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ELECTRÓNICA I TRANSÍSTORES Análise DC ESEM/EMM Zonas de Funcionamento Zona Activa: • Junção base-emissor

ELECTRÓNICA I

TRANSÍSTORES

Análise DC

ELECTRÓNICA I TRANSÍSTORES Análise DC ESEM/EMM Zonas de Funcionamento Zona Activa: • Junção base-emissor
ELECTRÓNICA I TRANSÍSTORES Análise DC ESEM/EMM Zonas de Funcionamento Zona Activa: • Junção base-emissor

ESEM/EMM

Zonas de Funcionamento

Zona Activa:

Junção base-emissor polarizada directamente Junção base-colector polarizada inversamente

Zona de Saturação:

Ambas as junções polarizadas directamente

Zona de Corte:

Ambas as junções polarizadas inversamente

Zona Inversa:

Junção base-emissor polarizada inversamente Junção base-colector polarizada directamente

ENIDH - Victor Gonçalves

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TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO BIPOLAR (BJT)

Estrutura e tipos (NPN e PNP) C n p n E NPN: B
Estrutura e tipos (NPN e PNP)
C
n
p
n
E
NPN:
B
C p n p E PNP: B C I C V CB I B B
C
p
n
p
E
PNP:
B
C
I C
V CB
I B
B
V CE
V BE
I E
E

Zona Activa:

I C β F I B (1 β F )I C0

Muitas vezes, é razoável considerar

I

C β F I B

I E I B I C (1 β F )I B

VCE VCB V BE

V

BE

con

0.7 V

F )I B V CE  V CB  V B E V BE con 

Saturação:

I I

F

B

C

SAT

V V

CE CESAT

C IC V BC I B B V EB IE E
C
IC
V BC
I
B
B
V
EB
IE
E

C

B
B

E

C

B E V EC ENIDH - Victor Gonçalves 2
B
E
V EC
ENIDH - Victor Gonçalves
2

PNP:

V EC V BC V EB

- Victor Gonçalves 2 PNP: V EC V BC V EB   C o r

Corte:

VCE VCC

IC IC0

IC 0

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Características de transístores

Características de transístores ENIDH - Victor Gonçalves 5 Alguns Tipos de Caixas de Transístores ENIDH -
Características de transístores ENIDH - Victor Gonçalves 5 Alguns Tipos de Caixas de Transístores ENIDH -

ENIDH - Victor Gonçalves 5

Alguns Tipos de Caixas de Transístores

Victor Gonçalves 5 Alguns Tipos de Caixas de Transístores ENIDH - Victor Gonçalves 7 Tipos de
Victor Gonçalves 5 Alguns Tipos de Caixas de Transístores ENIDH - Victor Gonçalves 7 Tipos de

ENIDH - Victor Gonçalves

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Tipos de transístores

De uso geral:

Suportam sinais fracos (tipicamente, correntes abaixo de 0.5A).

Baixas frequências.

De RF:

Suportam sinais fracos.

Altas frequências.

De potência:

Correntes elevadas.

Baixas frequências.

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Montagens típicas (do ponto de vista de sinal)

Emissor comum

v o (t) v i (t) Colector comum o (t) v i (t) v Base
v
o (t)
v
i (t)
Colector comum
o (t)
v
i (t)
v
Base comum
v
i (t)
v
o (t)

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Montagens típicas

Emissor comum (EC):

Ganho de tensão: elevado (com inversão de fase; módulo do ordem das centenas)

Ganho de potência: elevado

Impedância de entrada: média (kΩ) Impedância de saída: alta (kΩ a dezenas de kΩ) Ganho de corrente: elevado (da ordem das dezenas ou centenas)

Colector comum (CC):

Impedância de entrada: alta (centenas de kΩ)

Impedância de saída: muito baixa (dezenas ou centena de Ω)

Ganho de corrente: elevado

Ganho de potência: médio

Ganho de tensão: baixo (aprox. 1)

Base comum (EC):

Impedância de entrada: baixa

Impedância de saída: muito alta Ganho de corrente: baixo

Ganho de tensão: elevado Ganho de potência: baixo

FIb

>

I

CSAT

 

I

C

I

C

SAT

 

Logo:

V

o

V

CE

SAT

Vi=0V:

T ao corte

V

o

V

CC

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ENIDH - Victor Gonçalves

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O transístor como inversor

V

+V CC R C V R b T 5V i (t) : 0V Para Vi=5V:
+V
CC
R
C V
R
b
T
5V
i (t) :
0V
Para Vi=5V:
I
V
 V
i
BE
b
R
b

o

VCC ICR C VCE

ICSAT (VCC VCESAT )/ R

C

ICSAT VCC / R C

I

CSAT

1.1mA

Analisar o circuito

+V CC R 1 R C V o V i
+V CC
R 1
R C
V
o
V i

I b =1.3 mA

V

o

V

CE

VCC=5V

Rc=4.7kΩ

Rb=3.3kΩ

F 100

V

BECON

0.7V

SAT

0

ENIDH - Victor Gonçalves 10

VCC=5V

Rc=4.7kΩ

Rb=3.3kΩ

F 100

V

BECON

V

CESAT

0.7V

0.2V

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O transístor como elemento de circuitos lógicos

O transístor como elemento de circuitos lógicos ENIDH - Victor Gonçalves 13 Resultados (com cálculos intermédios):

ENIDH - Victor GonçalvesO transístor como elemento de circuitos lógicos 13 Resultados (com cálculos intermédios): I b  210

13

Resultados (com cálculos intermédios):

Ib 210 A

FIb 10.5mA

I

CSAT

18 mA

T na zona activa

VCE 6.4V

PFR: (6.4V, 10.5mA)

VoMAX 12.4Vpp

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Análise de um circuito

• Determinar: • A equação da recta de carga estática • O PFR e a
Determinar:
A equação da recta de carga estática
O PFR e a zona de funcionamento
A excursão máxima do sinal na saída sem distorção
V
15V
CC
+V CC
R 1 68k
R
820
R 1
R C
C
v
(t)
o
 50
F
v
(t)
vi
t
i
T :
V
0.7V
BE
VMsent;
COND
V
0.2V
CE
SAT

1/C 0

Recta de carga estática e PFR

 2f

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Recta de carga estática
Recta de carga estática

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Montagem de emissor comum

Determinar

• A equação da recta de carga estática • O PFR e a zona de
A equação da recta de carga estática
O PFR e a zona de funcionamento
A excursão máxima do sinal na saída sem distorção
A potência dissipada no transístor
Efeitos duma variação de temperatura
+V
V
10V
CC
CC
R
 68k
R
R
1
1
C
R
 10k
2
o

R
 1k
v
(t)
C
i
t
IC025ºC
VBE
T
 2.2mV/ºC
20nA
 100
vi
VMsent;
F
R
2
1/C  0
T :
V
0.7V
BE
SAT
 2f
V
0
CE
SAT
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A potência dissipada:

Pt VBE.IB VCE.IC

Efeitos de variação da temperatura:

V

BE

(T )

1

I C0

T

1

V

BE

(T )

0

V

BE

T

T

1

I

C0

T

0

2

(T 1

T )/10

0

0

T

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Resultados (com cálculos intermédios):

Usando o teorema de Thévenin +V CC V R C eq I C I R
Usando o teorema de Thévenin
+V
CC
V
R
C
eq
I
C
I
R eq
B
V CE
V
+
R
eq
-
eq
V BE
I
B
 1.28V
V eq
R
 8.72k
eq
I
66.5 A
V
b
I
6.65mA
6.7Vpp
I
I
10mA
F
B
C
C
SAT
SAT
V
3.35V
CE
oMAX

V

CC

R

2

.

R

1

R

2

R

1

// R

2

V

eq

V

BE

R

eq

R .R

1

2

R

1

R

2

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Montagem de colector comum

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Determinar

A equação da recta de carga estática

O PFR e a zona de funcionamento

A excursão máxima do sinal na saída sem distorção

v

i (t)

+V CC R 1 v R 2 R E
+V CC
R
1
v
R
2
R E

o (t)

V

CC

R 1

R

E

2

12V

R 560

10k

F 75

T : V

BE

V CE

0.7V

COND

SAT

0.3V

vi tVMsent;

1/C 0

 2f

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20

+V CC V CB I B R eq V + V eq - BE I
+V CC
V
CB
I B
R eq
V
+
V
eq
- BE
I
R
E
E
V
 V
I B
eq
BE
R
(1

)R
eq
F
E
 6V
V eq
 5k
R eq
I
b 
112.8 A
I
8.6mA
F
B
 7.2V
V CE

V CE

+V CC R C I C I R eq B + V V eq BE
+V CC
R C
I
C
I
R eq
B
+
V
V
eq
BE
-
I
R E
E

V CE

IE (1F )Ib

ENIDH - Victor Gonçalves

V

R

eq

eq

1.63V 122.89k

2.5 A

I

I

I

V

B

C

E

502.5mA

500mA

CE

2.4V

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Montagem de emissor comum com resistência de emissor

Determinar equação da recta de carga estática e o PFR

v

i

(t)

+V CC R 1 R C v C1 R 2 R E
+V
CC
R 1
R
C
v
C1
R 2
R
E
Analisar o circuito +V CC R 1 R C v v i (t) C1 R
Analisar o circuito
+V CC
R 1
R C
v
v
i (t)
C1
R 2
R E
C E

o (t)

o (t)

V

CC

9

V

R

1

680

k

 

R

2

150

k

R

C

12

k

R

E

1.2

k

V

F

200

T :

0.7

V

BE

ENIDH - Victor Gonçalves

V CC

1

R

R

R

R

2

E

C

9 V

k

5.6

820

k

10

6.8

k

F

100

T : V

V

BE

COND

CE

SAT

V 0.2 V

0.7

vi tVMsent;

1/C 0

 2f

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24

Analisar o circuito +V CC R R C 1 (t) v o C3 v i
Analisar o circuito
+V
CC
R
R
C
1 (t)
v
o
C3
v
i (t)
C1
R
R L
2 C2
R
E

O par Darlington

v

i

(t)

+V CC R 1 R C v T2 V (t) T3 c1 C1 T1 R
+V CC
R 1
R C
v
T2
V
(t)
T3
c1
C1
T1
R 2
R E

o (t)

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IE3 1F2 1F3 IB2

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Analisar o circuito +V CC R 1 R C v o (t) T2 V (t)
Analisar o circuito
+V
CC
R 1
R
C
v
o (t)
T2
V
(t)
v
i (t)
c1
C1
T1
R 2
R
E
PFR’s e zonas de funcionamento do transístores

Máxima excursão de sinal sem distorção

Vcc=12V

R1=47k

R2=4,7k

RC=820

RE=10k

F1= F2=50

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