Tema - Modulacion Basica PDF

GTE
Electrónica de Potencia
Convertidores DC/AC II
Técnicas Básicas de Modulación
Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

GTE
Parte I: Pulse-Width Modulation (PWM)

Índice
GTE
• Introducción
• Modulación de onda cuadrada
• Modulación por anchura de pulsos (PWM)
• PWM bipolar
• PWM unipolar
• Capacidad de sobremodulación

More Electric Life
GTE
 Clasificación de convertidores de potencia
AC
 Convertidores AC-AC
AC A,f
A,f
 Convertidores AC-DC AC
DC A
A,f
 Convertidores DC-DC DC
DC A
A
DC
 Convertidores DC-AC
AC A,f
A

Modos de operación de convertidores de potencia
GTE
 Tipos de modos de funcionamiento de convertidores de potencia
Operación en bucle abierto para

aplicaciones como ventilación,
bombeo, motor drive de velocidad fija
Operación en bucle cerrado:

principal solución para control de
motores
Operación en bucle cerrado usando

un controlador con modulador
implícito (control por histéresis, DTC,
FS-MPC,…)

Modulación de convertidores de potencia
GTE
 Definición del concepto de modulación
vdc +
2 S1
vdc o a
ia
vdc +
2 S2
vao

GTE
 Objetivos de una técnica de modulación
o Reducir la distorsión armónica de las señales de salida
— Bajo coste y reducido tamaño y peso de los filtros de salida
o Reducir las pérdidas e incrementar la eficiencia del sistema
— Simplicidad del diseño del sistema de refrigeración
o Objetivos de control adicionales pueden ser alcanzados usando
técnicas de modulación específicas (balanceo de tensiones de dc,
minimización de tensiones de modo común, etcetera)

Introducción
GTE
 Clasificación de métodos de modulación para convertidores VSC
Modulación inversores
fuente de tensión
Modulación de onda cuadrada Modulación Vectorial Eliminación selectiva

(Square wave modulation) Modulación PWM de armónicos (SHE) Control por histéresis
(Space Vector Modulation SVM)
PWM Bipolar PWM Unipolar
Con capacidad de
sobremodulación
Inyección tercer Inyección min-max

armónico
Frecuencia de conmutación alta

Frecuencia de conmutación variable
Frecuencia de conmutación baja

Índice
GTE
 Introducción
• Modulación de onda cuadrada
• PWM bipolar
• PWM unipolar

Modulación de onda cuadrada
GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


Modulación de onda cuadrada
GTE
 Concepto básico
P
vao
Vdc +
S1
2 Vdc/2
vao{f1}
Vdc o a
ia>0 t
ia{f1}
Vdc +
S2
2 vao -Vdc/2
 La tensión senoidal a modular se aproxima por una onda cuadrada

(al menos el armónico fundamental)
 La operación con onda cuadrada posee pocas conmutaciones
 Es la técnica de modulación más simple y es muy fácil de implementar
 Sin embargo, presenta armónicos de baja frecuencia y por tanto es necesario filtrar

Índice
GTE
 Introducción
 Modulación de onda cuadrada
• PWM bipolar
• PWM unipolar

Modulación por anchura de pulsos (PWM)
GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


GTE
io
Vd R vo(t)
Para TS  Ton  Toff , se define: D  Ton

TS
D: DUTY CYCLE (0<D<1)
 El valor medio Vo aplicado a la carga R será:

TS Ton TS
1 1 1 Ton
Vo 
TS 0 o
v (t )dt 
Ts 0 d TS
V dt   0 dt
Ton
Vo  Vd 
TS
 D  Vd

GTE
 Diagrama de Bloques y Estrategia de Comparación de Señales
Vst
Comparador
Voref
Señal de
Tensión de referencia Disparo
 Aplicando semejanza de triángulos:
Ton vcontrol
D  , Luego:
TS VˆSt
Vd
Vo  D  Vd   vcontrol  k  vcontrol
ˆ
VSt

GTE
 Filtrado de armónicos a la salida
iL
Vi C Vo
Filtro LC
 Filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas
 La frecuencia de resonancia del filtro LC es:
1 1
r   2f r  fr  , para L=1mH, C=1000F resulta: fr=159Hz
LC 2 LC

GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


GTE
 Aplicación para un puente en H
 Estados de conducción:

GTE
 Estados de conducción: Generación de tensión positiva
1 0 0 1

GTE
 Estados de conducción: Generación de tensión cero
1 1 0 0
0
0 0 1 1
redundancia

GTE
 Estados de conducción: Generación de tensión negativa
0 1 1 0

GTE
 Modulación PWM bipolar: diagrama de control
v* P
t Vdc +
2 Sa1 Sb1
Sa1
t Vdc o a b
Sb1
t
Vdc +
Sa2 Sb2
2
vab
Vdc
t
N
 1 señal portadora vcr

1
Sa1, Sb2
 1 referencia v* v * +_
 Salida vab con dos niveles (Vdc y -Vdc) 0
vcr Sa2 ,Sb1

GTE
 Modulación PWM bipolar: formas de onda
1.0
 2
0
-1.0
Vdc
0
Vdc
0
Vdc
0
Vdc
Time [s]
f carrier
0.6
n =1
mf 
0.4
f1
0.2
0
1 10 20 30 40 50 60
n [Harmonic order]
GTE
 Modulación PWM unipolar: diagrama de control
v* -v* P
t
Vdc +
Sa1
Sa1 2 Sb1
t
Sb1 Vdc o a b
vaN
t
t Vdc +
vbN
2 Sa2 Sb2
t
vab
Vdc N
t
1
v *
+_
Sa1
 1 señal portadora vcr 0
vcr _ Sa2
 2 referencias ±v* 1
 Salida vab con tres niveles (Vdc, 0 y -Vdc) -v * + Sb1
0
Sb2

GTE
 Modulación PWM unipolar: diagrama de control
1.0 P
0
Vdc +
Sa1
-1.0
2 Sb1
Vdc o a b
Vdc +
Sa2 Sb2
2
0
Time [s] N
1
v *
+_
Sa1
2 señales portadoras ± vcr
vcr 0

Sa2
 1 referencia v* 1
+
 Salida vab con tres niveles (Vdc, 0 y -Vdc)
_
Sb1
vcr
0
_
Sb2

GTE
 Modulación PWM unipolar: formas de onda
v* -v*
Sa1
t
Sb1
vaN
t
t
vbN
t
vab
Vdc
t
vab/Vdc
0.6
n =1 f carrier
mf 
0.4
2 mf  1 f1
0.2
1 10 20 30 40 50 60
n [número de armónica]
GTE
 Comparación entre modulación bipolar y unipolar
vab
Vdc
t
vab/Vdc
 PWM unipolar 0.6
n =1
0.4
2 mf  1
0.2
1 10 20 30 40 50 60
vab
Vdc
t
Vdc
0.6
n =1
 PWM bipolar 0.4
0.2
0
1 10 20 30 40 50 60
n [Harmonic order]

GTE
 Aplicación para un inversor trifásico de dos niveles
Vdc +
Sa1 Sb1 Sc1
2
Vdc o a b c
Vdc +
Sa2 Sb2 Sc2
2
N a b c
vab vbc
van
ia ib ic
n
 Se asume que la capacidad del bus de continua es muy grande  la tensión Vdc es constante

GTE
 Modulación PWM bipolar: diagrama de control
P
1
va* + Sa1 Vdc +
_ 0 2 Sa1 Sb1 Sc1
vcr Sa2
1 Vdc o a b c
vb* +_
Sb1
0 Vdc +
Sa2 Sb2 Sc2
Sb2 2
1
vc* + Sc1 N a b c
_ 0 vab vbc
Sc2
van
va* vcr
1 ia ib ic
n
0 t
-1
vc* vb*
Vˆj f cr
 Índice de modulación: mj   Índice de frecuencia: mf 
Vˆ
cr
fm
GTE
 Modulación PWM bipolar: Generación de las señales de disparo
vmA vcr
 2
0
S a1
Sa2
v AN
Vd
0
 Sa1 y Sa2 son complementarios

GTE
 Modulación PWM bipolar: Formas de onda
va* vcr P
1
Vdc +
Sa1 Sb1 Sc1
0 t 2
-1
Vdc o a b c
vc* vb*
Vdc +
Sa2 Sb2 Sc2
vaN 2
Vdc
N a b c
vab vbc
0 t van
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Vdc vab ia ib ic
n
0 t
0.005 0.02 0.025 0.04
-Vdc
vab=vaN -vbN
van
2/3Vdc
0 t La tensión fase neutro carga tiene
0.005 0.02 0.025 0.04 5 niveles (ahora incluye el cero)
-2/3Vdc

GTE
vaN/Vdc
 Modulación PWM bipolar: Espectros 0.5 n =0
vaN 0.4
mf
Vdc 0.3
n =1 2mf  1
3mf  2
0.2
mf - 2 mf  2
0.1 3mf
0 t 10 20 30
0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
vab/Vdc
Vdc vab 0.6 vab=vaN -vbN
n =1
0.4
0 t mf  2 2mf  1
0.005 0.02 0.025 0.04 0.2 3mf  2
-Vdc
10 20 30
van/Vdc
van
2/3Vdc 0.3
n =1
0.2
0 t mf  2 2mf  1
0.005 0.02 0.025 0.04 0.1 3mf  2
-2/3Vdc
10 20 30
 Se eliminan todas las armónicas menores que mf - 2
f carrier
 Las armónicas se centran entorno a mf y sus múltiplos 2mf , 3mf , etc. mf 
f1
 El análisis es valido sólo si mf  9 y si es múltiplo de 3.

GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


GTE
 Sobremodulación: Concepto básico
 Ocurre sobre-modulación cuando
Señales control
1 el índice de modulación:
0
-1 Vˆ1
M 1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 Vˆcarrier
Otra forma de notarlo es que las
Voltaje VaN [V]

400
200
referencias superan el rango
lineal de las portadoras.
0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
 Esto reduce el número de
500
Voltaje Vab [V]
conmutaciones e introduce más

0 bandas laterales, y en
-500 consecuencia habrá armónicos
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Tiempo [s] de menor frecuencia.
La fundamental también no es del
Amplitud de armónica

0.25
0.2 valor deseado.
0.15
 Se trata de evitar (o corregir
0.1
0.05 mediante métodos de inyección
0 500 1000 1500 2000 2500 de 3ª armónico).
Frequencia [Hz]

GTE
Armónico
Comparación entre ma=0.8 y ma=1.5 (sobremodulación) para mf=35

GTE
Señales control
1
0
-1
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04

Tiempo [s]
 Tratar de modificar la referencia para que permanezca en el rango lineal, sin tener que
modificar la amplitud de la fundamental.
 Al agregar una señal de 3 veces la frecuencia se baja el pico de la señal senoidal a modular.
1.5
Inyectar 3er armónico
1
a la referencia
0.5
Amplitud [pu]
0
v*  vˆ1 sin(t )  vˆ3 sin(3t )
-0.5
-1
-1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Tiempo [s]

GTE
 Sobremodulación: Efecto sobre la carga
 Considere las referencias: P
va *  vˆ1 sin(t )  vˆ3 sin(3t ) Vdc

2
+
Sa1 Sb1 Sc1
vb *  vˆ1 sin(t - 120)  vˆ3 sin(3[t - 120]) Vdc o a b c
vc *  vˆ1 sin(t - 240)  vˆ3 sin(3[t - 240]) Vdc

2
+
Sa2 Sb2 Sc2
 Con lo que se consigue: N a b c

vab vbc
vaN  vˆ1 sin(t )  vˆ3 sin(3t )  vhf van
vbN  vˆ1 sin(t - 120)  vˆ3 sin(3[t - 120])  vhf ia ib ic

n
vcN  vˆ1 sin(t - 240)  vˆ3 sin(3[t - 240])  vhf
 Como vab  vaN - vbN
vab *  vˆ1 sin(t ) - vˆ1 sin(t - 120)  vhf van *  vˆ1 sin(t )  vhf
¡No hay 3er armónico
en la carga!

GTE
 Sobremodulación: Formas de onda
1.5
1
Amplitud [pu]
Voltaje [pu]
0.5
v *3a 1
0
-0.5 0.5
-1
0
60
100
50
Amplitud [V]
Voltaje [V]
40
vaN 50 30
20
10
0
0
100 100
80
50
Voltaje [V]
60
0
vab 40
-50
20
-100 0
100 60
50
50
Amplitud [V]
Voltaje [V]
40
0 30
van 20
-50
10
-100 0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0 500 1000 1500 2000
Frequencia [Hz]
Tiempo [s]

GTE
 Sobremodulación: Formas de onda
15
10
Corriente [A]
5
ia , ib , ic 0
-5
-10
-15
0.16 0.165 0.17 0.175 0.18 0.185 0.19 0.195 0.2
Tiempo [s]
10
Amplitud [A]
0
0 100 200 300 400 500
Frequencia [Hz]
 La corriente aparece completamente sinusoidal, debido a la característica paso-bajo

de la carga RL.

GTE
 Sobremodulación: Nivel máximo de 3er armónico
1.5
 El nivel máximo de la referencia con 3er
1
armónico ocurre en múltiplos de /3, cuando
0.5
éste vale cero.
Amplitud [pu]
0
 Considere la referencia -0.5
va 3 *  Vdc  M cos(t )  M 3 cos(3t )  (1) -1
 Derivando con respecto de t -1.5

0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Tiempo [s]
dva 3 *
 -Vdc M sin(t ) - 3Vdc M 3 sin(3t )
d t
 Igualando a 0 y evaluando en t= /3, El máximo ocurre cuando el 3er es 0
M 3  -M / 6
 Reemplazando en (1),
va 3 *  Vdc M cos(t ) - M6 cos(3t ) 
 Como la referencia no puede superar Vdc en /3
Vdc M cos(t ) - Vdc M

6 cos(3t )  /3
 Vdc M  2 / 3  1.1547
GTE
 Sobremodulación: Ejemplo
1.5 1.5
1.15
Amplitud [pu]
1 1
v *3a 0.5 1.15
Amplitud [pu]
0.5
0.19 0
0
60 -0.5
0.19
50
Amplitud [V]
40 -1
vaN 30
-1.5
20 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Tiempo [s]
10
0
100
va1 *
vaN 1*  57.7 V 
80
60 M  1.1547 
vab 40
Vdc / 2
vaN 3 *  9.5 V 
20
0
60
M 3  M / 6  0.19
50
vab1  van1 3  57.7 3  99.9 V 

Amplitud [V]
40
30
van 20
10
0
0 500 1000 1500 2000
Frequencia [Hz]

GTE
 Sobremodulación: Problemas del método de inyección de tercer armónico
Hay que conocer la frecuencia de la referencia
Hay que conocer la amplitud de la referencia
Hay que sincronizar la inyección de 3er armónico
Sirve para aplicaciones de lazo abierto
 Sobremodulación: Otras formas
Inyección secuencia cero min-max
min va *, vb *, vc *  max va *, vb *, vc *

v *a comp  va * -
2
En lugar del 3er armónico se resta el promedio entre el
máximo y mínimo instantáneo de las tres referencias.
Puede ser en lazo cerrado y sin necesidad de conocer v*

GTE
 Sobremodulación: Inyección secuencia cero min-max
1.5
min va *, vb *, vc *  max va *, vb *, vc *

0.5
Amplitud [pu]
0
2
-0.5
-1
-1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Tiempo [s]
1.5
0.5
Amplitud [pu]
0 v *a comp  va * -vmin - max

-0.5
 Se realiza lo mismo para las fases b y c
-1
-1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Tiempo [s]

GTE
 Sobremodulación: Inyección secuencia cero min-max → Formas de onda
1.5
1
Amplitud [pu]
Voltaje [pu]
0.5 1
v *a comp 0
0.5
-0.5
-1
0
60
100 50
Amplitud [V]
Voltaje [V]
40
vaN 50 30
20
10
0
0
100 100
80
Amplitud [V]
50
Voltaje [V]
60
0
vab 40
-50
20
-100 0
100 60
50
50
Amplitud [V]
Voltaje [V]
40
0 30
van 20
-50
10
-100 0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0 500 1000 1500 2000
Frequencia [Hz]
Tiempo [s]

GTE
 Sobremodulación: Inyección secuencia cero min-max → Formas de onda
15
10
Corriente [A]
5
ia , ib , ic 0
-5
-10
-15
0.16 0.165 0.17 0.175 0.18 0.185 0.19 0.195 0.2
Tiempo [s]
10
Amplitud [A]
0
0 100 200 300 400 500
Frequencia [Hz]
 La corriente aparece completamente sinusoidal, debido a la característica pasabajos

de la carga RL.

GTE
Parte II: Space-Vector Modulation (SVM)

Introducción
GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


Modulación Space Vector
GTE
P
Vdc +
Sa Sb Sc
2
 Se basa en la representación
Vd 0 a b c
geométrica de los estados
Vdc +
Sa Sb Sc discretos del convertidor
2
r a b c
vab vbc
van
ia ib ic
N

GTE
P
Vdc
2
+
Sa Sb Sc Var=SaVdc
Vd 0 a b c
Vbr=SbVdc
Vdc + Vcr=ScVdc
2 Sa Sb Sc
r a
vab
b
vbc
c Va0=(Sa-0.5)Vdc
van
Vb0=(Sb-0.5)Vdc
Vc0=(Sc-0.5)Vdc
ia ib ic
N
Si = { 1
0
nodo i =P
nodo i = r
Vir=Vdc
Vir=0
i =a,b,c
GTE
P
Switches Tensión/Vd
Vdc +
Sa Sb Sc
2
States Sa Sb Sc VAO VBO VCO
Vd 0 a b c S0 0 0 0 -1/2 -1/2 -1/2
Vdc + S1 1 0 0 1/2 -1/2 -1/2

2 Sa Sb Sc
S2 1 1 0 1/2 1/2 -1/2
S3 0 1 0 -1/2 1/2 -1/2
r a b c
vab vbc S4 0 1 1 -1/2 1/2 1/2
S5 0 0 1 -1/2 -1/2 1/2
van
S6 1 0 1 1/2 -1/2 1/2
ia ib ic S7 1 1 1 1/2 1/2 1/2
N

GTE
VAO VBO
VAN=VAO-VN0
N
Z Para cargas balanceadas
VCO
VNO=1/3(VA0+VB0+VC0)

GTE
P
Vdc +
Sa Sb Sc
2
States Sa Sb Sc VaN VbN VcN
Vd 0 a b c S0 0 0 0 0 0 0
Vdc + S1 1 0 0 2/3 -1/3 -1/3

2 Sa Sb Sc
S2 1 1 0 1/3 1/3 -2/3
S3 0 1 0 -1/3 2/3 -1/3
r a b c
vab vbc S4 0 1 1 -2/3 1/3 1/3
S5 0 0 1 -1/3 -1/3 2/3
van
S6 1 0 1 1/3 -2/3 1/3
ia ib ic S7 1 1 1 0 0 0
N

GTE
 1 1 
 1 - -   Sistema de tres hilos → Es
2 2
 V     VaN  posible trabajar con dos
  2 3 3   coordenadas
 V   3 · 0
2
-
2 
· VbN 
 V     VcN 
 1 1 1 
 2 2 2 

GTE
States Sa Sb Sc VaN VbN VcN Vα Vβ Vγ

S0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
S1 1 0 0 2/3 -1/3 -1/3 0,816 0 0
S2 1 1 0 1/3 1/3 -2/3 0,408 0,707 0
S3 0 1 0 -1/3 2/3 -1/3 -0,408 0,707 0
S4 0 1 1 -2/3 1/3 1/3 -0,816 0 0
S5 0 0 1 -1/3 -1/3 2/3 -0,408 -0,707 0
S6 1 0 1 1/3 -2/3 1/3 0,408 -0,707 0
S7 1 1 1 0 0 0 0 0 0
 1 1 
 1 - -
2 2 
 V     VaN 
  2 3 3 
 V   3 · 0 - · VbN 
2 2  
 V    V 
 1 1 1   cN 
 2 2 2 

GTE
  
Switches Tensión/Vd V3 V2
OPO PPO
States Sa Sb Sc VaN VbN VcN SECTOR
II
SECTOR III SECTOR I
S0 0 0 0 0 0 0
S1 1 0 0 2/3 -1/3 -1/3  
V4 V1
S2 1 1 0 1/3 1/3 -2/3 
OPP PPP OOO POO
S3 0 1 0 -1/3 2/3 -1/3 
V0
S4 0 1 1 -2/3 1/3 1/3
SECTOR IV SECTOR VI
S5 0 0 1 -1/3 -1/3 2/3 SECTOR V
S6 1 0 1 1/3 -2/3 1/3 OOP   POP

V5 V6
S7 1 1 1 0 0 0
 1 1 
 1 - -
2 2 
 V     VaN 
  2 3 3 
 V   3 · 0 - · VbN 
2 2  
 V    V 
 1 1 1   cN 
 2 2 2 

GTE
  
V3 V2
OPO PPO
1,5
SECTOR
Van Vbn Vcn II
1 SECTOR III   SECTOR I
Vref
0,5
 
V4  V1
0

OPP PPP OOO POO
-0,5

V0
-1 SECTOR IV SECTOR VI
SECTOR V
-1,5 Vref
OOP   POP
V5 V6
 1 1 
 1 - -
2 2 
 V     VaN 
  2 3 3 
 V   3 · 0 - · VbN 
2 2  
 V    V 
 1 1 1   cN 
 2 2 2 

GTE
v ar
T
Vdc
 t1
t
T1 T2 T3 T4
Definición:
1 1 
T t1 T1
 t
var   var dt    Vdc dt   0dt   1 Vdc
T 0 T  0 t1  T
¿Cómo hacer el equivalente vectorial? SVM

GTE
  
V3 V2
OPO PPO
V1 V2 V0 SECTOR
II
SECTOR III   SECTOR I
Vref
Vref  
V4  V1

0
d1Ts d2Ts d3Ts t OPP PPP OOO POO
t1 t2 
V0
TS SECTOR IV SECTOR VI
t1 t2 Ts Ts
SECTOR V
 V dt   V dt   V dt   V
1 2 0 ref dt OOP   POP
0 t1 t2 0 V5 V6
Vref Ts  V1 d1Ts  V2 d 2Ts  V0 d 3Ts


Ts  d1Ts  d 2Ts  d3Ts

GTE

V2  Solución para el SECTOR I
2 1 
Vref (cos )  V d
 dc 1  V d
dc 2 
3 2 
SECTOR I
 1
d 2V2 Vref Vref (sin  )  Vdc d 2
Q 2
1  d1  d 2  d3
 
V1
d1V1
2 Vref 
d1  sin ( - )
0     /3 Vdc 3
2 Vref
d2  sin 
Vdc
d3  1 - d1 - d 2
GTE
 Selección de la secuencia de disparo
 Requerimiento básico:
 Minimizar el número de conmutaciones cada periodo de muestreo Ts
 Implementación:
 La transición entre un estado y el siguiente solamente debe contener una conmutación

en una de las fases del convertidor

GTE
 Ejemplo de secuencia no deseada
 Si se reparten los tiempos de los vectores V0 , V1 y V2

      
V0 V2 V1 V0 V1 V2 V0
OOO PPO POO PPP POO PPO OOO
v AN
Vd
0
vBN
Vd
0
vCN Vd
0
T0 Tb Ta T0 Ta Tb T0
4 2 2 2 2 2 4
Ts
 Número total de conmutaciones = 10

GTE
 Secuencia de disparo de siete segmentos
      
V0 V1 V2 V0 V2 V1 V0
OOO POO PPO PPP PPO POO OOO
v AN
 Vectores a emplear: Vd
0
V0,V1 y V2
vBN
Vd
 Tiempos de disparo: 0
Ts = T0 + T1 + T2 vCN Vd
0
T0 T1 T2 T0 T2 T1 T0
4 2 2 2 2 2 4
Ts
 Número total de conmutaciones = 6

GTE
Sector Switching Sequence

      
V0 V1 V2 V7 V2 V1 V0
I
OOO POO PPO PPP PPO POO OOO
      
V0 V3 V2 V7 V2 V3 V0
II
OOO OPO PPO PPP PPO OPO OOO
      
V0 V3 V4 V7 V4 V3 V0
III
OOO OPO OPP PPP OPP OPO OOO
      
V0 V5 V4 V7 V4 V5 V0
IV
OOO OOP OPP PPP OPP OOP OOO
      
V0 V5 V6 V7 V6 V5 V0
V
OOO OOP POP PPP POP OOP OOO
      
V0 V1 V6 V7 V6 V1 V0
VI
OOO POO POP PPP POP POO OOO

GTE
Sector
VI VI
V V
IV IV
III III
II II
I I
v AB
Vd
0
 2 3
v AO
2Vd / 3
0
iA
0
 2 3
f1 = 60Hz, fsw = 900Hz, ma = 0.696, Ts = 1.1ms

64Elect. Pot.
Técnicas de modulación básicas
GTE
 Secuencia de disparo de cinco segmentos
         
V0 V1 V2 V1 V0 V0 V2 V1 V2 V0
OOO POO PPO POO OOO PPP PPO POO PPO PPP
v AN Vd Vd
0
vBN Vd Vd
0
vCN Vd
0
T0 Ta Ta T0 T0 Tb Tb T0
Tb Ta
2 2 2 2 2 2 2 2
Ts Ts
(a) Sequence A (b) Sequence B

GTE
Sector Switching Sequence (A)

    
V0 V1 V2 V1 V0
I vCN  0
OOO POO PPO POO OOO
    
V0 V3 V2 V3 V0
II vCN  0
OOO OPO PPO OPO OOO
    
V0 V3 V4 V3 V0
III v AN  0
OOO OPO OPP OPO OOO
    
V0 V5 V4 V5 V0
IV v AN  0
OOO OOP OPP OOP OOO
    
V0 V5 V6 V5 V0
V v BN  0
OOO OOP POP OOP OOO
    
V0 V1 V6 V1 V0
VI v BN  0
OOO POO POP POO OOO

GTE
v g1 2 / 3
vg 3
vg 5 2 4
vAB
Vd
0
2 4
iA
0
2 4
• f1 = 60Hz, fsw = 600Hz, ma = 0.696, Ts = 1.1ms
• Cada fase tiene un periodo de 120° donde no conmuta

• Baja frecuencia de conmutación pero alta distorsión

GTE
 Comparativa PWM vs SVM
 Modulación PWM
 Cada fase conmuta por su cuenta → no se optimiza nada, pueden haber
conmutaciones de más, o estados que perjudican el control
 Espectro concentrado debido a la portadora triangular
 Modulación SVM
 Espectro concentrado (debido a la frecuencia de conmutación fija)
 Se controlan las tres fases en forma conjunta
 Se reduce el número de conmutaciones
 Se tiene control directo de los disparos
 De forma natural se está realizando la
inyección mix-max con lo que se está utilizando
al máximo la tensión del dc-link

GTE
Parte III: Otros métodos

Índice
GTE
 Introducción
• Modulación con control de armónicos
• Control por histéresis

Modulación con control de armónicos
GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Motivación
 Las pérdidas por conmutación son importantes
en aplicaciones de alta potencia ic vCE
 Pérdidas afectan la eficiencia
 Pérdidas deben ser disipadas (refr. aire o agua) t
 Tiene impacto económico acumulativo Pérdidas conmutación
t
Off On Off
 Ejemplo del efecto de las pérdidas:
Tº IGBTs
(Imagen térmica)
Se hace necesario buscar métodos de modulación más eficientes.

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Motivación
 La operación con onda cuadrada posee pocas conmutaciones.
 Sin embargo, no posee control de amplitud y hay armónicos de baja frecuencia.
P
vao
Vdc +
S1
2 Vdc/2
vao{f1}
Vdc o a
ia>0 t
ia{f1}
Vdc +
S2
2 vao -Vdc/2
4 Vdc 
sin  nt 
 Armónicos en la tensión: vao t  
 2
 n
n 1,3,5

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Principio de operación
 Menor número de conmutaciones que permitan:
Controlar la amplitud de la fundamental
P
Eliminar armónicos de baja frecuencia
 Forma de onda típica SHE: Vdc +
S1
2
1 2 3
Vdc o a
Vdc/2 ia
Vdc +
S2
0 t 2 vao
-Vdc/2 N
/2  3/2 2
 Armónicos de la forma de onda:

 /2 1 2 3  /2
4 4 Vdc  
bn   vao (t ) sin  nt  d t         
 2  0   
 - sin n t d  t  sin n t d  t - sin n t d  t  sin nt d t 
 0 1 2 3 
2V  cos(n1 ) - 1 - cos(n 2 )  cos(n1 ) cos(n 3 ) - cos(n 2 ) 0  cos( n 3 ) 
 dc     
  n n n n 
2V
 dc  cos(n1 ) - 2 cos(n 2 )  2 cos(n 3 ) - 1
n
GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Principio de operación
 En general para k ángulos se puede llegar a:
2Vdc  k
 1 2 3 k
bn 
 n 
cos( n1 ) - 1  
i 2
( -1) i -1
2 cos( n )
i 

Vdc/2
 Los ángulos pueden ser usados como 0 t
grados de libertad de control para: -Vdc/2

/2
Controlar la amplitud de la fundamental
Eliminar armónicos de baja frecuencia
 Basta igualar los armónicos a los valores deseados y calcular los ángulos.
 Para el ejemplo de 3 ángulos: bn  2Vdc  cos(n1 ) - 2 cos(n 2 )  2 cos(n 3 ) - 1
n
Para controlar la amplitud de la fundamental:
b 4
M  1   cos(1 ) - 2 cos( 2 )  2 cos( 3 ) - 1
Vdc / 2 
Para eliminar los armónicos 5 y 7:
2Vdc
b5  0  cos(51 ) - 2 cos(5 2 )  2 cos(53 ) - 1
5
2Vdc
b7  0  cos(71 ) - 2 cos(7 2 )  2 cos(73 ) - 1
7
GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Implementación
 Las ecuaciones se resuelven en forma numérica (no analítica)
 Se calculan los resultados para diferentes índices de modulación (siempre off-line)
 Los resultados de almacenan en una tabla
 El lazo externo entrega la amplitud deseada y se selecciona los ángulos
 Luego se generan los tiempos de disparo, y se entregan al inversor
90
80 5
Índice de
Ángulo de conmutación [ °]
70 4 modulación Tabla con

60 ángulos
50
40 3 t
30
2
20
10
1
0 Al comparar con rampa se
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Índice de modulación
convierte el ángulo en tiempo
Ejemplo de tabla para 5 ángulos

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Ejemplo
 Inversor semipuente, y dos ángulos de conmutación.
 Se eligió eliminar los armónicos 5º y 7º para ma=1
 Los cálculos dieron: 1=16.2448º, 2=22.0630º
100
Armónico # Amplitud [pu] % armónico/fundamental
1 1.1879 100 80
% armónica/fundamental
3 0.2070 17.4
5 0.0000 0.00
7 0.0001 0.00 60
9 0.1086 9.14
11 0.2410 20.3 40
13 0.3223 27.1
15 0.3084 25.9
20
17 0.2030 17.1
19 0.0514 4.33
21 0.0825 6.94 0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21
# Armónica
 Forma de onda:
1
 2

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Ejemplo
 Inversor semipuente, y 5 ángulos de conmutación.
 Se eligió eliminar los armónicos 5º, 7º, 11º,13º y 15º para ma=1
100
Armónico # Amplitud [pu] % armónico/fundamental
1 1.1663 100
80
% armónica/fundamental
3 0.1748 15.0
5 0.0000 0.00
7 0.0000 0.00 60
9 0.0130 1.11
11 0.0000 0.00 40
13 0.0000 0.00
15 0.0216 1.85
17 0.0000 0.00 20
19 0.1190 10.2
21 0.2825 24.2 0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21
# Armónica
 Forma de onda:
 
1  3 
2 
GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Inversor de tres niveles
 Forma de onda típica SHE 3 niveles:

P
1 2 3
Vdc Vdc +
Sa1
2 Sb1
0 t Vdc o a b
1 2 3
Vdc +
Sa2 Sb2
2
-Vdc
/2  3/2 2
N
 La idea es la misma, cambia un poco la serie de Fourier
 Armónicos de la forma de onda:

 /2
4 4Vdc  2  /2

 vao (t ) sin  nt  d t     
  1 
bn   sin n t d  t  sin n t d  t 
 0 3 
4Vdc
 cos  n1  - cos  n 2   cos  n 3  
n 
4Vdc k
 
 n i 1
(-1)i -1 cos(n i ) Término generalizado

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Inversor de tres niveles
 Con tres ángulos se puede controlar la
90
fundamental y eliminar 5º y 7º.
Ángulo de conmutación [ º]
80
 Ecuaciones a minimizar: 70
60
50
40
30
20
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Índice de modulación
30
500
% de armónica
Voltaje [V]
250 20
0
-250 10 7th
5th
500
0
0 5 10 15 20 25 30 40 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tiempo [s] # armónica

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Ventajas e inconvenientes
 Ventajas:
 Se reducen fuertemente las pérdidas por conmutación
 Se pueden eliminar armónicos de baja frecuencia
 Permite controlar la fundamental
 Facilita el diseño del filtro de salida
 Hace al sistema más eficiente y reduce los costos de operación
 Inconvenientes:
 No es lineal para todos los índices de modulación en el rango 0.1<ma<0.9
 En lazo cerrado hay que conocer la amplitud y frecuencia de la referencia
 La amplitud y frecuencia de la referencia no pueden variar bruscamente
 No sirve para aplicaciones con alto rango dinámico en lazo cerrado
 No sirve para aplicaciones de altas prestaciones
 Es más útil en aplicaciones de alta potencia con frecuencia y amplitud fija

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Ejemplo de aplicación
Mina
Molino
estación Nº 1
542 m
Estación Nº 2
1307 m 532 m
233 m Concentrador
Largo 12.653 m
 Características:
- La correa se divide en tres segmentos:
5905 [m], 5281 [m] y 1467 [m].
- Inclinación promedio de 11% (hasta 24% en algunas partes).
- La mina está 1307 [m] por sobre el concentrador.
- Capacidad de transporte: 5800 [ton/h].
- Cada correa es accionada por dos motores
- Cada motor es de 2500 kW.

GTE
AFE Vdc Inverter
Correa
N N N N N N
u v w a b c
AC DC Motor 1
iu
MI
3~
vu DC AC
Motor
Voltage source
Con-
veyor
Convertidor Source
AC DC
Sistema completo
MI
DC AC Motor 2
Motor
Engranajes

GTE
 Se emplea SHE de tres ángulos:
 Se calculan los ángulos 1, 2 y 3 para controlar M y eliminar los armónicos 11 y 13.

GTE
 Formas de onda del sistema:
150
SHE elimina los
100
armónicos 11 y 13
50
Current [A]
200
150 0
100
-50
Current [A]
50
0 -100
-50 -150
-100 100 105 110 115 120 [ms]
-150
-200 Drive 1
100 105 110 115 120 [ms]
IM
La estructura del Power
transformador elimina Network
el 5º y 7º armónico 3-level 3-level Load
NPC-AFE NPC-VSI
Filter
IM
Voltage [V]
150 Drive 2
100
Current [A]
50
100 105 110 115 120 [ms]
0
-50 SHE elimina los
-100 armónicos 11 y 13
-150
100 105 110 115 120 [ms]

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Grid Codes
 Requerimientos actuales de los proveedores de energía
 Existen un gran número de ellas
Grid Code EN 50160 requirements +

Quality Grid Code CIGRE WG 36-05
Armónicos impares
Armónicos pares
No triples Triples
Tensión
Tensión Tensión
Orden (n) Orden (n) relativa Orden (n)
relativa (Li) relativa (Li)
(Li)
5 6% 3 5% 2 2%
7 5% 9 1.5% 4 1%
11 3.5% 15 0,5% 6…10 0.5%
13 3% 21 0.5% >10 0.2%
17 2% >21 0.2%
19 1.5%
23 1.5%
25 1.5%
>25 0.2+32.5/n

GTE
 Eliminación selectiva de armónicos (SHE): Grid Codes
 ¿SHE es la mejor solución?
Armónicos impares
Armónicos pares
No triples Triples
Modulation Tensión Tensión
Index Switching 500 Tensión
Orden (n) relativa Orden (n) relativa Orden(n)
Angle relativa (Li)
Voltage [V]
250 (Li) (Li)
Table
5 6% 3 5% 2 2%
7
0 5% 9 1.5% 4 1%
11-250 3.5% 15 0,5% 6…10 0.5%
13 3% 21 0.5% >10 0.2%
17500 2% >21 0.2%
19 1.5%
23
0 1.5% 5 10 15 20 25 30 40
25 1.5%
90 >25 0.2+32.5/n Time [s]
80
30
Switching Angle (º)
70
[% Fundamental]
60 Magnitude
20
50
40
10 7th
30 5th
20
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
n [Harmonic order]
Modulation Index
GTE
 Mitigación selectiva de armónicos (SHM): Principio de operación
Selective Harmonic Elimination Selective Harmonic Mitigation
4
H1  sin  0 - sin 1  sin  2 - ...  (-1) n sin  n 

E1  Ma - H1  L1
1 4
E5  sin(5 0 ) - sin(51 )  sin(5 2 ) - ...  (-1) n sin(5 n )   L5
H1 5
1 4
E7  sin(7 0 ) - sin(71 )  sin(7 2 ) - ...  (-1) n sin(7 n )   L7
H1 7
...
1 4
E49  sin(49 0 ) - sin(491 )  sin(49 2 ) - ...  ( -1) n sin(49 n )   L49
H1 49
E5,E7,…,E49: maximum value permitted by standard
Función objetivo (OF):

OF ( 0 ,...,  n )   (i 1,5,7...,49) ci ( Ei )  Ei  cTHD (THD)  THD
La búsqueda de mejores soluciones se puede realizar usando cualquier algoritmo matemático como los
algoritmos genéticos, Tabu search, simulated annealing, ant colony systems, etc.

GTE
 Mitigación selectiva de armónicos (SHM): Resultados experimentales
15 ángulos de disparo y M=1.07 usando a) SHE b) SHM
150 kVA IGBT-based three-level

diode-clamped inverter
15 ángulos de disparo y M=1.15 usando a) SHE b) SHM Tensión del DC-Link 1800V

Índice
GTE
 Introducción
 Modulación con control de armónicos
• Control por histéresis

Control por histéresis
GTE
fuente de tensión

Con capacidad de
sobremodulación

armónico


GTE
 Principio de operación
 No es una modulación propiamente dicha.
 Es un control simple para regular la corriente en la carga.
 El control de corriente, indirectamente genera los pulsos de disparo del inversor.
i x
d
1
i*
t 0
error
- d/2 0 d/2
x
 Se mide la corriente.
 Se realimenta y compara con la referencia.
t
 El error es comparado con una banda de histéresis.
 El comparador determina si se debe aumentar o
disminuir la tensión.

GTE
 Diagrama de control caso semipuente
Vdc +
S1
2
Vdc o a
ia
Vdc +
S2
2 vao
ia
1 _
+
S1 d ia*
S2 0

GTE
 Diagrama de control caso semipuente
 Formas de onda
20
10
Corriente [A]
0 20
-10
18
-20
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 16
200 14
100 0.023 0.024 0.025 0.026

Voltaje [V]
-100
Tensión fase neutro en la carga
-200 100
Amplitud [V]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Time [s]
50
Espectro
0
1000 2000 3000 4000 5000 6000
Conmutaciones Frequencia [Hz]
pseudo-aleatorias

GTE
 Diagrama de control caso inversor trifásico
1 P
ia*
d Sa1
+ Vdc +
_ Sa1 Sb1 Sc1
Sa2 2
0
ia Vdc o a b c
Vdc +
Sa2 Sb2 Sc2
1
ib* 2
d Sb1
+
_
Sb2 N a
vab
b
vbc
c
0
ib
van
1
ic* ia ib ic
d Sc1 n
+
_
Sc2
0
ic

GTE
 Diagrama de control caso inversor trifásico
 Formas de onda
250
20
200
15
150
100 10
50 5
Amplitud [A]
Amplitud [V]
0 0
-50 -5
-100
-10
-150
-15
i (a)
-200 i (b)
-20 i (c)
-250
0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
Tiempo [s] Tiempo [s]
Tensión fase-neutro en la carga Corrientes trifásicas en la carga
20
19.5
Conmutaciones
19
Hay efecto de las otras fases
pseudo-aleatorias
18.5
sobre la corriente
18
17.5
17
0.0634 0.0636 0.0638 0.064 0.0642 0.0644

Tiempo [s]

GTE
 Ventajas e inconvenientes
 Ventajas:
 Control muy robusto tanto para cambios en las referencias como ante perturbaciones.
 Simple de diseñar (no se requiere modelo del sistema).
 Puede ser útil en aplicaciones altamente no-lineales y/o sistemas variantes en el tiempo.
Inconvenientes:

 Frecuencia variable
 Espectro disperso lo que dificulta el diseño de filtros (aumento de coste)

 Su implementación digital requiere alta frecuencia de muestreo
 El rizado depende del ancho de la banda de histéresis
 En caso de implementación digital, el rizado depende también del tiempo de muestreo Ts

GTE
 Comparativa PWM vs Histeresis
 Modulación PWM
 Cada fase conmuta por su cuenta → no se optimiza nada, pueden haber
conmutaciones de más, o estados que perjudican el control
 Espectro concentrado debido a la portadora triangular
 Control por histéresis
 Número de conmutaciones variable en el tiempo y depende de:
• Ancho de histéresis
• Frecuencia de muestreo (si se implementa digitalmente)
• Punto de operación y dinámica del sistema
 Espectro de tensión disperso y con componentes de baja frecuencia
 Cada fase conmuta por su cuenta

GTE
¿Es esto todo lo que existe?

GTE
 Clasificación de los métodos de generación de señales de disparo
Gracias por la atención

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GTE

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas Básicas de Modulación

Parte I: Pulse-Width Modulation (PWM)

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Operación en bucle abierto para

Operación en bucle cerrado:

Operación en bucle cerrado usando

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

o Reducir la distorsión armónica de las señales de salida

— Bajo coste y reducido tamaño y peso de los filtros de salida

o Reducir las pérdidas e incrementar la eficiencia del sistema

— Simplicidad del diseño del sistema de refrigeración

o Objetivos de control adicionales pueden ser alcanzados usando

técnicas de modulación específicas (balanceo de tensiones de dc,

minimización de tensiones de modo común, etcetera)

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Modulación de onda cuadrada Modulación Vectorial Eliminación selectiva

PWM Bipolar PWM Unipolar

Inyección tercer Inyección min-max

Frecuencia de conmutación alta

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Modulación de onda cuadrada Modulación Vectorial Eliminación selectiva

PWM Bipolar PWM Unipolar

Inyección tercer Inyección min-max

Frecuencia de conmutación alta

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

 La tensión senoidal a modular se aproxima por una onda cuadrada

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Modulación de onda cuadrada Modulación Vectorial Eliminación selectiva

PWM Bipolar PWM Unipolar

Inyección tercer Inyección min-max

Frecuencia de conmutación alta

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Para TS  Ton  Toff , se define: D  Ton

 El valor medio Vo aplicado a la carga R será:

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

 Aplicando semejanza de triángulos:

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

 Filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas

 La frecuencia de resonancia del filtro LC es:

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Modulación de onda cuadrada Modulación Vectorial Eliminación selectiva

PWM Bipolar PWM Unipolar

Inyección tercer Inyección min-max

Frecuencia de conmutación alta

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

 1 señal portadora vcr

vcr Sa2 ,Sb1

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

Técnicas de modulación básicas Elect. Pot.

min va , vb , vc   max va , vb , vc 

min va , vb , vc   max va , vb , vc 

0 v a comp  va -vmin - max