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实验一

微波滤波器的设计
制作与调试
(一)实验目的
„ 了解微波滤波电路的原理及设计方法。
„ 学习使用ADS软件进行微波电路的设
计,优化,仿真。
„ 掌握微带滤波器的制作及调试方法。
(二)实验内容
„ 使用ADS软件设计一个微带带通滤波
器,并对其参数进行优化、仿真。
„ 根据软件设计的结果绘制电路版图,并
加工成电路板。
„ 对加工好的电路进行调试,使其满足设
计要求。
(三)微带滤波器的技术指标
„ 通带边界频率与通带内衰减、起伏
„ 阻带边界频率与阻带衰减
„ 通带的输入电压驻波比
„ 通带内相移与群时延
„ 寄生通带
(三)微带滤波器的技术指标
(续)
„ 前两项是描述衰减特性的,是滤波器的主要技术指
标,决定了滤波器的性能和种类(高通、低通、带
通、带阻等)。
„ 输入电压驻波比描述了滤波器的反射损耗的大小。
„ 群时延是指网络的相移随频率的变化率,定义为
dΥ/df ,群时延为常数时,信号通过网络才不会产生
相位失真。
„ 寄生通带是由于分布参数传输线的周期性频率特性引
起的 ,它是离设计通带一定距离处又出现的通带,
设计时要避免阻带内出现寄生通带。
(四)ADS软件的使用
„ 本节内容是介绍使用ADS软件设计微带
带通滤波器的方法:包括原理图绘制,
电路参数的优化、仿真,版图的仿真
等。
„ 下面开始按顺序详细介绍ADS软件的使
用方法。
ADS软件的启动
„ 启动ADS进入如下界面
创建新的工程文件
„ 点击File->New Project设置工程文件名
称(本例中为Filter)及存储路径
„ 点击Length Unit设置长度单位为毫米
创建新的工程文件(续)
„ 工程文件创建完毕后主窗口变为下图
创建新的工程文件(续)
„ 同时原理图设计窗口打开
微带滤波器的设计
„ 平行耦合线带通滤波器的设计
„ 下图是一个微带带通滤波器及其等效电路,它由平行的
耦合线节相连组成,并且是左右对称的,每一个耦合线
节长度约为四分之一波长(对中心频率而言),构成谐振
电路。我们以这种结构的滤波器为例,介绍一下设计的
过程。

等效电路
微带滤波器的设计(续)
„ 设计指标:通带3.0-3.1GHz,带内衰减小于2dB,起
伏小于1dB,2.8GHz以下及3.3GHz以上衰减大于
40dB,端口反射系数小于-20dB。
„ 在进行设计时,主要是以滤波器的S参数作为优化目标
进行优化仿真。S21(S12)是传输参数,滤波器通带、阻
带的位置以及衰减、起伏全都表现在S21(S12)随频率变
化曲线的形状上。S11(S22)参数是输入、输出端口的反
射系数,由它可以换算出输入、输出端的电压驻波
比。如果反射系数过大,就会导致反射损耗增大,并
且影响系统的前后级匹配,使系统性能下降。
生成滤波器的原理图
„ 在原理图设计窗口中选择微带电路的工具

„ 窗口左侧的工具栏变为右图所示
„ 在工具栏中点击选择耦合线Mcfil
并在右侧的绘图区放置
„ 选择微带线MLIN 以及控件
MSUB 分别放置在绘图区中
„ 选择画线工具 将电路连接好,
连接方式见下页图
生成滤波器的原理图(续)
设置微带电路的基本参数
„ 上页图中五个Mcfil表示滤波器的五个耦合线节,两
个MLIN表示滤波器两端的引出线
„ 双击图上的控件MSUB设置微带线参数
„ H:基板厚度(0.8 mm)
„ Er:基板相对介电常数(4.3)
„ Mur:磁导率(1)
„ Cond:金属电导率(5.88E+7)
„ Hu:封装高度(1.0e+33 mm)
„ T:金属层厚度(0.03 mm)
„ TanD:损耗角正切(1e-4)
„ Roungh:表面粗糙度(0 mm)
设置微带电路的基本参数
(续)
„ 修改微带线参数窗口(左图),也可以点击MSUB下面
的文字直接进行修改(右图),但要注意数字与单位
之间有一个空格.
微带线计算工具
„ 滤波器两边的引出线是特性阻抗为50欧姆的微带线,它的宽
度W可由微带线计算工具得到,具体方法是点击菜单栏Tools
-> LineCalc -> Start Linecalc,出现一个新的窗口(如下页
图)。
„ 在窗口的Substrate Parameters栏中填入与MSUB中相同的微带线参
数。
„ 在Cpmpnet Parameters填入中心频率(本例中为3.05GHz)。
„ Physical栏中的W和L分别表示微带线的宽和长。
„ Electrical栏中的Z0和E_Eff分别表示微带线的特性阻抗和相位延迟。
„ 点击Synthesize和Analyze栏中的 箭头,可以进行W、L与Z0、
E_Eff间的相互换算。
„ 填入50 Ohm和90 deg可以算出微带线的线宽1.52 mm和长度
13.63 mm(四分之一波长)。 17
微带线计算工具(续)
微带线计算工具(续)
„ 另外打开的一个窗口显示当前运算状态以及错
误信息。
设置微带器件的参数
„ 双击两边的引出线TL1、TL2,分别将其宽与长设为1.52
mm和2.5 mm(其中线长只是暂定,以后制作版图时还会修
改)。
„ 平行耦合线滤波器的结构是对称的,所以五个耦合线节
中,第1、5及2、4节微带线长L、宽W和缝隙S的尺寸是相
同的。耦合线的这些参数是滤波器设计和优化的主要参
数,因此要用变量代替,便于后面修改和优化。
„ 双击每个耦合线节设置参数,W、S、L分别设为相应的变
量,单位mm,其中的W1与W2参数代表该器件左右相邻两
侧的微带器件的线宽,它们用来确定器件间的位置关系。
在设置W1、W2时,为了让它们显示在原理图上,要把
Display parameter on schematic的选项勾上。
耦合线节参数设置窗口
设置微带器件参数后的原理图
添加变量
„ 单击工具栏上的VAR 图标,把变量控件VAR放置
在原理图上,双击该图标弹出变量设置窗口,依次
添加各耦合线节的W,L,S参数。
„ 在name栏中填变量名称,Variable Value栏中填变量
的初值,点击Add添加变量,然后单击
Optimization/Statistics Setup…按钮设置变量的取值
范围,其中的Enabled/Disabled表示该变量是否能被
优化(见下页图)。
„ 耦合线节的长L约为四分之一波长(根据中心频率用微
带线计算工具算出),微带线和缝隙的宽度最窄只能
取0.2 mm(最好取0.5 mm以上)。
变量设置窗口
S参数仿真电路设置
„ 在原理图设计窗口中选择S参数仿真的工具栏

„ 选择Term 放置在滤波器两边,用来定义端
口1和2,点击 图标,放置两个地,并按照
下页图连接好电路。
„ 选择S参数扫描控件 放置在原理图中,并设
置扫描的频率范围和步长,频率范围根据滤波
器的指标确定(要包含通带和阻带的频率范
围)。
S参数仿真电路设置(续)
优化目标的设置
„ 在原理图设计窗口中选择优化
工具栏
„ 选择优化设置控件 放置在原
理图中,双击该控件设置优化
方法及优化次数。
„ 常用的优化方法有Random(随
机)、Gradient(梯度)等。
„ 随机法通常用于大范围搜索,梯
度法则用于局部收敛
优化目标的设置(续)
„ 选择优化目标控件Goal 放置在原理图中,双
击该控件设置其参数。
„ Expr是优化目标名称,其中dB(S(2,1))表示以dB为单位
的S21参数的值。
„ SimlnstanceName是仿真控件名称,这里选择SP1
„ Min和Max是优化目标的最小与最大值。
„ Weight是指优化目标的权重。
„ RangeVar[1]是优化目标所依赖的变量,这里为频率
freq。
„ RangeMin[1]和RangeMax[1]是上述变量的变化范围。
优化目标的设置(续)
优化目标的设置(续)
„ 这里总共设置了四个优化目标,前三个的优化
参数都是S21,用来设定滤波器的通带和阻带的
频率范围及衰减情况(这里要求通带衰减小于2
dB,阻带衰减大于40 dB),最后一个的优化参
数是S11,用来设定通带内的反射系数(这里要
求小于 -20 dB),具体数值见下页图。
„ 由于原理图仿真和实际情况会有一定的偏差,
在设定优化参数时,可以适当增加通带宽度。
对于其它的参数,也可以根据优化的结果进行
一定的调整。
优化目标的设置(续)
进行参数优化
„ 设置完优化目标后最好先把原理图存储一下,然后就可
以进行参数优化了。
„ 点击工具栏中的Simulate 按钮就开始进行优化仿真
了。在优化过程中会打开一个状态窗口显示优化的结果
(见下页图),其中的CurrentEF表示与优化目标的偏差,
数值越小表示越接近优化目标,0表示达到了优化目标,
下面还列出了各优化变量的值,当优化结束时还会打开
图形显示窗口。
„ 在一次优化完成后,要点击原理图窗口菜单中的
Simulate -> Update Optimization Values保存优化后的
变量值(在VAR控件上可以看到变量的当前值),否则优化
后的值将不保存。
进行参数优化(续)
„ 经过数次优化后,CurrentEf的值为0,即为优化
结束。优化过程中根据情况可能会对优化目标、
优化变量的取值范围、优化方法及次数进行适当
的调整。
观察仿真曲线
„ 优化完成后必须关掉优化控件,才能观察仿真的曲
线。方法是点击原理图工具栏中的 按钮,然后点
击优化控件OPTIM,则控件上打了红叉表示已经被关
掉。
„ 要想使控件重新开启,只需点击工具栏中的 按钮,
然后点击要开启的控件,则控件上的红叉消失,功能
也重新恢复了。
„ 对于原理图上其他的部件,如果想使其关
闭或开启,也可以采取同样的方法。
关闭优化控件后的原理图
观察仿真曲线
„ 点击工具栏中的Simulate 按钮进行仿真,仿真结束后
会出现图形显示窗口。
观察仿真曲线(续)
„ 点击图形显示窗口左侧工具栏中的 按钮,放置一个方
框到图形窗口中,这时会弹出一个设置窗口(见下页图),
在窗口左侧的列表里选择S(1,1)即S11参数,点击Add按钮
会弹出一个窗口设置单位(这里选择dB),点击两次OK
后,图形窗口中显示出S11随频率变化的曲线。
„ 用同样的方法依次加入S22,S21,S12的曲线,由于滤波
器的对称结构,S11与S22,以及S21与S12曲线是相同的。
„ 为了准确读出曲线上的值,可以添加Marker,方法是点击
菜单中的Marker -> New,出现Instert Marker的窗口,接
着点击要添加Marker的曲线,曲线上出现一个倒三角标
志,点击拖动此标志,可以看到曲线上各点的数值。
选择仿真曲线参数及其单位
观察仿真曲线
观察仿真曲线(续)
„ 观察S11(S22)和S21 (S12)曲线是否满足指标要求
(包括优化目标中未设定的带内起伏小于1dB的要
求),如果已经达到指标要求,就可以进行版图
的仿真了。
„ 版图的仿真是采用矩量法直接对电磁场进行计
算,其结果比在原理图中仿真要准确,但是它的
计算比较复杂,需要较长的时间,在此作为对原
理图设计的验证。所以在版图仿真前要看一下相
邻各耦合线节的微带线宽是否相差过大,如果相
差过大就会造成原理图和版图仿真有较大的差
别,这就需要改变变量初值重新进行优化。
版图的仿真
„ 首先要由原理图生成版图,生成版图前先要把原理图
中用于S参数仿真的两个Term以及接地去掉,不让他
们出现在生成的原理图中。去掉的方法与前面关掉优
化控件的相同,都是使用 按钮,把这些元件打上
红叉(见下页图)。
„ 然后点击菜单中的Layout -> Generate/Update
Layout,弹出一个设置窗口,直接点OK,又出现一个
窗口,再点OK,完成版图的生成,这时会打开一个显
示版图的窗口,里面有刚生成的版图(见后面几页的
图) 。
用于生成版图的原理图
生成版图的设置窗口
版图仿真的窗口
版图的仿真
„ 版图生成后先要设置微带电路的基本参数(即原理图中
MSUB里的参数),方法是点击版图窗口菜单中的
Momentum -> Substrate -> Update From Schematic从
原理图中获得这些参数,点击Momentum -> Substrate -
> Create/Modify可
以修改这些参数。
版图的仿真(续)
„ 为了进行S参数仿真还要在滤波器两侧添加两个端口,做
法是点击工具栏上的Port 按钮,弹出port设置窗口,
点击OK关闭该窗口,在滤波器两边要加端口的地方分别
点击加上两个port,将版图放大后可以看到两个端口(见
下图中的P1、P2)。
版图的仿真(续)
„ 点击Momentum -> Simulation -> S-parameter弹出仿真
设置窗口,该窗口右侧的Sweep Type选择Adaptive,起止
频率设为与原理图中相同,采样点数限制取10 (因为仿真
很慢,所以点数不要取得太多)。然后点击Update按钮,
将设置填入左侧列表中,点击Simulate按钮开始进行仿
真。仿真过程中会出现一个状态窗口显示仿真进程(见下页
图)。
„ 仿真运算要进行数分钟,仿真结束后将出现曲线显示窗
口,观察S11和S21曲线,性能有不同程度的恶化,此处要
求S21在通带内衰减小于2.5dB,起伏小于1dB,阻带衰减
大于40 dB。S11在通带内最好小于-15dB。
版图仿真设置窗口以及状态窗口
版图仿真的曲线
版图的仿真
„ 如果版图仿真得到的曲线不满足指标要求,那么要
重新回到原理图窗口进行优化仿真,产生这种情况
的原因是相邻耦合线节间的线宽相差过大或者其它
的参数取值不合适,可以改变优化变量的初值,也
可根据曲线与指标的差别情况适当调整优化目标的
参数,重新进行优化。
„ 在返回原理图重新优化时,要先使刚才打红上叉的
部件恢复有效,然后才能进行优化,之后重复前面
所述的过程,直到版图仿真的结果达到要求为止。
其他参数
„ 在进行原理图仿真时,还可以看到滤波器的群时延以
及输入的电压驻波比等参数。双击S参数控件,在其
设置窗口的Parameters选项卡中勾上Group delay选
项,就会在仿真时计算群时延。把左侧工具栏设为
,并把VSWR 控件放置
在原理图中,即可计算输入驻波比。
„ 要观察这两个参数的曲线,只需在仿真后出现的图形
显示窗口中添加delay(2,1)及VSWR的曲线即可。
„ 在优化完成后,还可以把S参数仿真的频率范围加
大,看看滤波器的寄生通带出现在什么频率上。
ADS使用小结
„ 以上介绍了使用ADS进行微带电路设计的一些
基本方法,在实际使用软件时还会遇到各种具
体的问题,多看Help是最好的解决方法。
„ 在优化仿真过程中,要明确物理概念,避免无
意义的工作。
„ ADS软件的功能十分强大,应用很广,这里我
们只介绍了其中很少的一部分,如果对其他功
能感兴趣的话,可以看看它的Example
Prpject,这样会对它的应用有更全面的了解。
(五)电路版图的绘制
„ 仿真完成后要根据结果用Protel软件绘制电路
版图,绘制版图时要注意以下几点。
„ 所用电路板是普通的双层板,上层用来绘制电路,
下层整个作为接地。
„ 在绘制版图时受加工工艺的限制,尺寸精度到0.01
mm即可,线宽和缝隙宽度要大于0.2mm
„ 考虑到加工电路板时的侧向腐蚀问题,微带线的宽
度和长度要适当增加。
„ 版图的大小要符合规定尺寸,以便于安装在测试架
上。
(六)滤波器电路的调试
„ 对照设计的版图检查、测量加工好的微带电路板
上各段微带线以及缝隙的实际尺寸,并作记录。
„ 将电路板安装到测试架上。
„ 按下面的测试框图用网络分析仪(型号为Agilent
8714ES)对滤波器的各项指标进行测试(网络分
析仪的使用参照仪器说明书)。
滤波器电路的调试(续)
„ 需要测试的参数主要有以下几个
„ S11,S22:输入、输出端口的反射系数
„ S21,S12:正向、反向传输系数
„ Group delay:群时延
„ 观察网络分析仪测量的结果是否达到指标要求并
与前面仿真的结果做比较。
„ 把实际测量的电路尺寸置于ADS软件中进行仿
真,把结果与实际测量结果相比较。
„ 如果测试结果与设计要求相差过多,则需对电路
进行调整,直至重新进行设计、制板。
思考题
„ 如果测试中发现滤波器通带的中心频率偏高50MHz,
则应当增加还是减小耦合线节的长度,才能使通带移
到正确的频率?
„ 信号通过滤波器时产生的衰减可能来自哪几个方面?
实验二
功分器的设计
制作与调试
(一) 实验目的
了解功率分配器电路的原理及设计方
法。
学习使用ADS软件进行微波电路的设
计,优化,仿真。
掌握功率分配器的制作及调试方法。
(二) 实验内容
了解功分器的工作原理。
使用ADS软件设计一个功分器,并对其
参数进行优化、仿真。
根据软件设计的结果绘制电路版图,并
加工成电路板。
对加工好的电路进行调试,使其满足设
计要求。
(三) 功分器的技术指标
通带内各端口反射系数
通带内两输出端口间的隔离度
通带内传输损耗
通带内功分比
通带内相位平衡度
(四) 用ADS软件设计功分器
本节内容是介绍使用ADS软件设计功分
器的方法:包括原理图绘制,电路参数
的优化、仿真,版图的仿真等。
下面开始按顺序详细介绍ADS软件的使
用方法。
ADS软件的使用
启动ADS进入如下界面
创建新的工程文件
点击File->New Project设置工程文件名
称(本例中为divider)及存储路径
点击Length Unit设置长度单位为毫米
创建新的工程文件(续)
工程文件创建完毕后主窗口变为下图
创建新的工程文件(续)
同时原理图设计窗口打开
功分器的设计
下图是一个等功率分配器,它由两段不同特性阻
抗的微带线组成,两臂是对称的。我们以这种结
构的功分器为例,介绍一下设计的过程。
2

3
功分器的设计(续)
设计指标:通带0.9-1.1GHz,功分比为1:
1,带内各端口反射系数小于-20dB ,两输出
端隔离度小于-25dB,传输损耗小于3.1dB。
在进行设计时,主要是以功分器的S参数作为
优化目标进行优化仿真。S21、 S31是传输参
数,反映传输损耗;S11、 S22、 S33分别是输
入输出端口的反射系数。S23反映了两个输出
端口之间的隔离度。
生成功分器的原理图
在原理图设计窗口中选择微带电路的工具

窗口左侧的工具栏变为右图所示
选择微带线 以及
控件MSUB 分别放置在绘图区中
选择画线工具 将电路连接好,
连接方式见下页图(本图只是提
供参考,还有其它形式可供选择。)
功分器的原理图示例
设置微带电路的基本参数
双击图上的控件MSUB设置微带线参数
„ H:基板厚度(0.8 mm)
„ Er:基板相对介电常数(4.3)
„ Mur:磁导率(1)
„ Cond:金属电导率(5.88E+7)
„ Hu:封装高度(1.0e+33 mm)
„ T:金属层厚度(0.03 mm)
„ TanD:损耗角正切(1e-4)
„ Roungh:表面粗糙度(0 mm)
微带线计算工具
功分器两边的引出线是特性阻抗为50欧姆的微带
线,它的宽度W可由微带线计算工具得到。
填入50 Ohm可以算出微带线的线宽1.52 mm。
填入70.7 Ohm和90 deg可以算出微带线的线宽
0.79 mm和长度42.9 mm(四分之一波长)。
设置微带器件的参数

双击每个微带线设置参数,W、L分别设为相
应的变量或常量,单位mm,注意上下两臂的
对称性。
添加变量
单击工具栏上的VAR 图标,把变量控
件VAR放置在原理图上,双击该图标弹
出变量设置窗口,依次添加W,L参数。
中间微带线的长度大约为四分之一波长
(根据中心频率用微带线计算工具算
出),各个线宽的初始值可以用微带线计
算工具算出,微带线的宽度最窄只能取
0.2 mm(最好取0.5 mm以上)。
S参数仿真电路设置
在原理图设计窗口中选择S参数仿真的工具栏

选择Term 放置在功分器三个端口上,用来
定义端口1、2和3,点击 图标,放置三个
地,并按照下页图连接好电路。
选择S参数扫描控件 放置在原理图中,并设
置扫描的频率范围和步长,频率范围根据功分
器的指标确定。
S参数仿真电路设置(续)
优化目标的设置
在原理图设计窗口中选择优
化工具栏
选择优化设置控件 放置
在原理图中,双击该控件设
置优化方法及优化次数。
„ 常用的优化方法有Random(随
机)、Gradient(梯度)等。
„ 随机法通常用于大范围搜索,
梯度法则用于局部收敛
优化目标的设置(续)
这里总共设置了四个优化目标,由于
电路的对称性,S31和S33不用设置优
化。S11和S22分别用来设定输入输出
端口的反射系数,S21用来设定功分
器通带内的衰减情况,S23用来设定
两个输出端口的隔离度。
优化目标的设置(续)
进行参数优化
设置完优化目标后最好先把原理图存储一下,然后就可
以进行参数优化了。
点击工具栏中的Simulate 按钮就开始进行优化仿真
了。在优化过程中会打开一个状态窗口显示优化的结果
(见下页图),其中的CurrentEF表示与优化目标的偏差,
数值越小表示越接近优化目标,0表示达到了优化目标,
下面还列出了各优化变量的值,当优化结束时还会打开
图形显示窗口。
在一次优化完成后,要点击原理图窗口菜单中的
Simulate -> Update Optimization Values保存优化后的
变量值(在VAR控件上可以看到变量的当前值),否则优化
后的值将不保存。
观察仿真曲线
优化完成后必须关掉优化控件,才能观察仿真的曲线。方
法是点击原理图工具栏中的 按钮,然后点击优化控件
OPTIM,则控件上打了红叉表示已经被关掉。
要想使控件重新开启,只需点击工具栏中的 按钮,然
后点击要开启的控件,则控件上的红叉消失,功能也重新
恢复了。
对于原理图上其他的部件,如果想使其关
闭或开启,也可以采取同样的方法。
点击工具栏中的Simulate 按钮进行仿真,
仿真结束后会出现图形显示窗口。
观察仿真曲线(续)
点击图形显示窗口左侧工具栏中的 按钮,放置
一个方框到图形窗口中,这时会弹出一个设置窗口
(见下页图),在窗口左侧的列表里选择S(1,1)即S11
参数,点击Add按钮会弹出一个窗口设置单位(这里
选择dB),点击两次OK后,图形窗口中显示出S11随
频率变化的曲线。
用同样的方法依次加入S22,S21,S23的曲线。
为了准确读出曲线上的值,可以添加Marker,方法
是点击菜单中的Marker -> New,出现Instert
Marker的窗口,接着点击要添加Marker的曲线,曲
线上出现一个倒三角标志,点击拖动此标志,可以
看到曲线上各点的数值。
观察仿真曲线(续)
观察仿真曲线(续)
观察S参数曲线是否满足指标要求,如
果已经达到指标要求,就可以进行版
图的仿真了。
版图的仿真是采用矩量法直接对电磁
场进行计算,其结果比在原理图中仿
真要准确,但是它的计算比较复杂,
需要较长的时间,在此作为对原理图
设计的验证。
版图的仿真
首先要由原理图生成版图,生成版图前先要把原理图
中用于S参数仿真的两个Term以及接地去掉,不让他
们出现在生成的原理图中。去掉的方法与前面关掉优
化控件的相同,都是使用 按钮,把这些元件打上
红叉(见下页图)。
然后点击菜单中的Layout -> Generate/Update
Layout,弹出一个设置窗口,直接点OK,又出现一个
窗口,再点OK,完成版图的生成,这时会打开一个显
示版图的窗口,里面有刚生成的版图。
用于生成版图的原理图
版图仿真的窗口
版图的仿真
版图生成后先要设置微带电路的基本参数(即原理图中
MSUB里的参数),方法是点击版图窗口菜单中的
Momentum -> Substrate -> Update From Schematic从
原理图中获得这些参数,点击Momentum -> Substrate -
> Create/Modify可
以修改这些参数。
版图的仿真(续)
为了进行S参数仿真还要在功分器两侧添加两个端
口,做法是点击工具栏上的Port 按钮,弹出port
设置窗口,点击OK关闭该窗口,在滤波器两边要加
端口的地方分别点击加上两个port。
电阻要替换成薄膜电阻 ,在
中选取,否则无法用矩量法进行仿真,注意薄膜电
阻的宽度要和连接的微带线一致,不要忘记在
substrate中的metallization layers中加入薄膜电阻
所在的层。
版图的仿真(续)
点击Momentum -> Simulation -> S-
parameter弹出仿真设置窗口,该窗口右侧的
Sweep Type选择Adaptive,起止频率设为与
原理图中相同,采样点数限制取10 (因为仿
真很慢,所以点数不要取得太多)。然后点击
Update按钮,将设置填入左侧列表中,点击
Simulate按钮开始进行仿真。仿真过程中会
出现一个状态窗口显示仿真进程(见下页
图)。
仿真运算要进行数分钟,仿真结束后将出现
曲线显示窗口,观察S参数曲线,性能有不同
程度的恶化。
观察仿真曲线
版图的仿真
如果版图仿真得到的曲线不满足指标要求,
那么要重新回到原理图窗口进行优化仿真,
可以改变优化变量的初值,也可根据曲线与
指标的差别情况适当调整优化目标的参数,
重新进行优化。
在返回原理图重新优化时,要先使刚才打红
上叉的部件恢复有效,然后才能进行优化,
之后重复前面所述的过程,直到版图仿真的
结果达到要求为止。
(五) 电路版图的绘制
仿真完成后要根据结果用Protel软件绘制电路版
图,绘制版图时要注意以下几点
„ 所用电路板是普通的双层板,上层用来绘制电路,下
层整个作为接地。
„ 在绘制版图时受加工工艺的限制,尺寸精度到0.01mm
即可,线宽和线间缝隙要大于0.2mm。
„ 考虑到加工电路板时的侧向腐蚀问题,微带线的宽度
和长度要适当增加。
„ 版图的大小要符合规定尺寸,功分器的两个输出端口
的间距要符合规定值,以便于安装在测试架上。
(六) 功分器电路的调试
对照设计的版图检查、测量加工好的电路板上各段微带线
的实际尺寸,并作记录。
将电阻焊到电路板上,并把电路板安装到测试架上。
按下面的测试框图用网络分析仪(型号为Agilent
8714ES)对功分器的各项指标进行测试(网络分析仪的
使用参照仪器说明书)。功分器有三个端口,当任意两个
端口接网络分析仪时,第三个端口要接匹配负载。
功分器电路的调试(续)
需要测试的参数主要有以下几个
„ S11,S22,S33:输入、输出端口的反射系数
„ S21,S31:正向传输系数,要测幅度及相位
„ S23,S32:两输出端口的间隔离度
根据S21,S31的幅度和相位可以得到两个
输出端口的功分比以及相位平衡度。
功分器电路的调试(续)
观察网络分析仪测量的结果是否达到指
标要求并与前面仿真的结果做比较。
把实际测量的电路尺寸置于ADS软件中
进行仿真,把结果与实际测量结果相比
较。
如果测试结果与设计要求相差过多,则
需对电路进行调整,直至重新进行设
计、制版。
思考题

™当这种形式的功分器作为功率合成器使用时,如
何测试各项指标?
™如果技术指标难以达到,如何修改电路拓扑结
构?另外还有哪些电路拓扑形式可以采用?
实验三
矩形微带天线的设计
(一)实验目的
„ 了解微带天线设计的基本流程
„ 掌握矩形微带天线的设计方法
„ 熟悉在ADS的layout中进行射频电路设计
的方法
(二)设计要求
„ 用陶瓷基片(εr=9.8),厚度h=
1.27mm,设计一个在3GHz附近工作的
矩形微带天线。
„ 基片选择的理由是:陶瓷基片是比较常
用的介质基片,其常用的厚度是h=
1.27mm,0.635mm,0.254mm。其中
1.27mm的基片有较高的天线效率,较宽
的带宽以及较高的增益。
(三)微带天线的技术指标

„ 辐射方向图
„ 天线增益和方向性系数
„ 谐振频率处反射系数
„ 天线效率
(四)设计的总体思路
„ 计算相关参数
„ 在ADS的Layout中初次仿真

„ 在Schematic中进行匹配

„ 修改Layout,再次仿真,完成天线设计
(五)相关参数的计算
„ 需要进行计算的参数有
„ 贴片宽度W
„ 贴片长度L
„ 馈电点的位置z
„ 馈线的宽度
(五)相关参数的计算(续)
„ 贴片宽度W、贴片长度L、馈电点的位置
z可由公式计算得出

„ 馈线的宽度可以由Transmission Line
Calculator 软件计算得出
(五)相关参数的计算(续)
(六)用ADS设计过程
„ 有了上述的计算结果,就可以用ADS进
行矩形微带天线的设计了

„ 下面详细介绍设计过程
ADS软件的启动
„ 启动ADS进入如下界面
创建新的工程文件
„ 进入ADS后,创建一个新的工程,命名
为rect_prj。打开一个新的layout文件,
首先设定度量单位。在ADS中,度量单
位的缺省值为mil,把它改为mm。方法
是:单击鼠标右键->Preferences…-
>Layout Units ,如下图所示
设定度量单位
介质层设置
„ 在ADS的Layout中进行设计,介质层和金
属层的设置很重要
„ 在菜单栏里选择Momentum-
>Substrate->Create/Modify…, 在
Substrate Layer标签里,保留FreeSpace
和////GND////的设置不变,点击Alumina
层,修改其设置为:
介质层设置(续)
金属层设置
„ 点击Metallization Layers标签,在Layout
Layer下拉框中选择cond,然后在右边的
Definition下拉框中选择Sigma(Re,
thickness),参数设置如下页图。
„ 然后在Substrate Layer栏中选择“------”
后,点击“Strip”按钮,这将看到“------
Strip cond”。一切完成后,点击OK。
金属层设置(续)
在Layout中制版
„ 准备工作做好以后,下面就可以进行
Layout中的作图了。
„ 先选定当前层为v cond,再按照前面计
算出来的尺寸作图。
„ 最后在馈线端加入端口
在Layout中制版(续)
仿真预设置
„ 在进行layout仿真之前,先要进行预设
置。在菜单栏选择Momentum ->Mesh-
>Setup,选择Global标签。 鉴于ADS在
Layout中的Momentum仿真是很慢的,
在允许的精度下,可以把“Mesh
Frequency”和 “Number of Cells per
Wavelength” 设置得小一点
仿真预设置(续)
进行仿真
„ 点击Momentum -> Simulation -> S-
parameter弹出仿真设置窗口,该窗口右
侧的Sweep Type选择Linear, Start、
Stop分别选为2.5GHz、3.5GHz,
Frequency Step选为0.05GHz。Update
后,点击Simulation按钮。
仿真结果
对仿真结果的探讨
„ 由上图可见,理论上的计算结果与实际
的符合还是相当不错的,中心频率大约
在2.95GHz左右。只是中心频率处反射系
数S11还比较大,从而匹配不理想,在
3GHz处,m1距离圆图上的坐标原点还有
相当的距离。在3GHz下的输入阻抗是:
Z0*(0.103-j0.442)=5.15-j22.1
总体的2D辐射方向图
在原理图中进行匹配
„ 为了进一步减小反射系数,达到较理想
的匹配,并且使中心频率更加精确,可
以在Schmatic中进行匹配。
„ 天线在3GHz下的输入阻抗是:Z0*
(0.103-j0.442)=5.15-j22.1,这可以
等效为一个电阻和电容的串连。
匹配原理
„ 匹配的原理是:串联一根50欧姆传输
线,使得S11参数在等反射系数圆上旋
转,到达g=1的等g圆上,然后再并联一
根50欧姆传输线,将S11参数转移到接近
0处。所需要计算的就是串连传输线和并
联传输线的长度
„ ADS原理图中优化功能可以出色的完成
这个任务
匹配过程
„ 新建一个Schematic文件,绘出如下的电路图:
匹配过程(续)
„ 其中TL1和TL2的L是
待优化的参量,初值
取10mm,优化范围
是1mm到20mm。

„ 设置好MSub的值
匹配过程(续)
„ 插入S参数优化器,一个
Goal。其中Goal的参数
设置如下:
„ 这里dB(S(1,1))
的最大值设为-50dB,是
因为在Schematic中的仿
真要比在Layout中的仿
真理想得多,所以要求
设置得比较高,以期在
Layout中有较好的表
现。
匹配过程(续)
„ 设置好OPTIM。
„ 常用的优化方法有Random(随机)、
Gradient(梯度)等。随机法通常用于大范围
搜索,梯度法则用于局部收敛。这里选择
Random。
„ 优化次数可以选得大些。这里设为300。
„ 其他的参数一般设为缺省即可。
匹配过程(续)
„ 优化电路
图为:
匹配过程(续)
„ 点击仿真按钮,当CurrentEF=0时,优
化目标完成。把它update到原理图上
(Simulate->Update Opimization
Values)。
„ Deactivate优化器。最终原理图如下:
匹配过程(续)
原理图中的仿真
„ 点击仿真
按钮,可
以看到仿
真结果
为:
原理图中的仿真(续)
„ 放置Marker可以得到更详细的数据

„ 在中心频率f=3GHz处,S(1,1)的幅值是
5.539E-4,可见已经达到相当理想的匹
配。
修改Layout
„ 参照Schematic计算出来的结果,修改Layout图形如下
两点说明
„ 由于这里是手工布板,而不是由
Schematic自动生成的,传输线的长度可
能需要稍作调整(但不超过1mm)。注意
要把原先的3mm馈线长度也算进去。
„ 为了方便输入,在电路的左端加了一段
50Ω的传输线。其长度对最终仿真结果
的影响微乎其微。这里取1mm。
仿真结果
„ 按照前述的步骤进行仿真,仿真结果是
仿真结果(续)
„ 为了较精确地给出匹配的结果,我们将
仿真频率范围设为2.9GHz到3.1GHz,步
长精确到10MHz。
„ 可见进行原理图匹配的结果是十分理想
的。
„ 下面具体给出一些仿真结果。
总体的2D辐射方向图
天线增益和方向性系数
天线效率
(七)设计小结
„ 矩形微带天线设计是微带天线设计的基础,然
而作为一名新手,想熟练顺利地掌握其设计方
法与流程却也有些路要走。
„ 多仿照别人的例子操作,多自己动手亲自设
计,多看帮助文件,是进入射频与微波设计殿
堂的不是捷径的捷径。
(七)设计小结(续)
„ 一般来说,按照公式计算出来的矩形天线其反
射系数都还会比较大的,在圆图中反映出来的
匹配结果也不是很理想。这也许是由一些公式
的近似导致的,但这也使电路匹配成为设计工
作必不可少的一环。
„ 在用Schematic进行天线的匹配时,以S11为目
标利用仿真优化器来求所需传输线长度的方
法 ,是一种省时省力有效的方法。
Thank you!
fugw
2003. 6
实验四
印刷偶极子天线的
设计与调试
(一)实验目的

„ 了解印刷偶极子天线的结构和工作原理
„ 学习使用ADS Momentum设计天线的基
本方法
„ 仿真,调试,优化印刷偶极子天线
(二)实验内容
„ 熟悉ADS Layout的使用环境。
„ 使用ADS软件设计一个1.8GHz的印刷偶
极子天线。
„ 通过仿真分析该天线的性能。
(三)微带天线的技术指标
„ 谐振频率(Resonance Frequency)
„ 带宽(Bandwidth)
„ 反射损耗(Return Loss)
„ 输入阻抗(Impedance)
„ 增益(Gain)
(四)印刷偶极子天线简介
——结构图

立体图 平面图
(四)印刷偶极子天线简介
——组成部分
天线的组成包括
偶极子天线臂
巴伦线
地板
馈线
通孔

箭头的方向表示了电流的流向
1.8GHz印刷偶极子天线的尺

偶极子天线臂 Ld=29mm Wd=6mm Gap g2=3mm

微带巴伦 Lb=25mm Lh=3mm Gap g1=1mm


Wf=3mm Wb=5mm Wh=3mm
通孔 r=0.4mm
地板 Lg=12mm Wg=19mm
(五)ADS软件的使用

„ 本节内容是介绍使用ADS软件设计印刷
偶极子天线的方法:包括Layout绘制、
层定义、端口定义、仿真,优化等。
„ 下面开始按顺序详细介绍ADS软件的使
用方法。
ADS软件的启动
„ 启动ADS进入如下界面
创建新的工程文件
„ 点击File->New Project设置工程文件名称(本
例中为Antenna)及存储路径
„ 点击Length Unit设置长度单位为毫米
创建新的工程文件(续)
„ 工程文件创建完毕后主窗口变为下图
Layout中的背景设置
直接在Main窗口中点击 ,
打开Layout窗口,在Layout
中,选择option-
preference,对系统设计的背
景参数 进行设置。我们选择
其中的Layout Unit ,设置如
右图,选择Layout Unit为
mm,Resolution填写为0.0001
表示精确到小数点后四位。以
确保在天线设计过程中的精
度。其他子菜单设置一般选择
默认。
在Layout中绘制天线
由于我们设计的
是双面天线,在
一个介质板上贴
有上下两层,上
层为馈线,下层
为偶极子天线和
地板。
首先设计底层,
选择cond2,如图
在Layout中绘制天线
由于我们设计的矩形天
线,所以我们选
择 ,然后在窗口中
选择一点,开始画矩
形,矩形大小的控制可
以看右下角的右边的坐
标,它表示相对位置的
距离。
同样,点击鼠标右键的
“measure”,可以测量相
对尺寸,如右图:
在Layout中绘制天线
完成对底层cond2的全部设计,如下图
在Layout中绘制天线
选择:
Option=>Layers,
将cond2的Shape
Display由filled
改为outlined,
这样便于测量尺
寸。可得右图:
在Layout中绘制天线
将设计的层
面改为
cond,重复
上面的设
计,完成对
于顶层cond
的设计,可
以得到右
图:
图中,红色是对应cond层(顶层),黄色对应
cond2(底层),下面在顶层与底层之间加上一个
通孔
在Layout中绘制天线
下面在cond与cond2层之 加通孔,因为是圆形
间加一个通孔(Via), 的通孔,所以选
选择层为: 择 ,如下图:

这样就完成了天线尺寸的基本设计。
层定义
这是至关重要的一步。
由Momentum=>Substrate=>Create/Modify,进入层定义
对话窗口。作如下设置:
将地面GND的边界由Closed改为Open(1),然后点击左
下角的Add,增加一层Alumina_0(2),并且把这一层重
新定义如下所示(3),即跟上面的FreeSpace定义完全
一样,重新命名为FreeSpace_bottom,当然命名为其他
名字也是没有问题的。这样上下形成了对称的结构。最
后定义Alumina中的各个参数,即定义Real为4.6,Loss
Tangent为0.018(4),表示损耗正切为0.018。我们需
要的天线的层结构如下图所示:
层定义—Metallization Layer设置

去掉通常微带天线的地
面(GND)而加
FreeSpace_bottom,与
上面的FreeSpace向对
称,这样更加符合移动
通信下天线的实际情
况,对于移动通信总是
希望全向的天线,这样
可以克服一般的微带天
线只能向半空辐射的缺
点而成为全向天线。
层定义—Metallization Layer设置

在Conductivity
中填电导率,
Thickness中填金
属厚度。其中铜
的电导率为5.78E
+006,厚度为
0.018mm。在这些
都设置结束以后
点击Apply 和 OK
就可以了。
端口定义
由于在前面的层定义中取消了GND,
所以不能定义Single Port(Not Available)
有两个解决的办法,采用:
™两个Differential port
™一个Internal port 配合一个 Ground
Reference Port
本例中采用第二种方案
端口定义
选中 加Port。第
一个Port加在cond
上,第二个Port加
在cond2上。此时,
可 以 选 择
Options=>Midpoint
Snap, 使 得 Port 加
在物体的中间位
置。
端口定义
可以双击端口对端口进行修改 ,选择Port对应的
层:
端口定义
由Momentum => Port
Editor, 再用鼠标
选中端口,进行编
辑。在Port 2的设
置中,Associate
with port number
中,写入1,表示
Port2是Port1的参
考地。如右图:
在Layout中设计天线全貌
S参数仿真—Mesh设置
在Momentum => Mesh =>Setup中设置
Mesh,Mesh的设置决定了仿真的精度。通
常,Mesh Frequency和 Number of Cells
Per Wavelength 越大,精度越高。但是这
是以仿真时间的增加为代价的。有时不得
不以精度的降低换取仿真时间的减小。在
本例中,我们采用Mesh的默认值,即:
Mesh Frequency为后面S仿真中的频率上
限值, Number of Cells Per Wavelength
为30。
S参数仿真
选择Momentum中的Simulation―Sparameters
出现一个对话框如
右图。在Sweep Type
中可以选择Single,
Adaptive,Linear
S参数仿真
Single 表 示 对 单 个 频 率 点 进 行 仿 真 ,
Adaptive表示根据曲线变化的幅度选择不
同频率下的Sample Point,以用最少的
Sample Point来描述图形,因此在对大范
围 的 频 率 扫 描 时 , 推 荐 使 用 Adaptive
Type;对于Linear,是选择上下频率的
范围和步长,在规定频率段和规定步长
下进行取点。这里选择adaptive
S参数仿真
如下图对S参数仿真进行设置:

点击update,Simulate,开始仿真。
S参数仿真
仿真结果:

谐振频率是刚好位于1.800GHz的,反射波损耗为-28.161dB
输入阻抗为Z0*(0.933+j0.036)=46.65+j1.8
天线的带宽

对于VSWR<1.5,天线带宽为13%(1.683GHz—1.917GHz)
对于VSWR<2.0,天线带宽为23.8%(1.600GHz—2.026GHz)
观察远区辐射方向图
选择Momentum=>Post Processing=>Radiation
Pattern,在弹出的对话框中:
Select Frequency中选择1.8GHz,因为这是谐振
频率 。在Visualization Type中选择3D
Visualization,因为我们首先想观察三维视图。
在Port1 Impedance中写入端口1的输入阻抗,这
个在S11图中我们已经测量了,为:46.65+j1.8Ω
点击Compute。
观察表面电流的分布
选 择 Current =>
Set Port Solution
Weights,单击OK。然
后 , 选 择 Current
=>Plot Currents。 按
照相位从00->900-
>1800->2700,分别
为:
天线的辐射方向图

E E Theta E Phi
观察天线的增益
选择
Momentum
=>Post
Processing=
>Radiation
Pattern->2D
Data
Display,然后
点击
Compute,得
到:
观察天线的增益
观察天线的2维 E面
™ Planar Cut又称为垂 Conical Cut又称为水
直截面,如下图, 平截面,它的Theta是
Phi是一定的,Theta 确定的,而Phi是可以
从0-3600变化。这样 从0-3600变化。与
截取的平面是与 Layout平面平行
Layout 平 面 相 垂 直
的。
观察天线的2维 E面
首先,观测Planar Cut(垂直极化)。在Far
Field > Cut 3D Far Field,设置如下图:
E 平面 垂直截面 Phi=900

E E Theta E Phi
E 平面 水平截面 Theta=450
同样的方法可以得到水平截面下的二维E平面

E E Theta E Phi
天线参数的优化
使用ADS Layout中的
optimization,可以完成对于
天线的优化。优化时可以对一
个参数进行优化,也可以同时
对多个参数进行优化。通过
Goal设置优化的目标,优化的
目标主要是S11,S21参数,但是
不可以对介电常数、介质板厚
度等参数进行优化。

下面就天线的带宽通过调节偶极子宽度Wd进行优化,目的
演示优化的过程。
天线参数的优化
选择Momentum->Optimization-> parameters,
进入优化参数设置对话框:

在nominal
Value填入4,
表示优化的Wd
的起始值,
Perturbed
Value表示优化
的终止值。
天线参数的优化
单击add,会弹出一个新的窗口提供有关
设置参数的信息,点击OK。一个新的
Layout窗口将会自动弹出。
由于我们是对偶极子天线臂宽进行设置,
先用Ctrl+鼠标选中天线臂的四个角。
如下图:
天线参数的优化
选择Edit-> Move-> Move Relatively.在新弹出的对话
框中填入如下图

表示相对位移为Y轴正向移动6mm,点击Apply。
可以从Layout图中看出Wd变为了10mm
单击Save Design。
回到原Layout中单击OK,完成参数的定义,同时,新
产生的Layout图会自动关闭。
天线参数的优化
选择Momentum->Optimization-> Goal,设置优
化的目标,如下图:

点击Add,然
后点击OK,结
束对于优化目
标的设置
天线参数的优化
选择Momentum->Optimization-> Run运行优
化,如下图:
在这里,我们选用默认设置。然
后,点击左下角的Start开始进行优
化。并弹出如下对话框:
天线参数的优化
当优化运行完毕之后,得到优化后的Wd
的参数
天线参数的优化
„ 对于其他参数的优化可以采用类似的方
法。
„ 但是,对于优化的条件过于苛刻时,优
化将不能正常进行,ADS将不能实现优
化的目标,而只能取接近优化目标的值
天线的实物图

天线的正反面图
思考题
™ 尝试同时设置多个参数(如Wd和Lb)
对同一个目标(如反射损耗)进行优
化。
™ 用ADS分析天线的各个参数(偶极子天
线臂长Ld、宽Wd,巴伦线长Lb,地板长
Lg、宽Wg)对于天线性能(谐振频率、
带宽、匹配、反射损耗等)的影响。
™讨论进一步减小天线尺寸的方法。
实验五
低噪声放大器的设计
制作与调试
(一) 实验目的
„ 了解低噪声放大器的工作原理及设计方
法。
„ 学习使用ADS软件进行微波有源电路的
设计,优化,仿真。
„ 掌握低噪声放大器的制作及调试方法。
(二) 实验内容
„ 了解微波低噪声放大器的工作原
理。
„ 使用ADS软件设计一个低噪声放大
器,并对其参数进行优化、仿真。
„ 根据软件设计的结果绘制电路版
图,并加工成电路板。
„ 对加工好的电路进行调试,使其满
足设计要求。
(三)低噪声放大器的技术指标
ƒ 输入输出反射系数
ƒ 噪声系数
ƒ 放大器增益
ƒ 稳定系数
ƒ 通带内的增益平坦度
(四)用ADS软件设计低噪声
放大器
ƒ 本节内容是介绍使用ADS软件设计低噪
声放大器的方法:包括原理图绘制,电
路参数的优化、仿真,版图的仿真等。
ƒ 下面开始按顺序详细介绍用ADS软件设
计低噪声放大器的方法。
1.放大器设计的基本准备
„ 需要明确的概念
„ S参数、放大器增益(平坦度)、噪声系
数、噪声温度、动态范围、三阶交调与
1dB压缩点、稳定性、匹配。。。
„ 需要学习的知识
„ 匹配电路有哪些形式
„ 对晶体管如何馈电
„ And so on…
2.软件仿真中需要注意的几个问

„ 要有好的软件设计习惯
„ 各种文件的命名
„ 电路的布局以及参数的设置和选择
„ 要有合理的设计顺序
„ 要记住你在使用的是软件
„ 物理概念要明确,不要在无意义的地方花时间
„ 比如:按照加工精度,有些线条太细是不能实现的,另外追求小数
点后面N位的精确也是无聊的。
„ 注意仿真中使用模型的适用范围,比如:小信号模型就不能用来看
三阶交调等非线性的曲线(看了也是错的),微带线仿真的时候,
注意要L>W,软件中的模型才是对的。等等。
„ 注意如何规划仿真,才能尽快得到需要的电路
„ 要按照先局部后整体的优化,切忌直接全局优化,最好能够预先计
算设置优化元件的初值。
„ 要注意仿真的数值稳定性,对于对参数以来敏感的仿真结果在最后
制作的时候是很难实现的。适当的时候需要考虑改系统拓扑。
„ 养成不明白就多看看help的习惯
2.软件仿真中需要注意的几个问

„ 仿真时模型的选择1
„ 晶体管
„ sp模型:属于小信号线性模型,模型中已经带有了确定的
直流工作点,和在一定范围内的S参数,仿真时要注意适
用范围。Sp模型只能得到初步的结果,对于某些应用来说
已经足够,不能用来做大信号的仿真,或者直流馈电电路
的设计,不能直接生成版图。
„ 大信号模型:可以用来仿真大、小信号,需要自行选择直
流工作点,仿真时要加入馈电电路和电源。带有封装的大
信号模型可以用来生成版图
2.软件仿真中需要注意的几个问

„ 仿真时模型的选择2
„ 集总参数元件
„ 电容、电阻、电感:在进行电路优化时,可以
直接选用参数连续变化的模型,在系统设计最
后,需要把这些优化过的元件替换为器件库中
系列中的元件才是可以制作电路、生成版图
的。替换时选择与优化结果相近的数值,替换
后要重新仿真一次,检验电路性能是否因此出
现恶化。
3.ADS的使用
„ 启动软件后建立新的工程文件并打开原理
图设计窗口。
3.1晶体管直流工作点扫描
3.1和3.2节参照系统提供的典型电
路设置,用以帮助大家熟悉ADS的一些
最简单的操作。对于各种工具的详尽使
用,请自行参阅帮助文件。
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 选择File Æ New Design…进入下面的对话框
„ 在下面选择BJT_curve_tracer,在上面给新建的Design命
名,这里命名为BJT Curve
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 在新的Design中,会有系统预先设置好的组
件和控件,如下图
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 如何在Design中加入晶体管
„ 点击 ,打开元件库
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 选择需要的晶体管,可以点击 查询
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 对41511的查
询结果如
下,可以看
到里面有这
种晶体管的
不同的模型
„ 以sp为开头
的是S参数模
型,这种模
型不能用来
做直流工作
点的扫描
„ 选择pb开头
的模型,切
换到Design
窗口,放入
晶体管 按
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 按照下图所示接入晶体管,连线按键为 ,
注意确认线完全接好,由于此晶体管发射极
有两个管脚,在此处接一个即可。
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 按Simulate键 ,
开始仿真,这时会
弹出一个窗口,该
窗口会现实仿真或
者优化的过程信
息。如果出现错
误,里面会给出出
错信息,应该注意
查看。
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 仿真结束,弹出结果窗口,如下页图。
注意关闭的时候要保存为适宜的名字。
另外图中的Marker是可以用鼠标拖动
的。由于采用的是ADS的设计模板,所
以这里的数据显示都已经设置好了。一
般情况下,数据的显示需要人为自行设
置。
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 典型仿真结果图
3.1晶体管直流工作点扫描
„ 实际上,模板中预设的扫描参数通常和需要的
并不一致,需要在Design窗口的原理图上进行
修改,修改的方法比较简单。参数扫描控件
很重要,在很多情况下会经常用到。
„ 另外,一般参数的修改,既可以通过双击一个
目标(元器件、控件等)来进行,也可以在设
计窗口中激活显示参数来实现。高级设置的修
改只能通过双击目标实现。
„ 在本例中,可以适当调整扫描参数,然后仿
真,在结果曲线上选择合适的直流工作点,获
得相应的直流偏置电压(或电流)值。
3.2晶体管S参数扫描
„ 选定晶体管的直流工作点后,可以进行
晶体管的S参数扫描,本节中选用的是
S参数模型sp_hp_AT-
41511_2_19950125,这一模型对应的
工作点为Vce=2.7V、Ic=5mA
„ 下面给出进行S参数扫描的具体操作
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 选择File Æ New Design…进入下面的对话框,在下
面选择S-Params,在上面命名,为SP_of_spmod
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 然后新的Design文件生成,窗口如下
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 同3.1节对应
操作,加入sp
模型的晶体
管,并连接电
路如图。地的
设置按上面的
键即可调入。
图中的Term
也是在仿真中
要经常用到的
组件,用以表
示连接特征阻
抗的端口。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 由于sp模型本身已经对应于一个确定的直流工
作点,因此在做S参数扫描的时候无需加入直
流偏置。
„ 观察sp模型晶体管的参数显示,在此例中,标
定的频率适用范围为0.1~5.1GHz,在仿真的时
候要注意。超出此范围,虽然软件可以根据插
值等方法外推除电路的特性,但是由于模型已
经失效,得到的数据通常是不可置信的。
„ 在本例中,要在 控件中作相应的修
改。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 在 控件中修改参数如下

ƒ点击 按键,进行仿真,弹出数据输出窗口
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 数据输出窗口如图
所示,图中以不同
形式显示输出S参
数。
„ 如图可见,晶体管
的输入匹配并不好
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 这里介绍一下数据显示格式的
控制。用于格式控制显示的工
具栏位于视窗的左侧。点击相
应的工具,即可按照相应的数
据格式输出仿真结果。里面的
Eqn用于自定义相应的表达
式,可对仿真得到的结果进行
运算后输出。以下介绍一些基
本的控制。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 点击 ,激活的是
图形显示方式,在左
边所列的参数列表中
选择需要的参数,
如:S(1,1)后,在点击
将其加入右边的显示
列表。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 然后会弹出数据显
示的格式,对于
S(1,1),选择dB。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 得到S(1,1)的显示如图所示
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 点击 ,激活的是数字
列表的显示方式,仿照前
面,将需要的参数加入右
边的显示列表。 对于
S(1,1)默认的显示是模/辐
角的格式。
„ 点击 可以对结果的
输出格式进行高级控制,
如右下图设置为
dB(S(1,1)),注意字母的
大小写,可以按照dB的格
式显示。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 列表显示如图所
示。
„ 选中列表后,工具

被激
活,可翻页查看所
有的数据。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 加入噪声系数的仿
真:回到Design窗
口,双击
控件,
在Noise栏中,选中
然后仿
真,进入数据输出窗
口。
3.2晶体管S参数扫描-sp模型
„ 选择适当的格式,显示2端口的噪声系数
nf(2)。
3.3 SP模型仿真设计
„ 很多时候,在对封装模型进行仿真设计
前,通过预先对sp模型进行仿真,可以获
得电路的大概指标。sp模型的设计,通常
被作为电路设计的初级阶段。
„ 本节首先设计sp_hp_AT-
41511_2_19950125在2GHz处的输入、输
出匹配。
3.3 SP模型仿真设计—构建原理电

„ 建立新的工程文件,
命名为spmod_LNA
„ 在左侧选择S参数仿真
工具栏
„ 如图所示
3.3 SP模型仿真设计—构建原理电

„ 在库中选出晶体管 ,放置
在原理图窗口
„ 点击 ,放置Term1,Term2两个端口
„ 点击 ,设置接地
„ 点击 ,放置输入阻抗测试控件
„ 点击 ,放置S参数扫描控件
„ 修改S参数扫描控件的设置为需要值
„ 连接电路如下页图所示
3.3 SP模型仿真设计—构建原理电

„ 初始原理图
3.3 SP模型仿真设计—测试输入阻

„ 仿真,在数据输出窗
口观察输入阻抗
„ 由列表中可得到
2GHz点的输入阻抗
为:20.083/19.829
„ 换算为实/虚部的形
式18.89+j*6.81
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 采用微带线进行匹配,在此之前需要
设定微带线的基本参数。
„ 在 和
工具栏里都有用于微带线参数设置的
控件,单击 ,在原理图中放置微
带参数设置控件。
„ 其中参数的含义是:
„ H:基板厚度
„ Er:基板相对介电常数
„ Mur:磁导率
„ Cond:金属电导率
„ Hu:封装高度
„ T:金属层厚度
„ TanD:损耗角
„ Roungh:表面粗糙度
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 在MSub中,修改参
数为需要值,如图
所示
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 选择
工具栏
„ 如:采用单分支线
的匹配。点击 ,
放置在原理图中
„ 其中各参数的含义
请参阅帮助文档。
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 下面使用ADS的综合
工具,综合出匹配网
络。
„ 双击 进行参数
编辑,频率设置为
2GHz,Zin设置为需
要匹配的目标值50,
Zload设为前面仿真得
到的晶体管的输入阻
抗。
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 选定
„ 在原理图窗口的最上一
行,选择 Æ
Æ

后,弹出窗口如图
„ 选择 ,综合完毕
后,即可生成适合的匹
配网络
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 匹配网络生
成后,点
击 ,进入
匹配网络的
子电路,如
图所示。
„ 其中的T形接
头 为计
算时考虑阻
抗突变引入
的。在实际
电路中并不
代表任何实
际长度的电
路,具体的
3.3 SP模型仿真设计-输入匹配设计
„ 仿真结果:S参数
3.3 SP模型仿真设计-输入匹配设计
„ 仿真结
果:输入
阻抗、稳
定系数、
噪声系数
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 由以上的仿真结果可见,基本上电路已经达到
了比较好的性能,如:良好的输入匹配、较高
的增益、稳定系数和噪声系数都比较好。
„ 另一方面,输出匹配还不太好,电路的增益也
可能进一步的提高。
„ 以下进行输出匹配设计
„ 需要说明的几点:
„ 实际上,输出匹配的设计同输入匹配一样,可以采
用先计算输出阻抗再由软件综合生成;
„ 在下面的设计中采用的方法并不是合适的方法,仅
是为了介绍优化工具的使用,请注意。
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 对于输出及也使用单分支线的结构进行匹配
„ 选择 ,点击微带线工具
和T形接头工具 ,连接电路如图,元件的方向可

按 调整。
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 需要对微带和接头的参数进行调整
„ 由输入匹配的设计,可知输入匹配网络的线宽为1.558mm(当
然,实际制作电路的时候,不可能达到这样的精度),根据综合
时的设置,这个宽度实际上就是50欧姆特征阻抗对应的线宽。因
此,在输出匹配电路中,将所有的宽度设置为此宽度。如图。
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 优化工具栏为
„ 点击 ,加入优化
控件
„ 点击 ,加入优化
目标控件
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 根据优化需要,添加一个新的S参数控件,
并将其频率范围设置在2GHz附近。如图。
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 设置优化目标
„ 在2GHz附近降低
S(2,2)
„ 同时2GHz附近的
S(1,1)保持尽量小
„ 由于是在当前的两个
目标是在2GHz附近,
故相应参数设
为”SP2”
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 激活微带线的优化
„ 双击需要优化的微带
„ 点击
„ 然后激活优化,并设置
优化范围(一般来说越
小越好)
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 选择适合的优化方
式,准备优化
„ 常用的主要是Random
(随机法)和Gradient
(梯度法)
„ 随机法通常用于大范围
搜索时使用,梯度法则
用于局域收敛。
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 优化前的电路图
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 点击 ,开始优化。
„ 优化结束后,选择
Simulate工具中的更
新数据选项更新优化
后的电路参数。
„ 使用 将优化控件关
闭( 用于激活对
象),再点击 重新
仿真即可得到优化后
的电路特性。
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 经过一次随机优化的S参数如图
3.3 SP模型仿真设计-输出匹配设

„ 可见S(2,2)有了很大的改善,但同时
S(1,1)恶化了。
„ 反复调整优化方法、优化目标中的权重
Weight,还可以对输入匹配网络进行
优化,最终得到合适的结果。
3.3 SP模型仿真设计-综合指标实现
ƒ 将噪声系数、放大器增益、稳定系数都加入优化
目标中进行优化,并通过对带内放大器增益的限

来满足增益平坦度指标,最终达到各个要求指
标。
ƒ 如果电路稳定系数变得很小(低于0.9),难以达

优化目标,或者S(1,1)的值在整个频带内的某些

点在0dB以上,则需要加入负反馈,改善放大器

3.3 SP模型仿真设计-原理图
3.3 SP模型仿真设计-仿真结果
3.4封装模型仿真设计
„ 进行完sp模型设计以后,需要将sp模型替换
为封装模型来作进一步设计,有以下工作需
要进行
„ 将sp模型替换为封装模型
„ 选择直流工作点并添加偏置电压
„ 进行馈电电路的设计(电阻分压、扇形线、高阻
线等的使用)
„ 替换为封装模型后各项参数会有所变化,如果不
满足技术指标的话可以对封装模型的原理图再进
行仿真优化。
3.4封装模型仿真设计-直流工作点的选择
建立如下电路对器件的I-V特性进行仿真,以选择直流工
作点。
3.4封装模型仿真设计-偏置电路的设

ƒ 在设计偏置电路时,要为了防止交流信号
对直流电源的影响,在电源与馈电点之间
需要添加1/4波长高阻线以遏制交流信
号。
ƒ 注意如果电路中有终端短路的微带线时,
为了避免直流短路,应在接地端插入隔直
电容。
为了简单起见,偏置电路设计可以不进行
原理图仿真,直接在画版图时实现。
(五)绘制电路版图
„ 仿真完成后要根据结果用Protel软件绘制电路版图,绘制
版图时要注意以下几点
„ 偏置电路的设计和电源滤波电路的设计。
„ 所用电路板是普通的双层板,上层用来绘制电路,下层整个作为接
地。
„ 根据版图的大小尺寸要求调整功分器两边50欧姆阻抗线的长度,便
于安装在测试架上
„ 在绘制版图时受加工精度的限制,尺寸精度到0.01 mm即可,线宽
要大于0.2mm。
„ 各个接地点要就近接地。
„ 由于制板时实际线宽往往要比设计线宽小0.01mm左右,在绘制版
图时要考虑这个问题。
偏置电路设计举例

图中R1和C1、C2用作电源滤波,R2和R3用作分压,以
提供合适的直流偏置电压。
电路版图举例
(六)低噪声放大器的制作与调试
ƒ 对照设计版图检查加工好的微波电路板(包
括微带线尺寸,电源输出,沉铜孔的位置
等),并按照所用的电路元件表准备元器
件。
ƒ 按照电路原理图进行焊接,首先焊接放大器
的供电部分,通电检查电压正确后再焊接其
他无源器件(电阻,电容,电感),最后将
晶体管按正确方式焊接。
ƒ 在检查焊接无误后,将电路板安装到测试架
上,接通直流电源测量放大器的直流工作
点,并进行调整,使其满足设计要求。
低噪声放大器的制作与调试(续)
ƒ 按下面的测试框图对放大器的各项指标进行测试(网络
分析仪和噪声仪的使用参照仪器说明)。注意:在测试
前必须检查放大器的输入输出端是否已接耦合电容,否
则会造成仪器损坏。

S参数测试框图 噪声系数测试框图
低噪声放大器的制作与调试(续)
„ 需要测试的参数主要有以下几个
ƒ S11,S22:输入、输出端的反射系数
ƒ S21:传输系数,由此可测得放大器的增益
ƒ 噪声系数
„ 将测试结果与仿真结果相比较,并看其是否满
足设计指标。
„ 若不满足设计指标,则对结果进行分析后,通
过调整元器件的参数(电容,电感,电阻的
值),使其达到设计指标。
思考题
ƒ 稳定系数为什么要在包括通带的全频域内满足条
件?
ƒ 设计低噪声放大器的匹配电路和其它匹配电路有什
么不同的地方?
ƒ Sp模型能否进行I-V特性曲线仿真,仿真得到的结果
能否代表这一器件的实际I-V特性?
ƒ 在加入馈电时使用1/4波长高阻线的原理是什么?还
有没有别的方法加入馈电?
ƒ 微带电路的接地方式与数字或低频模拟电路有什么
区别?为什么?
ƒ 如果要减小低噪声放大电路的尺寸,可以采取哪些
措施?
3.3 SP模型仿真设计—输入匹配设

„ 接入匹配网络;插入 ,用以计算稳定系数
3.4封装模型仿真设计-原理图
实验六 功率放大器设计
MESFET 功率放大器设计:小信号法
作者: Al Sweet

基本工程问题: 没有大信号器件模型,怎样设计功率放大器?
*许多器件供应商不提供其器件的大信号模型.
*通常提供的唯一设计数据是器件的小信号 S 参数和静态 IV 曲线.
*利用前面 STEVE CRIPPS 介绍的负载线法,根据这些数据足以设计第一类的功率放大器.

功率放大器是大信号器件,因为在接近功率饱和时其特性呈现非线性。但许多场合,设
计师仅有一组小信号 S 参数,在电路仿真时,作为表示有源器件的根据。由于这些 S 参数
只适用于小信号,在大信号时怎样设计最大射频输出功率和线性,并不清楚。Steve Cripps
提出一种方法,可以用器件的静态 IV 曲线确定大信号负载线阻抗(RL)
,设计第一类放大
器。RL 用做目标阻抗,即用输出匹配电路表示的管子漏极负载。用该方法设计师可以对 RF
最大输出功率优化输出电路,同时对最佳输入匹配和最大增益优化输入电路。通常输出匹配
较差,这是因为为了输出最大 RF 功率,有意造成一定失配(即:输出匹配对 RL 优化,而
不是对器件的 S22 优化)

该方法的局限性
*仅对最大 Psat 优化
*仅对 A 类和 AB 类工作状态有效
*无法计算交调产物:IM3,IMR5,IP3
*无法计算谐波电平
*无法计算 ACPR(对数字调制)
小信号设计技术有其局限性。输出电路对最大 RF 饱和功率优化,但不一定对最大线性
功率。就是说无法直接计算 1dB 压缩点输出功率。而且也无法直接计算放大器的二音交调
性能:IM3,IM5,IP3 和 IP5。为了计算这些重要参数,设计师必须依靠测量法或“经验(rules
of thumb)”。MESFET 放大器的两个重要“经验”是:
*P-1dB 比 Psat 约低 1dB。
*IP3 比 P-1dB 约高 10—12dB。

论题:
用小信号法求解最大功率
*设计流程图(步骤)
*指标
*选择器件
*由 IV 曲线计算负载线电阻
*匹配网络
*分布参数与集总参数
*仿真:增益,输入匹配和输出匹配
*提取封装参数
*使输出功率最大:匹配负载线电阻
*用 K 因子衡量放大器的稳定性

基本设计流程图:

设计步骤:
依据级连放大器链的要求选择器件。保证整个放大器链同时平滑地进入饱和区。没有任
意一级先饱和。
*根据频率,带宽,成本目标和经验选择匹配电路结构。
*根据工作类型和电源要求选择偏置电路。MESFET 要求偏置电路提供负栅压。对于高
线性电路,推荐使用 A 类工作。在 A 类工作时,直流漏极电流应为器件 Imax 的 1/2。
*对增益和输入匹配优化输入电路。
*确定器件静态 IV 曲线负载线。
*提取封装寄生元件,它们将是整个输出匹配电路的一部分。
*优化输出匹配电路达最佳值 RL(这是达到 RF 输出功率最大的条件)。
*若需要,增加电路元件,保证宽带无条件稳定。

小信号设计流程图:
小信号设计过程说明:
使用器件的小信号 S 参数仿真和优化增益和输入匹配电路。
使用器件的 IV 曲线确定负载线 RL。为使输出功率最大,用 RL 表示器件的“内部”
漏极负载,以此作为输出匹配电路的“目标”。该法以基本网络理论为基础,如果一个网络
对一个复阻抗提供良好匹配,则网络的输出阻抗等于负载阻抗的复数共轭值。现在的负载阻
抗是纯实数 RL,所以最佳输出匹配电路反映到器件漏极负载的阻抗是 RL 的复数共轭值,
即 RL,因为负载阻抗的虚部为零。

根据 MESFET 管 IV 曲线,计算最大 RF 功率输出时的负载线 RL


产生最大 RF 功率的合适输出阻抗可由测试确定,也可用图解管子的静态 IV 曲线得到。
负载线电阻 RL 必须用输出匹配电路表示的管子输出负载来表示。为得到最好线性,应
在线性最好的 A 类工作状态下,选择负载线。通过最大化放大器的线性,可做出最适合于
数字调制工作(如 CDMA 或 TDMA)的放大器。

计算负载线电阻
根据偏置电压和输出功率计算

在 A 类工作中,以输出功率为函数,偏置条件为参量(Vb-Vs)计算 RL,
RL=SQR(Vb-Vs)/2Pout
在 IV 图中表示出依输出功率求 RL 的公式。仅由要求的输出功率和预计的漏源电压就
能直接求得 RL。
负载牵引实验表明,除了考虑纯负载线电阻外,还必须考虑匹配一个小电抗,即与 RL
并联的电容 Cds。Cds 值已由实验得到,约每毫米栅宽 0.10PF。

计算最小击穿电压与 RL 的关系:
在器件可靠的前提下,击穿电压是确定 GaAs MESFET 器件偏置电

压和最大输出功率的关键参数。
在设计功率放大器时,器件可靠性是一个非常重要的因素。器件结合点间的雪崩击穿是
器件非热失效的主要原因。本节讨论击穿电压与偏置条件和 RF 信号电平间的关系。先分析
该重要论题的条件和考虑因素。
在一组偏置电压下,为了得到最大输出功率,设计 A 类 GaAs MESFET 功率放大器时,
必须为管子的漏-源端提供最佳负载线电阻。该电阻很容易用图解法从静态 IV 曲线得到。
如果管子输出端接的不是最佳负载电阻,会怎样呢?如负载电阻小于最佳值,RF 输出
电压峰值会减小,降低了击穿失效的危险。但如果负载电阻大于最佳值,RF 输出电压将提
高,就增加了击穿的危险。上图标出了 RL,输出功率和击穿电压的关系。

对指标仿真的可行性
选管:
选用 Fujitsu FLL351ME 管,它可提供 11dB 增益,+35dBm 输出功率。适用于各种移动
电话和 PCS 基站放大器的输出级。上图有其静态 IV 曲线。

上图是 FLL351ME 的小信号 S 参数,必须将其读入仿真器,计算增益,匹配和稳定因子


K。
Fujitsu FLL351ME 推荐电路如图。电路是分布参数电路,用 Er=9.7,厚 0.65mm 的介
质电路板制成。该电路用于证明 FLL351ME 在某频率(2.3GHz)提供增益和输出功率的能
力。我们以此电路开始小信号设计过程。

根据 FLL351ME 数据表中的 IV 曲线,利用公式取得 RL 值。


MESFET 管的输出电路模型:
为了优化 MESFET 管的输出电路,为其提供准确的 RL,应当将管子的封装参数计入输
出匹配电路。管子 Cds 和漏极,源极所有寄生元件都必须计入总输出匹配电路。封装寄生
元件可从管子的 小信号 S 参数中取得。若管子无封装,是一个裸露的芯片(混合或 MMIC
结构),则可忽略封装元件,简化输出匹配电路。当然,任何引线都必须计为电路元件。
集总元件匹配电路结构:
匹配电路完成两个功能:
为了得到高增益和最大输出功率,匹配电路将 50 欧姆源和负载阻抗变换到合适的阻抗,
匹配 MESFET 管的源极和漏极。
匹配电路含有电抗元件,因此对频率有选择性。匹配电路也决定了放大器的中心频率和
带宽。
在较低频率,上述集总元件匹配电路很有用。这时,小尺寸的集总电容和线绕电感比大
尺寸的与波长有关的分布参数电路重要。这一特定集总参数匹配电路是低通结构。高通结构
也能使用,可把两者混合使用。若要在所需带宽里达到良好匹配,要增加更多级电路。通常
应使用尽量少的级数,减少两电路的复杂性和成本。
偏置通过加在栅极和漏极电路的扼流电感和旁路电容提供。输入和输出端用串联电容隔
直流。

分布参数元件匹配电路:
上图匹配电路是前述集总元件匹配电路的对应结构。在分布参数电路中,用细长的微带
线代替电感。用短而宽的微带线代替并联电容。偏置扼流圈用 1/4 波长微带线构成。因为分
布参数匹配电路的元件尺寸与频率成比例,则意味着类似的电路在较高的频率,会变得更小,
所以非常适用于高频电路。在低频使用分布参数电路,其尺寸会太大,难以实现。
上图摘自 Fujitsu 1997 年微波半导体手册第 358 页。PCB 板厚 26 密尔,介电常数 9.7。
在输入和输出端加了隔直流电容。栅、漏偏置扼流圈也已接入。下面我们来仿真该电路的性
能。

可用 ADS 仿真整个单端 FLL351ME 放大器。得到小信号增益,输入和输出匹配,隔离以


及稳定因子 K。如果需要,可用 ADS 优化器改变元件值,改善电路性能。
从上图可见小信号增益,输入匹配和输出匹配性能都很好。增益大于 10.0dB,输入和输
出匹配在 1.8GHz 还不算坏,它在更高些的频率(Fujitsu 电路中心频率)有一峰值。预计调
整输出匹配电路匹配 RL,产生最大输出功率时,输出匹配将变差。
由图可见,在高于 1.8GHz 频率(电路中心频率),随着输入匹配的改善,输出匹配变差。
这是对产生最大输出功率,优化输出匹配电路的结果。
器件的输出匹配:
取得封装寄生参数的方法:
*从器件制造商处取得。
*测量封装寄生参量。
*电磁分析(EM)封装模型。
*由器件 S 参数取得。
在准备对产生最大射频输出功率优化输出匹配电路时,必须确定管子的封装寄生元件。因
为它们是总输出匹配网络的一部分。如不能从器件供应商处得到,则须通过测量(非常困难)、
计算(要求全面的 EM 仿真)或从小信号 S 参数提取。现在最直接的方法是提取法,在下
面介绍。

封装 MESFET 管的等效电路包含一组管子本征元件加一组封装寄生元件。图中画出了这
两类电路元件的边界。
从小信号 S 参数提取封装寄生元件。
使用封装 GaAs MESFET 管设计功率放大器的一个重要考虑,是准确确定封装寄生元件,
因为这些元件是整个输入和输出匹配电路的一部分,影响整个仿真。因为输出匹配电路是与
管子的负载电阻 RL 匹配的,不与包含封装寄生元件的 S 参数匹配,所以设计输出匹配电路
时,这是重点考虑因素。负载线电阻 RL 是输出匹配电路必须呈现给管子的阻抗,但这些寄生
元件使 RL 产生变化。所以它们成为整个输出匹配电路的重要部分。所有成功的设计努力,
都必须考虑这些封装元件的影响。ADS 电路原理图参照 ADS 例题“amodelB_pri under
mw_ckts”。

封装寄生元件可简单地模拟成串联在栅、漏、源端的电阻-电感电路。可用 HP/EESOF ADS


仿真该模型的电原理图,分析该等效电路。用 ADS 优化器调整模型的 S 参数,可以无限接
近器件的小信号 S 参数。所有电路元件都指定为优化变量,依次变化,使 S 参数与等效电
路趋于一致。为了进行快速和精确的优化,用一组接近管子等效电路元件真实值为初值,是
很重要的开端。对于无封装芯片,在 A 类工作(Idss/2,Vds=8V)条件下,可根据 GaAs MESFET
管的总栅宽 W(mm),定量计算出其等效电路元件近似值。这组管子参数为:
Cgs=1.0 pF/mm Cgd=0.04 pF/mm
Rin=4.1 Ohms-mm Rds=184 Ohms-mm
Cds=0.20pF/mm Gm=0.082 S/mm

根据管子的小信号 S 参数模型和 IV 曲线,仿真放大器的输出功

率特性:
如果设计师只有小信号 S 参数(及静态 IV 特性曲线)作为模型来设计功率放大器,
他必须以尽可能与 RL(相对 RF 最大输出功率的负载线电阻)匹配为目标,优化和确定输
出匹配电路元件值。然后可优化输入匹配电路的元件值,改善增益和输入匹配电路。这不会
影响输出功率。在优化前,必须得到尽可能完整的输出电路模型,再在工作频率对其优化,
达到与 RL 的最佳匹配。取得的漏、源封装元件必须包括在该模型中,这些元件完全或在很
大程度上确定了串联匹配电感。而且,在 ADS 电原理图中,考虑到所有元器件的寄生参量
是很重要的。例如,通孔和贴片元件(电容、电阻和电感)。与元件厂商联系,取得各元件
寄生参量的精确值。请记住,仿真只是尽可能精确到元件的模型值。
输出匹配电路是在正确的频率上谐振,但匹配情况很临界。这表明匹配电路未合适地调
整到 RL,对于 FLL351ME 管为 11 欧姆。

管子漏极负载 RL=11.4 欧姆,要确定匹配电路距目标值 RL 多远,就必须改变电路的仿


真原理图,去“测量”由整个输出匹配网络(端接 50 欧姆负载)表示的漏极负载阻抗。偏
置电路的影响较小,在仿真时略去。
对匹配电路反映到管子漏极的阻抗进行仿真,得阻抗实部约 20 欧姆,不是所要求的 11
欧姆。这说明管子未匹配到最大输出功率的阻抗。

根据管子的小信号 S 参数模型和 IV 曲线,优化放大器的输出功

率特性:
如果设计师只有小信号 S 参数(及静态 IV 特性曲线)作为模型来设计功率放大器,
他必须以尽可能与 RL(相对 RF 最大输出功率的负载线电阻)匹配为目标,优化和确定输
出匹配电路元件值。然后可优化输入匹配电路的元件值,改善增益和输入匹配电路。这不会
影响输出功率。在优化前,必须得到尽可能完整的输出电路模型,再在工作频率对其优化,
达到与 RL 的最佳匹配。取得的漏、源封装元件必须包括在该模型中,这些元件完全或在很
大程度上确定了串联匹配电感。而且,在 ADS 电原理图中,考虑到所有元器件的寄生参量
是很重要的。例如,通孔和贴片元件(电容、电阻和电感)。与元件厂商联系,取得各元件
寄生参量的精确值。请记住,仿真只是尽可能精确到元件的模型值。
用 ADS 优化器对最佳优化 RL=11.4 欧姆调整输出电路元件值,输出匹配情况大大改善。
反射损耗接近-15dB,表明与 RL 良好匹配。

通过再次对阻抗 Z(最佳输出电路反映到管子漏极终端的阻抗)仿真,可知目前阻抗的
实部非常接近 11 欧姆。这表明管子的输出阻抗与产生最大 RF 输出功率的阻抗良好匹配。
下面,在宽频带内,用 ADS 仿真计算放大器的稳定因子。发现放大器在工作频率是无条
件稳定的,但在低频端,降为有条件稳定。这是一个非常常见的结果,因为高功率 MESFET
的跨导非常高,从而导致低频潜在的高增益。就产生了低频稳定性问题,必须通过添加稳定
网络加以纠正。

为了在所有频率达到无条件稳定,放大器的稳定因子 K 必须大于 1。为提高稳定性,把一


个 50 欧姆电阻和四分之一波长短路线串联的简单电路,并接于单端放大器的输入端。该网
络大大提高了功率放大器的稳定性,解决了功率 MESFET 高跨导引起的稳定性问题。

添加了 50 欧姆电阻和 1/4 波长短路线稳定网络后,放大器的低频稳定性明显改善。下面,


我们来检查一下带有最佳输出电路和稳定网络的放大器的增益和匹配情况。
现在的放大器带有最佳输出电路和稳定网络,对其增益,输入匹配情况和输出匹配情况进
行最终仿真。可见增益微降(约 0.7dB),输出匹配情况没有前面好。这两点是预期到的,
因为最佳输出电路是对最佳输出功率匹配的,所以输出电路对小信号 S 参数(S22)失配,
引起增益和输出匹配微降。但总得来说,增益和匹配性能还是很好的,并保证 RF 输出功率
最大,且有优良的稳定性。

译自:“MESFET Power Amplifier Design : Small Signal Approach”


侯世淳 2002.4.28.于深圳
实验七:VCO的设计
(一)实验目的
ƒ 了解压控振荡器的原理和设计方法
ƒ 学习使用ADS软件进行VCO的设计,优化
和仿真。
(二)实验内容
ƒ 了解振荡器的主要技术指标
ƒ 使用ADS软件设计一个VCO,并对其参数
进行优化、仿真。
ƒ 观察不同的参数对VCO工作的影响
振荡器三个基本模块
1. 晶体管或电真空器件(
晶体管或电真空器件 主要用于高频大功率)(负阻部

件)

2. 谐振回路:决定振荡器的工作频率

因为只有与回路谐振频率一致的交变电磁场才能与电子进

行有效的相互作用。

3. 能量反馈模块(从放大器角度看)
振荡器的物理模型
ƒ 振荡器的物理模型,主要由谐振网络、晶体管和
输入网络这三部分组成。如下图所示:
(三)振荡器的技术指标
p
ƒ 输出功率与效率
ƒ 输出谱线纯,纯到只有一根谱线
f
f0
ƒ 实际输出谱:

ƒ 描述这个谱的参数有:
ƒ 频率稳定度
ƒ 调频噪声和相位噪声

振荡器输出的频谱
(三)振荡器的技术指标(续)
ƒ 频率稳定度是在规定的时间间隔内,频率
准确度变化的最大值。它有两种表示方
法,即绝对频率稳定度和相对频率稳定
度,通常用相对频率稳定度来表示。
ƒ 振荡频率的随机起伏称为瞬时频率稳定
度,频率的瞬变将产生调频噪声、相位噪
声和相位抖动。振荡幅度的随机起伏将引
起调幅噪声。
(四)ADS软件的使用
ƒ 本节内容是介绍使用ADS软件设计VCO的
方法:包括原理图绘制,电路参数的调整
优化、仿真等。
ƒ 下面开始按顺序详细介绍ADS软件的使用
方法。
ADS软件的启动
ƒ 启动ADS进入如下界面
创建新的工程文件
ƒ 点击File->New Project设置工程文件名称(本例
中为Oscillator)及存储路径
创建新的工程文件(续)
ƒ 工程文件创建完毕后主窗口变为下图
创建新的工程文件(续)
ƒ 同时原理图设计窗口打开
VCO的设计
ƒ 设计振荡器这种有源器件,第一步要做的就是管
子的选取,设计前必须根据自己的指标确定管子
的参数 ,选好三极管和变容二极管;第二步是根
据三极管的最佳噪音特性确定直流偏置电路的偏
置电阻;第三步是确定变容二极管的VC特性,先
由指标(设计的振荡器频率)确定可变电容的
值,然后根据VC曲线确定二极管两端直流电压;
第四步是进行谐波仿真,分析相位噪音,生成压
控曲线,观察设计的振荡器的压控线性度。
VCO的设计(续)
ƒ 设计指标:设计一个压控振荡器,振荡频
率在1.8GHz左右。
ƒ 第一步根据振荡频率确定选用的三极管,
因为是压控振荡器,所以还需要一个变容
二极管;第二步需要用到ADS的直流仿
真;第三步通过S参数仿真确定变容二极管
的VC曲线;第四步用HB模块来进行谐波仿
真,计算相位噪音。
管子的选取
ƒ 设计的振荡器采用HP 公司生产的AT41411 硅双
极管[12],变容二极管选MV1404。
ƒ AT41411的主要指标有:
ƒ 低噪音特性:1GHz噪音系数是1.4dB,2GHz噪
音系数是1.8dB;
ƒ 高增益:1GHz时增益为18dB,2GHz时增益为
13dB;
ƒ 截止频率:7GHz,有足够宽的频带;
ƒ 1.8GHz时最佳噪音特性:Vce=8V,Ic=
10mA;
振荡器采用的初始电路
ƒ 振荡器采用的初始电路如下图所示,图中的三极
管、二极管以及电阻电容等器件在ADS的器件库
中均可以找到。
偏置电路的设计
ƒ 在电路原理图窗口中点击,打开
Component library
ƒ 按“ctrl+F1”打开搜索对话窗口
ƒ 搜索器件“ph_hp_AT41411”这就是我们在
该项目中用到的Agilent公司的晶体管
ƒ 把搜索出来的器件拉到电路原理图中,按
“Esc”键可以取消当前的动作。
ƒ 选中晶体管,按可以旋转晶体管,把晶体
管安放到一个合适的位置。
ƒ 选择probe components 类,然后在这个类里面选
择L_Probe并放在适当的位置,同理可以在
“Sources-Time Domain”里面选择V_DC,在
lumped components里面选择R。
ƒ 在optim/stat/Yield/DOE类里面选择GOAL,这里
需要两个,还有一个OPTIM。
ƒ 在Simulation-DC里面选择一个DC。
ƒ 上面的器件和仿真器都按照下图放好,并连好
线。
ƒ 按NAME钮出现对话框后,可以输入你需要的名
字并在你需要的电路图上面点一下,就会自动给
电路节点定义名字,如下图中的“Vcb”,“Veb”节
点。
ƒ
ƒ 采用双电源供电的方法,
设置两个GOAL 来进行两
个偏置电阻的优化,考虑
到振荡器中三极管的工作
状态最好是远离饱和区,
还要满足三极管1.8GHz时
的最佳噪音特性,所以直
流偏置优化的目标是
Ic=10mA,Vcb=5.3V,
如右图所示。
ƒ 设置接在“C极”上的电阻为600,优化范围为100-1000,
把电源改为“12V” 。
ƒ 同理,设置接在“E极”上的电阻为400,优化范围为100-
1000,把电源改为“-5V” 。
ƒ 按“F7”快捷键进行仿真。
ƒ 在Data Display窗口,就是新出来的窗口中,按LIST键,
选择“R1.R;R2.R”这样就会显示出优化的直流电阻的数
值,如下图所示。
可变电容VC特性曲线测试
ƒ 新建一个电路原理图窗口
ƒ 如上面的做法一个,建立
如右图所示的电路图,其
中“Term”、“S-
PARAMETE”、
“PARAMETER SWEEP”
都可以在“Simulation-
S_Param”里面找到。变容
管的型号是“MV1404”可以
在器件库里面找到,方法
可以参考上面查找晶体管
的方法。
ƒ 按VAR键并双击它,修改里面的项目,定义一个
名为:“Vbias”的变量,设置Vbias=5V作为Vbias
的初始值。
ƒ 修改电源的属性,使Vdc=Vbias。
ƒ 修改S参数的属性,设置单点扫描频率点
1.8GHz,并计算“Z参数”。
ƒ 修改PARAMETER SWEEP的属性,要求扫描变
量“Vbias” ,选择Simulatuion1“SP1”,扫描范
围为1-10,间隔为0.5。
ƒ 按“F7”进行电路仿
真。
ƒ 在“Date Display”按
Eqn,并在对话框里
编辑公式为:

ƒ 在Eqn中选择
C_Varactor ,得到VC
曲线和表格如下:
VC特性曲线
瞬态仿真电路图
ƒ 利用Transient Simulation 仿真器仿真从0 到
30nsec 的瞬时波形, 如下图所示:
ƒ 注意:记得一定要添加“Vout”这个节点名称
ƒ 按“F7”开始仿真。
ƒ 在出来的“Data Display”窗口里面,输出“Vout”
的瞬时波形,按 ,并“new”一个新的

ƒ “Marker”,在“Vout”的瞬时波形图中,点击一
下,然后移动鼠标,把“marker”移动到需要的地
方,就可以看到该点的具体数值。
ƒ 结果如下图所示:
ƒ 按Eqn编辑公式:
ƒ 这表示要对“Vout”在“Marker”m3,m4之间进行
一个频率变换,这样出来的“Spectrum”就是m3
和m4之间的频谱。
ƒ 输出Spectrum的图形,可以看到m3和m4之间的
频谱分量,加入“marker”m5就可以知道振荡器大
概振荡的频率,如下图:

ƒ
结果分析
ƒ 从波形可以看到,振荡器已经很稳定地振
荡起来了,并且有一定的振荡时间,从抽
出两点m3,m4的数据可以看出,该振荡波
形是相当稳定的,幅度差可以不必考虑,
频谱纯度也较高,对m3和m4这段时域进行
fs变换,可以看到振荡器振荡频率的频谱,
从m5标记的数值可以看出,该振荡器的振
荡频率为1.850GHz,与设计的指标1.8GHz
有差距,需要进行调整。
调整优化的结果
ƒ 由于VCO的振荡频率由变容二
极管所在的谐振网络的谐振频
率决定,经计算得到当变容二
极管的电容为8.25pF时,谐振
频率为1.8GHz,此时由前面得
到的VC曲线可以看到对应的二
极管直流偏置电压为3.8V。
ƒ 设置Vdc=3.8V后仿真得到的图
形如右图,从图中可以看到该
振荡器的振荡频率为
1.799GHz,符合设计要求。

ƒ
设置HB仿真器
ƒ 利用ADS里面的 HB simulation可以仿真振荡器的
相位噪音,如下图设置好HB仿真器,选择计算非
线性噪音和调频噪音。
ƒ
谐波平衡仿真电路图
ƒ 在振荡器里面加入一个Oscport器件配合使用,接在反馈网
络和谐振网络之间,这是谐波平衡法仿真相位噪音的需
要。其中“OscPort”是在类“Simulation-HB”里面。另外,考
虑到该器件的频率隔离度不够高,所以可以在输出端加一
个带通滤波器。如下图所示:
ƒ
谐波频率和幅度
ƒ 仿真后生成的谐波频率和幅度如下:
相位噪音仿真结果

ƒ 其中,anmx是调幅噪音,单位是dBc/Hz;
pnfm是附加相位噪音,单位是dBc/Hz ;
pnmx是相位噪音,单位是dBc/Hz 。
相位噪音的具体数值
VCO振荡频率线性度分析
ƒ 把控制变容管电压的电源
属性修改一下,“Vdc”设置
为变量“Vtune”,增加一个
VAR变量“Vtune”
ƒ 修改谐波平衡仿真器,这
时不计算噪音,只是扫描
变量“Vtune”,所以可以把
最后一行的“Nonlinear
noise”不给予选上。新得
到的HB仿真器如右图:
ƒ
ƒ 在“Date Display”里点
Rectangular Plot,弹
出对话框后点
Advanced键,输入
sweep1..freq[1],点击
OK后生成图形如右图
所示,从图中可以看
到压控的线性度还是
可以的,当Vtune=
3.75V时,振荡器的输
出频率为1.796GHz。
功率-频率曲线
ADS使用小结
ƒ 以上详细介绍了用ADS设计微波振荡器的过程,
在设计过程中的一个最大的体会是ADS软件本身
功能强大,但是学习入门比较困难,而且用ADS
设计振荡器的资料很少,实际设计时会遇到各种
各样的问题,多看Help是最好的解决方法。帮助
里面的查找功能是非常强大的,基本上在ADS上
遇到的问题都可以从帮助里面找到答案,另外
ADS器件库的搜索速度虽然比较慢,但还是很好
用的,如果有什么器件一时找不到,建议使用器
件库来搜索。
VCO设计小结
ƒ 设计过程中要考虑的首要问题就是管子的选取,
设计前必须根据自己的指标确定管子的参数,从
后来的设计来看,管子选得不好是很难达到预定
目标的。
ƒ 设计振荡器最重要的是使振荡频率满足预定的指
标,而在这次的压控振荡器设计中与振荡器频率
直接相关的有两个参数,一个是变容二极管的偏
置电压,由变容二极管的VC曲线决定;另一个是
振荡器的反馈电感。在设计过程中经过多次调整
这两个参数才能使振荡频率达到1.8GHz。
ƒ 噪声分析也是振荡器设计的一个重要的方面。设
计过程中必须明确要计算哪些噪声,并合理设置
好噪声频率间隔。
ƒ 在电路中加入滤波器是为了增加频率的隔离度,
但是此滤波器对于后来生成的压控曲线影响很
大。不去掉滤波器而直接仿真得到的曲线并不是
线性的,原因是滤波器的通带比压控的频率范围
小,而去掉滤波器后生成的压控曲线的线性度很
好,符合VCO的设计要求。
思考题
ƒ 改变振荡器直流偏置的条件,分析不同的
直流偏置电阻对振荡器工作的影响。
ƒ VCO的频率稳定度和频谱纯度由哪几个因
素决定?如何在ADS中进行测量?
实验八:应用 ADS 设计混频器

1. 概述
图 1 为一微带平衡混频器,其功率混合电路采用 3dB 分支线定向耦合器,在各
端口匹配的条件下,1、2 为隔离臂,1 到 3、4 端口以及从 2 到 3、4 端口都是功
率平分而相位差 90°。

图1
设射频信号和本振分别从隔离臂 1、2 端口加入时,初相位都是 0°,考虑到传
输相同的路径不影响相对相位关系。通过定向耦合器,加到 D1,D2 上的信号和
本振电压分别为:
D1 上电压
π
v s1 = V s cos(ω s t − ) 1-1
2
v L1 = V L cos(ω L t − π ) 1-2

D2 上电压
v s 2 = V s cos(ω s t ) 1-3

π
v L 2 = V L cos(ω L t + ) 1-4
2
π π
可见,信号和本振都分别以 相位差分配到两只二极管上,故这类混频器称为
2 2
型平衡混频器。由一般混频电流的计算公式,并考虑到射频电压和本振电压的相
位差,可以得到 D1 中混频电流为:
∞ ∞
π
i1 (t ) = ∑ ∑I
n , m = −∞
n,m exp[ jm(ω s t −
2
) + jn(ω L t − π )]

同样,D2 式中的混频器的电流为:
∞ ∞
π
i 2 (t ) = ∑ ∑I
n , m = −∞
n,m exp[ jm(ω s t ) + jn(ω L t +
2
)]

当 m = ±1, n = ±1 时,利用 I −1, +1 = I +1, −1 的关系,可以求出中频电流为:

π
i IF = 4 I −1, +1 cos[(ω s − ω L )t + ]
2
主要的技术指标有:
1、噪音系数和等效相位噪音(单边带噪音系数、双边带噪音系数);
2、变频增益,中频输出和射频输入的比较;
3、动态范围,这是指混频器正常工作时的微波输入功率范围;
4、双频三阶交调与线性度;
5、工作频率;
6、隔离度;
7、本振功率与工作点。

设计目标:射频:3.6 GHz,本振:3.8 GHz,噪音:<15。

2.具体设计过程

2.1 创建一个新项目

◇ 启动 ADS
◇ 选择 Main windows
◇ 菜单-File-New Project,然后按照提示选择项目保存的路径和输入文件名
◇ 点击“ok”这样就创建了一个新项目。

◇ 点击 ,新建一个电路原理图窗口,开始设计混频器。
2.2 3dB 定向耦合器设计

◇ 里面选择类“Tlines-Microstrip”

◇ 选择 ,并双击编辑其中的属性, ,这是微
带线基板的参数设置,其中的各项的物理含义,可以参考 ADS 的帮助文档。

◇ 选择 ,这是一个微带传输线,选择 ,这是一个三叉口。
◇ 按照下图设计好电路图
图 2 3dB 耦合器
其中 50 ohm 传输线的线宽 w=0.98mm,四分之一波长长度为 10.46mm,35ohm
传输线的线宽为 w=1.67mm,四分之一波长长度为 10.2mm。MTEE 是三端口器
件,有三个参数 W1,W2,W3 具体是有定义的,可以此参考 ADS 帮助文档。
◇ 选择类“Simulation-S_Param”并把仿真器和“Term”拉出来放好。

图3
◇ 双击 ,修改里面的属性,要求从 3GHz 到

5GHz 扫描。 。
◇ 保存文档。
◇ 按“F7”仿真。

◇ 在“DataDisplay”窗口中,按 ,如下图所示,看端口的耦合度。

图4
结果如下图所示
图 5 输出端口间的相位差
同样的办法可以看到输出端口的相位差、输入端口的隔离度、输入端口的回波损
耗等。

图 6 输出端口的相位差
图 7 输入端口的回波损耗

图 8 输入、输出端口的隔离度

2.3 低通滤波器

◇ 在类“Lumped-Components”里面选择电容 ,和电感 ,按照下图


设计电路。
图 9 低通滤波器电路图

◇ 加上仿真器 ,设计为

,表示从 0.01GHz,扫描到 4GHz。


◇ 按“F7”仿真。

◇ 在出现的“DataDisplay”窗口中,按 ,选择加入 S21,仿真结果如下图


所示。

图 10 低通滤波器仿真结果
2.4 混频器频谱分析

2.41 设计完整的电路图

图 11 完整的电路图
把混频器的电路图分解为如下图所示的 8 个部分,下面分别说明一下这 8 个部分
具体的情况。

图 12
第一部分 第二部分
第三部分就是上面设计出来的 3dB 定向耦合器,具体请参考 3dB 耦合器一章。

第 4 部分 匹配电路
第 5 部分是晶体管,其中晶体管是使用了模型,具体操作是这样的,先在类

“Devices-Diodes”里面,选择 ,并双击修改里面的属性,建立二极管模型,
具体的参数设计参考下图 13。
图 13

选择 ,并在相应的位置把器件放好,
其中 DIODE1,和 DIODE2 都是
引用了刚才设计的二极管模板“DIODEM1”。
第 6 部分是输出阻抗匹配电路,使用传输线做阻抗匹配,

第 6 部分
第 7 部分是低通滤波器,具体电路参考低通滤波器设计电路。
第 8 部分是一个“Term”,用来做输出负载的。“Term”是在“Simulation S-Param”
中获得的。

第 8 部分
注意:第 1 部分是射频输入端口,端口号就是(Num)要设计为“1”;第 2 部分是
本振输入端口,端口号要设计为“3”。这是一般用 HB Simulation 仿真的规范要
求。

2.42 设置变量

◇ 在电路原理图窗口上,选择 ,双击,修改其属性,如下图所示。

◇ 在类“Optim/Stat/Yield/DOE”里面,选择 ,并双击修改其属性为

2.43 配置仿真器

◇ 在类“Simulation-HB”里面选择 和 ,先双击 修改其属性,主


要是把温度改为符合 IEEE 标准的 16.85 度。

◇ 双击 ,配置谐波平衡仿真器,具体参见下图

图 14
图 15
图 16
图 17
图 19 选择 krylov 来做噪音仿真
◇ 按“F7”进行仿真。

◇ 在出现的“DataDisplay”窗口中,选择 ,并点击“advance”项目,在
对话框里面输入“dBm(Vif)”点击“Ok”就可以显示中频输出的频谱分量。
图 20
仿真结果如下图所示:

◇ 选择 ,选择显示“ConvGain”结果如下图所示
图 21

图 22

2.5 噪音系数仿真

在上面仿真的基础上,稍微把仿真器修改一下就可以得到噪音系数的仿真结果,
双击 ,修改第二项“Sweep”

图 23
表示不在对本振功率“PLO”进行扫描,其他项目不需要做任何改动。
◇ 按“F7”进行仿真。

◇ 在新出现的“DataDisplay”窗口中,选择 ,并把 nf(2)添加进去。


noisefreq nf(2)
200.0MHz 14.035

2.7 噪声系数随 RF 频率的变化

在上面噪音仿真的基础上,做如下改动:
◇ 修改变量如下图所示:

◇ 把射频输入端的功率源换成一个“Term” 。

◇ 在类“Simulation-HB”选择一个 ,双击修改其属性为:
图 24
表示从 1。0GHz 扫描到 6.0GHz,步长是 0.1GHz。
◇ 配置仿真器,如下图所示。
图 25
图 27
图 28
图 29

◇ 按“F7”进行仿真。

◇ 在新出现的“DataDisplay”窗口中,点击 ,并在“advance”对话框中
输入“plot_vs(nf(2),HB_NOISE.RFfreq)
最后的仿真结果如下图所示。

图 30

2.8 三阶交调系数

电路原理图不变,然后做下面的修改
◇ 设置变量如下图所示:
◇ 设计输出变量,在类“Optim/Stat/Yield/DOE”里面点击 ,然后双击编辑
属 性

◇ 在类“Sources-Freq Domain”里面,选择 ,并把该器件放在 1 端口,就


是射频输入端口,双击修改其属性。

◇ 仿真器配置
图 31
图 32
图 33
图 34
◇ 按“F7”进行仿真

◇ 在新出现的“DataDisplay”窗口中,选择 ,双击,在“advance”里面
加入“dBm(Vif)”,,并修改坐标 最
后的仿真结果如下图所示

图 35

2.9 功率-三阶交调系数

◇ 在上面的基础上,修改下面的参数
◇ 变量
◇ 把仿真器中的一项改掉,其他不变,就是加入了一个扫描变量
◇ 最后仿真的结果是

图 36

总结
这是一个微带平衡混频器,主要是有几部分组成:3dB 定向耦合器、二极管的输
入、输出阻抗匹配电路、两个二极管、输出低通滤波器。在这篇文章中,我们先
介绍了 3dB 定向耦合器的仿真,其中原理部分可以参考其他资料,在知道了原
理后,可以利用一些小软件计算线宽,该软件陈抗生老师哪里有的。后面是介绍
一个低通滤波器的设计和仿真,这是比较简单的,用于输出中频滤波。后面是分
别设计和仿真了这个 Mixer 的频谱、噪音、增益-本振功率曲线、射频频率-噪音
系数曲线等等。整个过程中,电路的原理图都是不变的,改变的只是端口的配置、
仿真器的配置还有变量的配置。其中有几个规律。对于用来仿真 Mixer 的 HB
Simulation 要求 1 端口是射频输入端口、2 端口是中频输入端口、3 端口是本振
输入端口。输入部分一般使用功率源,输出负载是使用“Term”。仿真器的配置
中,一般 Freq[1]是本振频率,Freq[2]是射频频率,Order 一般是要大于 1 的或者
就是变成线性电路仿真了,Sweep 是加入扫描变量的选项,只能扫描直接变量,
表达式不能扫描,另外计算噪音的时候要选上“Nolinear”,Noise[1]噪音输入频
率是射频,分析的频率是中频。Noise[2]选择输出节点是“Vif”。这是一般的配
置情况,具体的可以参考上面的章节。

教训:因为这个过程中电路原理图要反复用到,也许有同学会选择直接从电路原
理图中 Copy(Ctrl+a;Ctrl+c;Ctrl+v)过去,事实证明,ADS 的这个功能有点缺陷,
可能会造成器件之间的连线出问题,建议不要这样处理,可以把文件先做一个备
份,然后把备份的名字改掉,这样方面,而且可靠。
实验 :ADS系统级仿真

本实验将介绍如何使用行为级的功能
模块实现收发信机的系统级仿真。
实验目的

¾使用诸如滤波器、放大器、混频器等行为级的功
能模块搭建收发信机系统。
¾运用S参数仿真、交流仿真、谐波平衡仿真、瞬态
响应仿真等仿真器对收发信机系统的各种性能参
数进行模拟检测。
进行仿真的收发信机方案

¾零中频接收机方案
¾外差式接收机方案
¾外差式发射机方案
一、零中频接收机仿真
1. 仿真原理图
2. 射频前端参数设置

¾最前端的微波带通滤波器采用4阶切比雪夫通带滤
波 器 , 中 心 频 率 为 2140MHz , 3dB 带 宽 为
80MHz,止带宽为400MHz,期望能够得到-25dB
的带外衰减。另外,通带波纹为0.1dB,插入损耗
为-1dB。
¾LNA的增益为21dB,噪声系数为2dB,故我们将所
选 的 Amplifier 设 置 为 S21=dbpolar(21,180) ,
NF=2dB。
射频前端仿真模块图
3. 混频部分参数设置
¾ 下变频部分的混频器选用System-Amps & Mixer palette中
的 behavioral Mixer,注意不要错选成Mixer2,它是用来
进行非线性分析的,而Mixer 才是用来进行频率转换的。
将 混 频 器 的 边 带 设 为 LOWER , 增 益 为 10dB , NF 为
13dB。
¾ 本振在Sources-Freq Domain palette选一电压源,由于接
收机中频为 0 ,故本振频率应和输入信号频率一致,这里
设为变量LO_freq,可以用VAR很方便的进行赋值,输出
电压设为1V。
¾ 由于要将接收信号分为同相和正交两路,所以本振信号也
要分为两路,一路直接和接收信号混频,一路先经移相器
移相90°,再进入混频器混频,所以还要用到移相器和功
率分离器,它们都可以从 System-Passive palette 中找到
的。
混频部分各仿真模块图
4. 模拟基带部分参数设置
接下来的模拟基带部分分两条支路,每条都
由一个信道选择低通滤波器和基带放大器级联而
成。信道选择滤波器采用 5 阶切比雪夫低通滤波
器 , 通 带 波 纹 为 0.01dB , -3dB 频 率 转 折 点 为
1.92MHz , 止 带 截 点 频 率 为 5MHz , 期 望 得 到
36dB的邻道衰减。基带放大器的增益在0~66dB之
间可调,所以也设为变量G5,NF为15 dB。最后
在基带输出端加入端口Term2和Term3。
模拟基带部分仿真模块图
5. 接收机频带选择性仿真
我们使用 S 参数仿真进行接收机的系统选择
性分析。首先是接收机的频带选择性分析,
S_parameter Simulation Controller 设 置 为 从
1GHz到3GHz以10MHz为步进进行仿真。
接收机的频带选择性仿真结果(1)
接收机在频带选择滤波器的中心频率拥有 20dB 的最
大增益,也就是LNA的增益减去微波带通滤波器的插入损
耗。在偏离中心频率70MHz处可得到25dB左右的衰减。
接收机的频带选择性仿真结果(2)

接 收 机 射 频 前 端 的 接 收 带 宽 为 6MHz , 和
WCDMA 系统对移动终端下行链路的要求是相吻
合的,而且通带内的波动不超过0.125dB。
6. 接收机信道选择性仿真

信道选择功能主要由中频滤波器完成,对于
这里的直接下变频方案就要靠基带低通滤波器来
实现,我们接下来进行信道选择性的仿真。仿真
的电路图就是整个系统的原理图。
信道选择性仿真中的S_parameter Simulation
Controller设置

¾ 需要注意的是要对 S_parameter Simulation Controller 的


Parameters栏进行设置,启动AC frequency conversion,
并将S-parameter freq.conv.port设为1端口。
信号源和VAR设置

¾ 我们以一个交流功率源模拟从射频输入端的天线双工器输
出的接收信号,输入功率和信号频率在VAR中赋值,这里
用的是接收机所能接收的最低信号电平-108dBm,因此将
基带VGA定为最大增益66dB。
接收机信道选择性仿真结果(1)
接收机信道选择性仿真结果(2)

¾从图中可以看到,中心频率 2.14GHz 处的增益为


96dB , 为 系 统 的 最 大 增 益 ; 邻 道 抑 制 达 到 了
49.4dB,优于设计目标;通频带宽为3MHz,一般
接收的信息都集中在离中心频率2MHz的范围内,
因此不会导致接收到的信号产生较大的失真;通
带内的波动不大于0.15dB。
7. 接收机系统预算增益仿真

¾通过这个仿真我们将看到系统总增益在系统各个
部分中的分配情况。预算增益仿真在谐波平衡分
析以及交流分析中都可以进行,但如果在交流仿
真中进行的话,混频器不能是晶体管级的。因为
这里进行的是行为级仿真,混频器的非先性特征
是已知的,所以我们就用交流分析来进行仿真。
接收机系统预算增益仿真参数设置
(1) AC Simulation Controller

¾ 频率栏设为Single point,
频 率 为 2.14GHz ,
Parameters 栏 中 的 Enable
AC frequency conversion
和 Perform budget
dimulation都要激活。
两次仿真的VAR设置

¾ 仿真会在接收机总增益最大和最小两种情况下进行以得到
较为全面的分析结果。当 VGA 增益为最大值 66dB 时,信
号源的功率电平为接收机的灵敏度-108dBm(已考虑了天
线双工器的损耗),反之,当VGA的增益最小时,信号源
应输入接收机所能接收的最大功率。这些参数的变化都要
在VAR中反映出来。
预算增益方程

¾ 预算分析还有两项很重要的设置是预算路径设定和建立预
算增益方程。这项内容可以在仿真的下拉菜单中找到,选
择好输入端RF_source和输出端Term2(因为I/Q两支路的
增益分配完全相同,故任意仿真其中的一条即可),点击
Generate和Highlight就可设置好预算路径,同时系统将自
动生成预算增益方程
BudGain component设置

¾最后我们从Simulation-AC palette中选出BudGain
component ,将其设置为如图即可。请注意 “ , ”
的个数。
进行预算增益仿真

¾ 进行仿真后我们将Y轴设为BudGain,但图中并没有任何
曲线生成,而如果在Y轴的BudGain后键入[0]后,增益预
算曲线就出现了,这是因为预算增益仿真必须明确指定频
率,这里只有唯一的频率2.14GHz,也就是频率数组中的
第1个,故[0]是必须的。我们将两次仿真的结果在一个图
中表示出来,可以清楚地看到接收机在VGA增益最大和最
小的情况下整机增益的分配情况。
预算增益仿真结果(1)
预算增益仿真结果(2)

¾ 我们也可以把结果用表格的形式表示出来。
8. 接收机的下变频分析
¾通过这次仿真我们将看到接收机是如何将射频信
号的频谱搬移到零频的,也就是接收机的频域响
应特性。这里使用的是谐波平衡仿真(Harmonic
Balance Simulation , HB Simulation ),我们在
接收机输入端插入一个载频为2140MHz,电平为-
40dBm 的交流信号作为信源,同样的,本地振荡
器也使用交流功率信号源。另外需要对输入、输
出 端 进 行 编 辑 , 分 别 命 名 为 Vin 、 Vout_i 和
Vout_q。
HB controller参数设定

¾ 然后插入HB controller,如图进行频率设定。注意 HB仿


真中为了能够正确进行非线性分析,HB controller中的频
率变量必须和原理图中的信源频率相一致,如果有多个频
率需要设定,Freq[1]必须是输出功率电平最高的信源。所
以这里必须是本振频率,Order指的是谐波个数。
射频输入信号和基带输出信号的频谱曲线

¾ 仿真结果显示在图中,可以看到接收机对输入信号的下变
频作用,射频输入信号的频谱从2.14GHz的载频被搬移到
了零中频,并且I/Q两路基带信号都得到了大约62dB左右
的增益。
9. 接收机传输信号的瞬态分析
¾瞬态仿真参数设置
在电路图中插入Transient simulation controller,然后
进行设置。将仿真时间StopTime定为1000nsec,仿真的步
进 MaxTimeStep 设 为 1nsec , 这 样 的 步 进 足 够 小 了 。 另
外,我们在输入端输入一个CDMA下行链路信号,输入功
率为 -32dBm ,载频为 2140MHz ,将本振输出功率定为 -
20dBm。这些参数均可以很方便的在VAR中进行设置。
输入输出信号的时域特性

¾ 仿真后在数据显示窗口中我们打开输入信号和两支路输出信号的时域
图象,输入的 CDMA 信号是以 2140MHz 为载频的幅度随机变化的信
号;输出信号明显已处于零中频,而且可以看出, I支路信号与输入
信号同相,Q支路信号则与之有一定的相位差。
时域特性转变为频域特性
¾接下来,我们把时域特性曲线转换到频域。选择
Trace Options,然后将Trace Expression设定为:
dbm(fs(…)) ,这里使用了函数 fs( ) ,即傅立叶变
换,并将数据用 dbm 表示,另外,将 Trace Type
设置为Spectral,图象如下所示。与前面用谐波平
衡进行的频域分析所得的图象相比,基带输出的
信号电平相差有 1dB 左右,毕竟这里的图象是通
过有限的时域信号特性转换而来的,如果瞬态仿
真的时间越长,得到的信号时域特征越多,则傅
立叶变换后得到的图象与频域分析的结果就越接
近。
傅立叶变换后的频域图形曲线
二、外差式接收机仿真电路原理图
1. 仿真原理图
电路原理图说明
¾ 先简单介绍接收机仿真所用的电路原
理图,整个方案结构和零差式基本相
同,区别在于输出信号不再是零频的
基带信号,而是中频信号,这里我选
择中频为318MHz。相应的本振频率要
改为 1822MHz ;仍通过下变频部分将
信号分为I/Q两路,混频器后面不再是
基带处理而是中频处理部分,而是采
用切比雪夫5阶带通滤波器进行信道选
择,具体参数见图;简单起见中频放
大器设置和零中频方案保持一致。
2. 相位噪声分析

¾这一部分将在本振中设定一组相位噪声,然后用
谐波平衡分析的方法进行仿真,在输出端观察相
位噪声的情况,另外也会顺便给出外差式接收机
的频谱特性。
OSCwPhNoise的参数设置

¾ 为进行相位噪声仿真需要专门的本振源,在 Source-Fred
Domain palette 中 找 到 带 有 相 位 噪 声 的 本 振 源
OSCwPhNoise ,需要设定的参数包括本振频率、输出功
率、输出阻抗和相位噪声分布,其中最后一项用列表形式
给出。
HB噪声仿真器参数设置
¾ 在 Simulation-HB Palette
中选择HB noise controller
插入电路图,对 HB noise
controller 进 行 设 定 , 在
Freq tab 中设定噪声分析
的 范 围 和 步 进 , 和
OSCwPhNoise 的参数设置
相 一 致 , 从 10Hz 到
10kHz ,用 log 形式,每个
数量级仿真5个点。在 Noise spectrum,将噪声的
Nodes tab 选 择 Vout_i 和 载 频 定 为 318MHz , 和 输
Vout_q 为噪声测量管脚。 出中频一致。最终的设置
在PhaseNoise tab中设定相 结果见图。
位噪声的形式,为Phase
对HB噪声仿真器的说明

¾HB噪声仿真器必须和HB simulation controller搭


配使用,它可独立于 simulation controller 很方便
的进行所有噪声的测量,而且可以使用多个 HB
noise controller同时进行不同噪声的测量,而且在
这种情况下只需一个simulation controller即可。
HB controller参数设置

¾ 最后加入HB controller,将频率参数设置为射频输入频率
和本振频率,这里注意不需要设置中频频率,默认的谐波
阶数和混频最大阶数将自动计算电路中的所有频率,当然
也包括中频。然后在NoiseCons tab中选择刚才已设定好的
噪声仿真器NC1。设置好的HB controller如图所示。
VAR变量设置
仿真结果
¾ 全 部 设 置 完 成 后 即 可 进 行 仿 真 , 在 数 据 显 示 窗口 中 把
Vout_iphmx、Vout_qphmx、Vout_i和Vout_q分别表示出
来,我们可以看到相位噪声在接收机输出端的分布情况和
中频输出信号的频谱特性。
中频输出信号的频谱特性
3. 本振输出功率对接收机性能的影响

¾ 这一节,我将讨论如何通过对本振输出功率的调整来修改
接收机的性能。
¾ 首先要列出接收机的中频输出功率的测量方程,因为输出
的信号是靠混频生成的,因此需要用函数 mix 来定义方
程,如下所示,式中的 {} 中的 -1 表示本振, 1 表示射频输
入,结果即是中频输出。

(
dbm _ out = dBm mix (Vout.{−1,1} ) )
变量设置和中频输出功率方程

¾因为I/Q两条支路性能基本一致,因此我们只仿真
其中的I支路。另外我们把混频器的PminLO设为-
5,这样将使混频器二极管的响应显得更加真实。
变量设置和测量方程表示在图中。
HB simulation controller的设置(1)

¾首先混频所需考虑的最大谐波阶数Order设为8,
本振的谐波阶数设定为5 ,射频信号仍为3,因为
它的功率比本振输出要低得多。在 Sweep 栏中将
本振功率定为变量,并将扫描范围设定为-
30~10dB。
HB simulation controller的设置(2)

¾在Params栏中,将Status设定为4级,这意味着仿
真将得到更多的结果,包括噪声系数和增益,其
它的参数像FFT中的Oversample和Convergence设
置只有对大型电路进行仿真时才需要增加,这里
使用默认值足够了。
HB simulation controller的设置(3)
¾ 然后是Noise1和2栏,首先击活Nonlinear noise(在1栏的
底部),接着将噪声频率设置为中频 318MHz,将输入频
率设置为变量RF_freq,并把输入输出管脚分别设置为1和
2 ,注意这要和电路图中输入和输出端的标号保持一致。
在2栏中,将the Node for noise parameter设置为Vout并将
Include port noise in node noise voltages选项勾掉,因为混
频器的噪声系数不需要用到端口噪声。另外在 solver栏中
选定Use Krylov solver就完成了全部参数的设定,其它参
数使用默认即可。
HB simulation controller的设置(4)
仿真状态窗口中的仿真结果
¾ 检查好电路图无误后进行仿真,在仿真状态窗口中,LO
输出功率的每一点扫描都会有相应的仿真结果写入窗口之
中,我们可以看到每一点的噪声系数和变频增益仿真结
果。
中频输出功率随本振输出功率的变化

¾ 我们来看一下最终的仿真结果,首先是中频输出随本振功
率的变化,如图,输出功率电平开始随本振输出功率的增
加逐渐增大,当本振功率大于 0dBm 之后,输出功率逐渐
稳定在22dB左右。
整机增益随本振功率的变化(1)

¾我们想得到整机增益随本振功率的变化曲线,因
为本振增益并非仿真直接可得到的结果,故要建
立方程,可以直接运用仿真数据显示窗口中的方程
编辑模块完成此项操作,如下所示:
整机增益随本振功率的变化(2)
¾这里将整机增益分别用表格和图象的形式表示出
来。
整机增益随本振功率的变化(3)

¾结果与输出功率是相一致的,也是必须有足够的
本振功率输出才能使增益达到稳定的最大值。
接收机的噪声系数随本振输出功率的变
化(1)

¾ 由图得,接收机的噪声系数是随本振信号增大递减的,本振输出达到
0dBm 以上时,它才会逐渐稳定在最小值,使接收机的噪声性能达到
最优。
结论

¾由这次仿真可知,要使系统达到所需的性能指
标,足够的本振功率输出是必须的,但收发机的
低功耗是其性能中不可忽视的一个重要方面,这
也是在系统级设计中需要解决的问题。
三、发射机预算增益仿真
1. 发射机仿真电路原理图
仿真电路图说明
¾ 这里发射机的设计方案将调制和上变频分开,先在较低的
中频 (10.7MHz) 上调制,原理图中就以调制器的输出为发
射机射频前端的输入,然后经中频放大器放大(增益为
5dB)再将其上变频搬移到发射的载频(1950MHz)上。
¾ 二次上变频后必须再通过一个带通滤波器滤除其中的一个
不必要的边带,然后经功放放大到发射机需要的发射功率
电平上,最后经过一个带通滤波器滤波后发射。
¾ 这里所用的两个带通滤波器一个设定为4阶切比雪夫带通
滤波器,一个设定5阶的,插入损耗分别为-1dB和-2dB。
¾ 上变频器的变频损耗为-6dB,另外我们取振荡器输出功率
为+13dB,本振频率为1960.7MHz。输入为1.5dBm的交流
信号。所有器件的参数说明在原理图中都有描述。
发射机的的预算增益仿真

¾下面进行发射机的的预算增益仿真,因为具体方
法和零中频接收机的相同,故这里只给出仿真参
数的设定,预算增益方程和仿真结果,如下面3幅
图所示,需要说明一点,最后的仿真没有把本振
输出对整个系统增益的贡献考虑在内。
AC Simulation Controller和BudGain
component设置
发射机预算增益测量方程和VAR变量
设定
发射机的预算增益仿真结果
小结
正如开头所提到的,这里的仿真没有用到很具体的电
路元件,而是使用一个个的行为级功能模块,直接按设计
要求对其参数进行设定,然后对整机方案的各种特性进行
仿真。对系统级设计而言,这确实是一种十分简捷易行的
做法,它直接用行为级和功能级的角度去研究分析系统性
能,这就相当于只需把已经封装好的模块拿来用,而不必
去考虑其内部具体的电路构成是怎样的。尤其在具体方案
实现前进行设计的可行性分析这样不必涉及具体电路实现
的情况下,就更显其独特的优越性和重要性。而且对于像
ADS这样功能足够强大的仿真软件而言,可以对系统的各
种特性进行全面的模拟,这确实是系统设计工程师所梦寐
以求和不可或缺的。所以这里我尽量做到对系统的不同方
面指标、性能进行仿真。
小结(续)
另一方面,系统级仿真的优点也恰恰是其局限之处,
在不考虑系统各个模块内部实现的情况下,如何设置参数
才能尽量完整、真实、客观的仿真出所需的结果就成为系
统级仿真所面临的一大挑战。毕竟,与真实情况相去甚远
的仿真结果是没有什么实际意义的,因此如何全面正确的
使用仿真模块所提供的参数,甚至自己设计仿真参数,以
及如何构建出一个尽量真实客观的仿真环境就显得尤为重
要。作为一位系统设计者,不光要有系统级高屋建瓴的眼
光和头脑,还必须拥有深厚的电路设计功底,要对各个电
路模块的结构性能有足够深入的了解,才可能真正准确地
把握系统的特征,进行正确有效的设计和仿真。
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