Com relação a facilidade do transporte de carga elétrica, os materiais são classificados em condutores, semicondutores ou isolantes, ou

seja, todos possuem uma maior ou menor facilidade resistência a passagem de corrente elétrica. Esta propriedade é denominada
resistência elétrica e é designada por R.
Considerando um condutor cilíndrico com uma diferença de potencial aplicada em sua extremidade, pode-se enunciar que a resistência
elétrica varia com o comprimento e com a área do objeto em questão. Considerando as idéias enunciadas anteriormente, assinale a
opção que contém a expressão correta comumente utilizada no cálculo de parâmetros e variáveis elétricas de um material.

V=R i.A/l
R=V/i
P=U.i3
F=m.a.l
V=N.i.E.l
Respondido em 26/05/2019 17:49:08

2a Questão (Ref.:201807407703) Acerto: 1,0 / 1,0

A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na
área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a
temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta
resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas
vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.

Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.

Silício, Ferro, água pura.
Madeira, borracha e água pura.
Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
Respondido em 26/05/2019 17:49:25

3a Questão (Ref.:201807347072) Acerto: 0,0 / 1,0

Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio
cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio
igual a 0,38 mm2.

384,2 mili ohms

354,6 mili ohms
347,4 mili ohms
376,38 mili ohms
399,9 mili ohms
Respondido em 26/05/2019 18:35:09

4a Questão (Ref.:201807347070) Acerto: 1,0 / 1,0

Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio
cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm 2.
 12 mili ohms
14 mili ohms
13 mili ohms
10 mili ohms
11 mili ohms
Respondido em 26/05/2019 18:13:28

5a Questão (Ref.:201807408165) Acerto: 0,0 / 1,0

Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu
volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o
deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas
partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a
intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:

Aumento da resistividade elétrica do material.

Deformação mecânica do material.
Aumento da aceleração eletrônica.
Diminuição da resistência elétrica do material
Geração de calor.
Respondido em 26/05/2019 17:52:58

Gabarito
Coment.

6a Questão (Ref.:201807407742) Acerto: 0,0 / 1,0

Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a
evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro
e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell
Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:

Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou
portadores de carga positivas.
A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
Respondido em 26/05/2019 18:27:09

7a Questão (Ref.:201808028432) Acerto: 0,0 / 1,0

Assinale a alternativa correta:

No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é,
com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao
material tipo P, é 1V.
 No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é,
com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao
material tipo N, é 0,3V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é,
com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao
material tipo N, é 0,7V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é,
com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao
material tipo P, é 0,7V.
No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é,
com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao
material tipo P, é 0,3V.
Respondido em 26/05/2019 18:36:32

8a Questão (Ref.:201807829693) Acerto: 1,0 / 1,0

Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)^(-1).
Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse
material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:

541,05 x 10^19 m^-3

618,57 x 10^19 m^-3
715,78 x 10^19 m^-3
140,25 x 10^19 m^-3
412,88 x 10^19 m^-3
Respondido em 26/05/2019 18:12:51

Gabarito
Coment.

9a Questão (Ref.:201807843398) Acerto: 1,0 / 1,0

Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os

itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:

No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso e
materiais cerâmicos.
No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato
cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos.
No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre um
substrato ou base.
A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.
No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído.
Respondido em 26/05/2019 18:21:59

Gabarito
Coment.

10a Questão (Ref.:201807974260) Acerto: 1,0 / 1,0

Considere um capacitor de placas paralelas, com r igual a 2,5, com d=2,0 mm entre as placas. Suponha que outro
material com constante dielétrica igual a 10 tnha sido utilizado no lugar do dielétrico anterior, mantendo-se, no
entanto, a capacitância inalterada através do ajuste da distância entre as placas.

Considerando o contexto anterior, determine o novo valor de "d".

10,0 mm
8,0 mm
12,0 mm
4,0 mm
1,0 mm
Respondido em 26/05/2019 18:31:36

Gabarito
Coment.