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TRANSISTORES BJT
Electrónica Analógica
Ludy Uva
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Universidad de La Salle, Informe, No 4
Tabla de Contenidos
Resumen …………………………………………………………………………………................ 4
Abstract…………………………………………………………………………………………… 4
Introducción………………………………………………………………………………………... 4
Objetivos……………………………………………………………………………………...……. 5
Objetivo general ………………………………………………………………………………… 5
Objetivos específicos ………………………………………………………………………….... 6
Marco teórico ……………………………………………………………………………………. 6
Cálculos, tablas y simulaciones…………………………………………………………………... 14
Análisis de resultados ………………………………………………………………...…………. 21
Conclusiones ……………………………………………………………………………………. 22
Referencias …………………………………………………………………………………….... 23
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Universidad de La Salle, Informe, No 4
Lista de figuras
Figura 1. Configuración como amplificador……………………………………………….………….5
Figura 2. Aspectos a tener en cuenta con la superposición .……………………………………….6
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Lista de tablas
Tabla 1. Valores calculados y simulados 1…………………………………………………….………….5
RESUMEN
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a
su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. Por medio de varios experimentos se pretende
usar como un amplificador de tensiones y corrientes, para analizar, experimentar y clasificar las
diferentes configuraciones que tiene y las ganancias que estas presentan.
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Universidad de La Salle, Informe, No 4
ABSTRACT
The bipolar transistor is a three-terminal device - sender, collector and base - which, depending on its
manufacture, can be of two types: NPN and PNP. By means of several experiments they are used as
a voltage and current amplifier, to analyze, experiment and classify the different configurations that
it has and the gains that are present.
INTRODUCCION
En este documento se analizó el transistor BJT un dispositivo multifuncional que es sin duda uno de
los mejores inventos del hombre diseñado para operar en circuitos electrónicos como amplificador.
El término Transistor es un acrónimo de transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se
compone de tres terminales: colector, base y emisor. En estos temas estudiaremos las principales
características de configuración del transistor bipolar como un amplificador de tensiones y
corrientes, así como sus aspectos físicos, sus estructuras básicas y Las simbologías utilizadas para
cada uno de ellos. Se abarcará igual el tema de la polarización, el encapsulado y la prueba de los
transistores con multímetros tanto digital como análoga que son indispensables en estos dispositivos
mencionados anteriormente
OBJETIVOS
General
Comprender y analizar las diferentes configuraciones de amplificación del transistor BJT
Específicos
- Analizar las posibles configuraciones del transistor como amplificador.
- Identificar los funcionamientos de las ganancias transistor BJT
- Conocer el funcionamiento del transistor BJT como amplificador.
- Identificar los funcionamientos de los acoplamientos capacitivos
MARCO TEORICO
Bipolar Junction Transistor ( BJT ): Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado
sólido de tres terminares, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal, estos
dispositivos son altamente no lineales.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad.
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de
entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por
el circuito que está conectado. (El transistor bipolar).
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1.1.- Principio de Superposición. En esta parte vamos a abordar el análisis de este tipo de
circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos el principio de superposición. En cada punto o
rama calcularemos las tensiones y corrientes de continua y de alterna por separado, de forma que
al final las tensiones y corrientes finales serán la suma de las calculadas en cada parte. Para ello
vamos a suponer que el valor de la capacidad de los condensadores, así como la frecuencia de las
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señales que tenemos es tal que la impedancia que presentan los condensadores es lo
suficientemente pequeña para considerarla nula. Mientras que, en continua estos condensadores
presentarán una impedancia infinita. Es decir, consideraremos que en continua los condensadores
se comportan como circuitos abiertos (impedancia ∞) mientras que en alterna equivaldrán a
cortocircuitos (impedancia 0).
Si por el contrario, al circuito de la figura 1 le aplicamos las condiciones para obtener el circuito
equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se comportan como
cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensión de continua, el circuito que
obtendríamos es el mostrado en la figura 4.
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1.2.- Nomenclatura.
Antes de pasar al estudio propiamente dicho del circuito de alterna vamos a definir un par de
conceptos muy importantes a la hora de analizar el funcionamiento de un circuito amplificador
con un BJT, estamos hablando de las rectas de carga estática y dinámica.
La Recta de Carga Estática representa la sucesión de los infinitos puntos de funcionamiento que
puede tener el transistor. Su ecuación se obtiene al analizar la malla de salida del circuito
equivalente en continua. La Recta de Carga Estática está formada por los pares de valores (VCE,
IC) que podría tener el transistor con esa malla de salida. Para obtener su ecuación matemática
f(VCE,IC) = 0, planteamos las tensiones en la malla de salida del circuito equivalente en DC.
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𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶
𝛽+1 𝛽+1
Si tenemos en cuenta que 𝐼𝐸 = 𝛽
∗ 𝐼𝐶 . Nos queda 𝑉𝐶𝐶 = (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝛽
) ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 si
suponemos que >> 1 obtendríamos la ecuación que relaciona la VCE y la IC del transistor,
dicha ecuación representa una recta en el plano de las características de salida, y se conoce con
Recta de Carga Estática
Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los posibles puntos de
funcionamiento que podrá tener el transistor con esa malla de salida. El punto de funcionamiento
Q se fijará mediante el circuito de polarización de entrada fijando la IB correspondiente.
La Recta de Carga Dinámica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito equivalente de
AC. Está formada por la sucesión de los pares de valores (Vce, Ic). Notar que a diferencia del
caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna más continua) tanto de
tensión como de corriente. Para obtener la ecuación matemática de esta recta f(Vce, Ic) = 0,
analizamos la malla de salida del circuito equivalente en alterna.
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Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una señal se puede obtener
restando el valor de continua al valor total.
Tenemos la ecuación de una recta que pasa por el punto de funcionamiento (punto Q) y cuya
pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL.
La Recta de Carga Dinámica siempre tiene más pendiente que la Recta de Carga Estática.
Únicamente en el caso de un circuito en el que RE = 0 y la salida esté en circuito abierto (RL =
∞) ambas rectas coincidirán. La Recta de Carga Dinámica representa los pares de valores Ic y
Vce en cada instante como se puede ver gráficamente en la figura 9.
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Malla BE
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0 ⇒ −𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0 ⇒ 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
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12 𝑉−0.7 𝑉
𝐼𝐵 = 220 𝐾Ω
= 51.363 𝜇𝐴
Malla CE
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 ⇒ 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 0 ⇒ 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
12 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶 = = 5.13 𝑚𝐴
2.2 𝐾Ω
El valor de IE
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 220𝐾Ω ∗ 51.36µ𝐴=0.7008 V
El valor de re
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 8.298 Ω
𝐼𝐸 3.13 𝑚𝐴
a. Zi y Zo
b. AV
𝑟𝑜 ‖𝑅𝐶 𝑍𝑜 2.085 𝐾Ω
𝐴𝑉 = = = = 251.302 𝑉𝑒𝑐𝑒𝑠
𝑟𝑒 𝑟𝑒 8.298 Ω
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𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
𝑅𝐵 = 390 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 2.2 𝐾Ω
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𝑅𝐸 = 1.2 𝐾Ω
𝑟𝑜 = 100 𝐾Ω
𝛽 = 140
Malla BE
Despejando IB se tiene:
El valor de re
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 5.342 Ω
𝐼𝐸 4.866 𝑚𝐴
a. Zi y Zo
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Y como:
𝑉𝑖 𝐼𝐵 𝑟𝑒 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐸 𝛽𝐼𝐵
𝑍𝑒 = = = 𝑟𝑒 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐸 𝛽
𝐼𝐵 𝐼𝐵
= 5.342 Ω(140 + 1) + 1.2 𝐾Ω(140) = 168.753 KΩ
168.753 KΩ ∗ 390 𝐾Ω
𝑍𝑖 = 𝑍𝑒 ‖𝑅𝐵 = = 117.786 𝐾Ω
168.753 KΩ + 390 𝐾Ω
100 𝐾Ω ∗ 2.2 𝐾Ω
𝑍𝑜 = 𝑟𝑜 ‖𝑅𝐶 = = 2.152 𝐾Ω
100 𝐾Ω + 2.2 𝐾Ω
b. AV
𝑉𝑜 𝑅𝐶 2.2 𝐾Ω
𝐴𝑉 = = = = 1.825
𝑉𝑖 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 5.342 Ω + 1.2 𝐾Ω
168.753 KΩ ∗ 390 𝐾Ω
𝑍𝑖 = 𝑍𝑒 ‖𝑅𝐵 = = 117.786 𝐾Ω
168.753 KΩ + 390 𝐾Ω
20 𝐾Ω ∗ 2.2 𝐾Ω
𝑍𝑜 = 𝑟𝑜 ‖𝑅𝐶 = = 1.981 𝐾Ω
20 𝐾Ω + 2.2 𝐾Ω
𝑉𝑜 𝑅𝐶 2.2 𝐾Ω
𝐴𝑉 = = = = 1.825
𝑉𝑖 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 5.342 Ω + 1.2 𝐾Ω
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𝑉𝐶𝐶 = 22 𝑉
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
𝑅𝐵 = 330 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 5.6 𝐾Ω
𝑅𝐸1 = 1.2 𝐾Ω
𝑅𝐸2 = 0.47 𝐾Ω
𝑅𝐸𝑇 = 1.67 𝐾Ω
𝑟𝑜 = 40 𝐾Ω
𝛽 = 80
Malla BE
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Despejando IB se tiene:
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 = 45.8µ𝐴 ∗ 80 = 3.66𝑚𝐴
a. El valor de re
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = =7Ω
𝐼𝐸 3,71 𝑚𝐴
b. El valor de Zi , Zo y VA
Y como:
𝑉𝑖 𝐼𝐵 𝑟𝑒 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐸𝑇 𝛽𝐼𝐵
𝑍𝑒 = = = 𝑟𝑒 (𝛽 + 1) + 𝑅𝐸𝑇 𝛽
𝐼𝐵 𝐼𝐵
= 5.342 Ω(140 + 1) + 1.67 𝐾Ω(140) = 234.553 KΩ
234.553 KΩ ∗ 330 𝐾Ω
𝑍𝑖 = 𝑍𝑒 ‖𝑅𝐵 = = 137.104 𝐾Ω
234.553 KΩ + 330 𝐾Ω
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40 𝐾Ω ∗ 2.2 𝐾Ω
𝑍𝑜 = 𝑟𝑜 ‖𝑅𝐶 = = 2.085 𝐾Ω
40 𝐾Ω + 2.2 𝐾Ω
𝑉𝑜 𝑅𝐶 2.2 𝐾Ω
𝐴𝑉 = = = = 1.313
𝑉𝑖 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸𝑇 5.342 Ω + 1.67 𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶 = 16
Vcb = 16 v
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26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
2,98 𝑚𝐴
𝑟𝑒 = 8,72 Ω
𝑍𝑏 = 𝛽𝑟𝑒 + 𝑅𝐸(𝛽 + 1)
𝑍𝑏 = (110)(8,72) + (2,7)(111)
𝑍𝑏 = 300,95 𝑘 Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ∣∣ 𝑍𝑏
𝑍𝑖 = (270𝑘Ω ∣∣ 300,95𝑘Ω)
𝑍𝑖 = 142,25 𝑘Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝐸 ∣∣ 𝑟𝑒
𝑍𝑜 = 2,7 ∣∣ 8,72
𝑍𝑜 = 8,69 𝑘Ω
𝑅𝐸
∆𝑣 =
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒
2,7
∆𝑣 =
2,7 + 8,69
∆𝑣 = 0,997 𝑣𝑒𝑐𝑒𝑠
−∆𝑣 (𝑍𝑖)
∆𝑖 =
𝑅𝐸
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−0,997 (142,25)
∆𝑖 =
2,7
∆𝑖 = 52,52 𝑣𝑒𝑐𝑒𝑠
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26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
3,37 𝑚𝐴
𝑟𝑒 = 7,715 Ω
𝑅𝑙
𝐴𝑉𝑁𝐿 =
𝑟𝑒
2,7𝑘Ω
𝐴𝑉𝑁𝐿 =
7,715
𝐴𝑉𝑁𝐿 = −350,19
𝑍𝑖 = 𝑅𝑏 ∣∣ 𝛽𝑟𝑒
𝑍𝑖 = 560 ∣∣ (80)(7,715)
𝑍𝑖 = 616,52 Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐
𝑍𝑖 = 4,3 𝑘Ω
𝑅𝑐 ∣∣ 𝑅𝑙
𝐴𝑉𝐿 = −
𝑟𝑒
4,3 ∣∣ 2,7
𝐴𝑉𝐿 = −
7,715
𝐴𝑉𝐿 = −214,98 𝑣𝑒𝑐𝑒𝑠
𝑍𝑖
𝐴𝑉𝑆 = 𝐴𝑉𝐿
𝑍𝑖 + 𝑅𝑠
616,52
𝐴𝑉𝑆 = (−214,98)
6161,52 + 1𝑘Ω
𝐴𝑉𝑆 = −81,99
𝑅𝑠 + 𝑍𝑖
𝐴𝐼𝑆 = −𝐴𝑉𝑆 ( )
𝑅𝑙
1𝑘 + 616,52
𝐴𝐼𝑆 = (81,99) ( )
2,71𝑘
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Cambiando RL a 5,6 𝑘Ω
𝑅𝑐 ∣∣ 𝑅𝑙
𝐴𝑉𝐿 = −
𝑟𝑒
4,3 ∣∣ 5,6
𝐴𝑉𝐿 = −
7,715
𝑍𝑖
𝐴𝑉𝑆 = 𝐴𝑉𝐿
𝑍𝑖 + 𝑅𝑠
616,52
𝐴𝑉𝑆 = (−315 ,27)
6161,52 + 1𝑘Ω
Aumenta
𝑍𝑖
𝐴𝑉𝑆 = 𝐴𝑉𝐿
𝑍𝑖 + 𝑅𝑠
616,52
𝐴𝑉𝑆 = (−214,98)
6161,52 + 0,5𝑘Ω
Aumenta
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e. Change R L to 5.6 kΩ and determine AvL and Avs. What is the effect of
increasing levels of RL on the voltage gains? Maintain Rs at its original level of 0.6
kΩ.
f. Determine Ai = Io/ Ii with RL = 2.7 kΩ and Rs = 0.6 kΩ.
𝑅2 12
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐 = 20 = 2,33 𝑉
𝑅2 + 𝑅1 12 + 91
𝑅1 91
𝑅𝑡ℎ = = = 10,6 𝐾Ω
𝑅2 12
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝑏𝑒 2,33 − 0,7
𝐼𝑏 = = = 10,46 µ𝐴
𝑅𝑡ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 10,6 + (121)(1,2)
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝑏 = (121) 10,46 µ𝐴 = 1,26𝑚𝐴
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 20,54 Ω
𝐼𝐸 1,26𝑚𝐴
𝑅𝐸 1,2
𝐴𝑉𝑁𝐿 = = = 0,983
𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 20,54 + 1,2
𝑍𝑖 = 𝑅1 ∣∣ 𝑅2 ∣∣ 𝛽𝑟𝑒 (𝑅𝐸) = 91 ∣∣ 12 ∣∣ (120)(20,54)(1,2) = 9,89𝐾 Ω
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5,6
𝐴𝑉𝐿 = (0,983)
2,7 + 20,19
𝐴𝑉𝐿 = 2,02 𝑣𝑒𝑐𝑒𝑠
𝑍𝑖
𝐴𝑉𝑆 = 𝐴𝑉𝐿
𝑍𝑖 + 𝑅𝑠
9,89 𝐾
𝐴𝑉𝑆 = (2,02)
9,89𝐾 + 1𝐾
𝐴𝑉𝑆 = 1,83 𝑉𝐸𝐶𝐸𝑆
Aumenta
16−1,4
Ib1 = 2,4𝑀+(6001)610
Ib1 = 2,67 µA
𝐼𝐸2 = (𝛽1𝛽2 + 1)𝐼𝐵
IE2 = (6001) (2,67 µA)
IE2 = 16,02 m A
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Análisis de resultados
Se pudo observar en la realización del trabajo el comportamiento del transistor polarizado BJT y
como este nos permite llevarlo a cabo un funcionamiento de amplificador de tensiones y corrientes
implementándolo a diversos circuitos. Su función principal de amplificar está compuesta por la
configuración de los capacitores a la hora de analizarlo en AC, pues su comportamiento en DC es el
mismo al que analizamos en la práctica pasada, es importante porque nos ayuda a controlar el tipo
de ganancia que necesitemos ya sea de corriente o tensión, en caso de que la carga aumente, puede
que aumente o disminuya la ganancia dependiendo de la necesidad del transistor, comenzara a actuar
en el punto en que se halla establecido su valor de corriente máxima o tensión, esos valores están
limitados al voltaje o corriente máxima que coloque de soporte la fuente DC. evitando así sobrepasar
este límite previamente establecido, protegiendo los equipos que se puedan ver expuestos cuando se
llegue a sobrepasar este límite. Este comportamiento se puede evidenciar mediante la gráfica en la
que se observa la saturación de este transistor y cuyo comportamiento nos muestra como al llegar al
límite de corriente máxima de salida actúa y no permite sobrepasar este límite.
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Conclusiones
•En la hoja de características del fabricante aparece la ganancia en corriente del transistor, beta, que
no es desconocida y necesaria a la hora de determinar la amplificación que necesitamos.
•El Transistor no acumula carga: Toda la corriente que entra a él debe salir.
•β =Ic/Ib
•Para un transistor PNP, el voltaje del colector debe ser menor que el de la base.
Bibliografía
[2]http://global.oup.com/us/companion.websites/fdscontent/uscompanion/us/pdf/microcircuits/students/bj
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st.pdfhttp://datateca.unad.edu.co/contenidos/243006/Contenidos/Circuitos_con_diodos/circuitos_limitado
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[3]. Guide electronics laboratory. LaSalle University. Faculty of Electrical Engineering and Automation
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[5]. http://www.educachip.com/amplifiador-de-Corriente-BJT/
[6]. http://www.electronicaestudio.com/docs/fd30catalogo.pdf
[7]. http://construyasuvideorockola.com/proyect_Aamplifier_dual_.php
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[8]. http://www.ross.com.es/ross01/pdf-fullwat/transistor_led.pdf
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ANEXOS
P2N2222A
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N2222A-D.PDF
TIP110/112 TIP115/117
http://global.oup.com/us/companion.websites/fdscontent/uscompanion/us/pdf/microcircuits/students
/bjt/TIP110-st.pdf
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