Amplificadores de potencia de audio

Multiplicador de Vbe

n
Éste circuito opera alimentado por una fuente de corriente

 R1 
VCE =  + 1 VBE
 R2 

Tener en cuenta
que VBE
depende de la
corriente de
colector
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
R1 = R2 = 1KΩ

R 
VCE =  1 + 1 VBE
 R2 

Zona activa
del
transistor

Zona corte
VCE = (R1 + R2 ) I 1 del
transistor
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
y las resistencias R1 y R2

R1 = R2
Impedancia del multiplicador
R1 = R2 = 1KΩ

∆VCE
z≅ I 1 =10mA ≈ 10 Ω
∆I 1
Impedancia del multiplicador como sistema realimentado
f
I CQ = 10 mA
gm = 0,4A / V
ZO β = 300
VA = 100 V
a RPI = 750 Ω
RO = 10 KΩ
1
f =−
R1

ZO =
zO
=
( RO // R1 )
≈ 8Ω
1 + a f 1 + gm (R // R )(R // R // R ) 1
O 1 1 2 PI
R1
Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia

Circuito utilizado para análisis por simulación

 Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
(La gráfica se obtuvo por simulación con R1=R2=1KΩ , I1=10mA e IALTERNA=0,1mA)

Zona
capacitiva
Zona
inductiva

Zona
resistiva
Z O = 10,8 Ω
Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
Corrección con capacitor

Circuito utilizado para análisis por simulación

Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
Corrección con capacitor
R1=R2=1KΩ I1=10mA IALTERNA=0,1mA C1=5nF, 10nF y 20nF

Zona
resistiva

5nF

10nF
20nF
Zona
Z O = 10,8 Ω capacitiva
Variación de la tensión del multiplicador con la
temperatura R = R = 1KΩ
1 2

27ºC
− 3,4mV/ºC
37ºC
Mejoramiento del multiplicador de VBE para independizarlo
aún más de la corriente de polarización

 R1 
VCE ≅  + 1  VBE − I C R3
 R2 

Tener en cuenta
que VBE
depende de la
corriente de
colector
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
y la resistencia de colector R3

R3=0Ω
R3=10Ω
R3=20Ω

R3=30Ω
R3=40Ω

R1 = R2 = 1KΩ
Estudio evolutivo de un amplificador de tensión
orientado a su aplicación en amplificador de
potencia de audio
 Amplificador de tres etapas
Ganancia unitaria
Ganancia Ganancia
de tensión y muy
relativamente relativamente
alta de corriente
baja alta

Sumador Amplificador de Separador

_ Tensión

Baja excursión Alta excursión Impedancia de

de tensión a la de tensión a la salida muy baja
salida salida
Circuito analizado en la clase de Realimentación
ETAPA DE ETAPA
ETAPA DE GRAN DE
COMPARACION AMPLIF. DE SALIDA
(O SUMADOR) TENSIÓN CLASE A

La topología de la etapa de salida resulta poco eficiente en amplificadores de potencia

 Amplificador de tres etapas con realimentación
• La realimentación permite estabilizar la polarización y la ganancia de tensión. También se
logra relativamente alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida y reducida
distorsión armónica.
• Se opera con doble fuente en serie (o fuente dividida) fijando el punto medio como
masa, lo que permite conectar directamente la carga sin capacitor de acoplamiento.
Alta
f ganancia
Separador
Generador Sumador Fuente
Desacople CC

Polarización

Carga
Z ALTA

X1

Z BAJA
Amplificador de tres etapas con realimentación total
La topología de etapa de salida mas comúnmente utilizada es clase B

ETAPA
DE
SALIDA
CLASE B
Reducción del cruce por realimentación
V 'O
=a ‘
VO
VI
f =0
VI
Slew Rate

a
‘
VO

VO

VO a
≅ VI
VI 1 + af
Transferencia de la etapa de salida clase B
Sin corrección de cruce

VO

VCC+

VBE5 = - 0,7V

VI
VBE4 = 0,7V

VCC−
 Deformación de la señal de salida

VI

VO
 Análisis espectral de la señal de salida

Distorsión armónica = 15% con Vi=3Vpico

VO

Notar la presencia de armónicas altas, tanto pares como impares

Transferencia de la etapa de salida clase B
Con corrección de cruce
VB4

VI VO

ICQ4 VCC+

VBEQ4

VI
VBEQ5

ICQ5 VCC−

VB5

VI
Polarización de los transistores con ICQ=1mA

IC4 IC5 IC
IC4MAX --IC5MAX
VBEQ4 = 0,6V = -VBEQ5

IC4 --IC5

Q
ICQ4 --ICQ5

VCE t
VCEQ4 = -VCEQ5
VSP1=−VCE

t
 Deformación de la señal de salida

VI

VO

Distorsión armónica = 2% , Vi=3Vpico, ICQ=1mA

 Análisis espectral de la señal de salida

Distorsión armónica = 2% con Vi=3Vpico

Polarizando los transistores con ICQ=1mA

VO

Notar una reducción relativa de las armónicas impares mas bajas

Polarización de los transistores con ICQ=100mA

IC4 IC5 IC
VBEQ4 = 0,75V = -VBEQ5
IC4MAX --IC5MAX

IC4 --IC5

Q
ICQ4 --ICQ5

VCE t
VCEQ4 = -VCEQ5
VSP1=−VCE

t
 Análisis espectral de la señal de salida

Distorsión armónica = 0,3% con Vi=3Vpico

Polarizando los transistores con ICQ=100mA

VO

Notar una reducción relativa progresiva de las armónicas superiores

 Polarización los transistores con ICQ=1A
IC4 --IC5 IC

IC4MAX --IC5MAX IC4 --IC5

VBEQ4 = 1V = -VBEQ5

Q
ICQ4 --ICQ5 --ICQ

VCE t
VCEQ4=--VCEQ5

VSP1=−VCE

t
 Análisis espectral de la señal de salida

Distorsión armónica = 0,08% con Vi=3Vpico

Polarizando los transistores con ICQ=1A

VO

Notar la fuerte reducción relativa de las armónicas mas altas

La etapa está operando en clase A
Corrección del cruce por polarización con diodos

VO

VI
Corrección del cruce por polarización y realimentación

VO

VI
Incluyendo una etapa de salida clase B en el diseño del amplificador

¿Cómo se fusiona la segunda etapa y la tercera etapa?

Incluyendo una etapa de salida clase B en el diseño del amplificador

La corriente de polarización de los diodos es la misma que la del colector de T3

Incluyendo una etapa de salida clase B en el diseño del amplificador

Los diodos tienen deriva térmica similar a la del transistores T4 y T5.

Y menor inercia térmica que el termistor usado en diseños antiguos.
Incluyendo una etapa de salida clase B en el diseño del amplificador

R permite un ajuste preciso de las corrientes de polarización ICQ4 e ICQ5

Incluyendo una etapa de salida clase B en el diseño del amplificador

El transistor permite reemplazar a varios diodos con el circuito multiplicador de

Vbe y tiene las misma deriva térmica que la juntura base emisor de los
transistores de salida
 Mayor estabilidad térmica de etapa de salida
• Se logra agregando una resistencia en serie con los emisores de los
transistores de salida de manera de lograr una realimentación en su
polarización
Mejoramiento del comportamiento de la segunda etapa
• Se logra aumentando el beta de los transistores de salida con
tecnología Darlington de manera que se logre el aumento de la
ganancia de la segunda etapa aislándola de la impedancia de carga
Mejoramiento del comportamiento de la segunda etapa
• Se incrementa la ganancia de tensión de la segunda etapa mediante
el aumento de la impedancia vista por el colector del transistor T3

• Una forma es mediante la tecnología Bootstrap (tirabotas).

 Funcionamiento del circuito bootstrap (tira botas)

vo = 0,99 vi

vi − vo
ii =
R '6 Z ii
vi vi vo
Z= x 0,99
ii
vi
Z= R '6 Z i etapa3 = β1 β2 RSP1
vi − vo

Z = 100 R'6

Ganancia de tensión de la segunda etapa = gmT3 . Z//Z i etapa3

Mejoramiento del comportamiento de la segunda etapa
• Otra forma es mediante la implementación de una carga activa
Mejoramiento del comportamiento de la segunda etapa
• La batería auxiliar se reemplaza por una tensión de referencia
lograda con dos diodos
 Mejoramiento del comportamiento de la primera etapa
• Se reemplaza la resistencia de polarización del par diferencial por una
fuente de corriente

• Se logra mejorar el manejo de tensiones de modo común y el CMRR

 Mejoramiento del comportamiento de la primera etapa
• Otra mejora importante es reemplazar la carga resistiva de T1
por una activa lograda con un espejo de corriente

• Se logra duplicar la ganancia de la primera etapa

 Mejoramiento del comportamiento de la primera etapa
• Para mejorar la linealidad de la etapa de entrada se agrega
realimentación local por medio de resistencias en los emisores
Amplificador de audio = Amplificador Operacional
 Amplificador de audio de potencia

Especificaciones típicas
Potencia de salida = 50W sobre 8 ohm a 1KHz con THD 0,01%
Potencia de salida = 80W sobre 4 ohm a 1KHz con THD 0,02%
Distorsión armónica total = 0,05% de 20 Hz a 20KHz a 1W/8ohm
Distorsión por intermodulación = 0,05 % a 1W/8ohm
Distorsión por intermodulación transitoria (TIM)= rara vez especificado
Ancho de banda = 10 Hz a 100 KHz a 1W/8ohm
Ancho de banda de potencia = 10 Hz a 50 KHz a 50W/8ohm
Sobreimpulso de la tensión de salida = rara vez especificado
Factor de amortiguamiento = 200
Impedancia de entrada = 50 Kohm
Corrimiento de la tensión de salida = ±20mV entre 20 y 50 ºC de temp. amb.
Ruido = mejor que 90dB de relación señal ruido o 10uV RMS máx. a la salida
Consumo sin señal = 5W
Protección contra cortocircuito a la salida
Protección contra tensión continua a la salida
Variaciones de topologías de
amplificadores
Transistores de salida en cuasi darlington
Transistores de salida en paralelo
Transistores de salida en darlington
Bootstrap a la salida
Bootstrap a la entrada
Segunda etapa complementaria
Segunda etapa complementaria (dos pares diferenciales en cascada)
Segunda etapa complementaria (dos pares diferenciales en cascada), sin tercera etapa
Segunda etapa simple, sin tercera etapa
Segunda etapa complementaria (dos pares diferenciales en paralelo), sin tercera etapa
Segunda etapa complementaria (dos pares diferenciales en paralelo)
Primera etapa simple y bootstrap a la salida
Tercera etapa simple
Tercera etapa simple mas amplificador operacional
Tercera etapa simétrica
Tercera etapa simétrica mas amplificador operacional
Turner 730
Etapa de potencia del amplificador Turner 730
Distorsión armónica
Esquema de un amplificador de audio de potencia

CARGA

(lazo cerrado)
Medición o simulación a lazo abierto

Con éste filtro pasabajos se abre el lazo de

alterna conservando el lazo de continua
 Distorsión armónica a lazo abierto

10V DA=2%

10mV

10mV

DALAZO ABIERTO
DALAZO CERRADO ≅ Distorsión armónica a lazo cerrado
1 + af

10V DA=0,004%

10mV

10µV
 Distorsión armónica total
Se produce fundamentalmente por:

• Transferencia alineal de la primera y segunda etapa

• Conmutación en tercera etapa (“cruce” en salida clase B)
• THD = Total harmonic distortion , en inglés
La tensión de salida de una etapa en emisor común es:

Vo = RCARGA I Q e ( Vs
VT −1 )
Desarrollando en serie se puede reemplazar por:

Vo = a1Vs + a V + a V + ...
2 s
2
3 s
3
 RCARGA I Q RCARGA I Q RCARGA I Q
Siendo: a1 = a2 = a3 =
VT 2VT2 6VT3
∧
Con señal sinusoidal VS = VS seno(wt ) se puede expresar:
∧ ∧ ∧
Vo = a1 Vs seno wt + a2 V seno wt + a3 V seno 3 wt + ...
s
2 2
s
3

∧ ∧
∧ 2 3
Vo = a1 Vs seno wt +
a2 V
s
(1 − cos 2wt ) + a3 V (3seno wt − seno 3wt ) + ...
s
2 4
∧
 ∧ ∧
 ∧ ∧
a2 V 2
 3a V 3
 a2 Vs2
a3 Vs3
Vo = +  a1 Vs + 3  seno wt − 2 cos 2wt − 4 seno 3wt + ...
s s
2  4 
 
Definiendo distorsión armónica como la relación entre la suma
de las componentes armónicas a la fundamental, se tiene para
las componentes segunda y tercera armónica:
∧ ∧
2 3
a2 V a V 2
∧ s 3 s
 
∧
2 1Vs 4 1 V s 
HD2 = ∧
= HD3 = ∧
=  
4 VT 24  VT 
a1V s a1V s  
Resulta evidente la necesidad de exitar la segunda etapa con bajos niveles
de señal y que a su vez la misma provea una alta ganancia de tensión
 Distorsión de cada etapa

• Se mantiene el circuito realimentado para

sostener la correcta polarización.
• Se neutraliza la realimentación de alterna.
• Se busca medir cada etapa por separado,
independizándola del efecto de carga de las
otras.
PRIMERA ETAPA
VENT
DIFERENCIAL

VSAL
PRIMERA ETAPA
ISAL
PRIMERA
ETAPA
ISAL
PRIMERA
ETAPA

ABRIENDO
EL LAZO

VSAL
PRIMERA ETAPA
 Amplitud entrada = 3mVpico
Resistencia emisor par diferencial = 0 Ω
Distorsión = 4,81%

Notar que solo 3mV producen un altísimo nivel de distorsión, se buscará

reducirlo con el agregado de realimentación local como se muestra en la
siguiente diapositva
 Amplitud entrada = 3,5mVpico
Resistencia emisor par diferencial = 100 Ω
Distorsión = 0,02%

El costo es una reducción de ganancia de 10dB.

El beneficio es una reducción de la distorsión de mas de 40 dB.
Notar que la componente segunda armónica es muy alta en relación a la
tercera, cuando se esperaba que hubiera ocurrido cancelación debido al uso
del espejo de corriente como carga activa
Notar que las corrientes de colector del par diferencial son levemente diferentes

688uA

703uA
Se propone medir la corriente de salida del par diferencial mediante una resistencia de 1 ohm

VENT
DIFERENCIAL
688uA

703uA

I=0

ABRIENDO
ISAL EL LAZO
PRIMERA
ETAPA

Carga casi ideal para una fuente de corriente

La segunda y tercera armónica tienen un peso importante en la distorsión
VENT
DIFERENCIAL
695,5uA

695,5uA

I=0

ABRIENDO
ISAL EL LAZO
PRIMERA
ETAPA

Se agrega una resistencia y se ajusta su valor para equilibrar las dos

corrientes de colector como se muestra en el siguiente esquema
La segunda resulta muy reducida respecto de la tercera
Comparación entre antes y después de igualar las corrientes de colector del par diferencial
SEGUNDA ETAPA
 ISAL
SEGUNDA
ETAPA

ISAL
PRIMERA
ETAPA

Carga casi
ideal para
una fuente
de corriente
 BLOQUEO
DE SEÑAL

VDIF = 0

I=0

GENERADOR MEDICIÓN DE
DE CORRIENTE CORRIENTE
Amplitud entrada = 0,1mApico
Distorsión = 12%
Amplitud entrada = 0,05mApico
Distorsión = 0,6%
 Amplitud entrada = 0,01mApico
Distorsión = 0,1%

Se nota que por debajo de 0,05mA la reducción de la señal de entrada no es tan importante
en la reducción de la distorsión como lo es para señales mayores a 0,05mA, debido a que para
éste circuito el operar con señales del orden de 0,05mA o menores cae dentro de su zona
cuasi lineal.
TERCERA ETAPA
 VSAL

Polarización

Señal de IENT
prueba
 Ajuste de
simetría de las Ajuste de
corrientes I de I
la tercera etapa

I
Se abre lazo

Anulando 1ra Señal de

y 2da etapas prueba
Se ajusta el valor de la corriente de polarización de la tercera etapa desde
una situación de corte hasta 1A en los transistores de salida
I Distorsón
uA %
0 20
0,01 14
0,1 12
1 10
10 8
100 6
1000 4
10000 2,2
20000 1,7
30000 1,4
40000 1,2
50000 1
100000 0,5
200000 0,14
500000 0,08
1000000 0,06

Notar que a partir de 200mA la distorsión corresponde a un

funcionamiento clase A para la amplitud de 3Vpico de la señal de salida
con la que se efectuaron todas las mediciones
 0
2
4
6
8
10
12
14
0,01

0,1

10

100

1000

10000

100000

1000000
Espectro de la señal de salida para I=10mA y Vopico=3V

¿Cual es el valor recomendable para I? Justificar

¿Cómo varía la distorsión de la señal de salida del amplificador en función
de su amplitud?
(Solo la tercera etapa más el efecto de carga de la segunda)

Se midió para una corriente I=10mA obteniéndose los siguientes valores.

Vo Distorsón
V %
1 3,1
3 2,3
6 1,75
13,1 1,15
16 1,05
20 1,1
22,5 1,3
25,4 1,6
28,2 2,1
30 2,6
35 4
40 5,3

Notar que la distorsión disminuye a medida que aumenta la amplitud.

Sin embargo al acercarse al recorte de la etapa de salida vuelve a crecer.
Ver el gráfico siguiente
 Distorsión en función de la amplitud pico de salida para I=10mA
%
6

0 V
11 3 6 10
10 20 30 40
 Disipación de potencia
Los transistores y diodos de potencia requieren un disipador
para evacuar el calor y mantener su temperatura de juntura
por debajo de la máxima especificada

Ver la página http://www.disipadores.com

103
 Cálculo del disipador
Sea un dispositivo semiconductor cualquiera
V

PD = V .I
I

Se determina experimentalmente el aumento de temperatura

de juntura, hallándose proporcional a la potencia disipada

∆T = Tj − Ta = θja.PD
Siendo θja la resistencia térmica juntura- ambiente

104
Operando con la ecuación experimental se define la
Ley de OHM térmica:

Tj − Ta
θja =
PD
Reescribiendo se obtiene:

Ta Tjm
PD = − +
θja θja

Donde Tjm es la temperatura de juntura máxima

105
La resistencia juntura ambiente incluye las resistencias:

θjc = resistencia térmica juntura cápsula

θcs = resistencia térmica cápsula disipador

θsa = resistencia térmica disipador ambiente

O sea:

θja = θjc + θcs + θsa

106
Se tiene el siguiente circuito térmico

107
 Los fabricantes suelen especificar Tj máxima
y la potencia en función de la temperatura de la cápsula

PD (Tc ) = PD max − (Tc − Tco ) con Tc ≥ Tco

PD max
T j max − Tco

Transistor típico:

PCOLECTOR max = 70 W
T j max = 150º C
Tco = 25º C

T j max − Tco
θjc =
PD max
108
Rendimiento de la etapa de salida clase B
• Interesa conocer la eficiencia del amplificador y la
peor condición de operación de los transistores

Corriente promedio de colector (1 transistor):

1 π IP
IC =
2π ∫0
I P sen( wt )d ( wt ) =
π
Corriente promedio de la fuente (2 transistores):

2I P
I FUENTE =
π
109
Potencia promedio entregada por la fuente:
2 I PVCC
PFUENTE = I FUENTEVCC =
π
Eficiencia:
η
PCARGA I PVP 2 π VP ηmax
η= = =
PFUENTE 2 I PVCC π 4 VCC VP
VCC

¿A que amplitud de señal se obtiene la máxima eficiencia?

Es cuando Vp se acerca a VCC , idealmente VP=VCC

π VCC
η= = 0,785 η = 78,5%
4 VCC
110
 ¿A que amplitud de señal se obtiene la máxima disipación
de potencia en cada transistor?

La disipación de potencia en el colector de un transistor es:

PFUENTE − PCARGA
PC =
2
I PVCC I P2 RL
PC = −
π 4
La máxima potencia en cada colector será cuando:
dPC VCC I P RL 2 VCC
= − = 0 ⇒ I P max = I P =
dI P π 2 PCMAX
π RL
De donde se obtiene.
2
VP max = VP = RL I P = RL I P max = VCC
PCMAX PCMAX
π 111
Con lo que la máxima potencia disipada en los colectores de los
transistores se da cuando la tensión de salida es:
2
VP max = VCC = 0,637 VCC o sea 63,7% de VCC
π
Resultando una eficiencia de:
π VP 2π VCC
η= VP = VP max = = 0,5 η = 50%
4 VCC 4π VCC
La máxima potencia disipada en cada colector es entonces:
2
VCC
PC max = PC I P = I P max = 2
π RL
La potencia disipada (normalizada) en cada colector resulta:
2
PC  VP  π 2
 VP 
= π   −  
PC max  VCC  4  VCC  112
La potencia disipada (normalizada) en cada transistor de salida
puede graficarse en función de la tensión pico de salida así:

113
114
115
 Cálculo del RE mínimo requerido para
compensar el embalamiento térmico
RE introduce realimentación
local que permite compensar
el embalamiento térmico de I E = I C1 + I B1 + I C2
Q1
si β1 >> 1 ⇒ I B1 << I C1 ∴
C
IC1 I E = I C1 + I C2
IB1
IC2 Además es:
B
E I C2 = β2 I C1
IE
Finalmente:

I E = I C1 ( β2 + 1)
116
La corriente de emisor del transistor cuasi-darlington es:
VBB − VBE1
IE =
RE

Igualando con I E = I C1 ( β2 + 1) resulta:

VBB − VBE1
I C1 =
RE ( β2 + 1)
La potencia generada en el transistor Q1 es:

PG = VCE I C1
Con lo que resulta:
VBB − VBE1
PG = VCE
RE ( β2 + 1)
117
La potencia disipable en el transistor Q1 , por ley de Ohm térmica es:
Tj − Ta
PD =
θja
Para evitar el embalamiento térmico, la generación de calor debe ser
menor a la capacidad de disiparlo, por lo que debe cumplirse que:
∂PD ∂PG
≥
∂Tj ∂Tj
La variación de potencia disipada es:
∂PD 1
=
∂Tj θja
Y la variación de potencia generada es:
∂PG VCE K ∂VBE1
= con K = = 2 mV/ºC
∂Tj RE ( β2 + 1) ∂Tj
118
 1 VCE K
Combinando resulta en: ≥
θja RE ( β2 + 1)

RE ( β2 + 1)
En su forma más conocida: θja ≤
VCE K

Notar que para el cuasi-darlington estudiado (NPN-PNP), el transistor

que puede embalarse térmicamente es Q1, que además es el que cierra
la malla de polarización estabilizada, por lo que debe considerarse para el
cálculo de RE la manera en que éste transistor disipará su potencia, o sea
el valor resultante de θja según se utilice o no disipador térmico, luego
puede calcularse RE . Además será:

VCE = VCE MAX = VCC y β2 = β2MIN

Finalmente:
θjaQ 1 VCC K
RE ≥
( β2MIN + 1) 119
 Amplificadores Clase G

Introducción a otras clase de

amplificadores con mayor eficiencia
que la clase B
¿Porqué se necesitan otras clases?
• La clase B satisface las necesidades de eficiencia
en audio para el hogar ya que el contenido
musical con alto rango dinámico requiere un
promedio de potencia de unos pocos Vatios.

• La mayor eficiencia de las clases D, G y H,

involucrando mayor costo de fabricación, solo se
requiere y justifica en amplificación profesional.
Disipación en los transistores de salida

Clase B

Fuente de corriente
Exterior
Clase G

Interior
Topología Clase G

En la siguiente
Exterior diapositiva se
grafica en verde la
señal de este nodo
Interior
En la siguiente
Carga
diapositiva se
grafica en rojo la
señal de este nodo
Interior
En la siguiente
diapositiva se
Exterior grafica en azul la
señal de este nodo
 Efecto de aumento de la fuente de
alimentación baja
Voltaje de salida y fuente equivalente

Tiempo 0,2 milisegundos / división

Disipación en los transistores de salida
Disipación en de potencia

Clase B Exterior
en una mitad

+
Interior

Clase G

Interior

Disipación de potencia en la carga

 Comparación de eficiencia
Eficiencia %

Clase G Clase B

Disipación de potencia en la carga

Clase G alternativa
En la siguiente
diapositiva se
grafica en verde la
señal de este nodo

En la siguiente
diapositiva se
grafica en rojo la
señal de este nodo

En la siguiente
diapositiva se
grafica en azul la
señal de este nodo
Voltaje de salida y fuente equivalente
Clase G alternativa

Tiempo 0,2 milisegundos / división

 Clase G alternativa
• La eficiencia es similar a clase G clásico

• El transistor exterior disipa poco porque está

conmutando entre corte y saturación

• El transistor interior en cambio resulta más

exigido en disipación y más comprometido
con su área segura de operación
 Protección en clase G
• Se utilizan las mismas técnicas que en clase B

• El transistor exterior no requiere protección

• El transistor interior puede limitarse en

corriente y es en el que debe prestarse
atención al SOA (área segura de operación)
 Distorsión en clase G
• Debido a que la conmutación de fuente ocurre
a un nivel alto, la distorsión no es mayor que
la normal en clase B debido al cruce para la
reproducción de una señal sinusoidal

• Resulta además enmascarada psico

acústicamente en reproducción de música por
los niveles altos de señal y su proximidad en el
contenido armónico.
 Costos en clase G
• Los costos de amplificadores clase G son
mayores que en clase B, aunque mucho
menores (debido a la menor complejidad)
comparando con clase D

• Se justifica en potencias mayores a 200 W y

menores a 1000 W

• Por encima de los 1000 W debe pensarse en

clase D