente de base

LVK1

-VBB + IB (RB) + VBE = 0

-10V + IB 15K +0.7V = 0

IB =(VBB-VBE)/RB=?

IB =(-10-0.7)/15K=9.3V/100000=4.75X〖10〗^(-
5)

Ilustración 4Grafica del VCE IB=4.75µA

3
HFE=BETA

IC=IB*HFE

IC = 4.75µA*15=712mA

IC=712mA

LVK2

-VCC+RC*IC+VCE=0

-20+10K(IC)+VCE=0

VCE=-20+(15K*712mA)

VCE=30.68

Q = (VCE , IC)

Q= 30.68, 712mA

ICSAT=VCC/RC=(19.21)/(15K)

ICSAT=1280 µA

VII. Conclusiones

Hemos visto al inicio del corte la teoría de del

diseño de amplificadores en pequeña señal, así
como las ecuaciones matemáticas de ganancia y
potencia con esto una vez habiendo estudiado la
teoría referente al diseño de amplificadores Los
transistores son unos elementos que han facilitado,
en gran medida, el diseño de los circuitos
electrónicos. Se puede comentar que con el
invento de estos dispositivos han dado un giro
enorme a nuestras vidas que en casi todos los
aparatos electrónicos se encuentran presentes. Se
conocieron los distintos tipos de transistores, así
como su aspecto físico, su estructura básica.

VIII. VIII. REFERENCIAS

https://alltransistors.com/es/transistor.php?transis
tor=3157
http://celeridad.net/ti2dll/transistores/