ELECTRÓNICA ANÁLOGA

CÓDIGO: 243006A

Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con JFET

Presentado al tutor:

JAIRO LUIS GUTIÉRREZ

Entregado por el estudiante:

Oscar Guzmán conde

Código: 1126318663

Grupo: 243006-6

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

22 de mayo de 2019

Soacha
 INTRODUCCIÓN

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal

semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El

FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con

impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Los terminales de este

tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta

(gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino

obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver

el gráfico. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal

de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o

gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, más

angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal

fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es

diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y

requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de

colector. El FET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a

fuente (Vgs) modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho del canal.

Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de

semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente)

flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales

conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva (en inversa) VGS entre puerta y

fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente

ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID

entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp.

Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas, cortándose la

corriente para tensiones mayores que Vp. Así, según el valor de VGS se definen dos primeras

zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa)

y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en función de

la VGS vienen dados por una gráfica o ecuación denominada ecuación de entrada. En la zona

activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida en el circuito que viene

definida por la propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación

que relaciona estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se

distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación.

 Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con JFET

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa

instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con cuatro

compañeros, una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar

señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de información las

especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: 2N3819

ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se trabajara

IDSS=16mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la empresa, en él

mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica, una argumentación y la

validación de la solución. Además, de ser aprobada la propuesta, se deberá realizar una

implementación real y para ello se contará con acceso a los laboratorios.

 ACTIVIDADES A DESARROLLAR

1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, Cada estudiante

debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito anterior.

Este circuito está diseñado para amplificar una señal débil, el dispositivo transistor JFET se

encuentra polarizado y este configurado en auto polarización esto se deduce ya que solo cuenta

con una fuente de alimentación de 20 v.

El circuito se encuentra alimentado por una fuente de 20 v, con la función de mantener el circuito

activo, cuenta con un receptor de señal que va conectado al dispositivo transistor para su

ampliación de la señal, este cuenta con un drenaje”RG”, una compuerta “RG”, y una fuente

“RS”. Con el fin de regular su funcionamiento en este caso de amplificador.

La resistencia “RG” cumple con la función que la señal no circule por la tierra es decir no se

pierda, y la lleve al transistor, esta resistencia por lo general es de un gran tamaño para simular a

la señal la tierra.

Cuando la señal entra al JFET, este tiene que estar activo y esto se debe al actuar de la “RS” que

con conjunto a “RG” hacen que el transistor actue como si estuviera conectado a tierra, para

mantener la operatividad del mismo esto mediante el valor VSG.

Argumentación.

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes cálculos.

-Estudiante 1:

a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷

(20 − 10)
𝑅𝐷 =
3 𝑚𝐴
10
𝑅𝐷 = 𝑘𝑜ℎ𝑚𝑠
3
 𝑅𝐷 = 3.3 𝑘𝑜ℎ𝑚

-Estudiante 2:

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.

𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷𝑆𝑆
8𝑉
𝑅𝑆 =
16𝑚𝐴

𝑅𝑆 = 500𝑜ℎ𝑚𝑠

-Estudiante 3:

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe ser alto?

En este caso la polarización del JFET es Autopolarizacion en este solo se necesita una fuente

de alimentación, y en este caso se intervienen las polaridades.

Se coloca una resistencia RS, esta resistencia será la que polarice la compuerta, es decir la

VGS que existirá en el transistor la cual decidirá cuanta será la corriente de drenaje ID que es

igual a la corriente de la fuente IS; la resistencia RG es una resistencia del orden de los mega

ohmios que se utiliza principalmente para los circuitos de amplificación para no perder la

impedancia de entrada del JFET.

Y el valor de la resitencia RG debe ser alto para que simule la tierra y la señal no se pierda

esto hace que parezca un muro y no deje perder la señal del circuito y también ayuda al RS a

conservar el valor VGS.

-Estudiante 4:

d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

1
𝑋𝑐1 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶1

1
=
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹

= 15.91𝑜ℎ𝑚𝑠

1
𝑋𝑐2 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶2

1
=
2𝜋 ∗ 1000𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹

= 15.91𝑜ℎ𝑚𝑠

1
𝑋𝑐3 =
2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝐶3

1
=
2𝜋 ∗ 1000 ∗ 0.1

= 1591,55 𝑜ℎ𝑚𝑠

-Estudiante 5:

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

𝐴𝑣 = −𝐺𝑚𝑅𝐷

𝐼𝐷
𝐴𝑣 = − 𝑅𝐷
𝑉𝐺𝑆
 𝐼𝐷
𝐴𝑣 = − 𝑅𝐷
𝑉𝐺 − 𝑉𝑆

𝐼𝐷
𝐴𝑣 = − 𝑅𝐷
0 − 𝑉𝑆

𝐼𝐷
𝐴𝑣 = − 𝑅𝐷
−𝑉𝑆

𝐼𝐷
𝐴𝑣 = 𝑅𝐷
𝐼𝐷. 𝑅𝑆

𝑅𝐷
𝐴𝑣 =
𝑅𝑆

3300
𝐴𝑣 =
500

𝐴𝑣 = 6.6

3.Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET

propuesto en la que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes

mediciones.

Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

Valor de VGS.

Valor de VDS.

Valor de VGD.

Valor de la corriente ID.

 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para Ingenieros (pp. 37-

51). Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=48&docID=10498503&t

m=1482090196645

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-167). Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=127&docID=11201676&

tm=1482089571374

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones (pp.154-178).

Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=171&docID=10433916&

tm=1482091898589

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video] Recuperado de

https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk