John Bardeen

El 23 de mayo de 1908, nace el físico estadounidense John Bardeen, quien junto a Walter
Brattain construyó un dispositivo utilizando el elemento químico germanio, el cual permitió
terminar el desarrollo del transistor, que tanto William Shockley como Brattain habían intentado
construir, partiendo de la amplificación de las válvulas termoiónicas, pero no lo habían
conseguido. Por este descubrimiento, los tres investigadores fueron galardonados con el Premio
Nobel de Física en 1956. Posteriormente, se unió a León Cooper y a John R. Schrieffer y
crearon la teoría estándar de la superconductividad, la cual se denominó BCS. Nuevamente,
Bardeen se encuentra en un grupo que es galardonado con el Premio Nobel de Física en 1972.
Esto lo convirtió en el único, hasta el momento, en recibir dos veces el Premio Nobel de Física.
El dos veces Nobel de Física John Bardeen, nació en Madison, Estados Unidos. Realizó
estudios de ingeniería eléctrica en la Universidad de Wisconsin, obteniendo su título en
1928, más tarde en la misma universidad obtiene su título de doctor en física matemática bajo
la tutela de Eugene Wigner. Inicia su labor investigativa en tiempos de la Segunda Guerra
Mundial, en el laboratorio del Departamento de Ordenanza Naval de Estados Unidos. Al
finalizar la guerra, se traslada a los laboratorios de Bell Telephone Inc, en donde realiza
investigaciones en relación a las propiedades electrónicas de materiales semiconductores. Estos
trabajos le llevaron al descubrimiento del transistor.
https://iquimicas.com/23-mayo-dia-hoy-1908-efemeridesquimicas/

(Madison, Estados Unidos, 1908 - Boston, id., 1991) Físico

estadounidense. Galardonado en dos ocasiones con el Premio Nobel de
Física, en 1956 y 1972, el suyo constituye un caso excepcional en el
mundo de la ciencia moderna. Compartió su primer Nobel con William B.
Shockley y Walter H. Brattain, por la invención del transistor, y el
segundo, con Leon N. Cooper y John R. Schrieffer, por el desarrollo de la
llamada «Teoría BCS» de la superconductividad.

John Bardeen se licenció en ingeniería eléctrica en la Universidad de

Wisconsin (Madison) y obtuvo el doctorado en física matemática en la
Universidad de Princeton. Desarrolló su labor científica en primer lugar en
el laboratorio del departamento de Ordenanza Naval de Estados Unidos
durante la Segunda Guerra Mundial.
Al término de la contienda pasó a dirigir los laboratorios de la Bell
Telephone Inc., donde investigó las propiedades electrónicas de los
materiales semiconductores, trabajos que culminaron con el invento del
transistor, elemento que abrió toda una amplísima gama de nuevas
perspectivas en el campo de la microelectrónica y la informática.

Desde 1951 hasta 1975 ejerció como profesor en la Universidad de Illinois.

Durante este período Bardeen desarrolló, en colaboración con Cooper y
Schrieffer, la labor teórica en la cual se cimentaron todas las
investigaciones posteriores en el terreno de la superconductividad,
denominada «Teoría BCS» por las iniciales de los apellidos de sus
creadores.

https://www.biografiasyvidas.com/biografia/b/bardeen.htm
John Bardeen nació el día 23 de mayo de 1908 en la ciudad de Madison, en Estados
Unidos y concretamente en Wisconsin.
Hijo de un doctor y profesor de anatomía, John se licenció en Letras en el año 1928, pero
su gran vocación estaba en otras materias, en las matemáticas, en la física y en la
ingeniería, por lo que por esas mismas fechas se graduó en Ingeniería Eléctrica con el
grado denominado B.S.
Bardeen se fue con el profesor Leo J. Peters a Pennsylvania durante tres años a trabajar
en el desarrollo de los métodos aplicables en la interpretación de las medidas magnéticas.
Después en Princeton, en 1933, se interesó aún más por la física, consiguiendo el
graduado de la universidad de aquella ciudad, y trabajando con el profesor Wigner, que le
introdujo en la física relacionada con el estado sólido. En 1935 se trasladó a Harvard,
donde le ofrecieron un puesto como “Junior Fellow”, y donde profundizó en temas como
las variedades en la conexiones o conducciones eléctricas que se da en los metales. Poco
a poco se iba haciendo un hueco en puestos de responsabilidad.
Años después consiguió la preparación suficiente para impartir clases de física como
asociado en la Universidad de Minnesota, y durante la Segunda Guerra Mundial trabajó en
el laboratorio de ordenanza naval que había en la capital de Estados Unidos. Washington.
Una vez terminado el conflicto, en 1945, se introdujo en el grupo que había de
investigación en el laboratorio llamado “Bell Telephone”, en donde se interesó
especialmente en la conducción eléctrica y en las propiedades de los semiconductores.
Los intensos estudios que llevó a cabo durante estos años, de gran dedicación y empeño,
contribuyeron de manera decisiva a importantes adelantos en el terreno de la electrónica,
lo que facilitó posteriormente el perfeccionamiento del transistor, que con sus nuevos
adelantos logró sustituir a las válvulas denominadas termoiónicas.
En 1951, en Urbana (Illinois), impartió de nuevo más clases, y entre ellas tuvo gran
consideración el curso que dio acerca de la ingeniería eléctrica, en concreto el dedicado al
funcionamiento del transistor.
En el año 1956 la Academia sueca concedió el premio Nobel a Bardeen, galardón que se
entrega por toda una carrera dedicada a una actividad, y que en este caso hacía justicia a
su labor en el estudio de los semiconductores y el descubrimiento de las posibilidades que
otorgaba el transistor. La concesión fue conjunta ya que Walter Brattain y William
Shockley, también consiguieron esta distinción en el mismo año, lo cualk no restaba
importancia a este hecho. Un año después del Nobel publicó sus teorías BCS de la
superconductividad, junto a sus compañeros Cooper y Schrieffer, con un éxito
espectacular. Esas iniciales (BCS) pertenecen a los nombres de los tres protagonistas que
impulsaron estas teorías (Bardeen, Cooper, Schrieffer) que muy poco tiempo después tuvo
como resultado la concesión de un nuevo premio Nobel. Fue en 1972, otra vez compartido
con sus dos colegas de profesión, y tuvo un valor extra ya que supuso la primera vez que
una misma persona lograba ese galardón en la misma disciplina.
Estos dos premios no fueron los únicos de su carrera, entre otros muchos cabe destacar el
premio Fritz London en el año 1962, la Medalla Nacional de las Ciencias, en 1962 el
Vincent Bendiz, la medalla Stuart Ballantine que le fue concedida en Filadelfia, además de
otros muchos.
En 1975 dejó de impartir clases en la Universidad de Illinois, aunque no se fue de allí
definitivamente ya que se quedó como emérito hasta el mismo momento que falleció en
1991. Del mismo modo desempeñó funciones de consultor en algunas empresas como
Xerox, General Electric etc. También durante tres años formó parte del Comité Científico
de Asesores que había en Estados Unidos, y otro de los puestos importantes en los que
estuvo fue en el Consejo de Ciencias de la Casa Blanca, muy cerca del presidente.
Bardeen logró averiguar los anómalos comportamientos de los superconductores, que ya
había sido objeto de estudio por parte del holandés Kamerlingh Onnes. Concretamente
insistió en su carga negativa de electrones, que no produce una dispersión de energía en
colisiones arbitrarias, sino que actúan de forma complementaria en idéntica dirección y
velocidad.
La empresa Sony Corporation de Japón se acordó de Bardeen poco antes de su muerte y
estableció en la Universidad de Illinois, donde él antes había dado clases a las nuevas
generaciones, la cátedra John Bardeen en Física e Ingeniería Eléctrica en homenaje al
científico norteamericano. Los directivos de Sony tenían una importante amistad con él y
fue un honor para ellos.
Bradeen era un investigador de lo más pragmático, buscaba contrastar siempre todos sus
experimentos y afirmaciones, además de consultarlos con sus compañeros de profesión.
Todos sus estudios estaban profundamente meditados y Bardeen llevaba a cabo una
profunda reflexión antes de difundir sus ideas. Tenía una imaginación muy destacable y se
preparaba al detalle todos sus estudios, al igual que sus clases de la universidad. Se casó
con una chica llamada Jane Maxwell en el año 1938. El matrimonio tuvo tres hijos, James
Maxwell, William Allen y Elizabeth Ann.
John Bardeen murió el día 30 de Junio de 1991 en Boston a los 83 años de edad y dejó
tras de sí una carrera plagada de éxitos, con muchos reconocimientos internacionales y
una labor impecable de investigación que dejó una huella importante y útil para las nuevas
generaciones.
Bardeen será recordado por sus premios Nobel, el primero en conseguirlo en dos
ocasiones y por sus intensos estudios de las distintas propiedades eléctricas de los
semiconductores, que a la postre se tradujeron en el descubrimiento del transistor, un
invento que abrió de par en par unas novedosas perspectivas en las materias relacionadas
con la microelectrónica y la computación.
http://enciclopedia.us.es/index.php/John_Bardeen

Walter Houser Brattain

(Amoy, China, 1902-Seattle, EE UU, 1987) Físico estadounidense. En 1929 empezó a

trabajar como físico en los Bell Telephone Laboratories. Su principal campo de investigación
fue el estudio de las propiedades de las superficies de los sólidos, y en particular el de la
estructura atómica de un material a nivel superficial, la cual difiere de la del interior. Registró
diversas patentes y es autor de numerosos artículos sobre física del estado sólido. En 1956
compartió el Premio Nobel de Física con John Bardeen y William B. Shockley por el diseño
del transistor de germanio, ingenio cuyo posterior desarrollo fue la base de los modernos
microprocesadores.

https://www.biografiasyvidas.com/biografia/b/brattain.htm

Nació el 10 de febrero de 1902 en Amoy, China.

Trabajó como físico en la división de radio del Instituto Nacional de

Modelos y Tecnología.
En 1929 se incorporó a los laboratorios de la Compañía Telefónica
Bell, donde junto a los físicos estadounidenses William
Shockley y John Bardeen inventaron un pequeño dispositivo
electrónico llamado transistor.
En 1948 se anunció por primera vez y se terminó en 1952,
empleándose comercialmente en radios portátiles, audífonos y otros
aparatos.

Fue profesor de física en la Universidad de Harvard.

Por su trabajo con los semiconductores y por el descubrimiento del

transistor, compartió con Shockley y Bardeen en 1956
el Premio Nobel de Física.

Walter Houser Brattain falleció en Seattle, Washington, el 13 de

octubre de 1987.
https://www.buscabiografias.com/biografia/verDetalle/5110/Walter%20
Houser%20Brattain

Walter Brattain. Físico norteamericano, su principal campo de investigación fue el

estudio de las propiedades de las superficies de los sólidos, y en particular el de la
estructura atómica de un material a nivel superficial, la cual difiere de la del interior.
Registró diversas patentes y es autor de numerosos artículos sobre física del estado
sólido. En 1956 compartió el Premio Nobel de Física con John Bardeen y William
Shockley por el diseño del transistor de germanio, ingenio cuyo posterior desarrollo fue
la base de los modernos microprocesadores.

Síntesis biográfica
Walter Houser Brattain, nació en Amoy, China, el 10 de febrero de 1902, su
padre era profesor de ciencias en Amoy, y poco tiempo después, en 1903, la
familia volvió al estado de Washington en Estados Unidos.
Sus primeros estudios universitarios fueron de física en el año 1920, en Whitman
College de Walla Walla, donde obtuvo su primera licenciatura , después continuó
sus estudios en la universidad de Oregón en donde obtuvo su licenciatura
superior donde se graduó como Master en ciencias, pasando después a realizar
su doctorado en la universidad de Minnesota. Participó en varios programas
militares, durante la II Guerra Mundial.

Trabajos realizados
 En junto a Vincent E. Heaton, trabaja en el desarrollo de un dispositivo oscilador de
frecuencia patrón portátil, controlado por un cristal de cuarzo.
 En 1929 ayudado por Joseph A. Becker , realizó estudios sobre la
emisión termoiónica y en problemas relacionados con rectificadores de óxido de
cobre.

 En 1947, Brattain junto a William Shockley, y otros, inventaron el transistor.

 En 1950, obtuvo la patente sobre el transistor de punta de contacto junto a John

Bardeen

 En 1950, también llevó a cabo trabajos sobre el efecto fotovoltaico en

los semiconductores, trabajos de los que obtuvo tres patentes.

 En los siguientes años Brattain siguió investigando sobre semiconductores,

colaborando de una manera muy especialmente con Charles Garrett, logrando
obtener varias patentes.

Muerte
Brattain falleció el 13 de octubre de 1987, a la edad de 85 años, después de
cuatro años de lucha contra el Alzheimer, en Seattle, Washington, Estados
Unidos.

Premios recibidos
 En 1956, recibe el Premio Nobel de Física junto a Bardeen y Shockley, por los
aportes realizados sobre el transistor.

 Stuart Ballantine Medal (The Franklin Institute), 1952.

 John Scott Medal (City of Philadelphia), 1955.

 Brattain también recibió varios doctorados honoris causa de distintas universidades,

entre las que cabe citar:

1. Portland University, en 1952.

2. Whitman College, Walla Walla, en 1955.
3. University of Minnesota, en 1957.
4. Union College, Schenectady, en 1955.

Fuente
 Biografías. Walter Houser Brattain. Disponible en "histel.com". Consultado: 3 de
agosto del 2011.
 Biografías. Walter Houser Brattain. Disponible en "www.fisicanet.com.ar".
Consultado: 3 de agosto del 2011.
William Bradford Shockley
(Londres, 1910 - Palo Alto, 1989) Físico norteamericano. Doctorado por
la Universidad de California, William Shockley ingresó en 1936 en los
laboratorios de Murray Hill, de la empresa Bell Telephone Company.
Durante la Segunda Guerra Mundial dirigió el proyecto de defensa
submarina de los Estados Unidos y prestó servicio a su nación como
asesor del secretariado de la Guerra (1945). Finalizada la contienda, en
1953 fue nombrado director del departamento de transistores de la
citada empresa.

Shockley colaboró con John Bardeen y Walter Houser Brattain en la

construcción de aparatos semiconductores que desplazaran a los tubos de
vacío. Con sus trabajos demostraron que los cristales de germanio eran
mejores rectificadores que los utilizados hasta la fecha, dependiendo su
efecto de la trazas de impurezas contenidas en los mismos. Mediante el
empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que
incluían una aguja en conexión con el cristal, el equipo inventó el
transmisor de contacto puntual.
Poco después, Shockley construyó el transistor de unión, que usaba una
unión entre dos partes, tratadas de modo diferente, de un cristal de silicio.
Tales semiconductores de estado sólido tienen la virtud de rectificar y
amplificar la corriente que circula a través de ellos. Gracias a estos
aparatos pequeños y muy fiables se abrió camino hacia la miniaturización
de los circuitos de radio, televisión y de los equipos de ordenadores,
proporcionando un formidable impulso al desarrollo de la electrónica y la
informática. William Shockley recibió el premio Nobel de Física de 1956, que
compartió con John Bardeen y Walter H. Brattain, por sus investigaciones
de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor.

https://www.biografiasyvidas.com/biografia/s/shockley.htm

Nació el 13 de febrero de 1910 en Londres.

Hijo de estadounidenses, cuando contaba tres años, se traslada junto

a su familia a Palo Alto, California. Su padre era ingeniero y su
madre topógrafa de minas.

No fue a la escuela hasta que cumplió 8 años.

En el otoño de 1927 ingresó a la Universidad de California en Los

Angeles, y un año después al prestigioso Instituto de Tecnología de
California (Cal Tech), en Pasadena. Terminó su licenciatura
en física en 1932 y posteriormente obtuvo una beca para estudiar en
el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT), donde se doctoró
en 1936.

Trabajó en los laboratorios de la Compañía Bell de 1936 a 1956. Fue

director de la Shockley Transistor Corporation.

Dio conferencias en la Universidad Stanford desde 1958 y clases

de ingeniería en 1963.

Investigó sobre los semiconductores llevándole al desarrollo

del transistor en el año 1948.

Recibió en 1956 el Premio Nobel de Física por sus investigaciones

acerca de los semiconductores y el descubrimiento del efecto
transistor que compartió con sus asociados John Bardeen y Walter
H. Brattain. Hizo además varias aportaciones a la electrónica y
campos afines y llegó a acumular más de 90 patentes a lo largo de su
vida.

En sus ratos libres gustaba del alpinismo y llegó a escalar algunas de

las montañas más elevadas de los Alpes, incluyendo la Jungfrau y Mt.
Blanc (con su hija Alison en 1953).

William Shockley falleció el 12 de agosto de 1989 de cáncer de

próstata en su casa en el campus de Stanford a los 79 años de edad.
https://www.buscabiografias.com/biografia/verDetalle/9146/William%20Shockley%20-
%20William%20Bradford%20Shockley

William Bradford Shockley, fue un físico estadounidense, galardonado con el Premio

Nóbel de Física en 1956. Inventó el transistor de unión el 5 de julio de 1951
(dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se los encuentra en todos los
enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de
audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras,
lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores
mp3, celulares, etc.) A finales de 1960, Shockley realizó unas controvertidas
declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que
los test de inteligencia mostraban un factor genético en la capacidad intelectual. Creó
sus propios laboratorios en California, pero su forma de llevar la empresa provocó que
ocho de sus investigadores en 1957 abandonasen la compañía. Entre ellos estaban
Robert Noyce y Gordon Moore quienes más tarde crearon Intel (empresa multinacional
que fabrica microprocesadores, circuitos integrados especializados tales como
circuitos integrados auxiliares para placas base de computadora y otros dispositivos
electrónicos).
https://mx.tuhistory.com/hoy-en-la-historia/william-shockley-invento-el-transistor