Transistor Bipolar

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de
electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores,
y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado
de corte, estado de saturación y estado de actividad.
BC547
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Empaquetado / Estuche: TO92
2N2222
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Empaquetado / Estuche: TO18
JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo

de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede
ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia
controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D),
puerta o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado

por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga
eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre
el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta,
el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente
eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión entre los
terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando esta
tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los
terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite
cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los
terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La

terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar
del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la
que el canal queda cerrado se llama pinch-off y es diferente para cada JFET.

El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren

que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de
colector. El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta
a fuente modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho
del canal.

Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del

transistor JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se
encuentran en la imagen, nótese que se distinguen tres zonas importantes: la zona
óhmica, la zona de corte y la zona de saturación.

Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas
ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos
programas de simulación (como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos
para obtener las curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de
componentes.
2N5951
Características:

 JFET canal N para aplicaciones de amplificación en RF y conmutación

 Voltaje max. drenador-compuerta VDG = 30 V
 Voltaje max. compuerta-fuente VGS = -30 V
 Corriente max. de compuerta en directo IGF = 10 mA
 Potencia max. PD = 350 mW
 Baja resistencia en conducción
 Encapsulado: TO-92
MPF4392
Características:

 JFET canal N para aplicaciones de conmutación

 Voltaje max. drenador-fuente VDS = 30 V
 Voltaje max. drenador-compuerta VDG = 30 V
 Voltaje max. compuerta-fuente VGS = 30 V
 Corriente max. de compuerta en directo IGF = 50 mA
 Potencia max. PD = 350 mW
 Encapsulado: TO-92
Transistor MOSFET de empobrecimiento

El MOSFET de empobrecimiento se forma a partir de una base de semiconductor, el cual se

le conoce como el sustrato. Se tienen dos regiones del mismo tipo de semiconductor, con una
tercera región del mismo tipo que funge como canal de conexión, estas tres regiones en sus
extremos se conectan a drenaje y a fuente. El sustrato se conecta a una cuarta terminal (SS).
La terminal de compuerta está conectada directamente al material dieléctrico, usualmente
oxido de silicio, mediante una placa metálica.

MOSFET de enriquecimiento de CANAL N.

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO 2) que impide prácticamente el paso de
corriente a su través; por lo que, el control de puerta se establece en forma de tensión. La calidad y
estabilidad con que es posible fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito
alcanzado con este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.

Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una mayor densidad
de integración. Comencemos con la estructura básica del MOSFET, seguido de sus símbolos.

Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato semiconductor es de

tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones
de material n, fuertemente dopado (n+).

Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo N, se crea un
campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide perpendicularmente sobre la superficie del
semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido,
repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha
superficie una región muy rica en electrones, denominada canal N, que permite el paso de corriente
de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo
eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se origina, aplicando
una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensión de la Fuente (Source).

En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son huecos (cargas
de valor positivas, el módulo de la carga del electrón). En este caso, para que exista conducción el
campo eléctrico perpendicular a la superficie debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por
lo que la tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son atraídos hacia la superficie bajo
la capa de óxido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en huecos
se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta mayor puede ser la corriente (más
huecos en el canal P), corriente que se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión
negativa respecto al terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo
N.

Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de acumulación; y de

vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensión de Puerta a partir de la cual se produce canal,
se conoce como tensión umbral, VT. El terminal de sustrato sirve para controlar la tensión umbral del
transistor, y normalmente su tensión es la misma que la de la Fuente.

El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son intercambiables entre sí.
En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo
el de menor tensión en el tipo P (recoge los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra
el funcionamiento de un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.

El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se muestra en la figura siguiente.
La flecha entre el terminal de Fuente y Gate, nos informa sobre el sentido de la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de tensión polarizando los
distintos terminales: VGS, VDS. Los terminales de substrato (B) y Fuente (S) se han conectado a GND.
De este modo, VSB=0 (tensión Surtidor-sustrato=0) , se dice que no existe efecto substrato.
Los tipos de fuente de alimentación

Pila eléctrica
La conexión de elementos en serie (apilando elementos o poniéndolos en batería) permite
multiplicar esta tensión básica cuanto se quiera.
Las propiedades puramente eléctricas de una pila se representan mediante el modelo
adjunto. En su forma más sencilla, está formado por una fuente de tensión perfecta —es
decir, con resistencia interna nula— en serie con un resistor que representa la resistencia
interna. El condensador de la versión más compleja es enormemente grande y su carga
simula la descarga de la pila. Además de ello, entre los terminales también aparece una
capacitancia, que no suele tener importancia en las aplicaciones de corriente continua.

Una vez fijada la tensión, la ley de Ohm determina la corriente que circulará por la carga y
consecuentemente el trabajo que podrá realizarse, siempre que esté, naturalmente, dentro
de las posibilidades de la pila, que no son infinitas, sino que están limitadas
fundamentalmente por el tamaño de los electrodos —lo que determina el tamaño externo
de la pila completa— y por su separación. Estos condicionamientos físicos se representan
en el modelo de generador como una resistencia interna por la que pasaría la corriente de
un generador ideal, es decir, de uno que pudiese suministrar una corriente infinita al voltaje
predeterminado.
Conforme la célula se va gastando, su resistencia interna va aumentando, lo que hace que
la tensión disponible sobre la carga vaya disminuyendo, hasta que resulte insuficiente para
los fines deseados, momento en el que es necesario reemplazarla. Para dar una idea, una
pila nueva de las ordinarias de 1,5 V tiene una resistencia interna de unos 350 mΩ, mientras
que una vez agotada puede aumentar considerablemente este valor. Ésta es la razón de
que la mera medición de la tensión con un voltímetro no sirva para indicar el estado de una
pila. En circuito abierto, incluso una pila gastada puede indicar 1,4 V, dada la carga
insignificante que representa la resistencia de entrada del voltímetro, pero, si la medición
se hace con la carga que habitualmente podría soportar, la lectura bajará a 1,0 V o menos,
momento en que esa pila ha dejado de tener utilidad. Las actuales pilas alcalinas tienen
una curva de descarga más suave que las antiguas de carbón. Su resistencia interna
aumenta proporcionalmente más despacio.
Cuando se necesita una corriente mayor que la que puede suministrar un elemento único,
siendo su tensión en cambio la adecuada, se pueden añadir otros elementos en la conexión
llamada en paralelo, es decir, uniendo los polos positivos de todos ellos, por un lado, y los
negativos, por otro. Este tipo de conexión tiene el inconveniente de que, si un elemento falla
antes que sus compañeros o se cortocircuita, arrastra irremisiblemente en su caída a todos
los demás.
En las características reacciones químicas, las que se producen dentro de una pila son
sensibles a la temperatura y, normalmente, se aceleran cuando ésta aumenta, lo que se
traducirá en un pequeño aumento de la tensión. Más importante es el caso de la bajada,
pues cuando se alcanzan las de congelación muchas pilas pueden dejar de funcionar o lo
hacen defectuosamente, cosa de la que suelen advertir los fabricantes. Como contrapartida,
si se almacenan las pilas refrigeradas, se prolongará su buen estado.
La batería de un automóvil: características y capacidades

La batería de un automóvil tiene principalmente tres funciones en el sistema

eléctrico:

La primera función de la batería es proveer de energía eléctrica para poner en

marcha el motor de arranque del automóvil.

La segunda función de la batería es la de actuar como un estabilizador de voltaje

del sistema eléctrico del automóvil.

Y la tercera función de la batería del automóvil es el de proveer de energía

eléctrica por un tiempo limitado a los circuitos electrónicos y eléctricos del
automóvil, proveyendo de energía cuando la demanda eléctrica excede la
salida que puede proveer el generador eléctrico del automóvil.

Tipo de batería sellada, características y cuidados

Las baterías selladas son elementos de equipamiento común en muchos

automóviles, y sellada significa que no existen tapas de acceso en la parte superior.
Este tipo de baterías son selladas por completo excepto dos respiraderos que
existen en los costados.

Estos agujeros de ventilación permiten que puedan escapar pequeñas cantidades

de gas que se producen en el interior de la batería por las reacciones químicas del
electrólito con las placas de plomo.

Esta imagen muestra una batería libre

de mantenimiento, que en pocas
palabras significa que no requiere de
casi ninguna atención durante su vida
útil más que la limpieza y control de
terminales en buen estado.

Las baterías libres de mantenimiento

se las conoce también como baterías
selladas ó Free maintenance battery.

Junto al terminal NEGATIVO de color

negro de esta batería hay un "OJO"
que se utiliza para inspeccionar el
estado de la batería, este ojo se lo
conoce como Hidrómetro, y
dependiendo de su color nos indicará el estado de carga de la batería, Ojo verde
indica batería cargada y en buen estado, Ojo transparente indicará batería
descargada o dañada.
Como parámetros importantes de esta batería tenemos:

12V : Voltaje que nominalmente entrega la batería, pues las hay de 6V, 9V, 12V,
24V

80Ah : Capacidad de corriente de la batería en el tiempo, en este caso esta batería

podría entregar 80A a una carga durante 1 hora o el equivalente de multiplicar
corriente por tiempo en horas de manera que de 80 Ah, por ejemplo, si una carga
consume 10A entonces esta batería podría suministar esa corriente durante unas 8
horas.

600 A : Es la corriente que puede entregar al arranque de una determinada carga

de alta demanda como un motor de arranque

La siguiente figura resume rápidamente la función de la batería en el automóvil: el

alternador entrega energía a la batería para tenerla cargada, la batería por otro lado
es usada para encender el motor de arranque, y alimentar los diferentes circuitos
del automóvil: computadora del auto ECM, bomba de gasolina, iluminación de faros,
equipo de audio y video, vidirios eléctricos, etc.
Batería de iones de litio

La batería de iones de litio, también denominada batería Li-Ion, es un dispositivo diseñado para
almacenamiento de energía eléctrica que emplea como electrolito una sal de litio que consigue los
iones necesarios para la reacción electroquímica reversible que tiene lugar entre el cátodo y el
ánodo.

Las propiedades de las baterías de Li-ion, como la ligereza de sus componentes, su elevada
capacidad energética y resistencia a la descarga, junto con el poco efecto memoria que sufren6 o su
capacidad para funcionar con un elevado número de ciclos de regeneración, han permitido diseñar
acumuladores ligeros, de pequeño tamaño y variadas formas, con un alto rendimiento,
especialmente adaptados a las aplicaciones de la industria electrónica de gran consumo.7 Desde la
primera comercialización de un acumulador basado en la tecnología Li-ion a principios de los años
1990, su uso se ha popularizado en aparatos como teléfonos móviles, agendas electrónicas,
ordenadores portátiles y lectores de música.

Ventajas

Esta tecnología se ha situado como la más interesante en su clase para usarlas en ordenadores
portátiles, teléfonos móviles y otros aparatos eléctricos y electrónicos. Los teléfonos móviles, las
agendas electrónicas, reproductores MP3, vienen con baterías basadas en esta tecnología, gracias
a sus varias ventajas:

 Una elevada densidad de energía: acumulan mucha mayor carga por unidad de peso y
volumen.
 Gran capacidad de descarga. Algunas baterías de Li-ion —las llamadas "Lipo" Litio-ion
Polímero (ion de litio en polímero)—17 que hay en el mercado, se pueden descargar
totalmente en menos de dos minutos.
 Poco espesor: se presentan en placas rectangulares, con menos de 5 mm de espesor. Esto
las hace especialmente interesantes para integrarlas en dispositivos portátiles que deben
tener poco espesor.
 Alto voltaje por célula: cada batería proporciona 3,7 voltios, lo mismo que tres baterías de
Ni-MH o Ni-Cd (1,2 V cada una).
 Mínimo efecto memoria.
 Descarga lineal: durante toda la descarga, la tensión varía mucho: si la tensión nominal de
una celda de litio es de 3,6V, la tensión máxima se hallará en torno a 4,2V, mientras que la
tensión mínima recomendada es 2,5V para evitar la descarga profunda de la batería y la
reducción de su vida útil. Esto significa que la variación de la tensión de celda con respecto
al estado de carga es constante. Es decir, la pendiente de la recta dV/dC es constante (si se
representa gráficamente, la tensión en función de la descarga es una línea recta). Eso facilita
el conocer con buena precisión el estado de carga de la batería.
 Larga vida en las baterías profesionales para vehículos eléctricos (con el tipo LiFePO4).
Algunos fabricantes muestran datos de más de 3.000 ciclos de carga/descarga para una
pérdida de capacidad del 20% a C/3.
 Facilidad para saber la carga que almacenan. Basta con medir, en reposo, el voltaje de la
batería. La energía almacenada es una función del voltaje medido.
 Muy baja tasa de autodescarga: cuando guardamos una batería, ésta se descarga
progresivamente aunque no la usemos. En el caso de las baterías de Ni-MH, esta
"autodescarga" puede suponer más de un 20% mensual, salvo en las Ni-MH con tecnología
LSD (Low Self Discharge, baja autodescarga) que pueden mantener un 80% de carga
después de un año. En el caso de Li-ion es de menos un 6% mensual. Muchas de ellas, tras
seis meses en reposo, pueden retener un 80% de su carga.
La pila del computador

La pila es una pequeña batería de 3v (a veces 5v) la cual va en la placa madre del
PC, la función de la pila tipo botón es entregarle energía continua a la placa madre
para que almacene la información de los BIOS y ser guardada en la memoria RAM
CMOS, cuando la pila se saca la BIOS se resetean, existen varias pilas virtuales en
cuestiones de memoria las utiliza el sistema operativo.
-La Pila o Stack de la computadora es propiamente la memoria de la que dispone.
Es una estructura de datos de LIFO (Last In, First Out).
-Para fines prácticos se podría ver propiamente como un arreglo donde se va
introduciendo los datos y de ahí alimenta a los programas que corres en tu
maquina.-Por ejemplo, si has trabajado con Windows 98 era muy común el FATAL
ERROR de VOLCADO DE PILA. Y no es que la pila de tu PC se estuviese
terminando, si no que la memoria había llegado a su limite físico y no podía
almacenar mas.

Además podemos agregar q la Pila es una zona de los registros de segmento de

memoria que la unidad aritmética y lógica utiliza para almacenar temporalmente los
datos que está manipulando. Cuando la cantidad de datos a manejar es demasiado
grande u otras necesidades del proceso impiden que estos datos puedan
almacenarse en los registros creados para ello se envían a la pila, donde se
almacenan hasta que la unidad de control recupera la información para que la
procese la unidad aritmética y lógica.
La ventaja de manejar una pila como almacén de información es que la información
que se guarda en ella tiene que entrar y salir, obligatoriamente, por una sola
dirección de memoria. Esto permite que la unidad de control no necesite conocer
más que esa dirección para poder manejar los datos almacenados en la pila.
Aplicaciones básicas de los transistores bipolares

APLICACIONES

• Amplificación de diferentes tipos (radio, instrumentación, televisión…)

El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red de dos puertas),

resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros
relativamente simples que nos proporcionan información sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y de

las señales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la señal
débil y otra por donde se alimenta con C.C. La señal de salida se ve aumentada gracias a la
aportación de esta alimentación, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada.

La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan dispositivos
como el micrófono (transforman ondas sonoras en señales eléctricas que siguen las mismas
variaciones que las primeras), sensores térmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a su entrada,
se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un
amplificador es la relación que existe entre el valor de la señal obtenida a la salida y el de
la entrada. Dependiendo de la magnitud eléctrica que estemos tratando, se pueden observar
tres tipos de ganancia: ganancia en tensión, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
• Función como fototransistores ( Detección de radiación luminosa)

Fototransistor. Transistor el cual es activado por la incidencia de la luz en la región de

base generando portadores en ella, el mismo tiene una ventana que permite la entra de luz.

El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, está compuesto por el

mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas:
colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera
diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente transparente,
para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el
efecto fotoeléctrico.

Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente

de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de
elemento optoelectrónico, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector
cuando incide más o menos luz sobre sus junturas.

Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia.

Su construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie
superior se expone a la luz a través de una ventana o lente. Los fotones incidentes generan
pares electrón-hueco en la proximidad de la gran unión CB. Las tensiones de polarización
inversa de la unión CB, llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al
colector. La unión BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de base a
emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base.

En este punto la acción convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones
inyectados del emisor cruzando la pequeña región de la base y alcanzando el colector que
es más positivo. Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por
la luz. Los pares electrón-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el
fototransistor se conecta en configuración de emisor común, la corriente de base inducida
por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada por β ó hfe.

Aplicaciones
Su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia
puede eliminar la necesidad de amplificación posterior. De hecho, el mayor mercado para
el fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor
fotoconductores de una pieza y más ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la
necesidad de una amplificación posterior.

• Generar señales (generador de ondas, emisión de radiofrecuencia, osciladores…)•

  Actuar como conductores (conmutar). Control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc)

si se hace pasar rápidamente de corto a saturación y viceversa. En corto es un
interruptor abierto y en saturación es un interruptor cerrado. Los datos para calcular
un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a
encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al
voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula
la corriente de saturación mínima, luego la resistencia de base mínima: IBSAT min
= Icsat / b RBMax = Von/IBsat min Donde Von es el voltaje en la resistencia de base
para encender el circuito, el circuito debe usar una RB por lo menos 4 veces menor
que RBmax. Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff
que haga que el circuito entre en corte. La principal aplicación de transistor como
interruptor es en los circuitos e integrados lógicos, allí se mantienen trabajando los
transistores entre corto o saturación.
Bibliografía:
https://es.slideshare.net/djarturito/transistor-como-conmutador
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_
de_Potencia/Par%C3%A1metros_Caracter%C3%ADsticas_de_funcionamiento
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://www.backyardbrains.cl/experiments/transistorDesign
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/eltransistorcomoamplificad
or.html
https://es.wikipedia.org/wiki/JFET
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_de_campo_metal-%C3%B3xido-
semiconductor
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=LM324&gclid=Cj0KCQjw_ODW
BRCTARIsAE2_EvU7qYlg4qiqjA17z5Z5AerrLEz17hEr3yYOf2CeHookjUKt61F-
7eAaAmAXEALw_wcB