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TEORIA DE BANDAS

En un material cristalino existen bandas de energía donde los electrones se mueven libremente,
es decir, estas bandas son el resultado de la superposición de los niveles atómicos de los átomos
que constituyen un cristal. Cuando dichos átomos se acercan entre sí para formar el cristal, se
colocan en un arreglo periódico formando una red cristalina, donde sus niveles de energía
atómicos interaccionan entre sí, dando lugar a bandas de energía. Una ilustración simple de los
orígenes atómicos de algunos anchos de banda de energía prohibida (band gaps), donde se
describe la clasificación de los metales y aislantes de acuerdo a la teoría de bandas. Un
tratamiento riguroso de la teoría de bandas, requiere de la aplicación de la mecánica cuántica, en
cualquiera de los dos enfoques. El de Heitler y London, sin embargo, permite una explicación
cualitativa más clara de los fenómenos involucrados en la teoría de bandas, por lo cual nos
centraremos en esta teoría

figura1: Estructura de bandas

BANDA DE VALENCIA
denominamos banda de valencia a los más altos niveles de energías electrónicas (o bandas) que
se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto. En semiconductores y aislantes aparece
una banda prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de una banda de
conducción a energías aún mayores. En los metales, por el contrario, no hay ningún intervalo de
energías prohibidas entre las bandas de valencia y de conducción
(WilliamD.Callister,1996,p.616)

Figura2: Estructura de bandas en un semiconductor


BANDA DE CONDUCCION
La banda de conducción es el intervalo de energías electrónicas que, estando por encima de la
banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo
eléctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas. Los electrones de un
semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energía, generalmente
debido a la excitación térmica (WilliamD.Callister,1996,p.616)

Figura3: Estructura de bandas en un semiconductor

Conductores. (Metales)
Para que un electrón llegue hacer libre, debe ser excitado o promovido hacia uno de los
estados de energía vacíos y disponibles por encima de 𝐸𝑓 . Para metales con estructuras
de bandas de los tipos mostrados en la figura 1.a y 1.b, existen estados de energía vacíos
contiguos al nivel ocupado de mayor energía, 𝐸𝑓 . Así, se requiere poca energía para
promover electrones en los niveles bajos de energía tal como se muestra en la figura 4.
Generalmente la energía proporcionada por un campo eléctrico es suficiente para excitar
un gran número de electrones de conducción a estos estados conductores, Supongamos
que todos los electrones de valencia tienen libertad de movimiento y forman un “gas de
electrones” que esta uniformemente distribuido en toda la red de iones. Aun cuanto
estos electrones no estén unidos a ningún átomo en particular, deben experimentar, sin
embargo, cierta excitación para convertirse en conductores completamente libres. Así
aun cuando solamente una fracción es excitada, esto da origen a un número grande de
electrones libres y, en consecuencia, a una conductividad alta
(WilliamD.Callister,1996,p.618)

Figura4: Estados ocupados en el caso de un metal: a. antes y b. después de la excitación electrónica


Aisladores y semiconductores
En estos casos no existen estados vacíos, contiguos al máximo de la banda de valencia. Para
hacerse libres, los electrones deben superar un intervalo prohibido de energía para acceder a los
primeros estados de energía de la banda de conducción. Esto es posible únicamente si se
suministra al electrón la energía equivalente a la diferencia entre estos 2 estados, que es
aproximadamente igual a la energía del intervalo prohibido,𝐸𝑔 . Este proceso de excitación se
muestra en la figura 5. A menudo la excitación energética proviene de una fuente no eléctrica tal
como calor o luz, sobre todo la primera.
A una temperatura dada, cuanto mayor es 𝐸𝑔 , menor es la probabilidad de que un electrón de
valencia pase a un estado energético dentro de la banda de conducción. Es decir, cuanto mayor
es el intervalo prohibido de energía, menor es la conductividad eléctrica para una determinada
temperatura. Entonces, la distinción entre semiconductores y aisladores reside en el valor del
intervalo prohibido, en los semiconductores es pequeño, mientras que en los aisladores es
grande. Al aumentar la temperatura tanto del uno como del otro se produce un aumento de
energía térmica disponible para la excitación de electrones. Entonces, más electrones son
promocionados a la banda de conducción, lo cual origina un aumento de la conductividad. En
los materiales aisladores, el enlace interatómico es iónico o fuertemente covalente. Asi los
electrones de valencia están fuertemente ligados a átomos individuales o son compartidos por
ellos. Es decir, estos electrones están muy localizados y no son en absoluto libres para moverse
dentro del cristal. El enlace en los semiconductores es covalente y es relativamente débil esto
significa que los electrones de valencia no están fuertemente ligados a los átomos, en
consecuencia, en los semiconductores, estos electrones son desligados más fácilmente por
excitación térmica que en los aisladores (WilliamD.Callister,1996,p.619)

Figura5: Estados ocupados en el caso de un aislador, o bien un semiconductor: a. antes y b. después de la


excitación de un electrón desde la banda de valencia a la banda de conducción, en cuyo proceso se forma
un electrón libre y un hueco