UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

Departamento de Engenharia Elétrica

Disciplina: Eletrônica de Potência

Semicondutores de Potência

 Prof. Alisson Freitas

 Transistores de Potência

Os transistores de potência são

divididos em 4 categorias:

1) Transistores bipolar de Junção;

2) Transistores de Efeito de Campo

(MOSFETs);

3) Transistores de indução estática

(SITs);

4) Transistores bipolares de porta

isolada (IGBT).

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 Transistores Bipolar de Potência

O emprego de transistores bipolares de junção (BJTs) em

circuitos eletrônicos é muito frequente, o que também
ocorre com circuitos de eletrônica de potência.

Especialmente em circuitos eletrônicos de baixo custo,

operando em baixas frequências, é usual a utilização de
transistores bipolares de junção, além das aplicações em
circuitos de controle e comando, proteção, supervisão,
dentre outros.

Os TBP foram os primeiros componentes controláveis

no disparo e no desligamento capazes de manobrar níveis
relativamente elevados de potência.

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 Transistores Bipolar de Potência

Embora a tecnologia dos tiristores já fosse relativamente

bem dominada, o impedimento para a utilização dos
transistores em aplicações de potência era a baixa
velocidade de comutação, ou seja, a "lentidão" com que o
componente, ao ser ligado ou desligado, atravessava a sua
região ativa, o que implicava em excessiva dissipação de
potência sobre o mesmo.

Quando as melhorias tecnológicas permitiram realizar tal

operação em tempos da ordem de poucos microsegundos,
os TBP começaram a ser aplicados em conversores
eletrônicos de potência.

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 Transistores Bipolar de Potência

Posteriormente, com as evoluções tecnológicas que

permitiram o desenvolvimento de outros tipos de
transistores, como os MOSFETs e IGBTs (que serão
vistos adiante), os TBPs perderam competitividade e hoje
praticamente não são mais utilizados.

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 Transistores Bipolar de Potência

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 Limites de Chaveamento

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 Limites de Chaveamento
Para explorar o transistor inteiramente deve-se utilizar a
característica apresentada na figura abaixo, que mostra a
área útil de operação. Quando chaveado entre dois estados
de operação ( corte e saturação ), é fundamental que os
valores instantâneos de corrente e tensão caiam dentro do
retângulo mostrado na figura.

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 Área de Operação Segura

Exemplo de uma AOS – Tip50

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 Tensões de Rupturas
Uma tensão de ruptura é definida como a máxima tensão
absoluta entre dois terminais, com o terceiro terminal em
aberto, curto-circuitado ou polarizado tanto direta quanto
reversamente.

a) VEB0: máxima tensão entre emissor e base, com coletor

aberto;

b) VCEV ou VCEX: máxima tensão entre coletor e emissor para

uma tensão negativa aplicada entre a base e o emissor;

c) VCE0(SUS): máxima tensão de sustentação entre o coletor e o

emissor com a base aberta. Esta grandeza é especificada para
corrente e tensão de coletor máximas, aplicadas simultaneamente
sobre o transistor, com um valor especificado de carga indutiva.

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 Região de Quase saturação

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 Perdas do TBP
Perdas por Condução:

Perdas por Comutação:

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 Transistores de Efeito de Campo
A família de transistores de efeito de campo é basicamente constituída pelos
transistores de efeito de campo com gatilho (JFET) e os transistores de
efeito de campo de metal-óxido (MOSFET) que podem ser de enriquecimento e
depleção.

Gatilho (gate) – terminal de controle do componente;

Dreno – terminal que drena a corrente (no sentido real) fornecida pela
fonte (source). No sentido convencional de circulação de corrente é o
terminal por onde entra a corrente;

Fonte (source) – terminal que fornece elétrons, no sentido real, e por sai a
corrente no sentido convencional.

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 Transistores de Efeito de Campo

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 Transistores de Efeito de Campo

O transistor de efeito de campo é controlado pelo terminal de gatilho, fazendo

com que a largura do canal aumente ou diminua à medida que se aplica ou retira
tensão entre este terminal e a fonte. Por isso este transistor é denominado
de efeito de campo, pois a corrente de dreno é controlada pela tensão
(campo elétrico) entre o gatilho e a fonte. Assim, pode-se escrever:

O ganho do transistor foi denominado simplesmente de k. Note a diferença

para o BJT

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 Transistores de Efeito de Campo

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 Área de Operação Segura do MOSFET
Para tensões elevadas ela é mais ampla que para um TBP equivalente,
uma vez que não existe o fenômeno de segunda ruptura. Para baixas
tensões, entretanto, tem-se a limitação da resistência de condução.

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 Acionamento do MOSFET
O transistor MOSFET entra em condução quando for aplicada uma
tensão entre o gatilho e o terminal fonte (source) maior que a tensão
de limiar. De outro modo, pode-se considerar a capacitância entre o
gatilho e o terminal fonte (source), e para que o MOSFET conduza
este pequeno capacitor deve ser carregado. Por outro lado, para
bloquear o MOSFET deve-se descarregar esta capacitância, que é da
ordem de alguns pico Farads.

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 Acionamento do MOSFET

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 Comutação do MOSFET

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 SNUBBER do MOSFET

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 Perdas no MOSFET
Em condução

 id(on) – corrente de dreno quando ligado;

 rds(on) – resistência entre dreno e source quando ligado;
 T – período de chaveamento;
 ton – tempo pelo qual o transistor permanece ligado

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 Perdas no MOSFET
Em comutação

 tr – tempo de subida da corrente de dreno;

 tf – tempo de descida da corrente de dreno;
 id(on) – corrente de dreno quando ligado;
 vds(off) – tensão entre dreno e source ao final da comutação;
 f – frequência de comutação.

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 Transistores Bipolares de Porta Isolada

Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) foram desenvolvidos na

década de 80, para aliarem as vantagens dos MOSFETs e dos BJTs. Assim, foi
desenvolvido um componente que do ponto de vista do acionamento é um
MOSFET e do ponto de vista da parte de potência é um BJT. A estrutura do IGBT
é similar à do MOSFET, mas coma inclusão de uma camada P+ que
forma o coletor do IGBT

Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a

região N- tem sua condutividade modulada pela injeção de portadores
minoritários (lacunas), a partir da região P+, uma vez que J1 está
diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma
menor queda de tensão em comparação a um MOSFET similar.

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 Transistores Bipolares de Porta Isolada

 Inclusão da camada P+:

 Maior condutividade em
comparação ao MOSFET;

 Baixas perdas em condução;

 Baixas perdas de chaveamento;

 Dispositivo controlado por tensão

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 Transistores Bipolares de Porta Isolada

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 Acionamento do IGBT

Em termos de acionamento, o IGBT é similar ao MOSFET, ou seja, precisa-se

carregar a sua capacitância de entrada, aplicando uma corrente pelo terminal de
gatilho, saindo pelo terminal de emissor. Isso é feito aplicando uma tensão entre
gatilho e emissor, com um resistor série para limitar a corrente de carga da
capacitância interna

A entrada em condução é similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta

a queda da tensão Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores
vindos da região P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser
retirados.

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 Perdas no IGBT

Em condução:

Em comutação:

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 Comparativo entre TP

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 CONCLUSÃO

Referências:

 RASHID. Eletrônica de Potência. Editora Pearson Education do Brasil

LTDA. 1998.

 BARBI. Eletrônica de Potência. Edição do Autor. 2006.

 HART. Eletrônica de Potência Análise e Projeto de Circuitos. Editora

Mcgraw Hill. 2012

 Notas de Aula professor Petry - UFSC

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