Ingeniería Electrónica
Informe de Laboratorio
Curso: electrónica 1 Laboratorio #: 3 Grupo #: 1
Polarización de BJT
Juan Sebastian Diaz Rincon, Pablo Enrique Santana Forero, Hernán Santiago Ortega López
Resumen: El presente informe se refiere a la práctica
de laboratorio con respecto al tema de transistores del tipo BJT
(bipolar junction transistor). En primer lugar, definiremos
como interactúa el transistor BJT en el circuito teniendo en
cuenta que esta clase de transistores permiten aumentan la
corriente y disminuir el voltaje. Después de esto se deben
calcular los valores de resistencias, voltajes y corrientes
asegurándonos que no se exceda el máximo de potencia de
ningún elemento, por consiguiente se debe montar el circuito y
medir de forma práctica las corrientes y voltajes del circuito,
con cada uno de los resultados obtenidos se debe realizar un
análisis y comparación de datos con la forma teórica.
La característica principal del laboratorio es poder conocer
de forma práctica como interactúa un transistor en un circuito
de polarización universal y como interviene cada una de sus
partes, ya sea la base, el emisor o el colector con sus
respectivas corrientes y voltajes.
En este laboratorio los estudiantes deben haber comprendido
el comportamiento de los transistores y podrán ser capaces de
interpretar los datos y sucesos obtenidos en la práctica, y en el
software NI Multisim.
I. MARCO TEÓRICO
Los transistores son elementos diseñados para entregar una
respuesta conforme a una señal de entrada ya sea con el objetivo
de ampliarlas o rectificarlas. Los transistores los podemos
encontrar en nuestra vida cotidiana ya sea en los televisores,
amplificadores, circuitos integrados (etc.).
El transistor cuenta con tres partes formando dos uniones
bipolares el emisor que como su nombre lo indica emite
partículas libres portadoras de carga eléctrica, el colector que
por el contrario las recibe, y la base que modula el paso de las
partículas cargadas.
Imagen revisada el día 01/10/2017 [6]
1
Para lograr polarizar un transistor del tipo BJT con Qds de un
valor de 0.5 debemos tener en cuenta los siguientes conceptos:
Transistor en polarización universal: una de las formas en la
que se encuentra polarizado un transistor BJT [1]
Transistor BJT: El transistor bipolar es un dispositivo
electrónico, mediante el cual se puede controlar una cierta
cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente.
Resistencia: Es un elemento pasivo, utilizada para medir
tensiones, corriente y para describirlos y relacionarlos de forma
matemática. [3]
Voltaje: Medida de trabajo que se requiere para mover la carga
a través de un elemento. [4]
Corriente: Forma de medirla circulación de cargas o electrones
atreves de un circuito eléctrico cerrado [5]
Colector: Recibe o recolecta portadores es decir partículas que
contienen carga eléctrica. [6]
Emisor: Entrega o emite portadores es decir partículas que
contienen carga eléctrica. [7]
Base: Se intercala entre al colector y el emisor y modula el paso
de los portadores. [8]
II. RECURSOS UTILIZADOS
A. Software: NI Multisim versión 14.1
B. Componentes: Resistencias 5kΩ , 2 de 2.5kΩ y 1kΩ,
Protoboard, Cable para protoboard, trsnsistor BJT
2n2222.
C. Equipos: Generador de señal BK Precision 40T0,
Multímetro digital Keysight Ref. U123A, Fuente DC
Ref.
III. PROCEDIMIENTO
1. Experimento 1
A. Planteamiento del Problema:
Al inicio de la práctica de laboratorio debimos realizar el
montaje previamente establecidos con valores hallados de
forma teórica por el método de transistores BJT en
polarización universal para que Qds sea 0.5 para esto
debimos encontrar y analizar cada uno de los valores de las
resistencias y al no ser valores comerciales debimos utilizar
el método de suma de las resistencias para llegar a ellos,
después de esto debemos conectar la fuente DC generando
una señal de voltaje que en nuestro caso es de 20 volts, luego
de esto se debe medir con la ayuda del multímetro las
distintas corrientes, y los distintos voltajes que interactúan
en el circuito en cada uno de los elementos para luego
realizar comparaciones teórico-prácticas, luego de lo
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anterior utilizaremos el software NI Multisim versión 14.1 Ilustración 3: circuito BJT en el software Multisim v.14.1
para comprobar nuestros resultados.

Ilustración 1 .Circuito con transistor BJT.

IV. RESULTADOS

VALORES TEORICOS OBTENIDOS:

Condiciones:

B. Análisis - Cálculos: •Qds=0.5 • hfe=200

Antes de realizar el análisis, vamos a medir cada una de la Ilustración 4: circuito BJT propuesto en el laboratorio
resistencias para determinar los factores que pueden alterar los
resultados del circuito teniendo en cuenta que su tolerancia está
al 5% pero si es posible poder usar resistencias en las que su
margen de error este menor al 3% para poder sacar los cálculos
más parecidos a los teóricos. Después de esto Estudiaremos
cómo interactúan cada una de las partes del transistor por medio
de los valores obtenidos en la práctica por método teórico y
método practico. con ayuda e intervención del software
multisim

Experimento 1

Ilustración 2. Circuito con transistor BJT foto num.2

A continuación se presentan los datos teóricos

obtenidos para el circuito con transistor BJT.
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 Con R1:
𝐼𝐸 =β𝐼𝐵 Error absoluto:2.5𝐾Ω − 2.504𝐾Ω = 0.004𝐾Ω
0.004𝐾Ω
𝐼𝐶
Error relativo: ∗ 100% = 0.00008%
2.5𝐾Ω
Β=
𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐸
Q=
𝑉𝐶𝐶

 Con R2:
𝑉𝐶𝐸 = 20 ∗ 0.5 Error absoluto:1𝐾Ω − 0.98𝐾Ω = 0.02𝐾Ω
𝑉𝐶𝐸 = 10 Error relativo:
0.02𝐾Ω
∗ 100% = 0.002%
𝐼𝐶 = 1𝑚𝐴 1𝐾Ω
𝐼𝐵 = 5µ𝐴
Voltajes
𝑅𝐶 = 𝑅𝐸 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 Voltaje Valor real Valor practico
20 − 𝑅𝐶 (1𝑚𝐴) − 10 − 𝑅𝐸 (1𝑚𝐴) = 0 VC(V) 5 5.01
10 − 𝑅𝐶 (2𝑚𝐴) = 0 VE(V) 5 5.03
10 VCE(V) 10 9.95
𝑅𝐶 = − = 5𝐾Ω VBE(V) 0.7 0.6
−2𝑚𝐴
𝑅𝐸 = 5𝐾Ω

Errores:
𝑉𝐵𝐵 =
𝑉𝐶𝐶 ∗𝑅2
𝑅𝐵𝐵 =
𝑅2 ∗ 𝑅1  Con VC:
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 Error absoluto:5𝑉 − 5.01𝑉 = 0.01𝑉
−0.01𝑉
1𝑚𝐴 Error relativo: ∗ 100% = −0.2%
5𝑉
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵𝐵 ∗ − 0.7 − 5𝐾Ω(1𝑚𝐴) = 0
200  Con VE:
Error absoluto:5𝑉 − 5.03𝑉 = 0.02𝑉
−0.02𝑉
Error relativo: ∗ 100% = −0.4%
𝑉𝐵𝐵 − 𝑅𝐵𝐵 (5µ𝐴) − 0.7 − 5 = 0 5𝑉
 Con VCE:
𝑉𝐵𝐵 = (5µ𝐴)𝑅𝐵𝐵 − 5.7 Error absoluto:10𝑉 − 9.5𝑉 = 0.5𝑉
0.5𝑉
20 ∗ 𝑅1 Error relativo: ∗ 100% = 5%
𝑉𝐵𝐵 = 5.7 = 10𝑉
𝑅1 + 𝑅2  Con VBE:
Error absoluto:0.7𝑉 − 0.6𝑉 = 0.1𝑉
𝑅1 = 2.5 ∗ 𝑅2 Error relativo:
0.1𝑉
∗ 100% = 14.28%
5.7 𝑅1 + 5.7 𝑅2 = 20 ∗ 𝑅2 0.7𝑉
R1 = 2.5𝐾Ω
𝑅2 = 1𝐾Ω Corrientes

Corrientes Valor real Valor practico

VALORES PRACTICOS Y ERRORES OBTENIDOS: IC(mA) 1 1.013
IE(mA) 1 1.09
Resistencias: IB(µA) 5 4.64
Resistencias Valor real Valor practico B 200 218.31
RC(Ω) 5K 4.946K
RE(Ω) 5K 4.946K Errores:
R1(Ω) 2.5K 2.504K  Con IC:
R2(Ω) 1K 0.98K Error absoluto:1𝑚𝐴 − 1.013𝑚𝐴 = 0.013𝑚𝐴
−0.013𝑚𝐴
Error relativo: ∗ 100% = −1.3%
1mA
Errores:  Con IE:
 Con RC: Error absoluto:1𝑚𝐴 − 1.09𝑚𝐴 = 0.09𝑚𝐴
Error absoluto:5𝐾Ω − 4.946𝐾Ω = 0.054𝐾Ω Error relativo:
0.09𝑚𝐴
∗ 100% = −9%
0.054𝐾Ω 1𝑚𝐴
Error relativo: ∗ 100% = 0.00108%  Con IB:
5𝐾Ω
 Con RE: Error absoluto:5µA − 4.64µA = 0.36µA
Error absoluto:5𝐾Ω − 4.946𝐾Ω = 0.054𝐾Ω Error relativo:
0.36𝑢𝐴
∗ 100% = 7.2%
0.054𝐾Ω 5µA
Error relativo: ∗ 100% = 0.00108%
5𝐾Ω  Con B:
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Error absoluto:200 − 218.31 = 18.31
−18.31
Error relativo: ∗ 100% = −9.155%
200

Ilustración 9. Medida del voltaje 𝑅1

Simulación en Multisim v.141

Ilustración 5. Medida del voltaje base emisor 𝑉𝐵𝐸

Ilustración 10. Medida del voltaje 𝑅 2

Ilustración 6. Medida del voltaje colector emisor 𝑉𝐶𝐸

Ilustración 11. Medida del voltaje 𝑅3

Ilustración 7. Medida del corriente del emisor 𝐼𝐸

Ilustración 12. Medida del voltaje 𝑅4

Ilustración 8. Medida del corriente del colector 𝐼𝐶
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A. Análisis de Resultados:
En este análisis verificaremos algunos factores que pudieron
afectar los resultados prácticos del experimento, para ello
vamos a tener en cuenta los datos teóricos y los datos prácticos,
vamos a compararcada uno de ellos usando el error absoluto y
el error relativo. También debemos tener en cuenta los
resultados adquiridos por el simulador multisim estudiando los
valores obtenidos en el software, con todo lo anterior y teniendo
en cuenta lo que hicimos durante el laboratorio llegamos a los
siguientes análisis:
 Dado que la corriente del emisor tiene un valor muy
parecido al de la corriente del colector, se puede
determinar que las resistencias tanto para emisor como
para colector son iguales.
 En el caso de las resistencias R1 y R2, se determinó que
la resistencia R1 debía ser 2,5 veces la resistencia R2 para
que cumpliera las condiciones.
 A partir de un voltaje Vcc de 20 voltios se obtuvo que el
voltaje Vce debía ser de 10 voltios.
 Gracias a las simulaciones realizadas en el software
multisim v.14.1 pudimos confirmar los valores obtenidos
teórica y prácticamente que varían en un 5% el uno con
el otro.
 La existencia de los errores nos hacen plantear la
Metodología de uso de los instrumentos electrónicos que
eso hubiera podido alterar los resultados del laboratorio,
aunque no podemos desprestigiar los objetivos
conseguidos, los errores no alcanzar a llegar el 15%,
pareciera ser muy alto pero hay que tener encuesta que
estamos usando valores muy pequeños de voltaje que un
repentino calculo puede ser determinante.
Ilustración 13.
Montaje circuito BJT
V. CONCLUSIONES
A. Técnicas:
 Por medio del software multisim, el método teórico y
el método practico aplicado en el desarrollo del
laboratorio llegamos a la conclusión que la unión
Base-Emisor es un diodo y su voltaje siempre será de
aproximadamente 0,7 voltios.
 Durante el laboratorio práctico se pudo determinar
que la corriente del emisor es aproximadamente la
corriente del colector llevándonos a que sus
resistencias en este caso son iguales.
5
 Por otro lado nos dimos cuenta que el transistor deja
pasar o corta señales eléctricas a partir de una señal
más pequeña es decir una de mando. Por ende
decimos que funciona como un interruptor.
 Gracias al laboratorio número 3 de electrónica se
logró que los estudiantes comprendieran y
entendieran de una forma teórico-práctica el uso de
los transistores BJT.
B. Personales:
 Personalmente llegamos a que en el transistor BJT
con un β=200 e Ic=1mA, se pudo obtener los
diferentes valores de las resistencias para que el
circuito cumpliera con la condición de Qdc=0,5.
 Además de esto logramos entender que el transistor
tiene varios usos en la electrónica entre ellos
amplificar señales y el de funcionar como llave
lógica
 Por una equivocación en el montaje practico
llegamos a la conclusión que la unión base - emisor
se polariza directamente y la unión base - colector
inversamente.
 El laboratorio, las comparaciones teórico-prácticas
con los datos y las simulaciones nos ayudaron a
comprender como interactúa un transistor BJT y
cómo trabaja y funciona cada una de sus partes.
VI. REFERENCIAS
[1] William Hayt and Jack Kemmerly and Steven Durbin,
Analisis de circuitos en ingenieria, Septima edición, México
D.F, McGraw Hill, 2007
[2] William Hayt and Jack Kemmerly and Steven Durbin,
Analisis de circuitos en ingenieria, Septima edición, México
D.F, McGraw Hill,2007.
[3]William Hayt and Jack Kemmerly and Steven Durbin,
Analisis de circuitos en ingenieria, Septima edición, México
D.F, McGraw Hill,2007, pp 22.
[4]William Hayt and Jack Kemmerly and Steven Durbin,
Analisis de circuitos en ingenieria, Septima edición, México
D.F, McGraw Hill,2007, pp 14.
[5] William Hayt and Jack Kemmerly and Steven Durbin,
Analisis de circuitos en ingenieria, Septima edición, México
D.F, McGraw Hill,2007.
[6] hetpro-store, Imagen revisado el dia 01/10/2017 de la
página: hetpro-store.com
[7] Física Universitaria, Sears Zemansky, 12ava Edición,
Vol1, Cap. 13.
[8] Física Universitaria, Sears Zemansky, 12ava Edición,
Vol1, Cap. 13.
[9] Física Universitaria, Sears Zemansky, 12ava Edición,
Vol1, Cap. 13
[10]normas ieee página web: normas.com
URL:http://normasapa.com/como-referenciar-imagenes-
figuras-segun-las-normas-apa/