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Facultad de Ingeniería
Física de semiconductores
Profesora: Dra. Fátima Moumtadi
Grupo:2
Tarea de Semiconductores: Ejercicios de Tema 4
Alumno: Flores Vázquez Pedro Hugo
Juntura P-N en condición electrostática.
1)Un diodo semiconductor de Silicio está dopado con 𝑁 = 5𝑥10 , 𝑦 𝑐𝑜𝑛 𝑁 = 3𝑥10 , la permitividad
relativa del silicio intrínseco es de 𝜖 = 11.5,y la permitividad del vacío es de 𝜖 = 8.854𝑥10 .Hallar la longitud de
la región vacía:
A)En el lado N.
B)En el lado P.
C)La total.
A la temperatura ambiente de 300𝐾 ° hay 𝑛 = 1𝑥10 , portadores en la banda de conducción/𝑐𝑚 en el Silicio intrínseco.
Datos:
1
𝑁 = 5𝑥10
𝑐𝑚
1
𝑁 = 3𝑥10
𝑐𝑚
𝜖 = 11.5
𝐹
𝜖 = 8.854𝑥10
𝑐𝑚
Ecuaciones utilizadas
𝑛
Φ(𝑥 ) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
𝑛
Φ(𝑥 ) = (−60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])
Φ = Φ −Φ
2Φ 𝜖 𝑁
𝑥 = ∗
𝑞 𝑁 (𝑁 + 𝑁 )
𝑁
𝑥 =𝑥
𝑁
𝑥 =𝑥 +𝑥
Desarrollo
A)En el lado N.
𝑁
Φ = Φ(𝑥 ) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
Sustituyendo queda:
3𝑥10
Φ = Φ(𝑥 ) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔 = 0.388[𝑉]
1𝑥10
B)En la lado P.
𝑁
Φ =Φ 𝑥 = (−60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
Sustituyendo queda:
5𝑥10
Φ =Φ 𝑥 = (−60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔 = −0341[𝑉].
1𝑥10
2Φ 𝜖 𝑁
𝑥 = ∗
𝑞 𝑁 (𝑁 + 𝑁 )
Sustituyendo queda:
Por lo que:
𝑁
𝑥 =𝑥
𝑁
Sustituyendo queda:
3𝑥10
𝑥 = (6.6455𝑥10 [𝑚]) = 3.9873𝑥10 [𝑚]
5𝑥10
C)La total
𝑥 =𝑥 +𝑥
Datos:
𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])
1
𝑁 = 3𝑥10
𝑐𝑚
𝜖 = 11.5
𝐹
𝜖 = 8.854𝑥10
𝑐𝑚
Φ = 0.388[𝑉]
Ecuaciones que se utilizan:
𝑞𝑁 𝑥
𝐸(0) = −
𝜖
𝑞𝑁
Φ(0) = Φ − (𝑥 )
2𝜖
A)
𝑞𝑁 𝑥
𝐸(0) = −
𝜖
Sustituyendo queda:
B)
𝑞𝑁
Φ(0) = Φ − (𝑥 )
2𝜖
Sustituyendo queda:
(1.6𝑥10 [𝐶])(3𝑥10 )
Φ(0) = 0.388[𝑉] − (6.6455𝑥10 [𝑐𝑚]) = 0.388[V] − 0.104[V] = 0.284[V]
𝐹
2(11.5) 8.854𝑥10
𝑐𝑚
.
3)Un fabricante de diodos utiliza 𝑁 = 𝑦𝑁 = , y mide experimentalmente un campo máximo en el centro
de la unión de 4.5𝑥10 .
A)Calcula el voltaje máximo en inversa que puede aplicarse al diodo. Es decir, su voltaje de ruptura.
B)Suponga que el diodo se somete a un voltaje pico repetitivo en inversa de 120[V].¿Se dañaría el dispositivo?.
.
El silicio intrínseco tiene 𝜀 = 104.48𝑥10 𝑦𝑛 =
Datos:
𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])
3𝑥10
𝑁 =
𝑐𝑚
4.5𝑥10
𝑁 =
𝑐𝑚
𝜀 = 104.48𝑥10
1.1𝑥10
𝑛 =
𝑐𝑚
𝑉
𝐸 = 4.5𝑥10 .
𝑐𝑚
A)Desarrollo:
𝑞𝑁 𝑥 ( )
𝐸 = 𝐸(0) = − (1)
𝜖
2𝜖𝑁 Φ 𝑉
𝑥 ( ) = ∗ 1− (2)
𝑞𝑁 (𝑁 + 𝑁 ) Φ
Cálculo de Φ :
𝑁
Φ = (60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔
𝑛
Sustituyendo queda:
3𝑥10
Φ = (60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔 = 0.448[𝑉]
1𝑥10
𝑁
Φ = (−60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔
𝑛
Sustituyendo queda:
4.5𝑥10
Φ = (−60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔 = −0.339[𝑉]
1𝑥10
Entonces:
2𝜖𝑁 Φ 𝑉
𝑥 ( ) = ∗ 1−
𝑞𝑁 (𝑁 + 𝑁 ) Φ
𝐹 4.5𝑥10
2𝜖𝑁 Φ 2(104.48𝑥10 )( )0.787[𝑉]
𝑐𝑚 𝑐𝑚
= = 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚]
𝑞𝑁 (𝑁 + 𝑁 ) 3𝑥10 3𝑥10 4.5𝑥10
(1.6𝑥10 [𝐶])( )( + )
𝑐𝑚 𝑐𝑚 𝑐𝑚
Quedando así:
𝑉
𝑥 ( ) = 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚] ∗ 1 −
0.787[𝑉]
Sustituyendo 2 en 1 queda:
𝑞𝑁 𝑉
𝐸 =− ∗ 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚] ∗ 1 −
𝜖 0.787[𝑉]
Sustituyendo valores:
3𝑥10
(1.6𝑥10 [𝐶])(( ) 𝑉
𝐸 =− 𝑐𝑚 ∗ 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚] ∗ 1 −
𝐹 0.787[𝑉]
(104.48𝑥10 )
𝑐𝑚
𝑉
𝐸 = −32689.89 ∗ 1 −
0.787[𝑉]
Despejando a 𝑉 :
𝑉
𝐸 4.5𝑥10
𝑉 = 1− ∗ (0.787[𝑉]) = 𝑉 = 1− 𝑐𝑚 ∗ (0.787[𝑉]) = −148.34[𝑉]
32689.89 32689.89
B)
4)Un diodo semiconductor tiene en su juntura área de 15𝜇𝑚𝑥15𝜇𝑚. Un cálculo previo sin polarización revela que la
longitud en la zona vacía, en lado P, es de 𝑥 (0) = 0.355 𝜇𝑚, y un potencial de contacto Φ = 585𝑚𝑉.Ausmiendo una
juntura uniformemente dopada(m=1/2), calcula:
Datos:
𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])
Φ = 0.585[𝑉]
de 𝑥 (0) = 0.355 𝜇𝑚
1𝑥10
𝑁 =
𝑐𝑚
A)
𝑞𝑁 𝑥 (0)
𝐶 =
2Φ
Sustituyendo:
1𝑥10
(1.6𝑥10 [𝐶])( )(0.355𝑥10 [𝑐𝑚] ) 𝐹
𝐶 = 𝑐𝑚 = 4.8547𝑥10
2(0.585[𝑉]) 𝑐𝑚
B)
𝐶
𝐶 =
𝑉
1−
Φ
𝐹
4.8547𝑥10 𝐹
𝐶 = 𝑐𝑚 = 6.2245𝑥10
−35 𝑐𝑚
1−
0.585
C)
𝐶 _ =𝐶𝐴
𝐴 = 2.25𝑥10 [𝑐𝑚 ]
Sustituyendo queda:
5)Un diodo presenta una capacitancia en inversa sin polarización de 𝐶 = .Las dimensiones de sus lados dopados son
𝑊 = 4.5𝜇𝑚 𝑦𝑊 = 6 𝜇𝑚, y además las concentraciones de impurezas son 𝑁 = y𝑁 = . Calcula:
Desarrollo:
A)
𝐶 = √2𝐶 ∗ 𝐴
Sustituyendo:
5𝑛𝐹
𝐶 = √2( . ) ∗ (1𝑥10 [𝑐𝑚 ]) = 7.0710𝑥10 [𝐹]
𝑐𝑚
B)
(𝑊 )
𝜏 =
2𝐷
𝑊 = 4.5𝜇𝑚 = 0.00045 𝑐𝑚
18𝑐𝑚
𝐷 =
𝑠
Sustituyendo queda:
(0.00045 𝑐𝑚 )
𝜏 = = 5.625𝑥10 [𝑠]
18𝑐𝑚
2( )
𝑠
C)
𝜏
𝐶 = 𝐼
𝑉
Sustituyendo queda:
5.625𝑥10 [𝑠]
𝐶 = (3.5𝑥10 [𝐴]) = 7.875𝑥10 𝐹
25𝑥10 [𝑉]
6)Un diodo con un dopado tal que 𝑁 ≪ 𝑁 , ,tiene un coeficiente de difusión para huecos.𝐷 = 125 , y una longitud
física en su lado N de 𝑊 = 3.5𝜇𝑚.Determina el rango dinámico de la capacitancia de fusión en picofarads, considerando
una variación 𝑖 de 2mA a 75 mA, 1𝑝𝐹 = 10 𝐹.
Desarrollo
(𝑊 )
𝜏 =
2𝐷
Sustituyendo queda:
(0.00035[𝑐𝑚])
𝜏 = = 9.810 [𝑠]
𝑐𝑚
2(125 )
𝑠
𝜏
𝐶 = 𝐼
𝑉
Sustituyendo queda:
9.8𝑥10 [𝑠]
𝐶 = 2𝑥 [𝐴] = 78.4[𝑝𝐹]
0.025[𝑉]
9.8𝑥10 [𝑠]
𝐶 = 75𝑥 [𝐴] = 2940[𝑝𝐹]
0.025[𝑉]
Rango dinámico
78.4[𝑝𝐹] ≤ 𝐶 2940[𝑝𝐹]