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ÍNDICE

 

Pág.

Cap. 4. Transístor de efeito de campo

4.1

4.1 Introdução

4.1

4.2 Transistor de efeito de campo de junção JFET

4.1

4.3 Transistor de efeito de campo de isolante MOSFET

4.7

4.3.1 Princípio de funcionamento

4.7

4.3.2 O canal. A tensão de limiar

4.12

4.3.3 Característica estacionária tensão-corrente

4.20

4.3.4 Regime

4.22

Capítulo 4. Transístor de efeito de campo

4.1 Introdução

Os transístores de efeito de campo foram teoricamente desenvolvidos antes dos transistores bipolares, no entanto dificuldades de índole tecnológica atrasaram o seu desenvolvimento laboratorial. O princípio de funcionamento consiste no controlo de uma carga móvel associada a uma camada muito fina de semicondutor, designada por canal, à custa de um campo eléctrico perpendicular à camada e que é criado por um terminal designado por porta (gate, na designação anglo-saxónica). Nas extremidades do canal existem dois contactos metálicos associados a dois terminais designados por dreno (drain) e fonte (source). Os transístores de efeito de campo de isolante desenvolveram-se rapidamente, aproveitando o facto de o dióxido de silício estabilizar o silício, tornando-o resistente ao ambiente, e reduzir o número de estados em superfície. É hoje o componente mais comercializado, tendo atingido

9 componentes por pastilha. Graças à miniaturização é possível obter canais

densidades de

com dimensões da ordem do centésimo do mícron, facto que conduz à manifestação de efeitos quânticos interessantes que estão fora do âmbito desta disciplina. Os transístores de efeito de campo (Field Effect Transistor) são de dois tipos: de junção (JFET) e de metal-isolante- semicondutor (MISFET). Estes últimos utilizam normalmente o dióxido de silício como isolante e o silício como semicondutor, designando-se então por MOSFET. O dispositivo mais próximo do JFET é o MESFET que utiliza materiais compostos da família do GaAs. Devido à sua rapidez têm aplicações no domínio das micro-ondas. Embora mais rápidos que os dispositivos de silício graças à maior mobilidade dos electrões (no GaAs cerca de 8 vezes superior à do silício), a integração nestes materiais encontra-se em níveis muito inferiores

5 transístores/ pastilha). Além de não possuir um óxido nativo estável, tal como o

(cerca de

SiO 2 está para o Si, apresenta problemas associados aos contactos. Os FET apresentam vantagens sobre os transístores bipolares, nomeadamente correntes de comando mais baixas, melhor resposta em frequência, menor ruído e melhor comportamento térmico. As principais desvantagens são as menores transcondutâncias associadas, como veremos adiante.

10

10

4.2 Transistor de efeito de campo de junção JFET

É constituído por um cristal único no qual a zona do meio, o canal, tem impurezas de substituição de tipo diferente ao das zonas extremas muito mais dopadas.

A Fig.4.1 representa um transístor JFET de canal n com estrutura simétrica. Neste caso

existem duas portas iguais, que estarão ligadas ao mesmo potencial. Na hipótese de depleção

total e em equilíbrio termodinâmico tem-se

2 ε V N 1 c 0 A x = (4.1) n qN ( N
2
ε
V
N
1
c 0
A
x
=
(4.1)
n
qN
(
N
+
N
)
DA
D
G
1
I G1
U GS1
U DS
+
p
x p
x n
I
I D
S
n
S
2a
p
+
p
dadores ionizados
I G2
U GS2
dadores ionizados
G 2
UU
=
=
U
= 0
GS
1
GS
2
DS
- Fig.4.1 -
Representação esquemática de um JFET
Quando
=
0 e
U
<
0,
a largura da região de transição aumenta, uma vez que a junção
U DS
GS

pn fica polarizada inversamente. A largura da zona de transição será constante ao longo do

canal e dada por

Se

U GS

x ==−AV

n

AV

C1
C1
U C 0 GS
U
C 0
GS

(4.2)

for suficientemente negativo, o canal fica estrangulado. Designa-se por tensão de

estrangulamento,

V CP

, a tensão tal que

' x = AV = a n CP
'
x
= AV
= a
n
CP

(4.3)

sendo 2a a distância entre as duas junções pn em equilíbrio termodinâmico (Fig.4.1).

Quando

U

DS

>

0

, os pontos do canal junto ao dreno ficam mais inversamente polarizados, o

que faz com que a largura do canal deixe de ser uniforme. A influência de

pode ser

descrita por um aumento da resistência do canal. Assim enquanto a inclinação das

U

DS

>

0

características para

depende apenas da tensão na porta, diminuindo com o aumento desta. Para elevados valores

de

aumenta. Uma vez que a largura do canal não é constante (Fig.4.2), a densidade de corrente

tem, tal como E , duas componentes, uma segundo x e outra segundo y. As equipotenciais

passam a ser função de x e de y, também. Na medida em que as equipotenciais possam ser

, torna-se dependente também da tensão de dreno, aumentando à medida que esta

, o valor da resistência equivalente

U

DS

U

GS

for independente de

U

DS

U DS

consideradas planos perpendiculares a y, a análise que temos vindo a fazer pode tomar-se

como uma boa aproximação. Embora seja na aproximação unidimensional que nos iremos

situar, deveremos ter sempre presente que essa não é seguramente uma boa aproximação

quando o canal se aproxima do estrangulamento do lado do dreno.

G I G U DS y x n (y) a n I S I D
G
I G
U DS
y
x n (y)
a
n
I S
I D
S
D
L
x

(a)

y V = const. x n (y) V n . . . V 4 V
y
V = const.
x n (y)
V n
.
.
.
V
4
V
3
V
2
J
V
1
J
x

(b)

- Fig.4.2 –

<

(a) O canal no JFET (b) Superfícies equipotenciais no JFET

U

DS

0e

U

GS

<

0

Num tratamento unidimensional

V ( y ) c 1 V CP
V
(
y
)
c
1
V
CP

=

x

n

(

y

)

a

(4.3)

Para os sentidos referenciados na Fig.4.1, e desprezando as correntes na junção de Si

polarizada inversamente (corrente de porta), tem-se

J

D

≅−σ

E

y

= σ

dV

c1

(

y

)

dy

Admitindo o semicondutor fortemente extrínseco σ qμ N

n

D

I

D

(

= JSy

D

)

. É-se assim conduzido a

(4.4)

(4.5)

onde S( y) é a secção transversal do canal condutor, dada por

(

Sy

)

= 2 a ⎣ − x

n

(

y

)

b

(4.6)

sendo b a dimensão do canal na direcção normal à figura. Substituindo (4.4) e (4.6) em (4.5)

I

D

=

Tendo em conta (4.3) obtém-se

I

D

= 2

) ( ) ⎡ x ( y ⎤ dV y n c 1 2 ab
)
(
)
x
(
y
dV
y
n
c
1
2
ab
σ
1
⎣ ⎢
a
⎦ ⎥
dy
V
(
y
)
dV
(
y
)
c
1
c
1
ab
σ
1 −
V
dy
⎣ ⎢
CP
⎦ ⎥

(4.7)

(4.8)

Desprezando as quedas de tensão óhmicas nos contactos metálicos do dreno e da fonte e

destes até ao canal, obtém-se

y =⇒

0

Vy == V

c

1

C

(

0)

0

U

GS

,

yL=⇒

()

VyL== V

c

1

C

0

+U

DS

U

GS

U

GS

<

0

,

U

GS

Por modificação de variáveis é-se conduzido a

I

D

=

2

ab

σ

V

CP

⎛ V ( y ) ⎞ c 1 d ⎜ ⎟ ⎡ V ( y
V
(
y
)
c
1
d
V
(
y
)
V
c
1
CP
1 −
V
dy
⎣ ⎢
CP
⎥ ⎦
 

(4.9a)

<

0

(4.9b)

 

(4.10)

Integrando entre y = 0 e y = L

I

D

= 2

σ

3/2

ab

VU +−

C

0

DS

U

GS

VU

C

GS

2

VU +−

C

DS

U

GS

⎞⎛ 2

⎟⎜ +

⎠⎝ 3

VU

C

0

GS

00

−−

V

CP

3

V

CP

V

CP

V

CP

LV

CP

3/2

(4.11)

Usando (4.11) para a situação de estrangulamento, o que, contudo, sabemos não ser uma boa aproximação, tem-se para corrente de saturação

I

D

sat

= 2

σ

⎢−

ab

VU

C

0

GS

1

++

3

2

3

VU

C

0

GS

V

CP

V

CP

LV

CP

⎞ ⎟

3/2

⎦ ⎥ ⎥

(4.12)

A corrente de saturação representa assim o valor máximo que se pode obter para a corrente,

fixado um valor para a tensão

Corresponde a uma saturação de corrente. Verifica-se na

U GS

.

pratica que, para um dado valor de

U

GS

, a corrente aumenta para além do valor de

I

D

sat

. A

análise desta zona não pode ser unidimensional, uma vez que as equipotenciais se afastam muito de planos perpendiculares a y. O ponto onde se dá o estrangulamento aproxima-se da

fonte à medida que aumenta

É este encurtamento do canal que é responsável pelo

aumento da corrente nessa zona, designada por zona de saturação. O início desta zona

corresponde a

U DS

.

V

CP

VU−+=U

C 0

GS

DS

, o que substituído em (4.12) conduz a

I

D

sat

= 2

σ

ab

U

DS

2

−+

3

2

3

U

DS

V

CP

V

CP

1

LV

CP

3/2

(4.13)

No plano

(

I

D

,

U

DS

) corresponde à linha a tracejado da Fig.4.3. De salientar, que nos

transístores bipolares a designação de saturação não tem qualquer equivalência com aquela que nos FET é designada por saturação. Aqui trata-se de uma saturação em corrente. Nos transístores bipolares tratava-se de uma saturação em tensão.

I D U GS1 U GS2 U GS3 Δ= UUU − = U − U
I D
U GS1
U GS2
U GS3
Δ=
UUU
=
U
U
GS
GS
12
GS
GS
23
GS
=−= …
U
U
GS
3
GS
4
Δ
> 0
U GS
U DS
- Fig.4.3 -
Características estacionárias
= IU
(,)
U
.
I D
D
DS
GS

Na Fig.4.3 é visível a zona de disrupção, resultante do aumento do campo eléctrico junto do

U tanto

dreno, que é onde a polarização inversa é mais intensa. Dá-se para valores de

DS

menores quanto mais negativo for

U GS

.

Na característica pode verificar-se também que para

igual variação menor U . GS
igual variação
menor
U
.
GS

ΔU

GS

Para

entre as características, as variações

ΔI

D sat

são tanto maiores quanto

U

DS

<

0

a junção do lado do dreno fica cada vez mais positiva, não

existindo estrangulamento do dreno. No 3º quadrante as características não saturam, devendo

ter-se em atenção que a corrente de porta e a potência não deverão exceder o máximo. As

características no 1º e 3º quadrantes não são simétricas!

O que foi dito para um JFET de canal n é válido par um JFET de canal p, se trocarmos os

electrões por buracos. As equações serão igualmente válidas se trocarmos os sentidos à

corrente e os sentidos às tensões, ou, o que é equivalente, se nas equações substituirmos

Os símbolos dos transístores JFET estão

representados na Fig.4.4. O sentido da seta no terminal da porta corresponde ao sentido de p

para n.

U

GS

e

U

DS

, respectivamente, por

U

SG

e

U

SD

.

G

para n . U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD

D para n . U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD

Sn . U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD .

G

n . U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD .

D n . U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD .

S. U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD . G

D G G 1 2 S
D
G
G
1
2
S

(a)

(b)

(c)

- Fig.4.4 - Simbologia (a) canal n (b) canal p (c) dupla porta, canal n

A variação com a temperatura nos JFET é devida a três factores, a designar

Variação da queda de tensão na zona de transição com T

V

C

0

=

U

T

ln

N N

A

D

n

2

i

=

U

T

(

ln

NN

AD

NN

−+

ln

)

CV

W G

q

(4.14)

onde

Deste modo, a largura da região de transição diminui com a temperatura, e, portanto, a

decresce com a temperatura.

NN

C

,

V

T

3/2

.

Como

NN

CV

,

NN

AD

,

, a tensão V

C0

largura do canal aumenta com a temperatura.

Variação das mobilidades com a temperatura O aumento da temperatura conduz a uma diminuição da mobilidade e, portanto, da condutividade do canal.

Variação da geração e da recombinação na zona de transição Os efeitos (i) e (ii) compensam-se. É possível por escolha adequada da polarização fazer com que os três efeitos se cancelem, ou que sejam minimizados, de modo a ter uma estabilidade térmica elevada para os transístores JFET.

4.3 Transistor de efeito de campo de isolante MOSFET

Num dispositivo de canal n o MOSFET é formado por um monocristal, no qual existe uma

,

separadas por parte do substrato. Sobre cada zona de tipo n são estabelecidos os contactos óhmicos. São os terminais do dreno e da fonte. Sobre o cristal entre essas duas zonas é depositado um isolante, ao qual está também ligado um contacto metálico, designado por porta. A primeira diferença com o JFET é que, devido à presença do isolante, a corrente de

A estrutura

gate é sempre desprezável, independentemente da polaridade da tensão

básica está representada na Fig.4.5. A espessura do óxido d pode variar de centenas de Å a alguns microns, a distância do dreno à fonte L é da ordem da dezena de mícron e o comprimento dos eléctrodos é da ordem do milímetro. Existe um quarto terminal designado por substrato (bulk, na designação anglo-saxónica), que na maioria dos casos está ligado à fonte, mas que noutros casos permite que se estabeleça uma diferença de potencial entre esses dois terminais. Analogamente ao JFET, o que for dito para um MOS de canal n é válido par um MOS de canal p, se trocarmos os electrões por buracos. As equações serão igualmente

válidas se nas equações substituirmos

U

zona de tipo p, o substrato, e duas zonas dopadas com dadores, de tal modo que

N

D

N

A

U

GS

.

U

GS

e

, respectivamente, por

U

SG

U

SD

.

DS

e

4.3.1 Princípio de funcionamento

Com o terminal da gate em aberto, não haverá condução entre os terminais do dreno e da

, existe sempre no percurso uma

junção inversamente polarizada. De salientar que não se trata da mesma situação que no transístor bipolar, uma vez que para estes a base é estreita e no FET a zona entre o dreno e a fonte é suficientemente extensa para que a interacção entre as junções pn seja desprezável.

fonte. Com efeito, qualquer que seja a polaridade de

U DS

U BS

U DS

G U GS metal I G S D I I S D Isolante d +
G
U
GS
metal
I G
S
D
I
I
S
D
Isolante
d
+
+
n
n
2n
x p
L
p
B

- Fig.4.5 - Representação esquemática de um MOSFET

Quando a porta se torna positiva, haverá um campo eléctrico dirigido do metal para o semicondutor, dando origem à acumulação de carga negativa no semicondutor que se estende junto à superfície de separação óxido-semicondutor, mas que penetra em profundidade pelo semicondutor. A carga associada é da responsabilidade de electrões e de impurezas aceitadoras ionizadas que ocupam uma zona depleta muito maior que a associada à camada de electrões. Os electrões acumulados podem dar origem a uma zona com condutividade

elevada. Diz-se então que existe um canal de tipo n. A aplicação de uma tensão entre o dreno

e a fonte faz agora aparecer uma corrente no circuito exterior. Tal como no caso do JFET, a

corrente de dreno está associada à presença de uma tensão aplicada à porta. No caso do JFET

a tensão de porta faz aparecer um campo eléctrico que de certa forma modela a geometria do canal. No MOSFET o campo eléctrico faz variar a condutividade do canal. Consideremos duas situações

U

DS

U

GS

Nestas condições

fonte e

perpendiculares a y e a relação

U

GS

U

GD

,

logo o canal apresenta as mesmas características do lado da

I

D

(

U

DS

)

do

lado do dreno. Ou seja, o canal é uniforme, as equipotenciais são planos

é linear, com uma inclinação que representa o

inverso da resistência do canal. Esta é no entanto modelada pela tensão

U GS

, sendo tanto

menor quanto mais positiva for a tensão

U GS

.

A situação está representada na Fig.4.6.

U DS

U GS I D I D n + n + U GS = const. U
U
GS
I D
I
D
n +
n +
U GS = const.
U DS
- Fig.4.6 -
Canal e característica estacionária tensão-corrente para
U
U DS
GS
• U
≈U
DS
GS

Para tensões

variável na direcção longitudinal (direcção y) e a relação corrente-tensão deixa de ser linear.

ou maiores, o canal aparece com largura

U

DS

da ordem de grandeza de

U

GS

A situação está esquematicamente representada na Fig.4.7.

U DS

U GS I D n + n +
U
GS
I
D
n +
n +
I D U GS = const. U DS
I D
U GS = const.
U DS

- Fig.4.7 -

Canal e característica estacionária tensão-corrente para

U

DS

U

GS

aumenta, a inclinação da curva diminui, até que o canal estrangula no lado

À medida que

do dreno fazendo com que a corrente de dreno se mantenha praticamente constante com

sucessivos aumentos de

a aumentar com a tensão aplicada entre o dreno e a fonte mas de forma muito menos

acentuada. De realçar que o estrangulamento do canal não deve ser entendido como o anulamento da corrente, como uma imagem clássica poderia fazer supor, mas antes a entrada

Na realidade, e tal como se viu para o JFET, a corrente continua

U DS

U DS

.

na saturação. Significa que a condutividade do canal desde o ponto de estrangulamento até ao

dreno é muito baixa e que, por isso mesmo, para que se possa garantir uma corrente finita

, o campo eléctrico deve ser muito intenso na vizinhança do dreno. A situação está

(

J

=σ E

)

representada esquematicamente na Fig.4.8.

U DS

U GS I D n + n + p
U
GS
I
D
n +
n +
p

- Fig.4.8 - Canal e característica estacionária tensão-corrente para

I D U GS = const. U DS > U =−UU U DS DS GS
I D
U GS = const.
U DS
> U
=−UU
U DS
DS
GS
GS
min
lim

Se designarmos por tensão de limiar

U GS

lim

a tensão mínima a aplicar à porta para fazer

aparecer o canal e se admitirmos que o canal desaparece no dreno, então para que a corrente

de dreno iguale a corrente de saturação deverá ser superior a

U

DS

min

,

tal que

U

DS

min

= UU−=−UU

GS

GD

GS

GS

lim

(4.15)

uma vez que nessa situação se tem

U

GD

= U

GS

lim .

Na literatura anglo-saxónica é usual designar

a tensão de limiar por

V , do termo anglo-saxónico threshold, que significa limiar. Deste

T

modo se

representada nas figuras 4.6 e 4.7, correspondentes a

U

GS

= V

T

,

a corrente será nula mesmo com

U

DS

U

DS

>

DS

min

A zona da característica,

< U designa-se por zona de não

0.

saturação. É usualmente designada na literatura da especialidade por zona de tríodo. A

analogia resulta de os tríodos serem válvulas de vazio com três terminais onde à custa da

tensão na grelha se consegue controlar a corrente que flui entre o ânodo e o cátodo. Contudo,

a designação não nos parece particularmente feliz, uma vez que nos tríodos a característica

I (U ) tem a concavidade para cima enquanto que nos FET a concavidade é para baixo, além de

que a característica passa pela origem no FET, enquanto que no tríodo existe corrente para

tensão ânodo-cátodo nula, dependendo da temperatura a que está o cátodo.

Os valores de

podem ser de três tipos:

U

DS

>

0

estão usualmente limitados pelos fenómenos de disrupção. Estes

(i)

Disrupção do canal Verifica-se para correntes de saturação elevadas e está associada ao efeito de multiplicação em avalanche;

(ii)

Disrupção do dreno É da responsabilidade da disrupção da zona vizinha do dreno devido a polarizações inversas cada vez mais elevadas. Domina sobre a anterior para correntes de saturação baixas, uma vez que não tem a ver com o número de portadores existentes no canal;

(iii)

Disrupção do isolante Devido às dimensões da camada de óxido, o campo eléctrico nessa zona é muito intenso. O máximo valor admissível para o campo eléctrico no isolante (designado por rigidez dieléctrica do material) não deve em caso algum ser excedido, senão provoca a disrupção do dieléctrico. Trata-se de uma limitação física, uma vez que a entrada nesta zona danifica irremediavelmente o dispositivo.

U

DS

<

0

No caso do canal existir, ou seja se

nunca estrangula no lado do dreno. A situação está representada de forma esquemática na

Fig.4.9.

ou seja o canal

U

GS

> V , ter-se-á sempre

T

U

GD

> V

T

,

U DS

U GS I D n + n + p
U
GS
I
D
n +
n +
p

- Fig.4.9 - Canal e característica estacionária tensão-corrente para

I D U DS U GS U < 0 e UU> DS GS GS lim
I D
U DS
U GS
U
<
0
e
UU>
DS
GS
GS
lim

A corrente tem assim uma variação monotónica com a tensão, ou seja,

I D
I
D

cresce sempre

com

U DS
U
DS

. A corrente deverá ser assim limitada pelo circuito exterior para que não seja

excedida a potência máxima associada ao dispositivo. As características neste quadrante são pois muito diferentes das do 1º quadrante, podendo aparecer mesmo um conjunto de curvas

correspondentes a

com a abertura do canal do lado do dreno.

U

GS

< V e que não apareciam no 1º quadrante, pois estão relacionadas

T

Os fenómenos descritos podem resumir-se no gráfico da Fig.4.10 que representa as

características estacionárias de tensão-corrente = IU ( ) num transístor MOSFET. I D D DS
características estacionárias de tensão-corrente
= IU
(
)
num transístor MOSFET.
I D
D
DS
U GS
I D
U
≤ V
GS
0
T
U
>>
UU
>>
UV
GS
4321
GS
GS
GS
T
U GS4
U GS3
U GS1
U GS2
U DS
U GS0
U GS0
U GS4

- Fig.4.10 - Características estacionárias tensão-corrente num MOSFET

Como se vê o valor de

seu controlo é feito tecnologicamente. Pode considerar-se independente da polarização. De facto, como veremos mais adiante, depende da tensão aplicada entre a fonte e um quarto terminal, o substrato, devido à carga da região depleta existente no substrato.

V é extremamente importante na caracterização destes dispositivos e o

T

4.3.2 O canal. A tensão de limiar

Como atrás referido a existência do canal está associada à presença de um campo eléctrico dirigido no óxido do metal para o semicondutor. Os portadores móveis (electrões) resultam das minorias do substrato e dos gerados por acção do campo no plano de separação óxido-

-semicondutor. O campo eléctrico é inerente ao dispositivo, como em qualquer junção, mas pode também ser imposto exteriormente. A influência da formação do canal pelo campo

. O campo inerente ao dispositivo tem a ver com as cargas

existentes na superfície de separação entre os vários materiais, ou dito de outra forma, está associado às diferenças de potencial de contacto das heterojunções metal-óxido e óxido-

semicondutor. Analisemos duas situações:

exterior é dada através de

U GS

U

GS

=

0 e

U

GS

0.

Equilíbrio termodinâmico (

U

GS

=

0)

Vamos admitir que além desta condição, se verifica que a diferença de potencial de contacto

e que as cargas

metal-semicondutor é nula (

V

MS

=

0)

, que a carga no óxido é nula (

Q

ox

=

0)

na superfície de separação óxido-semicondutor são nulas (

Q

OS

=

0).

W F

W F

W C

M

Metal

Óxido
Óxido

W

Semicondutor

 

W

C

0

W

 

i

0

   

W

F

0

   
 

W

V

0

-a

0

W F 0       W V 0 -a 0 x - Fig.4.11 - Diagrama

x

- Fig.4.11 - Diagrama de bandas na situação de equilíbrio termodinâmico com

VQQ=

MS

0;

OX

=

0;

OS

=

0

O

existem encurvamentos, uma vez que não existem cargas localizadas. O nível de Fermi é o mesmo para todos os materiais, uma vez que é apenas função da temperatura.

diagrama de bandas de energia é o representado na Fig.4.11, onde se pode ver que não

O estabelecimento de um campo eléctrico entre o metal e o

semicondutor faz com que as bandas encurvem. Consideremos sem perda de generalidade que

0. O andamento da densidade de carga está representado na Fig.4.12. De realçar que no

metal as cargas localizam-se em superfície, no óxido não existem cargas e no semicondutor as cargas penetram até uma profundidade d. O resultado é semelhante ao já obtido para a zona de carga espacial de uma junção: a carga penetra mais na zona menos dopada.

Consideremos agora

V MS

>

V

MS

0.

ρ Metal Óxido Semicondutor +Q -Q d x -a − − qN A
ρ
Metal
Óxido
Semicondutor
+Q
-Q
d
x
-a
− qN
A

- Fig.4.12 -

Distribuição da densidade de carga em equilíbrio termodinâmico com

V MS

> 0

A expressão do campo é obtida por integração da distribuição de carga. No metal é nulo, no

isolante é uma constante e no semicondutor tem uma variação linear, de acordo com

onde

E

S

0

EE=

S

S

0

qN

A

ε

S

x

(4.16)

, representa o campo eléctrico na superfície de separação entre o óxido e o

+ semicondutor, do lado do semicondutor ou seja em x = 0 . É obtido
+
semicondutor, do lado do semicondutor ou seja em x
=
0 .
É obtido através da condição de
fronteira E()d = 0
qN d
A
E
=
(4.17)
S 0
ε
S
E
Metal
Óxido
Semicondutor
E 0X
E
S
0
x
-a
d

- Fig.4.13 -

Distribuição do campo eléctrico equilíbrio termodinâmico com

V MS

> 0

Por outro lado, devido à continuidade do campo de deslocamento

D

OX

(

x

0)

==

−+

(

Dx

S

=

0)

E

S 0

=

de (4.17) e (4.19) obtém-se

ε E

OX

OX

ε OX

ε

S

E

OX

(

x

0)

==

ε Ex (

S

S

=

+

0)

(4.18)

(4.19)

d =

E OX

qN

A

ε

OX

(4.20)

A distribuição do campo eléctrico em equilíbrio termodinâmico está representada na Fig.4.13.

A variação do potencial obtém-se por integração da distribuição do campo eléctrico.

Admitindo nulo o potencial no interior do semicondutor tem-se

x 0:

Vx () = E

S

S

0

(

d −−x )

qN

A

d

2

+

qN

A

2

ε

S

2

ε

S

donde se obtém

−≤a

x 0:

V

S

(

d

)

=

0

e

onde a é a espessura do óxido e

x ≤ −a :

φ

==V (0)

SS

A

S

ε

qN

2

2

dE=

S

0

d

2

V

OX

()

x

= V

MS

E

OX

(

xa+

V

OX

(0)

= V

MS

Ea

OX

)

Vx ( ) = V

M

MS

=

const

V (x) está representada na Fig.4.14.

2

x

(4.21)

(4.22)

(4.23)

(4.24)

(4.25)

Metal Óxido V Semicondutor V MS V 0X φ S x -a d
Metal
Óxido
V
Semicondutor
V
MS
V
0X
φ
S
x
-a
d

- Fig.4.14 - Distribuição do potencial em equilíbrio termodinâmico com

V MS

> 0

Calculemos como exemplo o valor de d, isto é da profundidade de penetração da carga no

semicondutor, para o seguinte conjunto de valores

N A

=

10 20

A partir da expressão de

m

3

;

V MS

V

MS

=

0,85

Va

;

==

1

μm

;

ε

OX

3,95

εε

0

;

S

resultante de (4.17), (4.19), (4.21) e (4.24)

V

MS

=

qN

A

qN

A

da +

ε

OX

2

ε

S

d

2

=

12

ε

0

(4.26)

obtém-se d = 1,6μm. Por substituição em (4.17), (4.19), (4.21) e (4.24) obtém-se

V

OX

==V

;

S

0,67

φ

0,18

V

;

E

OX

=

6,67

kV

/

cm

;

E

S

0

=

2,2

kV

/

cm

.

A Fig.4.15 traduz o andamento das bandas de energia para a situação estudada, utilizando as

relações (4.21) a (4.26) e tendo em conta que

W

C

W

V

()

x

()

x

= W

C

0

= W

V

0

()

qV x

(4.27a)

()

qV x

(4.27b)

De realçar que o encurvamento obtido na vizinhança da superfície de separação óxido-

-semicondutor mostra que aí o semicondutor é menos do tipo p (ou mais do tipo n) do que

> favorece o aparecimento de um canal

de tipo n.

para elevados valores de x no substrato. Ou seja

V MS

0

W Óxido Metal Semicondutor ≈ ≈ W C 0 W i 0 W F 0
W
Óxido
Metal
Semicondutor
W
C 0
W
i
0
W
F
0
W
V
0
-a
0
d

x

- Fig.4.15 - Bandas de energia no metal-óxido-semicondutor em equilíbrio termodinâmico com

V MS

> 0

Juntando à condição

resultados idênticos aos descritos. O sentido do campo associado às cargas pode no entanto

obtêm-se, por via análoga,

V

MS

0,

as condições

Q

OX

0

e

Q

OS

0,

conduzir a um encurvamento oposto ao representado na Fig.4.15, o que traduziria uma

acumulação de buracos na zona do substrato próximo do óxido. É uma situação que não

interessa, uma vez que como vimos essa situação levaria à existência de uma junção sempre

inversamente polarizada qualquer que fosse a polaridade da tensão aplicada entre o dreno e a

fonte e, consequentemente, a uma corrente de dreno desprezável. A estatística clássica (como

aproximação da estatística de FD) dá-nos o valor da densidade de electrões (buracos) em

termos da distância da banda de condução (valência) ao nível de Fermi

n

p

=

=

Ne

C

(

W

C

W

F

0

)

/

kT

Ne

V

(

W

V

W

F

0

)

/

kT

(4.28a)

(4.28b)

O valor máximo da concentração de electrões quando o encurvamento das bandas é o

indicado na Fig.4.15 dá-se para x = 0, ou seja, na superfície de separação óxido-

-semicondutor. Por convenção, admite-se que o aparecimento do canal se dê quando o

semicondutor for aí tão do tipo n, quanto é do tipo p no interior do substrato suficientemente

afastado da interface óxido-semicondutor. O correspondente valor da diferença de potencial

de contacto, que designaremos por

φ

S

inv

,

é dado por

Para N

A

=

10

20

3

mn

e

i

=

φ

S

inv

== 2 Δ W

2

(

W

i

0

W

F

0

)

= 2

U

T

ln

p

0

qq

n

i

10

16

m

3

tem-se, considerando

TK= 300

,

φ

S

inv

=

0,48

V

.

(4.29)

Tensão aplicada exteriormente (

UUU

GS

DS

=

BS

0,

0,

=

0)

Admitamos que

semicondutor de tal modo que

V =

MS

0,

QQ=

OS

OX

=

0.

U

A tensão aplicada distribui-se pelo óxido e pelo

GS

= V

OX

+ φ

S

(4.30)

Sendo

Q

S

a carga induzida no substrato semicondutor pela tensão

U

GS

.

É dada pela soma da

carga móvel associada aos electrões,

Q , com a carga fixa associada às impurezas ionizadas,

n

Q

B

.

Q

S

= QQ+

nB

(4.31)

As cargas

QQ

,

nB

e

Q

S

são definidas por unidade de área. A relação (4.31) pressupõe que já

exista carga móvel, isto é canal, caso contrário,

por unidade de área , tem-se

Q

S

= Q

B

.

Sendo

C

OX

a capacidade do óxido

sendo

C

OX

= ε

OX

/

a

.

Se

admitirmos

V

OX

que

= −

Q

S

C

OX

essa

heterojunção

 

(4.32)

pode

ser

assumida

como

fortemente assimétrica com

+

D

N

N

A

, a diferença de potencial de contacto entre o óxido e o

semicondutor, φ , permite-nos tirar, de forma aproximada, a largura da região depleta a partir

da expressão

S

d =

2 ε φ S S − qN A
2
ε
φ
S
S
qN
A

(4.33)

Se adicionalmente admitirmos que, para

φ < φ S S inv
φ
<
φ
S
S
inv

, toda a carga induzida por

U

GS

contribui

para a carga depleta Q

B

e que, para

φ > φ S S inv
φ
>
φ
S
S
inv

, a tensão contribui para a carga no canal

Q

n

d max

2 ε φ S S inv − qN A
2
ε
φ
S
S inv
qN
A

(4.34)

A

tensão

U

GS

associada ao aparecimento do canal, por definição

U

GS

lim

=−

Q

B

C

OX

+ φ

S

inv

U

GS

lim

, é assim dada por

(4.35)

onde

Q

B

= −

qN d

A

max .

A partir de U

GS

lim

, admitiremos que toda a carga induzida pertence ao

canal e será constituída por electrões, ou seja

U

GS

=−

Q

B

Q

n

C

OX

C

OX

+ φ

S

inv

(4.36)

A situação encontra-se descrita na Fig.4.16. A equação (4.36) permite determinar o valor de

Q

n

para uma dada tensão acima do limiar, conhecidos

U

GS

lim

e

C

OX

.

ρ Metal Óxido Semicondutor +Q QQ+ + Q = 0 n B Q B x
ρ
Metal
Óxido
Semicondutor
+Q
QQ+
+ Q = 0
n
B
Q B
x
-a
d max
Q n
-Fig.4.16-
Distribuição de carga para
U
>U
GS
GS
lim

Admitamos agora que além de

Esta situação faz com que as bandas se encontrem já encurvadas, mesmo considerando

0. Podemos definir uma grandeza, que designaremos por tensão porta-fonte de bandas

UU≠= 0,

GS

DS

0 e

U

BS

=

0

se tem

VQ

MS

0,

OS

0 e

Q

OX

0.

U GS

=

direitas

U

GS

BD

,

como a tensão que é necessário aplicar para colocar as bandas direitas, ou seja,

para contrariar os efeitos acumulados de

V

MS

,

Q

OS

eQ

OX

.

Teremos assim

U

GS

BD

=−

V

MS

Q OS

Q

OX

C

OX

C

OX

(4.37)

A tensão porta-fonte de limiar, ou seja, a tensão porta-fonte necessária para que o canal se

forme, será assim dada por

UU

GS

lim

=

GS

BD

Q

B

Q

OS

Q

OX

Q

B

C

OX

CCC

OX

OX

OX

+ φ

S

inv

=−

V

MS

+ φ

S

inv

(4.38)

Como se vê de (4.38) a tensão de limiar pode ser controlada tecnologicamente, podendo

tomar valores positivos e negativos. Se o canal existir em equilíbrio termodinâmico, ou seja se

a sua existência for garantida pelas propriedades intrínsecas do material e pelo dispositivo, o

canal diz-se de empobrecimento ou depleção. Caso contrário, é necessário a actuação da porta

através da aplicação de uma tensão

para fazer aparecer o canal e este diz-se de

U

GS

0

enriquecimento ou reforço. Os MOSFET de canal n com

U GS

lim

<

0 são de depleção e os com

U

GS

lim

U

SG

lim

>

<

0

0

são de reforço. Nos MOSFET de canal p define-se

U

SG

lim

. Os transístores com

são de depleção e os com

U

SG

lim

>

0 são de reforço. Os símbolos utilizados para os

vários MOSFET estão representados na Fig.4.17. No caso de existir um terminal de substrato

. Esta tensão deve ter a

(B) é possível criar uma tensão entre a fonte e o substrato (

U SB

)

polaridade tal que a junção pn que lhe está associada esteja polarizada inversamente, caso

contrário existe uma corrente transversal ao canal que é importante e deixa de se poder

é ainda dada por (4.38), mas a carga fixa no canal é

considerar que

I

D

= I

S

. A tensão

U

GS

lim

agora dada para um canal n por

Em (4.39) verifica-se que se

− 2 qN ε S A Q =− ( U + ) φ S B
2
qN
ε S
A
Q
=−
(
U
+
)
φ S
B
2
SB
C
inv
OX
(4.39)
>
0
, a carga fixa na zona de depleção aumenta, atrasando a
U SB

formação do canal. O seu efeito é portanto aumentar o valor da tensão

U GS

lim

. Inverter a

polaridade desta tensão conduz ao problema atrás referido (polarização directa da junção pn

associada), além do facto de uma tensão directa numa junção poder assumir um leque de

valores muito restrito. O controlo da tensão de limiar seria desse modo desprezável.

reforço G
reforço
G

D

 

depleção

G
G

S

D D reforço depleção G G S S
D
D
reforço
depleção
G
G
S
S

D

S

G S D D reforço depleção G G S S D S Canal n Canal p

Canal n

G S D D reforço depleção G G S S D S Canal n Canal p

Canal p

-Fig.4.17-

Simbologia

4.3.3 Característica estacionária tensão-corrente

Consideremos um transístor MOSFET de canal n de enriquecimento. Na Fig.4.5 representam-

-se os sentidos convencionados como positivos. Seja S( y) a secção do canal normal à

, é função da

direcção y. A dimensão do canal segundo a direcção x, que designaremos por

coordenada y. Teremos assim

x

C

S

() y

= x

C

() yb

sendo b a dimensão segundo z.

(4.40)

A corrente de dreno é dada por

I

(

=

J −=u

ˆ

)

dS

Dy

,

S

(

y

)

x

0

C

(

y

)

qbn (, x

)

y μ

n

(, x

y

)

dV

(,)

x

y

dy

dx

(4.41)

onde se considerou J = σ E =σ gradV

Vxy(,

x y . Se admitirmos que

) V ()y , o que se revela uma má aproximação à medida que nos aproximamos da

e

σ

= σ

(

x

,

y

)

(

= qn x

,

)

y μ

n

(

,

)

situação de estrangulamento do canal no dreno, tem-se

onde se considerou

I

D

= b

dV

()

y

x

0

C

y

(

)

dy

dy

qn x

(,

)

y μ

n

x y dx =−bμ Q

(,

)

nn

*

()

y

dV

()

y

x

0

C

(

y

)

(,

qn x

)

y μ

n

(,

x

*

y dx = −μ Q

)

nn

()

y

(4.42)

(4.43)

Q

n

(

y

)

em (4.42) e (4.43) representa a carga por unidade de área no canal, que é função da

coordenada y e

independente do ponto do canal. De (4.42) e (4.43) tem-se

* representa a mobilidade eficaz de electrões no canal, que suporemos

μ

n

I

D

= −

b

*

μ

n

L

U

0

DS

Q

n

y dV

()

()

y

(4.44)

De (4.31) tem-se

Sendo

(