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INDICE

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William Bradford Shockley 2
Walter Houser Brattain 4
John Bardeen 6
Bibliografía 7

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William Bradford Shockley (Londres, 1910 - Palo Alto, 1989)

En 1927 William Shockley inició sus estudios en la Universidad de California en Los Ángeles.
Un año más tarde ingresó en el Instituto de Tecnología de California (CalTech). Se licenció
en Física en 1932. Fue becado para comenzar una nueva etapa académica en el Instituto
Tecnológico de Massachusetts (MIT). Se doctoró con su tesis “Calculation of Electron Wave
Functions in Sodium Chloride Crystals” en 1936. Ese mismo año (1936), ingresó en los
laboratorios de Murray Hill, de la empresa Bell Telephone Company. Durante la Segunda
Guerra Mundial dirigió el proyecto de defensa submarina de los Estados Unidos y prestó
servicio a su nación como asesor del secretariado de la Guerra (1945). Finalizada la
contienda, en 1953 fue nombrado director del departamento de transistores de la citada
empresa.
Shockley y varios colegas de los laboratorios estudiaron el fenómeno de la corriente inversa
en las uniones p-n, explicándolo según la teoría de Clarence M. Zener sobre la ruptura
eléctrica en dieléctricos sólidos. La aplicación práctica de este fenómeno se materializó en
un diodo semiconductor que Shockley bautizó como diodo Zener. En 1955 diseñó un diodo
de cuatro capas semiconductoras denominado inicialmente diodo conmutador y conocido
posteriormente como diodo Shockley. Consiguió la patente en 1958.
También en 1955, decidió dar un cambio de rumbo. Dejó su trabajo en los laboratorios y se
trasladó a California. Fundó la compañía Shockley Semiconductor Laboratory en Stanford
con la ayuda de Arnold O. Beckman. Está considerada la primera compañía de
semiconductores instalada en el actual Silicon Valley. En 1956 patentó un nuevo registro de
desplazamiento, que implícitamente llevaba la idea de un circuito digital monolítico o
circuito integrado.
Shockley colaboró con John Bardeen y Walter Houser Brattain en la construcción de
aparatos semiconductores que desplazaran a los tubos de vacío. Con sus trabajos

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demostraron que los cristales de germanio eran mejores rectificadores que los utilizados
hasta la fecha, dependiendo su efecto de la trazas de impurezas contenidas en los mismos.
Mediante el empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que incluían
una aguja en conexión con el cristal, el equipo inventó el transmisor de contacto puntual.
Poco después, Shockley construyó el transistor de unión, que usaba una unión entre dos
partes, tratadas de modo diferente, de un cristal de silicio. Tales semiconductores de estado
sólido tienen la virtud de rectificar y amplificar la corriente que circula a través de ellos.
Gracias a estos aparatos pequeños y muy fiables se abrió camino hacia la miniaturización
de los circuitos de radio, televisión y de los equipos de ordenadores, proporcionando un
formidable impulso al desarrollo de la electrónica y la informática. William Shockley recibió
el premio Nobel de Física de 1956, que compartió con John Bardeen y Walter H. Brattain,
por sus investigaciones de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor.
Tras la puesta en marcha de su compañía estableció contacto con la Universidad de
Stanford, donde fue contratado como profesor de ingeniería en 1963. Su carrera docente
duró hasta 1975, cuando se jubiló. Tras su empleo en Stanford fue nombrado profesor
emérito. En 1965, regresó a los Laboratorios Bell para desempeñar funciones de consultor,
participando además en el desarrollo de memorias magnéticas.
Durante sus últimos años, Shockley se dedicó a promover su teoría de la ‘disgenia’, que
defendía que los descendientes de África eran intelectualmente inferiores a los
caucasianos. Sus artículos y discursos incendiarios al respecto, empañaron en alguna
medida su extraordinaria contribución a la ciencia en el estudio y desarrollo de los
semiconductores.
A lo largo de su vida recibió numerosos homenajes y reconocimiento, entre ellos:
· La Medalla al Mérito del Ministerio de Defensa de EEUU en 1946.
· Una Mención de Honor de la Asociación de las Fuerzas Aéreas Estadounidenses en
1951.
· El Premio Morris Liebmann Memorial del Instituto de Ingenieros de Radio(IRE) en
1952.
· El Premio Oliver E. Buckley de la Sociedad de Física de EEUU en 1953.
· El Certificado de Reconocimiento del Ejército de los EEUU en 1953.
· El Premio Comstock de la Academia de Ciencias de los EEUU en1953.
· La Medalla Wilhelm Exnerde la Cámara de Comercio austríaca en 1963.
· La medalla Holley de la Sociedad de Ingenieros Mecánicos de EEUU en 1963.
Falleció en Palo Alto (California) el 12 de agosto de 1989, a los 79 años de edad, como
consecuencia de un cáncer de próstata.

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Walter Houser Brattain (Amoy, China, 1902-Seattle- EE UU, 1987)

Físico estadounidense. Siendo su padre profesor de ciencias en Ohio , en 1903 la familia


decidió trasladarse al Estado de Washington. En 1924 se graduó en física en el Whitman
College de Walla Walla (Washington) y en 1926 consiguió un Master en Ciencias en la
Universidad de Oregón. En 1928 ingresó en el National Bureau of Standards (NBS), donde
colaboró con Vicent E. Heaton en el desarrollo de un oscilador portátil de frecuencia patrón.
En 1929 empezó a trabajar como físico en los Bell Telephone Laboratories. Su principal
campo de investigación fue el estudio de las propiedades de las superficies de los sólidos, y
en particular el de la estructura atómica de un material a nivel superficial, la cual difiere de
la del interior. Registró diversas patentes y es autor de numerosos artículos sobre física del
estado sólido. Contrajo matrimonio en 1935 con la Dra. Keren Gilmore. La pareja tuvo un
hijo, William Gilmore Brattain.
Las contribuciones más destacadas de Walter Brattain a la física del estado sólido fueron el
descubrimiento del efecto fotovoltaico en la superficie libre de un semiconductor; y las
investigaciones desarrolladas en los Laboratorios Bell para conocer las propiedades en la
superficie de los semiconductores, con Bardeen primero, con C.G.B. Garrett más tarde y
finalmente con P.J. Boddy. Tras esta etapa, Brattain trabajó en el grupo de investigación
que lideraba William Shockley, donde surgió la invención del transistor de germanio.
En 1945 se unió al grupo liderado por William B. Shockley y tras casi dos años de trabajo
infructuoso, cuyos detalles he recogido en los dos textos citados anteriormente, el 16 de
diciembre de 1947 lograron hacer funcionar un transistor por primera vez en la historia.
Brattain era el científico experimental del equipo y su especialidad era las propiedades de
las superficies de los semiconductores, aspecto en el que junto a Bardeen hizo aportaciones
significativas, aunque fue Bardeen, quien dio con la clave de porqué los primeros
transistores no funcionaban, al darse cuenta de que los electrones se quedaban bloqueados
en la superficie del semiconductor que servía de soporte al dispositivo, impidiendo el
funcionamiento del transistor en su conjunto.

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Los progresos realizados por el equipo de trabajo de los Bell Labs quedaron recogidos en el
cuaderno de laboratorio de Brattain, una verdadera joya, en el que anotó cuidadosamente
los avances y los detalles esenciales del funcionamiento del transistor, fue patentado en
1950
En 1956 compartió el Premio Nobel de Física con John Bardeen y William B. Shockley por el
diseño del transistor de germanio, ingenio cuyo posterior desarrollo fue la base de los
modernos microprocesadores.
Brattain no sólo fue reconocido con el Premio Nobel, también recibió la Stuart Ballantine
Medal del Franklin Institute en 1952; y la John Scott Medal de la ciudad de Filadelfia en
1955. Asimismo obtuvo diversos Doctorados Honoris Causa, entre ellos, de la Universidad
de Portland en 1952; Whitman College de Walla Walla en 1955; Union College Schenectady
en 1955; y de la Universidad de Minnesota en 1957.
En 1957 abandonó su trabajo en los Laboratorios Bell, para dedicarse a la docencia y a la
investigación en biofísica en el Whitman College.
El Dr. Brattain es miembro de la Academia Nacional de Ciencias y del Instituto Franklin;
miembro de la American Physical Society, la Academia Americana de las Artes y las Ciencias
y la Asociación Americana para el Avance de la Ciencia. También es miembro de la comisión
de semiconductores de la Unión Internacional de Física Pura y Aplicada, y del Comité Asesor
de Investigación Naval. Tras fallecer su primera mujer, en 1958 se casó en segundas nupcias
con Emma Jane Kirsch Miller.
Walter Houser Brattain falleció el 13 de octubre de 1987 en Seattle, a los 85 años, tras
padecer Alzheimer durante cuatro años.

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John Bardeen (Madison, Estados Unidos, 1908 - Boston, id., 1991)

Nacio en el seno de una familia trabajadora americana. Su trayectoria universitaria se inició


en la Universidad de su ciudad natal, donde estudió ingeniería eléctrica entre 1923 y 1928
donde se licencio. Posteriormente, continuó en la misma universidad dos años como
ayudante de investigación, trabajando en problemas matemáticos de geofísica aplicada y
en radiación de antenas.
Durante el período comprendido entre 1930 y 1933, Bardeen trabajó en los laboratorios de
investigación de la compañía petrolífera Gulf Research, desarrollando métodos para
interpretar las señales generadas por diversos tipos de sondas (magnéticas y gravitatorias,
principalmente). No obstante, sus intereses estaban más cerca de las ciencias puras antes
que en la parte aplicada de las mismas, razón por la cual abandonó la Gulf en 1933 para
graduarse en física matemática en la Universidad de Princeton.
Entre 1935 y 1938 disfrutó de una beca de investigación en la Universidad de Harvard,
donde trabajó con dos futuros premios Nobel en física John Hasbrouck van Vleck (1899-
1980, Premio Nobel en 1977) y Percy Williams Bridgman (Premio Nobel en 1946). En 1936
obtuvo el doctorado por la Universidad de Princeton.
Desarrolló su labor científica en primer lugar en el laboratorio del departamento de
Ordenanza Naval de Estados Unidos durante la Segunda Guerra Mundial.
Al término de la contienda pasó a dirigir los laboratorios de la Bell Telephone Inc., donde
investigó las propiedades electrónicas de los materiales semiconductores, trabajos que
culminaron con el invento del transistor, elemento que abrió toda una amplísima gama de
nuevas perspectivas en el campo de la microelectrónica y la informática. La contribución
esencial de Bardeen al éxito de la invención estriba en que fue capaz de entender los
problemas que planteaba la superficie del semiconductor que servía de soporte de la
estructura para el correcto funcionamiento del dispositivo.

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Bardeen formuló de manera elegante e irrefutable la acción limitadora de los denominadas
estados electrónicos de superficie sobre la conducción de los portadores de carga en el
dispositivo, lo que abrió el camino decisivo para buscar vías que minimizaran su efecto,
tarea en la que el tercer integrante del grupo, Brattain, tuvo un papel relevante. Sin la
comprensión de ese fenómeno, el transistor se habría conseguido sin duda, pero varios
años después de la fecha de su invención. Todo el esfuerzo realizado en aquellos años por
el equipo de los Bell Labs fue reconocido tiempo después, al recibir los tres el premio Nobel
de física de 1956.
Desde 1951 hasta 1975 ejerció como profesor en la Universidad de Illinois. Durante este
período Bardeen desarrolló, en colaboración con Cooper y Schrieffer, la labor teórica en la
cual se cimentaron todas las investigaciones posteriores en el terreno de la
superconductividad, denominada «Teoría BCS» por las iniciales de los apellidos de sus
creadores. La teoría de la superconductividad fue un fenómeno que trajo de cabeza a la
comunidad científica durante décadas.
Por este segundo logro, también recibió el premio Nobel de física en 1972, siendo el único
científico que ha recibido dos veces este galardón en física.
Murió de un ataque al corazón el 30 de enero de 1991, pocos días después de publicar el
último artículo de su vida, en diciembre de 1990 en la revista Physics Today. La obra de
Bardeen cambió el mundo mucho más que los hallazgos de otros científicos de su tiempo,
pero muy pocas personas conocen su nombre y su obra.Ojalá este artículo logre reparar,
aunque sea limitadamente, esa carencia.

Bibliografía
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