Curso técnico de

Eletroeletrônica
Eletrônica Analógica I

Prof. Henrique Bianco Pinheiro

henriquebp@cefetmg.br
2019/1
Unidade 2

• Material tipo P e material tipo N

• Diodo semicondutor
• Folha de dados

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Material tipo P e material tipo N
• Iremos basear os estudos seguintes no silício.
• O material semicondutor puro é chamado de intrínseco.
• Com o objetivo de controlar as propriedades dos materiais
semicondutores, é feito o processo de dopagem.
• O Material submetido ao processo de dopagem é chamado de
material extrínseco.
• As impurezas utilizadas na dopagem podem ser impurezas
doadoras ou impurezas aceitadoras.
• A adição de impurezas doadoras formam materiais do tipo N.
• A adição de impurezas aceitadoras formam materiais do tipo P.

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Materiais do tipo N
• As impurezas doadoras são átomos pentavalentes, por exemplo o
fósforo, o antimônio e o arsênio.
• Cada átomo inserido no semicondutor fornece um elétron “livre”.
• A dopagem é feita na ordem de 1 átomo de impureza para cada 1
milhão de átomos de silício.
• A dopagem diminui a resistividade do material.

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Materiais do tipo N
• Por causa dos átomos doadores, o material do tipo N possui mais
elétrons livres que lacunas. Com isso, no material do tipo N os
elétrons livres são chamados de portadores majoritários e as
lacunas são os portadores minoritários.

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Materiais do tipo P
• As impurezas aceitadoras são átomos trivalentes, por exemplo o
boro, o gálio e o índio.
• Cada átomo inserido no semicondutor fornece uma lacuna.

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Materiais do tipo P
• Por causa dos átomos aceitadores, o material do tipo P possui
mais lacunas que elétrons livres. Com isso, no material do tipo P
as lacunas são chamadas de portadores majoritários e os elétrons
livres são os portadores minoritários.

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Fluxo de lacunas
• As lacunas se “movimentam” no
sentido contrário dos elétrons.
• Um elétron vizinho deixa a ligação
para preencher a lacuna, gerando
uma nova lacuna vizinha,
produzindo assim o “movimento”.
• As lacunas se movem no sentido
convencional da corrente.

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Diodo Semicondutor
• A simples junção de um material do tipo P com outro do tipo N
obtém-se uma junção PN, que é o primeiro dispositivo eletrônico
de estado sólido, o diodo semicondutor de junção.
• Após a junção dos materiais, os elétrons livres presentes no
material tipo N são atraídos pelas lacunas do material tipo P.
O cancelamento entre as cargas dos elétrons e lacunas é chamado
de recombinação.

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Diodo Semicondutor
• Com os elétrons livres deixando os átomos doadores, estes se
tornam íons positivos (mais prótons que elétrons).
• As lacunas dos átomos aceitadores são preenchidas pelos elétrons
livres, tornando estes em íons negativos (mais elétrons que
prótons).

ânodo cátodo

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Diodo Semicondutor
• A medida que os íons positivos e negativos vão se acumulando
na junção, forma-se a região ou camada de depleção. Uma
barreira de potencial forma-se e impede que mais elétrons livres
atravessem a junção.
• A camada de depleção é uma região escassa de portadores de
corrente (elétrons livre e lacunas).

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 Diodo Semicondutor - Polarização reversa (V D < 0 V)

• Aplicando um potencial externo de modo que o terminal positivo

seja ligado ao material tipo N e o terminal negativo ao tipo P faz
com que o número de íons sem portadores majoritários na
camada de depleção aumente.

Terminal negativo Terminal positivo

atrai lacunas atrai elétrons

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Diodo Semicondutor - Polarização reversa (V D < 0 V)

• Existe um fluxo de portadores minoritários (originados pela

energia térmica por exemplo). É chamado de corrente de
saturação reversa, IS.

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Diodo Semicondutor - Polarização reversa (V D < 0 V)

• Existe um fluxo de portadores minoritários (originados pela

energia térmica por exemplo). É chamado de corrente de
saturação reversa, IS. Um portador minoritário gerado
próximo da junção pode acabar
atravessando antes de recombinar.

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Diodo Semicondutor - Polarização direta (V D > 0 V)

• A aplicação de um potencial negativo no material tipo N força os

elétrons a se recombinarem com os íons na camada de depleção,
assim como um potencial positivo no material tipo P força as
lacunas a se recombinarem com os íons na camada de depleção.
• Assim a barreira de potencial se reduz, permitindo o fluxo de
portadores majoritários.

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Diodo Semicondutor - Polarização direta (V D > 0 V)

• Quando a tensão aplicada fica maior do que a barreira de

potencial a corrente cresce exponencialmente.
• A corrente no diodo é chamada de ID.

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Curva característica do diodo

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Folha de dados
1N4148

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Folha de dados

Tensão reversa nominal

Máxima tensão reversa que o diodo aguenta
antes da ruptura e corrente de avalanche.
Outros nomes: PIV, PRV, BV, VBR.
Máxima dissipação de potência
Máxima potência que o diodo consegue
dissipar, em uma temperatura ambiente
específica, antes de “queimar”.

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Folha de dados

Corrente direta máxima

Máxima corrente contínua ou média que o
diodo aguenta antes de “queimar”.
Outros nomes: IF.

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Folha de dados

Tensão reversa nominal

Aqui a tensão é apresentada sob uma
condição específica.

Tempo de recuperação reversa

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Folha de dados

Tensão direta nominal

É fornecida para uma dada corrente direta.

19
Não é necessário, mas é recomendado utilizar um livro-
base para acompanhar os estudos.

Lembrem-se de continuar usando o fórum de dúvidas.

Ele existe para vocês.

Obrigado pela atenção e bons estudos!

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