TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA.

1º INGENIERÍA TÉCNICA INDUSTRIAL.

HOJA DE PROBLEMAS Nº3.

1)Los valores medidos de un diodo, a una temperatura de unión de 25ºC

están dados por:
VD=0,5V a ID=5µA y
VD=0,6V a ID=100µA

Determinar :a)el coeficiente de emisión y b) la corriente de fuga Is.

2)La tensión umbral de un diodo de silicio es de 0,7V a 25ºC. Determinar la

tensión umbral a:a)Tj=100ºC ,b)T j=-100ºC.

3) La corriente de fuga de un diodo de silicio es 10-9A, a 25ºC, y el

coeficiente de emisión es n=2.La temperatura de unión de operación es
Tj=60ºC. Determinar la corriente de fuga a esta temperatura y la corriente
del diodo a una tensión de 0,8V.

4)Dado el circuito:

Vs=15V 250Ω Vo

La característica en condiciones de polarización directa del diodo, que puede

obtenerse con una medición práctica o mediante las hojas de datos técnicos
del fabricante, está dada por la tabla siguiente:

iD(mA) 0 10 20 30 40 50 60 70
VD(V) 0,5 0,87 0,98 1,058 1,115 1,173 1,212 1,25

Determinar: El punto de trabajo en continua , la tensión umbral y la

resistencia del diodo del modelo DC lineal por secciones y la resistencia en
el modelo de pequeña señal. Suponer que el coeficiente de emisión es n=1 y
que VT =25,8mV.
 5V

5) Determinar a que temperatura el 10 kΩ

diodo de la figura empieza a
conducir.
4.8 kΩ
Datos: K = -2 mV/ºC
Vγ (25ºC) = 0.7 V 3V

6)Un diodo funciona en un punto Q de VD=0,7V e ID=1A.Los parámetros

del diodo son:P D=1W a Ta=50ºC y Preducción=6,67 mW/ºC,la temperatura
ambiental es de 25ºC, y la temperatura de unión máxima permisible es
200ºC . Calcular:La temperatura de la unión Tj , la disipación máxima
permisible en la unión y la disipación permisible a una temperatura
ambiental de 75ºC.

7) Suponiendo diodos ideales, determinar I1 i I2 si

(a) V1 = 0.2 V
(b) V1 = -9 V
+9V

2kΩ

I1 I2

+ 3kΩ
V1
_

-1V

8)Calcular vD e iD en el circuito de la figura considerando el modelo ideal de

diodo.
 6kΩ

3V
2kΩ 1,6kΩ
1mA

0,8k Ω

9)Calcular Vo en el circuito de la figura considerando el modelo con Vγ=0,7

V para los dos diodos.
D1
1kΩ

2kΩ
5V Vo
0,9kΩ
2mA

D2
-

3kΩ

10)Calcular la tensión Vo en función de Vi en el circuito de la figura en los

dos casos siguientes:
a)Modelo ideal
b)Modelo lineal con Vγ y RD.

Vi RL Vo

-
11) En el circuito siguiente: R
(a) Representar vo(vin) para
+ +
0 < vin < 20V D1 D2
(b) Representar vo(t) si v in vo
V1 V2
vin = 20sin(ω t) − −

Datos: Vγ = 0V, V1 = 8V, V2 = 5V

12)Calcular la característica de transferencia del siguiente circuito

considerando los diodos como ideales.

D1 D2

+
Vi 100kΩ 200kΩ
Vo
25V 100V
-

13) Para el circuito de la figura 1kΩ

(a) Determinar el punto de trabajo en +

continua 3kΩ 2kΩ
(b) Sustituir el diodo por su modelo en 15 V Vo
pequeña señal y determinar Vo(t) si va(t) va D
= 0.1 senω t V _

Datos: nVT = 35 mV
Vγ = 0.7 V
14) En el siguiente circuito, donde los diodos tienen una Vγ = 0.6V i rd = 10
Ω se pide (a) la representación de la función de transferencia Vo en función
de Vi, y (b) la representación de las corrientes que atraviesan los diodos D1 i
D2 en función de la tensión de entrada Vi.
D1

+ +
3kΩ
D2
Vi 1kΩ Vo

- -

15) Determinar y representar la D Z R2

característica de transferencia. Dibujar +
+
Vo(t) si Vi(t) es una señal senoidal de R1 R3
10 V de pico. Vi Vo
Datos: R1 = 2kΩ R2 = R3 = 1kΩ V1
_ _
Vz = 5V Vγ = 0.7 V V1 = 10V

16) Determinar la función de +

transferencia Vo(Vi). R2 Z2
Z1
Datos: R1 = R2 = R3 = 1kΩ, Vγ = 0V, Vz1 Vi
= 6V, Vz2 = 4V + _
Vo
R1 R3
_

17)El diodo de efecto túnel es un dispositivo que presenta una curva

característica i-v tal como la ilustrada en la figura. Para el circuito de la
derecha se pide:
(a) Determinar gráficamente el punto de trabajo en continua.
(b) Utilizar el análisis en pequeña señal para determinar vD(t) si va(t) = 10
sen ω t mV.
 1.25

R1 R2
ID (mA)

0.75
+
ID VD va
0.5
V1 _
0.25

0 .
Datos:
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

VD (V)
V1 = 15 V, R1 = 20 kΩ, R2 = 1
kΩ