UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
0
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

INFORME FINAL N° 02: RESPUESTA EN FRECUENCIA

DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

I. OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO:

 Conocer cómo trabaja el transistor en configuración emisor común.

II. MARCO TEÓRICO:

2.1). Transistor BJT:

El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras
separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la
figura A. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En las figuras B Y C, se
muestran representaciones físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos
regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p
separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos
como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.

2.2). Elementos del BJT:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas
de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo
n. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP:
EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la
equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a
la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es
la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
2.3). BJT en conmutación
En aplicaciones digitales, interesa que los BJTs actúen como interruptores. Un
interruptor ideal cumple con las siguientes especificaciones:
 Estado ON: entre sus extremos caen 0 V para cualquier intensidad circulando
entre sus extremos
 Estado OFF: bloquean el paso de corriente (I = 0 A) para cualquier tensión
aplicada entre sus extremos

Un BJT en los estados de saturación y corte cumple aproximadamente con estas

especificaciones, puesto que:
 En saturación, VCE = 0.2 (es decir, casi 0 V) independientemente de la corriente
de colector.
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
1
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

 En corte, I es prácticamente igual a 0 A, independientemente de las tensiones

aplicadas (siempre que mantengan las uniones en inversa)

Antes de analizar el transitorio de conmutación entre estos estados, vamos a analizar

con más detalles estas regiones de operación.

2.4). BJT en corte

Como ya explicó anteriormente, las corrientes en el estado de corte son muy pequeñas
y pueden despreciarse en la mayoría d los casos. En los límites de la base con las
zonas de carga espacial, tenemos un defecto de minoritarios (las uniones están en
inverso). En un transistor pnp:

(3.30)

Puesto que la corriente es despreciable, podemos suponer que en toda la base el

gradiente de concentración es nulo y, por tanto, la concentración de minoritarios es
constante (y nula). Es decir, el exceso de minoritarios viene dado por la siguiente
expresión (ver también Figura 3.5.1):

(3.31)

Figura 3.5.1 Exceso de minoritarios en la base cuando el transistor se encuentra en

corte

Configuración en Emisor Común.- Cuando la señal de entrada se aplica por la base del
transistor y la señal de salida se toma del Colector, se tiene una configuración en Emisor
Común, la cual se caracteriza por ser el amplificador por excelencia debido a que amplifica
voltaje como corriente. El diagrama circuital de esta configuración se ve en figura.

III. MATERIALES:

 Resistencias de 2.2k; 220K; 1M; 4.7k

 Transistor NPN
 Generador de señales
 Osciloscopio.
 Capacitor de 1uf, 10uf
 Fuente DC

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
2
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

IV. PROCEDIMIENTO:

1.- Para cada circuito a implementar en laboratorio se deberá de conectarlo en primer lugar
la alimentación respectiva según indique el circuito, para ello se deberá de medir dicho
valor utilizando un multímetro y luego se le conectaran los cables cocodrilos respectivos.

2.-

Como estamos trabajando con respuesta en frecuencia del amplificador en emisor

FIG1. MEDICION DE VOLTAJE DE FIG2. CONEXIÓN DE CABLES
común, la entrada va hacer la base
a la cual se debe de conectar el generador de
ALIMENTACIÓN
señales.

FIG3. CONECTAR EL GENERADOR DE SEÑALES A LA BASE

3.- Luego la salida del circuito es el colector el cual deberá de conectarse al osciloscopio.

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
3
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

FIG4. CONECTAR EL OSCILOSCOPIO AL COLECTOR

V. APLICATIVOS:

1. Simular el siguiente circuito:

+12v

D
R2
R1 2.2k
220k
C4

10uF

C1 Q1
+ NPN
+10.7
10uF AC Volts

-
AM FM

+3.29
AC Volts

Vi 3.29 voltios
Tabla de voltajes:
Vo 10.8 voltios

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
4
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señales en el osciloscopio en proteus:

2. Simular el siguiente circuito con el Vcc igual al anterior:

+12v

D
R2
R1 4.7k
1M
C4

10uF

C1 Q1
+ NPN +5.23
AC Volts
10uF

-
AM FM

+1.03
AC Volts

Tabla de voltajes:

Vi 1.03 voltios

Vo 5.25 voltios

Señales en el osciloscopio:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
5
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

3. Simular el siguiente circuito:

+10v

D
R2
4.3k
C4

10uF

C1 Q1
+ NPN
+9.31
10uF AC Volts

AM FM
- R1
390k

+1.03
AC Volts

+10v

Tabla de voltajes:

Vi 1.03 voltios

Vo 9.34 voltios

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
6
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señales en el osciloscopio:

4. Simular el siguiente circuito

+16v

D
R2
R1 3.9k
39k
C4

1uF

C1 Q1
+ NPN
+6.04
1uF AC Volts

AM FM
- R3
4.7k

R4 C2
1.2k 10uF
+1.06
AC Volts

Tabla de voltajes:

Vi 1.06 voltios

Vo 6.04 voltios

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
7
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señales en el osciloscopio:

5.

Simular el siguiente circuito:

+20v

D
R2
R1 2.2k
390k
C4

1uF

C1 Q1
+ NPN +1.85
AC Volts
1uF

-
AM FM

R3
1.2k
+1.02
AC Volts

Tabla de voltajes:

Vi 1.02 voltios

Vo 1.85 voltios

Implementación del circuito en laboratorio:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
8
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señal en el osciloscopio en proteus:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
9
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señal en el osciloscopio en laboratorio:

Señal senoidal generada:

Tablas de datos obtenidos en laboratorio:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
10
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señales en el osciloscopio en proteus:

Señal en el osciloscopio en laboratorio:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
11
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

Señal cuadrada generada:

Tablas de datos obtenidos en laboratorio:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
12
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

VI. PREGUNTAS:

1. ¿Qué es la constante B?

Es una constante de ganancia de corriente.

2. ¿Por qué Ie=Ic+Ib?

Por la ley de nodos de kirchoff en la cual señala que la suma de corrientes que entran en un
nodo es igual a la suma de corrientes que salen de un nodo.

3. ¿En qué consiste el parámetro de entrada?

Consiste en la relación que existe entre la corriente de entrada y la tensión de entrada para
varios niveles de corriente de salida.

4. ¿En qué consiste el parámetro de salida?

Consiste en la relación que existe entre la corriente de salida y la tensión de salida ára varios
niveles de corriente de entrada.

5. ¿Cuándo se dice que un transistor esta en corte?

Cuando no pasa corriente por la base y tampoco por ninguno de sus otros terminales.

6. ¿Cuándo se dice que un transistor esta en saturación?

Cuando la corriente en la base es muy alta

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
13
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica

VII. CONCLUSIONES:

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
14