UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y

ELECTRICA
E.A.P.
ING. ELECTRONICA

PROFESOR: ING. ALARCÓN MATUTTI

INFORME PREVIO 1
CURSO: MICROELECTRÓNICA
INTEGRANTES:

PAUCAR AYLLON CHRISTIAN

14190098

2 0 1 9-1

INFORME PREVIO 1 - MICROELECTRONICA

 INFORME PREVIO 1
1. Presentar en Laboratorio el Layout del Inversor realizado por usted, considerar para
el layout el esquema de la Figura A y la Figura B del diagrama de barras Stick. Tratar
de conseguir un layout de dimensiones mínimas. Mostrar y describir las vistas de
corte 2D y 3D.

 LAYOUT DEL INVERSOR

Ahora haremos las vistas de corte en 2D y 3D

 VISTAS DE CORTE 2D
  VISTAS DE CORTE 3D

Después de obtener y visualizar las figuras del inversor en vista de corte en

2D como en 3D, se visualiza mejor la ubicación de las estructuras de las
capas de polysilicio, del drenador y la fuente como también la polarización
de parte del Vdd, Vss y los contactos de tipo p y n.

2. Para el Layout del Inversor hallar la frecuencia máxima de operación y el área

ocupada del Layout.Para el Layout del inversor:

 FRECUENCIA MAX DE OPERACIÓN

De la gráfica hallaremos la frecuencia máxima de operación (FMax)
FMax= 38.46 Ghz

 AREA
El área ocupada del Layout

HALLANDO EL AREA RESPECTIVO

El área en proporción en las longitudes de landa tenemos los siguientes datos: altura =
16 λ y el ancho 56 λ. Donde λ= 0.125 um
Área = 16 λ* 56 λ = 14 p𝑚2

3. Para el Layout del Inversor extraer la descripción CIR(Spice) y la descripción CIF

del inversor, en cada caso establecer las reglas principales de sintaxis y
describir sus contenidos.
En base al archivo cir y usando la vista del Layout del inversor, mediante líneas
punteadas indique las dimensiones L, W, identifique las capacidades parásitas hacia
GND desde los nodos (G, D, S) y sus valores respectivos.
Se puede observar de acuerdo con la información del archivo que las dimensiones del
poli silicio es de Ancho de 0.25um y el largo es de 0.75um, tanto para el que se encuentra
sobre el transistor P y el transistor N respectivamente.
La capacitancias parásitas:
En base al archivo cif y usando la vista del Layout de su inversor, mediante líneas
punteadas identifique los valores de coordenadas (X,Y) que definan las capas de
polisilicio, difusiones, contactos y metal.
( File : "C:\Users\ana\Desktop\Micro\Informe 1\INVERSORPAUCAR.CIF")
( Conversion from Microwind 2b - 17.01.2000 to CIF)
( Version 12/04/2019,10:30:29)
DS 1 1 1;
9 topcell;
L 1;
P 1375,5250 5250,5250 5250,6250 1375,6250;
L 19;
P 4350,5600 4650,5600 4650,5900 4350,5900;
P 6100,5600 6400,5600 6400,5900 6100,5900;
P 2100,5600 2400,5600 2400,5900 2100,5900;
P 2975,5600 3275,5600 3275,5900 2975,5900;
P 7850,5600 8150,5600 8150,5900 7850,5900;
L 13;
P 1875,5375 2625,5375 2625,6125 1875,6125;
P 3625,4625 7000,4625 7000,4875 3625,4875;
P 7000,4625 7250,4625 7250,6500 7000,6500;
P 3625,4875 3875,4875 3875,6500 3625,6500;
L 23;
P 7625,5375 8375,5375 8375,6125 7625,6125;
P 7875,6125 8375,6125 8375,6625 7875,6625;
P 2750,5375 3500,5375 3500,6125 2750,6125;
P 1875,5375 2625,5375 2625,6125 1875,6125;
P 2750,6125 3250,6125 3250,6625 2750,6625;
P 4125,5375 6625,5375 6625,6125 4125,6125;
L 2;
P 5875,5375 7000,5375 7000,6125 5875,6125;
P 7000,5375 7250,5375 7250,6125 7000,6125;
P 7250,5375 8375,5375 8375,6125 7250,6125;
P 3875,5375 5250,5375 5250,6125 3875,6125;
P 2750,5375 3625,5375 3625,6125 2750,6125;
P 3625,5375 3875,5375 3875,6125 3625,6125;
L 16;
P 5625,5125 7250,5125 7250,6375 5625,6375;
P 6750,5125 7500,5125 7500,6375 6750,6375;
P 7000,5125 8625,5125 8625,6375 7000,6375;
L 17;
P 3625,5125 5500,5125 5500,6375 3625,6375;
P 2500,5125 3875,5125 3875,6375 2500,6375;
P 3375,5125 4125,5125 4125,6375 3375,6375;
L 60;
94 Vss 8125,6500;
94 IN 5375,4750;
94 OUT 5625,5750;
94 Vdd 2875,6500;
94 Vdd 2125,5875;
DF;
C 1;
E

4. Presentar el Layout de la puerta Figura C, hacer su diagrama de barras Stick,

tratar de conseguir un Layout de dimensiones mínimas. Mostrar y describir
las vistas de corte 2D y 3D.
Comprobando el correcto funcionamiento del DISPARADOR SMITH

HALLANDO EL AREA RESPECTIVO

El área en proporción en las longitudes de landa tenemos los siguientes datos: altura =
22 λ y el ancho 73λ. Donde λ= 0.125um

Área = 42 λ* 52 λ = 25.6 p𝑚2

El corte en 2D:

El corte en 3D:

El disparador Schmitt es una aplicación del comparador que conmuta la salida negativa cuando
la entrada pasa por encima de una tensión de referencia positiva. Luego, utiliza
una realimentación negativa para evitar cambiar de nuevo al otro estado hasta que la entrada
pasa a través de una tensión umbral inferior, estabilizando así la conmutación en contra de la
activación rápida por el ruido a medida que pasa por el punto de disparo.

5. Para circuitos digitales MOS mostrados en la figura 1,2,3. Analizar y determinar

función lógica de salida de los circuitos. Presentar el Layout de uno de ellos y
corroborar su función lógica mediante simulación, medir el área del Layout y
hallar la frecuencia máxima de operación.
A) Figura 2
Determinamos la función lógica de la salida:

S In1 In2 F
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 0

Mapa de karnaugh

Sln1
0/0 0/1 11 1/0
0 1 1 0 1
ln2
1 0 0 0 1

𝐹 = 𝑆̅ ̅̅̅̅̅
𝐼𝑛2 + S ̅̅̅̅̅
𝐼𝑛1
El Layout del circuito es:

La simulación respectiva se tiene

HALLANDO EL AREA RESPECTIVO

El área en proporción en las longitudes de landa tenemos los siguientes datos: altura =
55 λ y el ancho 72 λ. Donde λ= 0.125 um
 Área = 55 λ* 72λ = 61.77 p𝑚2
La frecuencia máxima es:
Fmax = 1/130Ps = 7.69 GHz

B) Figura 2