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INSTITUTO FEDERAL DO PARANÁ

RELATÓRIO EXPERIMENTAL
FUNCIONAMENTO DO DIODO COMUM E DO DIODO ZENER

Outubro, 2018
1 INTRODUÇÃO

Na eletrônica, um dos componentes mais utilizados são os diodos


semicondutores, que são um dos componentes mais simples, porém exercem
papel vital em sistemas eletrônicos. Os diodos têm por característica principal,
deixar com que a corrente e seus terminais fluam de forma mais fácil em uma
direção do que em outra.

Esses dispositivos são amplamente utilizados em circuito multiplicadores


de tensão, ceifadores ou ainda em circuitos retificadores, responsáveis por
converter uma tensão de entrada alternada em uma saída de tensão contínua.

Sendo assim, para o estudo da eletrônica, é de fundamental importância


entender as características e o funcionamento do diodo.

1.1 Fundamentação Teórica

O diodo semicondutor é um componente que será introduzido em um


conjunto de aplicações em sistemas eletrônicos, desde as mais simples às mais
complexas e pode comportar-se como condutor ou isolante elétrico, dependendo
da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais. Essa característica
permite que o diodo semicondutor possa ser utilizado em diversas aplicações,
como, por exemplo, na transformação de corrente alternada em corrente
contínua.

Para entendermos a estrutura e função de um diodo, é essencial que


entendamos as propriedades atômicas de sua composição.

A matéria é formada por moléculas que podem ser visualizadas, de forma


microscópica, como a combinação entre átomos de um mesmo elemento
químico ou entre átomos de elementos químicos diferentes e podem ser
encontrados nos estados líquido, sólido e gasoso. Os átomos por sua vez, são
constituídos por três partículas elementares: prótons, com carga positiva e
nêutrons, eletricamente neutro, ambos presentes no núcleo de cada átomo, e a
terceira partícula, os elétrons, com carga negativa, circundando ao redor do
núcleo através de sete orbitas ou camadas eletrônicas, como mostrado na Figura
1.

Figura 1 Modelo do átomo1

Em sua configuração átomos possuem carga neutra, pois o número de


prótons e elétrons em sua estrutura são os mesmos, assim, um anula a carga do
outro por possuírem carga com mesmo valor em módulo, porém com sinais
contrários. Todo átomo, pode conter no máximo oito elétrons na camada de
valência, sendo este, considerado estável. Porém, os átomos podem também se
transformar em íon negativo ou positivo, ganhando ou perdendo elétrons da
camada de valência, respectivamente.

Os elétrons livres de um átomo são responsáveis pelo surgimento da


corrente elétrica num determinado material. Logo se pode classificar os materiais
em:

 Condutores
 Isolantes
 Semicondutores

Essa classificação ocorre conforme a estrutura do átomo que o compõe.

Condutores: nesses átomos a camada de valência é composta, por no


máximo três elétrons, pois estes necessitam de pouca energia para deixarem
sua órbita.

1
Disponível em: <http://www.faccrei.edu.br/extenaperfe/a-identificacao-dos-atomos>. Acesso em:
09/10/2018.
Isolantes: possuem entre 5 e 8 elétrons, sendo estes mais difíceis de se
movimentarem ou deixarem sua órbita na estrutura atômica.

Semicondutores: possuem 4 elétrons na camada de valência, ficando a


resistência desses elétrons entre a resistência dos elétrons dos materiais
condutores e isolantes, por isso são denominados semicondutores.

Podemos perceber na Figura 2 que existe uma ligação covalente entre


dois ou mais átomos de silício do material e que cada átomo externo possui
alguns elétrons de valência para construção de uma nova ligação com outros
átomos de silício.

Figura 2 Estrutura cristalina do Silício2

Uma das principais características de um material semicondutor é possuir


apenas quatro elétrons em sua camada de valência, porém, os átomos tendem
a se estabilizar com oito elétrons na camada de valência, sendo assim, os
átomos são organizados de forma simétrica, caracterizando uma estrutura
cristalina através de ligações covalentes. O carbono, o silício e o germânio (que
assim como o silício, também é um semicondutor) possuem uma propriedade
única em sua estrutura de elétrons, cada um possui quatro elétrons em sua órbita
mais externa. Isso permite que eles formem bons cristais. Os quatro elétrons
formam ligações covalentes perfeitas com quatro átomos vizinhos, criando um

2
USP: Semicondutores. Disponível em: < http://www.edisciplinas.usp.br>. Acesso em: 09/10/2018.
reticulado. No carbono a forma cristalina é o diamante. No silício é uma
substância metálica prateada.

Todos os elétrons externos em um cristal de silício estão envolvidos em


ligações covalentes perfeitas, de forma que não podem se mover entre os
átomos. Um cristal de silício puro é praticamente um isolante, as órbitas ficam
completamente preenchidas e isso reduz a capacidade de condução, muito
pouca eletricidade passa por ele. Uma forma de alterar essa estrutura é a
dopagem, que como o próprio nome sugere é uma forma artificial de melhorar o
desempenho do material.

Dopagem

A dopagem é o processo que permite manipular a estrutura intrínseca dos


semicondutores adicionando algumas impurezas, adicionar átomos de
elementos que possuem três ou cinco elétrons na camada de valência,
dependendo do tipo de material desejado.

As impurezas são classificadas em dois tipos:

 Tipo N
 Tipo P

Na dopagem tipo N, o fósforo ou o arsênico é adicionado ao silício em


pequenas quantidades. O fósforo e o arsênico possuem cinco elétrons externos
cada um, de forma que ficam fora de posição quando entram no reticulado de
silício. O quinto elétron não tem a que se ligar, ganhando liberdade de movimento.
Apenas uma pequena quantidade de impurezas é necessária para criar elétrons
livres o suficiente para permitir que uma corrente elétrica flua pelo silício. O silício
tipo N é um bom condutor. Os elétrons possuem uma carga negativa, daí o nome
tipo N.

Para formação de um material do tipo N, os elementos químicos utilizados


são: Antimônio (Sb), Arsênio (As) e o Fósforo (P), como na Figura 3.
Figura 3 Material do tipo N3

Na dopagem tipo P, o boro ou o gálio é o dopante, ambos possuem


apenas três elétrons externos cada um. Quando misturados no reticulado de
silício, formam "buracos" ou "lacunas" na treliça e um elétron do silício não tem
a que se ligar. A ausência de elétron cria o efeito de uma carga positiva, daí o
nome tipo P. Lacunas podem conduzir corrente. Uma lacuna aceita muito bem
um elétron de um vizinho, movendo a lacuna em um espaço. O silício tipo P é
um bom condutor.

Os elementos químicos mais utilizados como impurezas na formação de


um material do tipo P são: Alumínio (Al), Índio (In), Boro (B) ou o Gálio (Ga),
como na Figura 4.

Figura 4 Material do tipo P

Uma minúscula quantidade de impureza tipo N ou tipo P leva um cristal


de silício de bom isolante a um condutor viável, mas não excelente, daí o nome

3
Disponível em: <http://www.photovoltaique.guidenr.fr/I_5_dopage-silicium-photovoltaique.php>.
Acesso em: 09/10/2018.
"semicondutor". Os silícios dopados tipo N e tipo P, não são tão impressionantes
sozinhos; mas quando você os coloca juntos, consegue um comportamento bem
interessante na união dos dois.

Praticamente todos semicondutores comerciais são extrínsecos, isto é, o


comportamento elétrico é determinado por impurezas, que presentes até mesmo
em pequenas concentrações fornecem excesso de elétrons ou de lacunas.

Um diodo semicondutor é formado a partir da junção entre um


semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n, chamado então de junção PN
(Figura 5).

Figura 5 Junção PN4

Formação do Diodo: Junção PN

Logo após a formação da junção PN, alguns elétrons livres se difundem


do semicondutor tipo N para o semicondutor tipo P. O mesmo processo ocorre
com algumas lacunas existentes no semicondutor tipo P que difundem para o
semicondutor tipo N.

Ao conectar-se o material do tipo P com outro do tipo N, as lacunas e os


elétrons próximos a junção tendem a se combinarem, formando então uma
região denominada região de depleção, onde nesta, verifica-se a ausência de
portadores livres (Figura 6).

4
Disponível em: <http://eletrofisica1.blogspot.com/2016/10/diodo-semicondutor.html>. Acesso em:
09/10/2018.
Figura 6 Região de depleção5

Quando os dois materiais P e N se juntam, essa junção forma uma região


central, onde os elétrons livres do lado N, ocupam as lacunas do lado P,
realizando o fenômeno chamado de recombinação.

Na região central, onde ocorre a recombinação, não há nem


elétrons livres e nem lacunas, ou seja, não há nada para conduzir corrente
elétrica naquela parte do diodo. Então a configuração do diodo é a parte N, com
elétrons livres, a camada de depleção, sem portadores de carga, e a região P,
que possui lacunas que se comportam como cargas positivas, como mostrado
na Figura 7.

Figura 7 Região de cargas descobertas 6

O funcionamento dos diodos semicondutores, pode ser analisado a partir


da sua estrutura interna formada pela junção PN aplicando entre seus terminais

5
Disponível em: <http://eletrofisica1.blogspot.com/2016/10/diodo-semicondutor.html>. Acesso em:
09/10/2018.
6
Disponível em: <http://eletrofisica1.blogspot.com/2016/10/diodo-semicondutor.html>. Acesso em:
09/10/2018.
três tensões de formas diferentes denominadas: nenhuma polarização,
polarização direta e polarização reversa.

Ao aplicar uma tensão nula, ou seja, com valor zero sobre a junção PN
nada vai mudar em relação a sua configuração inicial. Porém, aplicar uma tensão
positiva sobre os terminais de uma junção PN, de forma que fique diretamente
polarizada, ou seja, o terminal N do material seja associado ao potencial negativo
faz com que os elétrons livres contidos no material do tipo N sejam afastados em
direção à região de depleção, o mesmo acontece com as lacunas em relação
ao terminal positivo da tensão aplicada sobre o material do tipo P, forçando por
consequência que estas lacunas e elétrons sejam recombinados contribuindo
para a diminuição da região de depleção, também denominada zona de depleção
(Figura 8).

Figura 8 Alteração de polarização7

A alteração da polarização por sua vez, irá caracterizar uma


polarização reversa, aumenta-se a zona de depleção, pois os elétrons livres e
lacunas, neste caso, são atraídos pelos terminais da fonte, causando um
aumento dessa região, responsável por dificultar o fluxo dos portadores
majoritários à zero (Figura 9).

7
IFSC: Eletrônica geral. Disponível em: <https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.php/AULA_2_-
_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico>. Acesso em: 09/10/2018.
Figura 9 Polarização reversa8

Quando o diodo está polarizado reversamente, impedindo o fluxo de


corrente através de seus terminais, diz-se que o diodo está em bloqueio ou
condição de corte.

Observa-se que, para os diodos de silício, a tensão de polarização direta


necessária para que o dispositivo atinja o estado de máxima condução, é
aproximadamente 0,7 volts. Porém, nos diodos de germânio essa tensão diminui
para valores próximos a 0,3 volts, indicando que a partir desses valores de
tensão, denominada tensão offset, a corrente através do diodo começa a se
tornar perceptível, ou significante.

Porém, mesmo possuindo um potencial de junção maior, os diodos de


silício podem operar de forma eficaz em altas temperaturas e possuem maior
resistência a tensão de pico inversa (PIV), isso faz com que seja mais utilizado
em relação aos diodos de germânio.

Alguns diodos podem ainda operar sobre a região de polarização inversa,


mas no geral, quando os diodos recebem uma tensão negativa suficientemente
alta de polarização, a corrente aumenta rapidamente no sentido oposto ao da
tensão positiva. O potencial responsável pela mudança repentina da corrente é

8
IFSC: Eletrônica geral. Disponível em: <https://wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.php/AULA_2_-
_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-_T%C3%A9cnico>. Acesso em: 09/10/2018.
denominado como potencial Zener e representado por VZ. Porém, o aumento
paulatino da tensão inversa sobre um diodo, faz com que a velocidade da
corrente de portadores minoritários também aumente, assim a energia cinética
desses portadores aumentará a níveis propícios para que estes liberem através
das colisões, outros portadores minoritários, aumentando assim a corrente de
saturação inversa decorrente dos mesmos. Com isso, é possível projetar uma
região de ruptura por avalanche, porém nesta região, o diodo pode apresentar
mudança em seu funcionamento ou ainda pode ser danificado.

Existe ainda, o diodo Zener, específicos para funcionamento na região de


polarização inversa. Estes diodos são projetados de modo a aumentar os níveis
de dopagem nos materiais constituintes de sua estrutura a fim de diminuir o
potencial Zener à níveis extremamente baixos de tensão negativa, determinando
uma região Zener, que assim como a região de ruptura por avalanche, contribui
para uma mudança repentina da corrente, porém de forma segura, sem alterar
as características do componente.

Há ainda, o que chamamos o diodo ideal, quando um dispositivo que


apresenta características ideais de condução e bloqueio.

Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente elétrica


sem apresentar resistência, comportando-se como um interruptor fechado. O
interruptor fechado é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal em
condução.

Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se


como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O
interruptor aberto é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal na
condição de corte.

2 OBJETIVOS

O experimento tem como objetivo, analisar o funcionamento tanto dos


diodos retificadores, quanto dos diodos Zener. Construir a curva característica
para cada um dos diodos analisados. Comprovar o funcionamento do diodo
quando diretamente e inversamente polarizado.

3 MATERIAIS

Os materiais utilizados para esta atividade experimental foram:

 Diodo comum;
 Diodo Zener;
 Fonte CC;
 2 Multímetros;
 Resistor de 330 Ω

4 PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

4.1 Diodo comum e diodo Zener

Para a realização da primeira atividade experimental, foi montado um


circuito conforme a Figura 10.

Figura 10 Circuito com diodo comum9

Posteriormente, foi variada a tensão de entrada de acordo com os valores


teóricos oferecidos na tabela, medindo a corrente e a tensão nos componentes
com o multímetro. Os valores obtidos foram anotados na Tabela 1:

9
Fonte: roteiro experimental fornecido.
Tabela 1 Medidas experimentais - Diodo comum

Tensão Tensão medida Tensão diodo 1 Tensão resistência Corrente


teórica(mV) (mV) (mV) 1 (mV) medida (mA)
0,2 0,25 0,2 0,03 0,1
0,4 0,41 0,37 0,14 0,42
0,6 0,64 0,39 0,35 1,1
0,8 0,83 0,4 0,53 1,56
1 1,06 0,4 0,75 2,3
1,2 1,23 0,41 0,9 2,75
1,4 1,42 0,41 1,1 3,27
1,6 1,63 0,42 1,24 3,88
1,8 1,81 0,43 1,44 4,35
2 1,99 0,43 1,62 4,91
2,5 2,51 0,44 2,7 6,36
3 3,05 0,44 2,63 8,02
3,5 3,5 0,44 3,04 9,32
4 4,01 0,44 3,54 10,79
4,5 4,52 0,45 4,04 12,4
5 4,98 0,45 4,41 13,56
5,5 5,55 0,49 5,02 15,37
6 5,9 0,62 5,34 16,37
6,5 6,49 0,69 5,94 17,2
7 6,98 0,87 6,34 18,51

Com o mesmo circuito, foi invertida a tensão e repetidas as medidas, cujos


valores encontram-se na Tabela 2.

Tabela 2 Medidas experimentais diodo comum - tensão inversa

Tensão teórica Tensão medida Tensão diodo 1 Tensão resistência Corrente


(mV) (mV) (mV) 1 (mV) medida (mA)
-0,2 -0,21 -2,33 0 0
-0,4 -0,4 -4 0 0
-0,6 -0,59 -6,37 0 0
-0,8 -0,82 -7,98 0 0
-1 -1,07 -1 0 0
-1,2 -1,22 -1,15 0 0
-1,4 -1,39 -1,39 0 0
-1,6 -1,62 -1,64 0 0
-1,8 -1,86 -1,83 0 0
-2 -1,99 -2,04 0 0
-2,5 -2,55 -2,5 0 0
-3 -3,05 -3 0 0
-3,5 -3,54 -3,54 0 0
-4 -4,01 -4 0 0
-4,5 -4,52 -4,5 0 0
-5 -5,01 -5 0 0
-5,5 -5,58 -5,5 0 0
-6 -6,01 -6 0 0
-6,5 -6,42 -6,5 0 0
-7 -7,01 -6,94 0 0

Para a realização da segunda etapa da atividade, o mesmo procedimento


anterior foi repetido para o circuito com o diodo Zener, de acordo com a Figura
11.

Figura 11 Circuito com diodo Zener10

As medidas experimentais obtidas após as medições estão na Tabela 3.

Tabela 3 Medidas experimentais diodo Zener

Tensão Tensão Tensão diodo Tensão Corrente


teórica (mV) medida (mV) Zener (mV) resistência 1 (mV) medida (mA)
0,2 0,25 0,26 0 0
0,4 0,41 0,4 0 0
0,6 0,64 0,51 0 0
0,8 0,83 0,84 0 0
1 1,06 1,04 0 0
1,2 1,23 1,22 0 0
1,4 1,42 1,43 0 0
1,6 1,63 1,6 0 0
1,8 1,81 1,82 0 0
2 1,99 2,02 0 0
2,5 2,51 2,54 0 0
3 3,05 2,99 0 0
3,5 3,5 3,55 0 0
4 4,01 3,98 0 0
4,5 4,52 4,5 0 0

10
Fonte: roteiro experimental fornecido.
5 4,98 4,96 0,01 0,04
5,5 5,55 5,38 0,08 0,28
6 5,9 5,55 0,46 1,48
6,5 6,49 5,57 0,86 2,73
7 6,98 5,59 1,33 4,2

Com o mesmo circuito, foi invertida a tensão e repetidas as medidas, cujos


valores encontram-se na Tabela 4.

Tabela 4 Medidas experimentais diodo Zener - tensão inversa

Tensão Tensão Tensão diodo Tensão Corrente


teórica (mV) medida (mV) Zener (mV) resistência 1 (mV) medida (mA)
-0,2 0,25 0,249 0 0
-0,4 0,45 0,5 0 0
-0,6 0,65 0,64 0,11 0,02
-0,8 0,83 0,71 0,11 0,35
-1 1,04 0,73 0,3 0,95
-1,2 1,2 0,74 0,44 1,39
-1,4 1,41 0,75 0,63 2
-1,6 1,63 0,75 0,84 2,66
-1,8 1,81 0,76 1 3,18
-2 2,01 0,76 1,19 3,77
-2,5 2,55 0,77 1,7 5,39
-3 3,01 0,78 2,15 6,77
-3,5 3,55 0,78 2,66 8,39
-4 4 0,79 3,08 9,72
-4,5 4,52 0,79 3,58 11,31
-5 5 0,8 4,04 12,75
-5,5 5,54 0,8 4,54 14,32
-6 6,02 0,8 5,02 15,86
-6,5 6,54 0,81 5,52 17,46
-7 7,01 0,81 5,97 18,87

4.2 Retificador de Meia Onda e de Ponte Completa Utilizando Diodos

Para a realização do segundo procedimento experimental, foram


utilizados os seguintes equipamentos:
 4 diodos comuns;
 1 resistor de 100 Ω;
 1 fonte CC;
 1 multímetro;
 1 osciloscópio;
 1 resistor 1 Ω.

A primeira atividade consistiu em montar primeiramente um circuito de


acordo com a Figura 12. Em seguida foram medidos os valores de tensão e
corrente nos componentes de 1 V, 2 V e 4,5 V.

Figura 12 Circuito com diodo comum

O segundo circuito foi montado de acordo com a Figura 13. Em seguida foram
medidos os valores de tensão nos componentes de 4,5 V e de 13,5 V.

Figura 13 Circuito com diodo Zener


5 RESULTADOS E DISCUSSÕES

5.1 Diodo comum e diodo Zener

Utilizando os dados das tabelas anteriores, foram plotados os gráficos


da tensão em função da corrente, referente a cada diodo (comum e Zener).

Tensão diodo comum x Corrente


20
18
16
14
Tensão (mV)

12
10
8
6
4
2
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Corrente (mA)

Figura 14 Gráfico referente ao diodo comum polarizado diretamente

Tensão negativa diodo comum x Corrente


1
0.9
0.8
0.7
Tensão (mV)

0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
Corrente (mA)

Figura 15 Gráfico referente ao diodo comum polarizado reversamente


Tensão diodo Zener x Corrente
4.5
4
3.5
3
Tensão (mV)

2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6
Corrente (mA)

Figura 16 Gráfico referente ao diodo Zener polarizado diretamente

Tensão negativa diodo Zener x Corrente


20
18
16
14
Tensão (mV)

12
10
8
6
4
2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Corrente (mA)

Figura 17 Gráfico referente ao diodo Zener polarizado reversamente


Para a análise dos resultados obtidos, buscar-se-á responder as
seguintes questões:

1) Pelos dados obtidos, de que material deve ser o diodo comum?


Porque?

De material semicondutor de Germânio, pois, de acordo com a tabela


da Figura 14, notamos que o diodo permite a passagem de corrente
mais facilmente a partir de 0,3 V de tensão aplicada sobre ele.

2) Qual é a tensão Zener no segundo diodo?

Percebe-se no gráfico da Figura 17 que a corrente passa a fluir mais


facilmente a partir da tensão aplicada de 0,7 V, portanto trata-se de um
diodo Zener de Silício, de tensão 0,7 V.

3) Foi possível medir a corrente reversa do diodo? Porque?

No diodo comum, quando aplicada a tensão reversa, não foi medida


corrente alguma, como percebeu-se na Tabela 1 e no gráfico da Figura
15, afinal, como previsto pela teoria, qualquer diodo que é inversamente
polarizado praticamente não conduz corrente. Já no diodo Zener,
percebeu-se nos valores medidos da Tabela 4 e no gráfico da Figura 17
que o diodo, quando atingida a tensão Zener sobre ele, passou a
permitir a passagem de corrente, sendo que os valores da corrente
foram aumentando rapidamente, efeito conhecido como avalanche.

No caso da polarização reversa no diodo comum (gráfico da Figura 15),


nota-se que a região de ruptura não aparece, pois a tensão reversa aplicada é
tão baixa que não alcança a região de ruptura. A razão desse fenômeno é que
a região de depleção da junção PN se tornou grande o suficiente para não
permitir o fluxo de corrente (I = 0 A).
5.2 Retificador de Meia Onda e de Ponte Completa Utilizando Diodos

Da segunda prática experimental, foram obtidos os seguintes gráficos a


partir do osciloscópio.

Tef= v Max x 0,707


Tef= 1,36 x 0,707
Tef = 0,96152 V

Figura 18 Onda obtida para 1 V

Tef= v Max x 0,707


Tef= 3,16 x 0,707
Tef = 2,23412 V

Figura 19 - Onda obtida para 2 V


Tef= = v Max x 0,707
Tef= 6,24 x 0,707
Tef = 4,41168 V

Figura 20 Onda obtida para 4,5 V

Figura 21 Onda obtida para o resistor de 1V

VRMS = 0,66 . 0,707 = O, 46662 V

Percebe-se na figura 21 que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico deu uma diferença


de 0,383 V a mais que o valor prático.
Figura 22 - Onda Obtida para 1 V - Tensão de Entrada

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 1,36 . 0,707 = 0,96152 𝑉

Na figura 22, percebeu-se no valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado uma diferença de


0,038 V. Ou seja, o valor teórico foi maior que o prático.

Figura 23 - Onda Obtida para 1 V (Diodo)

VRMS = 0,7 . 0,707 = 0,4949 V

A figura 23 demonstra que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado diferenciou-se de


0,3581 V do valor prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 prático foi maior que o teórico.
Figura 24 - Onda Obtida para 2 V (Resistor)

VRMS = 2,4 . 0,707 = 1,69 V

Pela figura 24, notou-se que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,66 V maior
que o valor teórico.

Figura 25 - Onda Obtida para 2 V (Tensão de Entrada)

VRMS = 3,16 . 0,707 = 2,23 V

A figura 25 mostra que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi diferente em 0,07


V do valor prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o prático.
Figura 26 - Onda Obtida para 2 V (Diodo)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 0,760 . 0,707 = 0,53732 𝑉

A figura 26 mostra que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado variou em 1,09 V a


mais que o valor prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 prático deu maior que o teórico.

Figura 27 - Onda Obtida para 4,5 V (Resistor)

VRMS = 5,36 . 0,707 = 3,78952 V

A figura 27 ilustra que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 1,28 V maior que o
valor prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico deu maior que o prático.
Figura 28 - Onda Obtida para 4,5 V (Tensão de Entrada)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 6,24 . 0,707 = 4,41 𝑉

Na figura 28 percebe-se que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,13 V maior


que valor prático, assim o 𝑉𝑅𝑀𝑆 prático deu maior que o teórico.

Figura 29 - Onda Obtida para 4,5 V (Diodo)

VRMS = 0,80 . 0,707 = 0,5656 V

A figura 29 mostra que o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 2,93 V maior que o
valor prático, assim o 𝑉𝑅𝑀𝑆 prático foi maior que o teórico.
Figura 30 - Onda Obtida para 4,5 V (Resistor)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 5,04 . 0,707 = 3,56 𝑉

Na figura 30, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,31 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.

Figura 31 - Onda Obtida para 4,5 V (Tensão de Entrada no Diodo)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 6,32 . 0,707 = 4,47 𝑉

Na figura 31, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,09 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.
Figura 32 - Onda Obtida para 4,5 V (Corrente no diodo com tensão)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 0,0192 . 0,707 = 0,0136 𝑉

Na figura 32, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,0056 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.

Figura 33 - Onda Obtida para 4,5 V (Corrente no diodo sem tensão)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 0,0192 . 0,707 = 0,0136 𝑉

Na figura 33, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,056 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.
Figura 34 - Onda Obtida para 13,5 V (Resistor)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 18,2 . 0,707 = 12,87 𝑉

Na figura 34, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,57 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.

Figura 35 - Onda Obtida para 13,5 V (Tensão de entrada no diodo)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 19,8 . 0,707 = 13,999 𝑉

Na figura 35, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,199 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.
Figura 36 - Onda Obtida para 13,5 V (Corrente no diodo com tensão)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 0,076 . 0,707 = 0,054 𝑉

Na figura 36, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,018 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.

Figura 37 - Onda Obtida para 13,5 V (Corrente no diodo sem tensão)

𝑉𝑅𝑀𝑆 = 0,076 . 0,707 = 0,054 𝑉

Na figura 37, o valor do 𝑉𝑅𝑀𝑆 calculado foi 0,018 V maior que valor
prático, sendo que 𝑉𝑅𝑀𝑆 teórico foi maior que o valor prático.
6 CONCLUSÕES

Conclui-se, portanto, que as atividades experimentais desenvolvidas e


descritas neste relatório contribuíram para a compreensão mais efetiva do
funcionamento do diodo comum e diodo Zener, quando os mesmos são
polarizados direta e reversamente, comparando-se os dados experimentais
com o referencial teórico.

Os dados obtidos estão sujeitos a desvios devido à possíveis erros


experimentais resultantes da dificuldade na manipulação do regulador de
tensão e nas medidas de corrente realizadas com o multímetro.
REFERÊNCIAS

ROBERT, L. BOYLESTAD; NASHELSKY, LOUIS. Dispositivos Eletrônicos e


Teoria dos Circuitos. Rio de Janeiro, LTC SA, 1999.

ELETRÔNICA PT: Diodo Zener. Disponível em: < https://www.electronica-


pt.com/diodo-zener>. Acesso em: 08/10/2018.

IFSC: Eletrônica Geral. Betim, 2013. Disponível em:


<wiki.ifsc.edu.br/mediawiki/index.php/AULA_2_-_Eletr%C3%B4nica_Geral_1_-
_T%C3%A9cnico>. Acesso em: 09/10/2018.