DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y ELECTRONICA

UNIDAD N° 2

TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 2.2

Tema de la práctica AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

CON TRANSISTOR DARLINGTON.

Realizado por:………………………

1. Consultar sobre:

1.1 ¿A qué se debe el desfase entre la señal de voltaje en la entrada y la señal de voltaje en
la salida en la Configuración Emisor Común?
1.2 Curva característica de entrada y Curva característica de salida de un Amplificador
Emisor Común.
1.3 Ventajas y desventajas de la utilización de un transistor Darlington.

2. Procedimiento

2.1 Para un amplificador con Transistor Darlington en la configuración Emisor Común,

realice las siguientes actividades:
 2.1.1 Calcule el punto de operación de cada uno de los transistores del Par
Darlington.

𝐵1 = 280 , 𝐵2 = 280

𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵1 || 𝑅𝐵2

(10 ∗ 2.2) ∗ 103
𝑅𝑇𝐻 = = 1.803𝑘Ω
(10 + 2.2) ∗ 103
𝑅𝐵2
𝑉𝑇𝐻 = ∗ 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐵2 + 𝑅𝐵1
2.2𝑘
𝑉𝑇𝐻 = ∗ 15 = 2.70[𝑉]
10𝑘 + 2.2𝑘

𝐵𝐷 = 𝐵1 ∗ 𝐵2

Se conoce que el punto de operación para cada transistor es:

Q1 y Q2:

Para Q1:
-Vth + R th IB1 + VBE + VBE + R E2 IE2 =0
IE2 = (1 + β2)IB2
IB2 = IE1
IE2 = (1 + β2)(1 + β1)IB1
-Vth + R th IB1 + VBE + VBE + R E2 (1 + β2)(1 + β1)IB1 =0

Vth − 2VBE
IB1 =
R th + (1 + β1)(1 + β2)R E2
 2.70 − 2[0.7]
IB1 =
1.803kΩ + (1 + 280) ∗ (1 + 280) ∗ 1kΩ

𝐈𝐁𝟏 = 𝟏𝟔. 𝟒𝟔𝐧𝐀

Obtención IC1

IC1 = (β1)IB1
IC1 = (280)(16.46 nA)
𝐈𝐂𝟏 = 𝟒. 𝟔𝟎𝟗 𝐮𝐀
Obtención IE1

IE1 = (1 + β1)IB1
IE1 = (1 + 280)( 16.46 nA)
𝐈𝐄𝟏 = 𝟒. 𝟔𝟐𝟓 𝐮𝐀
Obtención IB2

IB2 = IE1
𝐈𝐁𝟐 = 𝟒. 𝟔𝟐𝟓 𝐮𝐀

Obtención IC2

IC2 = (β2)IB2
IC2 = (280)(4.625 uA)
𝐈𝐂𝟐 = 𝟏. 𝟐𝟗𝟓 𝐦𝐀
Obtención IE2

IE2 = IED = (1 + β2)IB2

IE2 = (1 + 280)(4.625 uA)
𝐈𝐄𝟐 = 𝟏. 𝟑𝟎 𝒎𝑨
Voltajes:

Obtención VE2

VE2 = IE2∗ R E2
VE2 = 1.30 𝑚𝐴 ∗ 1kΩ
𝐕𝐄𝟐 = 𝟏. 𝟑[𝐕]

Obtención VE1

VE1 = VB2 = 0.7 + VE2

VE1 = 0.7 + 1.3 [V]
𝐕𝐄𝟏 = 𝟐 [𝐕]

Obtención VB2
 VE1 = VB2 = 0.7 + VE2
VB2 = 0.7 + 1.3 [V]
𝐕𝐁𝟐 = 𝟐 [𝐕]

Obtención VB1

VB1 = VB2 + 0.7

VB1 = 2 + 0.7
𝐕𝐁𝟏 = 𝟐. 𝟕 [𝐕]

Obtención VC1 y VC2

VC = VC1 = VC2
VC = Vcc − (IC1 + IC2 ) ∗ R C
VC = 15 − (4.609𝑢𝐴 + 1.295𝑚𝐴) ∗ 3.3𝑘
𝐕𝐂 = 𝟏𝟎. 𝟕𝟏𝟏𝟑[𝐕]

Obtención VCE1

VCE1 = Vc − VE1
VCE1 = 10.7113 − 2
𝐕𝐂𝐄𝟏 = 𝟖. 𝟕𝟏𝟏𝟑 [𝐕]

Obtención VCE 2

VCE2 = Vc − VE2
VCE2 = 10.7113 − 1.3
𝐕𝐂𝐄𝟐 = 𝟗. 𝟒𝟏𝟏𝟑 [𝐕]

Punto de operación del transistor Darlington

𝐼𝐶𝐷
𝛽𝐷 =
𝐼𝐵𝐷
𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 𝛽1 𝐼𝐵1 + 𝛽2 𝐼𝐵2 𝛽1 𝐼𝐵1 + 𝑖𝐵1 (𝛽1 + 1)𝛽2
𝛽𝐷 = = =
𝐼𝐵1 𝐼𝐵1 𝑖𝐵1
𝛽𝐷 = 𝛽1 + 𝛽1 𝛽2 + 𝛽2
De lo cual únicamente tomamos en cuenta
𝛽𝐷 = 𝛽1 𝛽2
𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵1 (𝛽1 + 1)
Donde
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝛽𝐷
𝐼𝐵2 = 𝐼𝐸1
𝑉𝐵𝐸𝐷 = 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2
𝑉𝐶𝐷 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
Obtención IBD

Vth − 2VBED
IB1 =
R th + (1 + 𝛽𝐷 )R E2
2.7 − 1.4
𝐼𝐵𝐷 = = 𝟏𝟔. 𝟓𝟖𝒏𝑨
1.803𝐾 + 78401 ∗ 1𝐾

Obtención IED

𝐼𝐸𝐷 = (1 + 𝛽𝐷 )IBD
𝐼𝐸𝐷 = (78401) ∗ 16.58 𝑛𝐴
𝑰𝑬𝑫 = 𝟏. 𝟑𝟎 𝐦𝐀
Obtención ICD

𝐼𝐶𝐷 = 𝛽𝐷 ∗ 𝐼𝐵𝐷
𝐼𝐶𝐷 = 78400 ∗ (16.58𝑛𝐴)
𝑰𝑪𝑫 = 𝟏. 𝟑𝟎 𝐦𝐀
Obtención VED

𝑉𝐸𝐷 = 𝐼𝐸𝐷 ∗ 𝑅𝐸𝐷

𝑉𝐸𝐷 = 1.30 mA ∗ 1000
𝑽𝑬𝑫 = 𝟏. 𝟑𝟎 𝑽
Obtención VBD

𝑉𝐵𝐷 = 𝑉𝐸𝐷 + 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐵𝐷 = 1.30 𝑉 + 1.4𝑉
𝑽𝑩𝑫 = 𝟐. 𝟕 𝑽
Obtención VCD

𝑉𝐶𝐷 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶𝐷 ∗ 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐷 = 15 − 1.30𝑚𝐴 ∗ 3.3𝑘Ω
𝑽𝑪𝑫 = 𝟏𝟎. 𝟕𝟏 𝑽
Obtención VCED

𝑉𝐶𝐸𝐷 = 𝑉𝐶𝐷 − 𝑉𝐸𝐷

𝑉𝐶𝐸𝐷 == 10.71 − 1.30𝑉
𝑽𝑪𝑬𝑫 = 𝟗. 𝟒 > 𝟔
Por lo tanto, se encuentra en la región lineal.

2.1.2 Verifique el punto de operación del transistor.

 IBD

IBD=444.089[nA]
 ICD

ICD=1.489 [mA]

 IED

IED=1.489 [mA]

 VBD

VBD=2.705 [V]
 VCD

VCD=10.088 [V]

 VED

VED=1.489[V]

 VCED

VCED=8.599[V]
2.1.3 Calcule Zin, Zo, Av, AI.

3.3𝑘 𝐼𝐼 4.7𝑘 = 1938

𝑉𝑂𝑑 = −𝑖𝑐𝑑 ∗ 1938 = −ℎ𝑓𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 ∗ 1938

𝑉𝑖𝑛 = ℎ𝑖𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 + 𝑖𝑒𝑑 ∗ 1000

ℎ𝑖𝑒𝑑 = (ℎ𝑓𝑒𝑑 + 1) ∗ 𝑟𝑒

𝑉𝑜 −ℎ𝑓𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 ∗ 1938

∆𝑉 = =
𝑉𝑖𝑛 ℎ𝑖𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 + (ℎ𝑓𝑒𝑑 + 1) ∗ 𝑖𝑏𝑑 ∗ 1000
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = 2 ∗ = 40
𝐼𝑒𝑑
−ℎ𝑓𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 ∗ 1938 1938
∆𝑉 = =− = −1.8634
(ℎ𝑓𝑒𝑑 ∗ 𝑟𝑒𝑑 + ℎ𝑓𝑒𝑑 ∗ 1000) ∗ 𝑖𝑏𝑑 𝑟𝑒 + 1000

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑡ℎ 𝐼𝐼 𝑍𝑖𝑛𝑇

𝑉𝑖𝑛𝑇
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝑅𝑖𝑛𝑇
ℎ𝑖𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 + 𝑖𝑒𝑑 ∗ 𝑅𝑒
𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝑖𝑏𝑑
(ℎ𝑓𝑒𝑑 + 1) ∗ 𝑟𝑒𝑑 ∗ 𝑖𝑏𝑑 + (ℎ𝑓𝑒𝑑 + 1) ∗ 𝑖𝑏𝑑 ∗ 𝑅𝑒
𝑍𝑖𝑛𝑇 = = (ℎ𝑓𝑒𝑑 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝑒)
𝑖𝑏𝑑
𝑍𝑖𝑛 = 1803.2 𝐼𝐼 (ℎ𝑓𝑒𝑑 + 1)(𝑅𝑒 + 𝑟𝑒)
𝑍𝑖𝑛 = 1803.2 𝐼𝐼 78.4𝑥106 = 1802

𝐼𝑜 𝑍𝑖𝑛
∆𝑖 = = ∆𝑉 ∗
𝐼𝑚 𝑅𝑙
1802
= −1.8634 ∗ ( ) = −0.7144
4.7𝑘

𝑉𝑜𝑑 𝐼𝑜𝑑 ∗ 𝑅𝑐
𝑍𝑜 = = = 𝑅𝑐 = 3.3𝑘
𝐼𝑜𝑑 𝐼𝑜𝑑

2.1.4 Grafique el diagrama de voltajes.

Diagrama de voltaje con vin = 1 sin(wt)

 𝐼𝐶𝑑 ∗ (𝑅𝑐 𝐼𝐼 𝑅𝑙) = 3.2

2.1.5 Determine el valor máximo del voltaje de entrada que se puede aplicar sin
producir distorsión en la señal de salida.

Condiciones para Circuito Perfecto:

- 𝑉𝐸𝐷 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 − :
𝐼𝐸𝐷 ∗ 𝑅𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 −
1.30 [𝑚𝐴] ∗ 1 [𝑘Ω] ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 −
1.30[𝑉] ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 −

- 𝑉𝐶𝐸𝐷 ≥ 6 [𝑉]:

9.4 ≥ 6
+
- 𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝑜𝑝 − + 𝑉𝑆𝐴𝑇:

Sabiendo que 𝑉𝑆𝐴𝑇 ≥ 2, entonces 𝑉𝑆𝐴𝑇 = 2 [𝑉]:

+ +
9.4 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 1.8641 ∗ 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 2

+
2.58 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝 (𝑉)

- 𝑉𝑜𝑝 + ≤ 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 //𝑅𝐿 ):

𝐴𝑉 ∗ 𝑉𝑖𝑛𝑝 − ≤ 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 //𝑅𝐿 ):

𝑉𝑖𝑛𝑝 − ≤ 1.35(𝑉)
 2.1.6 Utilizando un voltaje de entrada menor al máximo calculado, simule el voltaje
del amplificador en cada terminal.
2.1.6.1 Verifique la ganancia de voltaje.

𝑉𝑜 −1.86
∆𝑉 = = = −1.86
𝑉𝑖𝑛 1

2.1.6.2 Verifique la ganancia de corriente.

𝑖𝑜 280.451𝑢
∆𝐼 = = = 0.71
𝑖𝑚 392.12𝑢

2.1.6.3 Verifique la Impedancia de entrada.

2.1.6.4 Verifique la impedancia de salida.
2.1.6.5 Realizar el cuadro con los resultados obtenidos.

3. Preguntas:

3.1 ¿Cuál es la función del Transistor Darlington?

Combinar 2 transistores bipolares en un único dispositivo, a la vez genera una gran ganancia
Darlington la cual es el producto de las dos la ganancia de los transistores individuales.

𝛽𝐷 = 𝛽1 ∗ 𝛽2
 3.2 ¿En qué región de operación está trabajando su Transistor Darlington?

Con los cálculos previamente realizados se obtuvo:

𝑉𝐶𝐸𝐷 = 9.4 > 6

𝐼𝐶𝐷 = 1.30 mA
𝑉𝑐𝑐 15
𝐼𝐶𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 = = = 4.54𝑚𝐴
𝑅𝑐 3.3𝑘

IC

.
4.54

VCE (9.4 , 1.3)

VCE
15

Como se pude observar que está en una región lineal ya que cumple:
6𝑉 ≤ 𝑉𝐶𝐸 ≤ 𝑉𝐶𝐶

3.3 ¿Cuál es el valor de ß con el que está trabajando el Transistor Darlington?

3.4 ¿Cuáles son las características del amplificador implementado?

Amplificador Emisor común:

 Su nombre se debe a que las corrientes de base y de colector se combinan en el

emisor.

 En el amplificador se ven involucradas corriente continua y alterna

 Amplifica Voltaje y corriente.

 Posee dos capacitores uno de paso y otro de acoplamiento.

Fecha: ………………………..