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MOSFET Y BJT
Electrónica II
Se pide hallar los siguientes datos: VCEQ2, VDS, Zi, Zo, potencia que entrega la fuente, 󠇚 Δv,
Δi, utilizando los siguientes datos, VCEQ3= 5.8v, β= 󠇚100, IB3= 10,34 µA
Ilustración 1. Circuito a analizar
Etapa 2
Etapa 1
Etapa 3
Lo que haremos inicialmente será dividir el circuito en tres partes (ver ilustración 2), esto con el
fin de facilitar los cálculos y el análisis del circuito. Iniciaremos con la etapa 3, ya que en esta
tenemos datos adicionales que nos permiten abordar el análisis de forma más sencilla, para esta
etapa iniciaremos calculando el corriente colector (IC3) (ver fig#), ya que contamos con la
corriente base (IB3), recordemos la ecuación que nos define la relación entre estas dos
corrientes.
𝛽 ∗ 𝐼𝐵3 = 𝐼𝐶3. ( 1)
IC3
IB3
Obteniendo esta corriente podemos hallar el voltaje que cae sobre la resistencia RC2,
recordando la ley de ohm
𝑉 = 𝐼 ∗ 𝑅. ( 3)
Utilizando la corriente obtenida y la ley de ohm, podemos obtener el voltaje que se encuentra en
la resistencia RC2.
𝑉 = 1.034 𝑚𝐴 ∗ 3.3𝑘Ω = 3.41 𝑉. ( 4)
Obtenido este voltaje, podemos utilizar el método de análisis de mallas para poder obtener el
voltaje que cae en RL.
Despejando obtenemos:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶2 − 𝑉𝐶𝐸𝑄3 = 𝑉𝑅𝐿. (6)
El siguiente dato a obtener es el corriente emisor (IE3), la cual no es la misma que IC3 ya que
se están haciendo acoples directos con cada etapa de amplificación. en la ilustración 7 se puede
observar las corrientes obtenidas y la corriente IE3
IC3
IRL
IE3
IRE2
El problema para ecuación anterior es que no tenemos la IRE2, pero se puede obtener la IE3
utilizando la ecuación que describe la relación entre las corrientes de un transistor bjt.
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶. (11)
Por ultimo calculamos el voltaje de dicha resistencia utilizando la ecuación 3 (ley de ohm),
obteniendo:
𝑉𝑅𝐸2 = 1.57𝑚𝐴 ∗ 3.7𝑘Ω = 5.82𝑉. (15)
El siguiente paso es obtener el voltaje base (VB3), ya que como se mencionó al inicio, se desea
calcular el VCEQ2, y el (VB3) al igual que los cálculos anteriores son necesarios para poder
conseguir este objetivo. Para conseguir este voltaje es necesario recordar que un transistor tiene
entre base y emisor un diodo en directo, teniendo esto en cuenta podemos definir el voltaje base
(VB3) de la siguiente manera:
𝑉𝐵3 = 0.7𝑉 + (−1.7𝑉). (16)
Para entender de manera más clara la ecuación anterior se tiene la siguiente ilustración:
VB3
VRL
Para este cálculo es importante no confundir el voltaje del punto que se encuentra resaltado, con
el voltaje VRE2, ya que NO ES EL MISMO, porque como observamos la corriente que entra a
ese nodo corresponde a la IRL, por ende, el voltaje que se encuentra en este nodo será VRL, una
forma de comprobar esto es volviendo a calcular el voltaje de RE2, realizando el diferencial
entre VRL y VEE, este cálculo debe arrojar el mismo resultado obtenido con la ecuación 15.
(17)
𝑉𝑅𝐸2 = 𝑉𝑅𝐿 − (−𝑉𝐸𝐸).
5.8 = −1.7𝑉 − (−7.5𝑉)
Como se puede observar, el resultado es el mismo al obtenido con la ecuación 15, lo cual nos
indica que el voltaje que se encuentra en el punto resaltado de la imagen corresponde al voltaje
que se encuentra sobre la resistencia de carga (RL). Aclarado esto, tenemos como resultado de
la ecuación 16 el siguiente voltaje VB3= -1V.
Terminado el análisis de la última etapa de amplificación, se puede continuar con la segunda
fase de amplificación la cual se puede identificar como un transistor PNP en configuración de
emisor común. Iniciaremos hallando el voltaje en la resistencia RC1.
Ilustración 9. Segunda etapa de amplificación
Para este análisis podemos observar en la ilustración 9 que la resistencia RE2 y la RC1 se
encuentran en paralelo, pero en este caso el voltaje de la resistencia RC1 no es el mismo que se
calculó en RE2, ya que entre estas dos resistencias se encuentra el voltaje del diodo en directo
que tiene el transistor, para este caso solo se tiene que sumar el 0.7 V del diodo más el voltaje
de la resistencia RE2, obteniendo así el voltaje que se encuentra sobre RC1, que en este caso es
de 6.52 voltios, otra forma de calcular el voltaje de esta resistencia es realizando la diferencia de
voltajes que caen sobre ella, en este caso -1V menos el voltaje de la fuente VEE, obteniendo el
mismo dato calculado anteriormente.
𝑉𝑅𝐶1 = 0.7𝑉 + (−1.7𝑉) = 6.52𝑉. (18)
IB3
IC2
IRC1
Obtenida esta corriente podemos hallar la corriente de base (IB2), utilizando la ecuación 1
despejamos (IB2) y obtenemos la siguiente relación:
𝐼𝐶2 (22)
𝐼𝐵2 = 𝛽
.
𝐼𝐶2 (23)
𝐼𝐵2 = 100 = 5.52µ𝐴.
Halladas estas dos corrientes ya se puede calcular IE2 utilizando la ecuación 11.
𝐼𝐸2 = 𝐼𝐶2 − 𝐼𝐵2. (24)
IE2
IB2
IC2
El siguiente paso es calcular el voltaje que cae sobre la resistencia RE1, para esto volvemos
aplicar la ley de ohm (ecuación 4) obteniendo el siguiente valor.
𝑉𝑅𝐸1 =546.48µA*7kΩ 󠇚= 󠇚3.82V. (26)
Ahora vamos a calcular el voltaje que se encuentra en el punto que se observa en la ilustración
VE1
Para este voltaje se realiza la diferencia que se encuentra entre la fuente (VCC) y el voltaje de
RE1.
𝑉𝐸1 = 7.5𝑉 − 3.82𝑉. = 3.68V (27)
En este punto del circuito y con los datos que se han obtenidos, ya se puede hallar el VCEQ2,
para esto hay dos opciones, el camino largo que traza una malla desde la fuente VEE hasta VDD
o realizar la resta de voltajes que se encuentra en VE1 menos VB3, en este caso usaremos la
segunda opción que nos da como resultado:
𝑉𝐶𝐸𝑄2 = 3.68𝑉 − (−1). = 4.68V (28)
La ecuación anterior es la resta del voltaje en el punto VE1 menos el voltaje del diodo del
transistor.
Para la última etapa del transistor, nos encontramos con un mosfet de empobrecimiento en
configuración de drenador común.
VCC
VB2
2
Para esta etapa calcularemos el voltaje que cae en la resistencia de drenador, para esto
aplicaremos el diferencia de voltaje que se encuentra entre VB2 y VCC.
𝑉𝑅𝐷 = 7.5𝑉 − 2.98𝑉 = 4.52V. (30)
En la ilustración 14 se puede observar el recorrido y los voltajes que recorre la malla, visto esto
lo podemos expresar con la siguiente ecuación:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑅𝑆 + (−𝑉𝐸𝐸) = 0. (34)
Del cálculo anterior obtenemos VDS= 9.14V, siendo este el ultimo valor en DC que se tenía que
calcular para cumplir con los objetivos planteados al comienzo del taller.
A continuación, se procederá a realizar el análisis del circuito en AC, para este caso
realizaremos el modelo hibrido que representa nuestro circuito.
B C B C
E
E
Etapa 1
Etapa 2 Etapa 3
Etapa 1
Ilustración 15. Modelo hibrido del circuito
Como se puede observar en la imagen anterior, el diseño del circuito ha cambiado respecto al
primero que se manejó en el análisis DC, el modelo hibrido se utiliza para calcular ganancias en
voltajes, corrientes, potencias logarítmicas y lineales, en la imagen podemos identificar cada
etapa que compone al circuito, de igual manera se puede observar las etiquetas que identifican a
cada pin de los transistores.
Lo primero que haremos será identificar las impedancias que se encuentran dentro del circuito.
B C B C
zl1 E
E
zi zl2
Para la primer impedancia 󠇚tenemos 󠇚que 󠇚zi= 󠇚a 󠇚la 󠇚resistencia 󠇚de 󠇚compuerta 󠇚del 󠇚Mosfet 󠇚2MΩ, 󠇚para 󠇚
zl1 󠇚tenemos 󠇚el 󠇚paralelo 󠇚entre 󠇚RD 󠇚y 󠇚βre2, 󠇚quedando 󠇚de 󠇚la 󠇚siguiente 󠇚manera:
𝑅𝐷∗𝛽𝑟𝑒2 4𝑘∗47.5𝑘 ( 37)
𝑧𝑙1 = .= .= 3.68kΩ
𝑅𝐷+𝛽𝑟𝑒2 4𝑘+47.5𝑘
En la ecuación 󠇚37 󠇚podemos 󠇚observar 󠇚que 󠇚se 󠇚tiene 󠇚un 󠇚valor 󠇚βre2, 󠇚el 󠇚cual 󠇚se 󠇚tiene 󠇚a 󠇚través 󠇚de 󠇚la 󠇚
siguiente formula:
26𝑚𝑉 ( 38)
𝛽𝑟𝑒2 = .= 47.5k
𝐼𝐸
Obtenidas las impedancias del circuito podemos calcular la ganancia en voltaje de cada etapa de
amplificación, para el caso de la etapa 1 en donde tenemos un jfet, tenemos la ecuación de
shockly la cual representa la ganancia de la siguiente forma:
−𝑔𝑚∗𝑧𝑙1 (40)
Δv1=1+𝑔𝑚∗𝑅𝑆.
IDSS= 3Ma
VT=-4V
En la ecuación 41 tenemos un valor que no conocemos (VGS), pero lo podemos encontrar
utilizando la siguiente ecuación:
𝑉𝐺𝑆 (42)
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − −𝑉𝑃)2.
(𝑎 + 𝑏)2 = 𝑎2 + 2𝑎𝑏 + 𝑏 2
Para facilitar los cálculos se multiplicará por 1000 en ambos lados de la ecuación y se
simplificaran los valores posibles.
−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 (46)
1.2𝐾Ω
∗ 1000 = 3𝑚𝐴(1 + 4
) ∗ 1000.
Obteniendo:
−5𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 (47)
6Ω
= 3(1 + 4
) .
𝑉𝐺𝑆 2 (49)
−5𝑉𝐺𝑆 = 18(1 + 4
) .
Operando obtenemos un gm de 956.25µohms, el cual coincide con el que tiene la ficha técnica
del transistor. El siguiente paso es hallar las ganancias de cada etapa para finalmente obtener la
ganancia total del circuito.
Para la primera etapa tenemos la siguiente ecuación de ganancia
𝑔𝑚∗𝑧𝑙1 ( 54)
∆𝑉1 = 1+𝑔𝑚𝑅𝑠.
Obteniendo Re:
26𝑚𝑉 ( 57)
𝑅𝑒 = 546.48µ𝐴.