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Apuntes de programación de microcontroladores - Samuel Cruz Plaza.

Descarga Electroestática

La descarga electrostática o ESD (Electrostatic discharge) es una corriente eléctrica de


corta duración, no repetitiva, que fluye entre 2 objetos cuando éstos entran en contacto, o
cuando se aproximan a una distancia de unos pocos milímetros.

Para que se produzca la ESD, debe existir una diferencia de potencial significativa entre los
objetos, normalmente en el rango de centenares de V a decenas de kV.
La ESD es una de las mayores causas de fallas de componentes electrónicos,
especialmente de circuitos integrados.
En la figura se muestra el símbolo usado generalmente como advertencia del riesgo de
ESD.
Uno de los mecanismos más comunes de generación de electricidad estática es el
frotamiento entre 2 objetos. La tensión generada depende de la humedad relativa. En la
siguiente tabla se muestran algunos ejemplos.

Humedad Humedad
Mecanismo de generación
70-90% 10-20%

Caminar sobre piso de vinilo 250 V 12 kV

Despegar cinta adhesiva de tarjeta de circuito impreso 1.5 kV 12 kV

Limpiar contactos con una goma de borrar 1 kV 12 kV

Caminar sobre una alfombra sintética 2.5 kV 35 kV

Deslizar caja plástica sobre cartulina o cartón 1.5 kV 18 kV


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El umbral humano de percepción de la ESD es de alrededor de 3 kV. Como muchos


componentes se pueden dañar con potenciales menores, el fenómeno puede pasar
desapercibido.
Otro mecanismo de generación de electricidad estática peligrosa es la reducción de la
capacidad de un objeto cargado con respecto a tierra. Como V = Q / C, si la capacidad
disminuye y la carga se mantiene constante, la tensión aumenta, pudiendo alcanzar niveles
peligrosos. Por ejemplo, una caja depositada en el piso presenta una cierta capacidad con
respecto a tierra. Si la caja es levantada, su capacidad con respecto a tierra disminuye y su
potencial aumenta.
En las siguientes figuras se muestran dos ejemplos del daño que puede producir una
descarga electrostática.

Falla N° 1: en la figura se muestra un cráter en la compuerta de un MOSFET generado


por una ESD.
El cráter tiene un diámetro de 1 micrón (10-6 m), y contiene fragmentos de metal fundido.
La falla produce una pérdida de aislación entre la compuerta y el canal del MOSFET,
inutilizándolo.
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Falla N° 2: en la figura se muestran las capas en espiral que conforman un resistor de


precisión de película metálica (metal film). El material oscuro es conductor, y el material
claro es aislante.
La flecha indica el punto en el cual la ESD causó un cortocircuito entre 2 capas de material
conductor.
Como el resistor está compuesto por un gran número de capas, la resistencia sólo se altera
levemente.
En la figura se muestra una ampliación de la zona dañada, en la cual se aprecia la brecha
en el material aislante.
Este es un ejemplo de un componente dañado parcialmente, con un defecto que resulta
muy difícil de pesquisar, ya que el componente no falla totalmente, pero pierde sus
especificaciones originales.
La sensibilidad de los componentes electrónicos a la ESD varía significativamente
dependiendo de la tecnología utilizada para fabricarlos. Dentro de los componentes más
vulnerables se encuentran los transistores MOS sin protección interna y los circuitos
integrados de gran escala (VLSI) tales como microcontroladores, memorias, etc.
Algunos circuitos integrados CMOS son vulnerables a otro tipo de falla gatillada por la ESD
cuando están polarizados, denominada "latchup". Este fenómeno consiste en la entrada
en conducción de un dispositivo SCR parásito (remanente de la construcción del circuito
integrado), proceso que incrementa significativamente el consumo del chip, elevando su
temperatura, hasta llevarlo en algunos casos a la destrucción. Si el aumento de temperatura
se detecta a tiempo, basta con desenergizar el circuito y polarizarlo nuevamente para
restablecer el funcionamiento normal.
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Los circuitos integrados se protegen de la ESD envolviéndolos en un material conductor, tal


como papel metálico, o enchufándolos en esponja conductora, ya que de esta forma se
eliminan las diferencias de potencial entre pines. A veces se reemplaza erróneamente la
esponja conductora por plumavit, ya que este material protege las patitas de los C.I.
evitando que se doblen. Sin embargo, el plumavit es aislante, y por lo tanto no protege al
dispositivo de la ESD.

En la figura se muestra una estación de trabajo protegida de la ESD.


Sobre la mesa y en el piso existen superficies conductoras conectadas a tierra, para eliminar
el riesgo de la acumulación de potenciales peligrosos. El operador también está conectado
a tierra, por medio de una pulsera conductora.
Nótese la presencia de resistencias de 1 Mohm en serie con las conexiones a tierra. Estas
resistencias no interfieren con la eliminación de la ESD, ya que las corrientes asociadas a
la ESD son muy pequeñas.
Las resistencias de 1 Mohm se intercalan en las conexiones a tierra para limitar la corriente
en caso de un contacto accidental del operador con la fase de la línea de 220 V. En ningún
caso se debe conectar directamente a tierra al operador, ya que quedaría expuesto a
recibir una descarga letal.
Sin embargo, en las condiciones de humedad normales para la zona se deben cumplir cierta
reglas, las cuales se muestran en el recuadro siguiente.
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Antes de manipular circuitos integrados se debe descargar la electricidad estática acumulada en el


cuerpo.
La descarga se puede efectuar tocando brevemente la lámina de bronce (conectada a tierra), o en su
defecto, la caja metálica de un computador personal enchufado a la red.
Al tocar la lámina de bronce, debe evitarse el contacto simultáneo con artefactos eléctricos o
electrónicos(lámparas, instrumentos, cautines, etc.) ya que en el (poco probable) caso de que sus carcazas
estén conectadas a la fase de la línea de 220 V, se podría recibir una descarga letal.
No se debe desenchufar la conexión a tierra de la lámina de bronce.
Las modificaciones a los circuitos deben realizarse sin polarización, para eliminar el riesgo de latchup.

Un técnico o ingeniero que manipula rutinariamente circuitos integrados o dispositivos


vulnerables a la ESD debiera desarrollar la capacidad de estimar el nivel de humedad
ambiente (usando las fosas nasales y la piel) o mejor aún, utilizar un higrómetro, y extremar
las precauciones en ambientes con baja humedad relativa.

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