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Transistor
Transistorer (cropped).jpg
El tama�o de un transistor guarda relaci�n con la potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Invenci�n John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)
S�mbolo electr�nico
BJT symbol NPN.svg
Terminales Emisor, base y colector
[editar datos en Wikidata]
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de uni�n bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electr�nica de potencia
5 Construcci�n
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor com�n
7 Dise�o de una etapa en configuraci�n emisor com�n
7.1 Base com�n
7.2 Colector com�n
8 El transistor bipolar frente a la v�lvula termoi�nica
9 V�ase tambi�n
10 Referencias
11 Bibliograf�a
12 Enlaces externos
Historia
Art�culo principal: Historia del transistor
R�plica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integraci�n a gran
escala disponible hoy en d�a; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por cent�metro cuadrado y
en varias capas superpuestas.
Tipos de transistor
Distintos encapsulados de transistores.
Transistor de contacto puntual
El transistor de uni�n bipolar (o BJT, por sus siglas del ingl�s bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor el�ctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con �tomos de elementos donantes de electrones, como el
ars�nico o el f�sforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o �huecos�) se logran contaminando con �tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regi�n de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminaci�n entre ellas (por lo general, el emisor est�
mucho m�s contaminado que el colector).
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingl�s, que controla la
corriente en funci�n de una tensi�n; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de uni�n, JFET, construido mediante una uni�n PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se a�sla del canal mediante un diel�ctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-�xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es met�lica y est� separada del canal
semiconductor por una capa de �xido.
Fototransistor
Art�culo principal: Fototransistor
Los primeros transistores bipolares de uni�n se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleaci�n semiconductora de silicio-
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.
Debido a que la movilidad de los electrones es m�s alta que la movilidad de los
huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado
tiende a ser m�s r�pido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio
tiene el valor m�s alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es
por esta raz�n que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET
de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de electrones
(HEMT), tiene una heteroestructura (uni�n entre diferentes materiales
semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs),
que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una uni�n de barrera GaAs-
metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en
los receptores de sat�lite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los
HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones a�n mayor y se est�n desarrollando
para diversas aplicaciones.
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tensi�n igual a la tensi�n directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V
para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
El signo negativo, indica que la se�al de salida est� invertida con respecto a la
se�al de entrada.
Como la base est� conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre
ellos se puede suponer que existe una tensi�n constante, denominada V B E
{\displaystyle V_{BE}} {\displaystyle V_{BE}} y que el valor de la ganancia (�) es
constante. Del gr�fico adjunto, se deduce que la tensi�n de emisor es:
Y la corriente de emisor:
I E = I C + I B = I C + I C � = I C ( 1 + 1 � ) {\displaystyle
{\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}
{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}
{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}
V C = V C C - I C R C = V C C - R C * I E 1 + 1 � {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}
{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}
{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}
V C = V C C - R C I E = V C C - R C * ( V B - V B E R E ) = ( V C C + R C V B E R E
) - R C V B R E {\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-
R_{C}*{\bigg (}{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}
{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}
{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}
{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}
I B = I E � = V E R E � = V B - V B E R E � {\displaystyle
{\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}
{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}
{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}
Z i n = V B I B = V B V B R E � = R E � {\displaystyle
{\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}{\displaystyle
{\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}{\displaystyle
{\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}
Recta de carga
Ejercicio
R C = V R C I C = V C C - V C E - V E I C = 20 V - 8 V - 2 V 10 m A = 1 K O
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-
V_{CE}-V_{E}}{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega } {\displaystyle \mathbf
{\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-V_{CE}-V_{E}}
{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega }
Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a trav�s del
divisor de voltaje R 1 {\displaystyle R_{1}} {\displaystyle R_{1}} y R 2
{\displaystyle R_{2}} {\displaystyle R_{2}}, debe ser mucho mayor que la corriente
de base; como m�nimo en una relaci�n 10:1
R 2 = 1 10 � R E = 1 10 ( 100 ) ( 0.2 K O ) = 2 k O {\displaystyle \mathbf {\mathbb
{R} } 2\leq {\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega
} {\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq {\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac
{1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }
La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, est� dada por Z
b = r e � = ( 2.6 ) ( 100 ) = 260 O {\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)
(100)=260\Omega } {\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }
La base com�n se suele utilizar para adaptar fuentes de se�al de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micr�fonos din�micos.
Colector com�n
Colector com�n
Antes de la aparici�n del transistor, eran usadas las v�lvulas termoi�nicas. Las
v�lvulas tienen caracter�sticas el�ctricas similares a la de los transistores de
efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensi�n en el
terminal llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz� a la
v�lvula termoi�nica son varias:
Las v�lvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de
voltios, que son peligrosas para el ser humano.
Las v�lvulas consumen mucha energ�a, lo que las vuelve particularmente poco
�tiles para el uso con bater�as.
El peso: El chasis necesario para alojar las v�lvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos
kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las v�lvulas termoi�nicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las v�lvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducci�n.
El efecto microf�nico: Muy frecuente en las v�lvulas a diferencia de los
transistores, que son intr�nsecamente insensibles a �l.
Tama�o: Los transistores son m�s peque�os que las v�lvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de
dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tama�o
que se ha de considerar es el del dispositivo (v�lvula o transistor) m�s el del
disipador. Como las v�lvulas pueden funcionar a temperaturas m�s elevadas, la
eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que
basta un disipador mucho m�s peque�o.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas
y corrientes altas; mientras que las v�lvulas presentan impedancias elevadas y por
lo tanto trabajan con altas tensiones y peque�as corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las v�lvulas, desde su lanzamiento
inicial y se cont� con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuar�a bajando (como de hecho ocurri�) con suficiente investigaci�n y
desarrollo.
Referencias
Bibliograf�a