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Universidad de La Salle, Informe, No 6

ANCHO DE BANDA
Electrónica Analógica

Ludy Uva, Julian Bustos

Universidad De La Salle-Sede Candelaria

Facultad De Ingeniería Eléctrica


27/04/2019

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Universidad de La Salle, Informe, No 6

Tabla de Contenidos

Capítulo 1.........................................................................................................................................1
Objetivo General..............................................................................................................................1
Objetivos Específicos......................................................................................................................1
Capítulo 2.........................................................................................................................................2
Marco Teórico..................................................................................................................................3
Capítulo 3.......................................................................................................................................24
Resultados......................................................................................................................................24
Capítulo 4.......................................................................................................................................41
Análisis..........................................................................................................................................41

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Lista de tablas

Tabla 1. Tips transistors………………………………………………………………………….11


Ta

Valores comparativos entre orcad y los cálculos realizados circuito................................13


Tabla 3. YValores comparativos entre orcad y los cálculos realizados circuito...............13
Tabla 4. YValores comparativos entre orcad y los cálculos realizados circuito...............13
Tabla 5. YValores comparativos entre orcad y los cálculos realizados circuito...............13

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Lista de figuras

Figura 1 Transistor PNP…………………………………………..…………………….…………

Figura 2 Transistor NPN………………………………………….……...……….……………….2


Figura 3 Transistor acople directo……… …………...…………………………………………

Figura 4 Filtro y su respuesta en frecuencia……… .……………………………………………..4


Figura 5 Amplificador emisor común……………………………..………………………………

Figura 6 Amplificador colector común..……………………………………………….………….6


Figura 7 Amplificador base común…..……………………………………………………………

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Capítulo 1
OBJETIVOS

General

 Comprender y analizar el funcionamiento del ancho de banda BW


 Entender el funcionamiento del acople directo

Específicos

 Analizar el funcionamiento de un filtro pasa bajos y pasa altos.


 Identificar las diferentes conexiones que se pueden realizar
 Conocer e identificar la polarización directa de un transistor.

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MARCO TEÓRICO
Transistor NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de
los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es
mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre
dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración
emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en
la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Transistor PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

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Capacitación de efecto Miller

En la región de alta frecuencia, los elementos capacitivos de importancia son las capacitancias entre
electrodos (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de alambrado entre los
cables de conexión de la red. Todos los grandes capacitores de la red que controlaban la respuesta
en baja frecuencia fueron reemplazados por su equivalente de cortocircuito debido a sus muy bajos
niveles de reactancia. Para amplificadores inversores (desfasamiento de 180° entre la salida y la
entrada, que produce un valor negativo de Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa en
un nivel de capacitancia sensible a la capacitancia entre electrodos entre las terminales de entrada y
salida del dispositivo y la ganancia del amplificador. En la figura 9.49, esta capacitancia de
“realimentación” está definida por Cf.

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Las etapas se conectan en forma directa, esto permite una amplificación tanto de la componente de
señal como de la componente continua del circuito. Se dice que los circuitos de cc se acoplan
directamente. La Fig. 1 muestra una aplicación de acoplamiento directo y así se establece la red
equivalente de la figura 9.50. El resultado es una impedancia de entrada equivalente al amplificador
de la figura 9.49 que incluye la misma Ri que manejamos en capítulos anteriores, agregando un
capacitor de realimentación aumentado por la ganancia del amplificador. Cualquier capacitancia
entre electrodos en las terminales de entrada al amplificador simplemente se agregará en paralelo
con los elementos de la figura.

ACOPLAMIENTO DE AMPLIFICADORES

Cuando un sistema está compuesto por más de una etapa de transistores, es necesario conectar, o
acoplar, los transistores entre. Existen muchas formas comunes de lograr esta interconexión entre
amplificadores. Se analizarán los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y óptico.

Fig 1. Transistores de acople directo

De esta forma se determinan VCEQ1 y VCEQ2. Note que al hacer análisis en cc, los efectos de la
polarización de una etapa afectan a la otra.

Por otro lado, realizando el análisis en ca se tiene:

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El efecto de los elementos de la primera y segunda etapa esté presentes en la ganancia del sistema.

ACOPLAMIENTO DIRECTO.

Dos amplificadores están acoplados directamente si la salida del primer amplificador se conecta en
forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. En la figura 1 se muestra un ejemplo.
la salida en ca de la primera etapa está superpuesta con el nivel de cd estático de la segunda etapa.
El nivel de cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarización de la segunda
etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarización, el amplificador utiliza diferentes
valores de fuentes de tensión de cd en lugar de una fuente de VCC sencilla.
El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar un amplificador EC a uno
ES, como se muestra en la figura 1, porque la corriente de polarización en un ES por lo general es
alta. El acoplamiento directo elimina la necesidad de conectar con el capacitor de acoplamiento y
con los resistores R1 y R2 de la segunda etapa. El amplificador acoplado directamente tiene una
buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es decir
sensibles a la frecuencia) que afecten la señal de salida en baja frecuencia.
El acoplamiento directo se utiliza por lo común en el diseño de circuitos integrados. El amplificador
resultante tiene una excelente respuesta en baja frecuencia y puede amplificar señales de cd. Es
también más simple fabricar un circuito integrado pues no se necesita capacitores.

Modelo acoplamiento directo


ACOPLAMIENTO CAPACITIVO.
El acoplamiento capacitivo es ilustrado en la siguiente figura:

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Modelo de acoplamiento capacitivo.

Constituye la forma más simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la primera
etapa amplificadora, de aquellos de la segunda etapa. El capacitor separa el componente de cd de la
señal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarización de la siguiente. Para asegurar que la
señal no cambie de manera significativa por la adición de un capacitor, es necesario que éste se
comporte como cortocircuito para todas las frecuencias por amplificar.

RESPUESTA EN FRECUENCIA

A continuación, se investiga los efectos de la frecuencia introducidos por los elementos capacitivos
más grandes de la red a bajas frecuencias, y los elementos capacitivos más pequeños del dispositivo
activo a altas frecuencias. Como el análisis abarcará un amplio intervalo de frecuencias,
definiremos y utilizaremos la escala logarítmica a lo largo del análisis. Además, como la industria
en general utiliza una escala de decibeles en sus gráficas de frecuencia, presentamos el concepto de
decibel con algún detalle. Las semejanzas entre los análisis de respuesta en frecuencia tanto de los
BJT como de los FET permiten la cobertura de ambos.

Decibeles:

El concepto de decibel (dB) y los cálculos asociados cobrará cada vez más importancia en las
secciones restantes de este capítulo. El término decibel se deriva del hecho de que la potencia y los
niveles de audio guardan una relación logarítmica. Esto es, un incremento del nivel de potencia.
El termino bel se deriva del apellido de Alexander Graham Bell.

P2
GdB=10 log10 dB(9)
P1

Existe una segunda ecuación para los decibeles de uso frecuente y es con relación a los voltajes de
salida y entradas, la cual se pude expresar como:

V2
G dB=20 log 10 dB(10)
V1

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La ganancia en decibeles se designa de forma correcta como ganancia en corriente o voltaje par
diferenciarlo de la potencia. Una de las ventajas de los decibeles es su relación fácil a partir de a
base logarítmica.

GdBT =G dB1 +GdB 2 +GdB 3 … …+Gdn (11)

La frecuencia de la señal aplicada puede tener un efecto pronunciado en la respuesta de una red de
una sola o de múltiples etapas. El análisis realizado hasta ahora ha sido en el espectro de frecuencias
medias. A bajas frecuencias, veremos que los capacitores de acoplamiento y de puenteo ya no
pueden ser reemplazados por la aproximación de cortocircuito debido al incremento de la reactancia
de estos elementos. Los parámetros dependientes de la frecuencia de los circuitos equivalentes de
señal pequeña y los elementos capacitivos parásitos (o de interferencia) asociados con el dispositivo
activo de la red, limitarán la respuesta de alta frecuencia del sistema. Un incremento del número de
etapas de un sistema en cascada también limitará las respuestas tanto de alta como de baja
frecuencia.

Fig 3. Filtro y su respuesta en frecuencia

El ancho de banda (o banda de paso) de cada sistema lo determinan f1 y f2, es decir:

B=f 2−f 1

En la región de baja frecuencia del amplificador con BJT o FET de una sola etapa, las
combinaciones de RC formadas por los capacitores CC, CE y Cs y los parámetros resistivos de la
red determinan las frecuencias de corte. En realidad, se puede establecer una red RC similar a la
figura 4 por cada elemento capacitivo y se puede determinar la frecuencia a la cual el voltaje de
salida se reduce a 0.707 de su valor máximo. Una vez que se determinan las frecuencias de corte
producidas por cada capacitor, se comparan para establecer cuál de ellas determinará la frecuencia
de corte inferior para el sistema.

Fig 4. Combinación de respuesta de corte inferior.

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Un amplificador en cascada está construido a partir de una serie de amplificadores, donde cada
amplificador envía su salida a la entrada del amplificador al lado de una cadena. Una conexión entre
etapas de denomina cascada, se basa en conectar la salida de una etapa a la entrada de la otra etapa.
Esta conexión genera una multiplicación de ganancia en cada una de las etapas para generar una
mayor ganancia total.
La conexión en cascada de dos transistores bipolares, según se muestra en la figura 1, se denomina
conexión Darlington o transistor compuesto y es utilizada cuando se desea una ganancia de
corriente elevada y además una alta impedancia de entrada en la configuración emisor común.

Figura 1. Conexión Darlington con transistores NPN

Una conexión popular de etapas de amplificador es la conexión en cascada. Básicamente en cascada


es una conexión en serie con la salida de una etapa aplicada como entrada a la segunda etapa. La
conexión en cascada proporciona una multiplicación de la ganancia de cada etapa para una mayor
ganancia general.
La ganancia general del amplificador en cascada es el producto de las ganancias Av 1 y
Av 2 de las etapas.
Av =Av 1∗Av 2
En la siguiente figura se muestra un amplificador en cascada con acoplamiento Rc usando BJT:

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Figura 2. Amplificador en cascada

El método de los puertos es particularmente útil para los sistemas en cascada como los que aparecen
en la figura 1 donde y, por tanto, son las ganancias de voltaje de cada etapa en condiciones de carga.
Es decir, está determinada con la impedancia de entrada a que actúa como la carga en Para
determinará el esfuerzo de la señal y la impedancia de la fuente en la entrada para Entonces, la
ganancia total del sistema la determina el producto de las ganancias totales como sigue:

(5.63)
Y la ganancia total de corriente la da:

(5.64)
No importa qué tan perfecto sea el diseño del sistema, la aplicación de una carga para un sistema de
dos puertos afectará la ganancia de voltaje. Por consiguiente, no es posible una situación en la que
etc., de la figura 2 sean simplemente los valores sin carga. Debe considerarse el efecto de carga de
cada etapa subsiguiente. Se pueden utilizar los parámetros sin carga para determinar las ganancias
con carga de la figura 2, pero la ecuación (5.93) requiere los valores con carga.

Fig2 (Sistema en cascada)

Amplificadores con BJT acoplados por RC

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Una conexión popular de etapas de amplificador es la variedad acoplada por RC mostrada en la


figura 3 del siguiente ejemplo. El nombre se deriva del capacitor Cc de acoplamiento capacitivo y
del hecho de que la carga en la primera etapa sea una combinación de RC. El capacitor de
acoplamiento aísla las dos etapas desde un punto de vista de cd aunque actúa como equivalente de
cortocircuito para la respuesta de ca. La impedancia de entrada de la segunda etapa actúa como
carga sobre la primera etapa, lo que permite el mismo método de análisis descrito en las últimas dos
secciones.

CÁLCULOS, SIMULACIONES Y TABLAS

1. Determine la ganancia de potencia en decibeles en cada uno de los siguientes casos:

PO = 100W; Pi=5W

PO = 100mW; Pi=5mW

PO = 100mW; Pi=20µW

log 10 ∗P O
dB=¿ 10
Pi
G¿

PO = 100W; Pi=5W

log 10∗100W
dB=¿ 10 =13,01dB
5W
G¿

PO = 100mW; Pi=5mW

log 10∗100 mW
dB=¿ 10 =13,01 dB
5 mW
G¿

PO = 100mW; Pi=20µW

log 10∗100 mW
dB=¿ 10 =36,98 dB
5µW
G¿

2. Determine la ganancia en GdBm para una potencia de salida de 25W

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log 10 ∗P O
dB=¿ 10
1mW
G¿

log 10∗25 W
dBm=¿ 10 =43,97 dBm
1 mW
G¿

3. La ganancia total en decibelios de un sistema de tres etapas es de 120dB. Determine la ganancia

en decibeles de cada etapa si la ganancia de la segunda etapa es dos veces la de la primera y la

tercera es 2.7 veces la ganancia de la primera.

Etapa 1+ Etapa 2+ Etapa 3=120 dB

Ponemos todo en términos de etapa 1 y operamos.

Etapa 1+(2∗Etapa 1)+(2.7∗Etapa 1)=120 dB

5.7 Etapa 1=120 dB

120 dB
Etapa 1=
5.7

Ganancia etapa 1

Etapa 1=21.05 dB

Ganancia etapa 2

Etapa 2=2∗Etapa 1

Etapa 2=2∗21.05 dB

Etapa 2=42.105 dB

Ganancia etapa 3

Etapa 3=2.7∗Etapa 1

Etapa 3=2.7∗21.05 dB

Etapa 3=56.842 dB

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4. Si la potencia de ca aplicada a un sistema es de 5 µW con 100 mV y la potencia de

salida es de 48 W , determine:

a).

log 10∗P O log 10∗48 W


dB=¿ 10 =10 =69,82
Pi 5 µW
G¿

log10∗V O log 10∗√ P∗R


dB=¿ 20 =20
b). Vi 100 mW
G¿

log 10∗ √( 48W )∗(40 KΩ)


GdB=20
100 mW

GdB=82.83

2
c).
Vi2 (100 mW )
Zi= = =2 K
Pi 5 µW

d). Vo= √ P∗R= √ ( 48W )∗(40 KΩ)=1.38 KΩ

5. Para el circuito de la figura:


a- Calcule r e

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b- Calcule A V
c- Calcule Z i
d- Calcule frecuencia de corte inferior
e- Calcule frecuencia de corte superior
f- Simule en orcad y compare lo calculado con lo simulado

20∗10 K
VB= =2.56 v
10 K + 68 K
VE=VB −VBE
VE=2.56 v−0.7 v=1.86 v
VE
IE=

1.86
IE= =1.5 mA
1.2 KΩ
26 mV
ℜ=
IE
26 mV
ℜ= =17.33 Ω
1.5 mA

Análisis AC

Vi=Ib∗βre
Vi
Ib=
βre

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R
(¿ ¿ 1/¿ R2)
Vo=Ic∗¿
R
( ¿ ¿ 1/¿ R 2)
Vo=Ib∗β∗¿
R
(¿ ¿ 1/¿ R2)
Vi
Vo= ∗β∗¿
βre

R
(¿ ¿ 1/ ¿ R 2) 68 K /¿ 10 K
= =119.81 veces
ℜ 17.33 Ω
Vo
A V = =¿
Vi

Z i=R 1 /¿ R 2 /¿ β ℜ

Z i=68 K /¿ 10 K / ¿ β ℜ

Z i=1.67 K Ω

Frecuencia de corte inferior

1 1
f Li = = =13.99 Hz
2 π (Ri+ Zi) Cs 2 π ( 0.82 K Ω+1.67 K Ω ) 4.7 μF

1 1
f lo = = =1.78 Hz
2 π ( Rc+ Rl)Co 2 π (5.6 K +3.3 K )10 μF

R
(¿ ¿ B/¿ RS )
β
ℜ+¿ /¿ ℜ(CE)
2π ¿
1
f ¿= ¿

Requi=Rs /¿ R 1 /¿ R 2=749.503

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Rs/¿ R1 /¿ R 2 749.503
ℜ+ =17.33+ =23.57
β 120

23.57/ ¿ ℜ❑=23.12

1
f ¿= =344.16 Hz
2 π ( 23.1216) 20 μf

Frecuencia de corte superior

RTH =R S /¿ R1 /¿ R2 /¿ Ri

RTH =0,82 KΩ/¿ 68 KΩ/¿10 KΩ/¿ 1,634 KΩ

RTH =513,81 Ω

Ci =CWi + Cbe + ( 1− AV )∗C be

Ci =6 pF +20 nF + ( 1−(−123,81) )∗20 nF

Ci =2,51uF

1
f Hi=
2 π∗Rth∗C i

1
f Hi=
2 π∗513,81Ω∗2,51 uF

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f Hi=123,40 Hz

RTHo =R C /¿ R l /¿ R o

RTHo =5,6 KΩ /¿ 3,3 KΩ

RTHo =2,076 KΩ

1
C o=C Wo+ Cce + 1−( AV)∗C bc

1
C o=6 pF+10 nF + 1− ( (−123,81))∗10 nF

1
C o=6 pF+10 nF + 1− ( (−123,81))∗10 nF

C o=20,08 nF

1
f Ho=
2 π∗Rtho∗C o

1
f Ho=
2 π∗2,076 KΩ∗20,08 nF

f Ho=3,817 KHz

B=f Hi−f ¿

B=123,10 Hz−352,58 Hz
B=−229,48 Hz

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1 1
f Hi= = =8.10 KHz
2 π ( RTH +Ci) 2 π ( RTH +Ci)

RTH =ℜ/¿ R B /¿ R S =16.93Ω

Ci=Cwi+ Cbe+ ( 1− Av ) Cbc=1.16 μF

1 1
f Ho= = =3.861 KHz
2 π (RTHo +Co) 2 π (RTHo+Co)

RTHo=R 1/¿ R2 /¿ ro=207 K Ω

1
Cwo+Cco+ 1− ( Av)Cbc=19.91 nF

Co=¿

Figura 1 Esquemático en ORCAD

Simule en orcad y compare lo calculado con lo simulado

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En la figura 9 se puede apreciar las frecuencias de corte

Tabla 1 Datos solicitados Fig 1

VARIABLES TEORICO SIMULADO PORCEBTAJE


ERROR
AV 119.81 Veces 121 veces
f Li 13,99Hz -
f Lo 1,78 Hz -
f¿ 344.16 Hz 478,630 Hz 28.09%
f Hi 123,40 Hz 168,33 Hz 26.69%
f Ho 3,817Khz -

6. Para el circuito de la figura, tenga en cuenta que el ẞ de los transistores es de 100,

determine:
a- IC 1 ; I B 2 ; I E 2 ; I C 2
b- V B 2 ; V E 1 ; V E 2 ; V C 2

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c- Simule el circuito en orcad y compare valores calculados contra simulados

15∗50 K
V th = =5 V
150 K
Z th =33.3 KΩ
5−0.7=I B ( 33.3 K ) +3 K∗I E
5−0.7=I B ( 33.3 K ) +3 K∗( β+ 1) I B
5−0.7
I B=
( 33.3 KΩ )+3 KΩ∗(100+1)
I B=12.78 μA
I C 1=1.27 mA
I E =1.29mA
I B 2=12,78 μA∗2=−25,56 μA
I E 2=2.57 mA
I C 2=I B 2∗10=2,56 mA
V C 1=15−(1.29 mA∗5 KΩ)=8.55 V
V C 2=2.7 KΩ∗2,58 mA =6.96 V
V E 1=1,29 mA∗3 KΩ=3,87 V
V E 2=15−(2.55 mA∗2 KΩ)=9.9 V
V C 1=V B 2=8,55 V

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Figura 3 Esquemático en ORCAD corrientes y voltajes

Tabla 2 Comparación de resultados calculado vs simulados.

VARIABLES TEORICO SIMULADO PORCENTAJE DE


ERROR
IC 1 1,27mA 1,206 mA 5,3 %
I B2 -25,56 uA -26,4 uA 3,18%
I E2 2,56mA 2,505mA 2,19%
IC 2 2,56mA 2,452mA 4,4%
V B2 8,61 V 8,85 V 2,7%
VE1 3,87 V 3,802 V 1,78%
VE2 9,9 V 9,9 V 0%
VC1 8,61 V 8,85 V 2,7%
V C2 6,96 V 7,14 V 2,52%

7. Para el circuito de la figura, asuma la ganancia de los transistores infinita y

determine los valores de tensión y corrientes indicados en la figura.

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a).
Figura 3 Esquemático en ORCAD

Tabla 3 Comparación de resultados calculado vs simulados.

Calculado Simulado %Error

V1 4,63 v 4,64 v 0.02%

V2

b). 0−0.7 v + IE∗2.2 K=−3

−3+0.7
IE=
2.2 K

IE=1.045 mA

IE=IC

VRL=1.67 v

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V 3=VC=VCC−VRL=1.33 v

Figura 4 Circuito en ORCAD tensiones y corrientes

Tabla 4 Comparación de resultados calculado vs simulados.

Calculado Simulado %Error

V3 1.4 v 1.39 v 0.7%

I4 1mA 1.02mA 0.3%

c). IE=1.00 mA

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IC=1.00 mA

2.3
IB=
2.2 K +2.2 K∗256.9

IB=3.9 μA

VC=1.4 V

IC=0.8 V

IC=85.8 mV

Figura 5 Esquemático en ORCAD

Tabla 5 Comparación de resultados calculado vs simulados.

Calculado Simulado %Error

V1 1.4 v 1.54 v 0.02%

V2 1mA 921,6uA

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V3

1.6
d). IB=
56 K +3.3 K∗256.9

IB=1.77 μA

Ic=0.435 mA

IE=0.453 mA

Vc=1.5 v

VE=0.68 v

Figura 6 Esquemático en ORCAD

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Tabla 6 Comparación de resultados calculado vs simulados.

Calculado Simulado %Error

V8 1.5 v 1.54 v 0.02%

V9 765,9mV 680mV

1.

I=-464.350u
V=3V

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I=-44.87u
V=3.05

Análisis de resultados
Se pudo observar mediante el desarrollo del laboratorio, la aplicación de teoremas o leyes presentan

gran veracidad con respecto a los datos obtenidos mediante el simulador ORCAD, en cuanto a las

gráficas de frecuencia de esta, se cumple que para las altas frecuencias de se escoge la frecuencia

más altas, lo contrario sucede para las frecuencias de bajas ya que allí se busca la frecuencia más

alta con el fin de observar cuáles son los puntos en los cuales los amplificadores van a presentar su

funcionamiento en estos rangos previamente escogidos en función de la frecuencia; la obtención de

estos valores o frecuencias de alta y dada encuentra dada por el uso de los capacitores que harán las

veces de pasa banda.

Conclusiones

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Por medio de los cálculos se pudo comprobar que las diferentes configuraciones de los transistores

bjt se obtienen como se esperaba según las condiciones ya establecidas como lo es su ganancia alta

o baja de acuerdo a cada configuración de resistencias en el circuito.

Igualmente en estos cálculos se pueden deducir que para la configuración de colector común la

ganancia de voltaje es menor a 1, la impedancia de entrada es alta y la impedancia de salida es baja.

Se pudo comprobar el funcionamiento y amplificación de los BJT para casos de pasa altos, pero

también se observa que se puede encontrar como filtro pasa bajos y pasa banda.

Se pudo observar un alto nivel de confiabilidad entre los datos obtenidos a partir de definiciones y

la utilización de la ley de ohm, con respecto a los datos obtenidos mediante el simulador.

Se logró observar las gráficas logarítmicas para el funcionamiento de estos BJT en función de la

frecuencia a partir de las décadas de funcionamiento de estos entre las frecuencias de corte ya como

lo son la de corte inferior y de corte superior.

Se observó la gran cantidad de ventajas al realizar la simulación en ORCAD debido a que para

cualquier circuito este nos permite corroborar los datos teóricos con los prácticos o en otro sentido

determinar la veracidad de estos.

Lista de referencias

https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/01/polarizacion-transistor-bjt.html
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/amplificacion-amplif-de-sec3
El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 2ª edición, 1994

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Anexos

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