Resumen de cálculos que se realizaron para el cálculo de la distribución del campo

eléctrico en una pila de película de diferentes materiales.

El formato de este documento no es formal, solo es informativo del proceso que

se uso para realizar los cálculos.

La grafica final describe la distribución total del campo eléctrico a lo largo de la

profundidad de la pila de capas.

Reyes A. Castro C.
Análisis de propagación del campo electromagnético en el material CdSe.

La propagación del campo electromagnético en la pila de películas se obtiene aplicando el

método de la Matriz de Transferencia Óptica (MTO). También calculando los coeficientes
complejos de transmisión y reflexión de Fresnel. Estos coeficientes describen los fenómenos de
transmisión y reflexión de la luz en un determinado punto de la interface entre dos medios. En
el método MTO se utilizan los coeficientes de Fresnel para forman matrices, En las cuales se
considera que una parte de la onda de la luz es transmitida hacia el otro medio mientras que otra
parte es reflejada.

Figura. Estructura multicapa.

Se observa en la Figura 1 como cada una de las capas se encuentra descrita por su índice de
refracción complejo, ñ=n + ik, donde:
n = índice de refracción
ik = coeficiente de extinción
dichos valores dependen de la longitud de onda (λ) y el grosor de la capa que se analizaran.
Considerando el campo eléctrico como una suma de dos componentes, una componente viajando en
sentido de propagación del campo incidente y otra en dirección opuesta

𝐸=𝐸++𝐸−

asumiendo x como el eje de variación del campo y z como la dirección de propagación, entonces

𝐸𝑥(𝑧)=𝐸𝑥+(𝑧)+𝐸𝑥−(𝑧)

utilizando la notación ordinaria fasorial-cosenoidal

𝐸𝑥(𝑧)=𝑎̂𝑥𝐸0𝑒−𝑗𝛽1𝑧+𝑎̂𝑥𝐸0𝑒+𝑗𝛽1𝑧

Donde:

𝐸0 = amplitud del campo eléctrico

𝛽1 = constante de propagación en el medio.

Ahora calculamos las matrices de interface y de propagación.

La matriz de interface representa el efecto que sufre el campo electromagnético al impactar en la

interface

la propagación representa el efecto que sufre el campo electromagnético al propagarse en un medio.

Para los cálculos del comportamiento del campo electromagnético en las interfases, así como su
propagación dentro de las películas, se hará primero con 3 diferentes longitudes de onda que están dentro
del espectro de la luz solar, después a través de un algoritmo realizado en Matlab haremos el cálculo de
la distribución del campo a lo largo de las pilas de materiales que conforman nuestra celda solar. Los
valores de los coeficientes de reflexión de cada una de las películas que usaremos son los siguientes:

ITO -- 2.2106+j0.0585

CdS --2.5231+j0.36695

CdSe -2.767+j0.850

Ag-- - 0.11436+j1.3196

Las longitudes de onda que usaremos para el cálculo de las matrices son las siguientes:

λ=350 nm,450nm,600nm
Matriz de interface ITO/CdS
1)- Calculando el coeficiente de reflexión.
𝑟𝑖𝑗=(2.5231+𝑗0.36695)−(2.2106+𝑗0.0585)/(2.5231+𝑗0.36695)+(2.2106+𝑗0.0585)

𝑟𝑖𝑗= 0.071297+𝑗0.058753

2)-Calculando el coeficiente de transmisión.

𝑡𝑖𝑗= 1+ 𝑟𝑖𝑗 =1+0.071297+𝑗0.058753= 1.071297+𝑗0.058753

𝑡𝑖𝑗=1.071297+𝑗0.058753

3)-Ya con los coeficientes calculados podemos ahora calcular la matriz de interface.
1 𝑟𝑗
𝐼=1/𝑡𝑗 ( )
𝑡𝑗 1

4)-Sustituyendo los valores de los coeficientes de reflexión y trasmisión.

1 0.071297 + 𝑗0.058753
𝐼=1/1.071297 + 𝑗0.058753 ( )
1.071297 + 𝑗0.058753 1

0.930649 − 𝑗0.051039 0.069351 + 𝑗0.051039

I=( )
0.069351 + 𝑗0.051039 0.930649 − 𝑗0.051039

Matriz de propagación (ITO)

𝛽𝑗=2𝜋𝑑/𝜆) 𝑛𝑗*𝑐𝑜𝑠𝜃𝑖

𝑒𝑗𝑥=cos(𝑥)+𝑗𝑠𝑒𝑛(𝑥)
𝛽𝑗=(2𝜋 (200)/350) (2.2106+𝑗0.0585)cos(0)(𝜋180)
𝛽𝑗= 0.138525+𝑗0.0036658
j(0.138525+j0.0036658)
𝑃(𝐼𝑇𝑂) = (𝑒 0
j(0.138525+j0.0036658)
)
0 𝑒−

𝑒𝑗(0.138525+𝑗0.0036658) =𝑒−0.0036658(cos0.138525+𝑗𝑠𝑒𝑛 0.138525)

𝑒𝑗(0.138525+𝑗0.0036658) =0.986796+𝑗0.137577
𝑒−𝑗(0.138525+𝑗0.0036658)=𝑒0.0036658(cos 0.138525−𝑗𝑠𝑒𝑛 0.138525)
𝑒−𝑗(0.138525+𝑗0.0036658)=0.994057−𝑗0.138589

0.986796 + 𝑗0.137577 0
𝑃(𝐼𝑇𝑂) = ( )
0 0.994057 − 𝑗0.138589
Matriz de interface CdS/CdSe
3.1)-Sustituyendo los valores de los coeficientes de reflexión y trasmisión.
𝑟𝑖𝑗=(2.767+𝑗0.850)−(2.5231+𝑗0.36695)/(2.767+𝑗0.850)+(2.5231+𝑗0.36695)

𝑟𝑖𝑗=0.063738+𝑗0.07665

4)-Sustituyendo los valores de los coeficientes de reflexión y trasmisión.

𝑡𝑖𝑗=1+ 𝑟𝑖𝑗= 1+ 0.063738+𝑗0.07665=1.063738+𝑗0.07665
𝑡𝑖𝑗=1.063738+𝑗0.07665

3.1)-Sustituyendo los valores de los coeficientes de reflexión y trasmisión.

1 𝑟𝑗
𝐼=1/𝑡𝑗 ( )
𝑡𝑗 1

3.1)-Sustituyendo los valores de los coeficientes de reflexión y trasmisión.

1 0.063738 + 𝑗0.07665
𝐼=1/1.063738 + 𝑗0.07665 ( )
1.063738 + 𝑗0.07665 1

0.935225 − 𝑗0.067390 0.064775 + 𝑗0.067390

I= ( )
0.064775 + 𝑗0.067390 0.935225 − 𝑗0.067390

Matriz de propagación (Cds)

𝛽𝑗=2𝜋(300)350(2.5231+𝑗0.36695)cos(0)(𝜋180)=0.2371619+𝑗0.03449
j(0.2371619+j0.03449)
𝑃(𝐶𝑑𝑠) = (𝑒 0
−j(0.2371619+j0.03449)
)
0 𝑒
𝑒𝑗(0.2371619+𝑗0.03449)=𝑒−0.03449(cos 0.2371619+𝑗𝑠𝑒𝑛 0.2371619)

𝑒𝑗(0.2371619+𝑗0.03449)=0.939056+𝑗0.226980
𝑒−𝑗(0.2371619+𝑗0.03449)=𝑒0.03449(cos 0.2371619−𝑗𝑠𝑒𝑛 0.2371619)

𝑒−𝑗(0.2371619+𝑗0.03449)=1.0061181−𝑗0.2431895

0.939056 + j0.226980 0
𝑃(𝐶𝑑𝑠) = ( )
0 1.0061181 − j0.2431895
Matriz de interface CdSe/Ag
Calculando el coeficiente de reflexión.
𝑟𝑖𝑗=(0.11436+𝑗1.3196)−(2.767+𝑗0.850)/(0.11436+𝑗1.3196)+(2.767+𝑗0.850)=−0.509198+𝑗0.546394

𝑟𝑖𝑗=−0.509198+𝑗0.546394

2)- Calculando el coeficiente de transmisión.

𝑡𝑖𝑗= 1+ 𝑟𝑖𝑗 = 1+ −0.509198+𝑗0.546394
𝑡𝑖𝑗= 0.490802+𝑗0.546394
Calculando la matriz de inteface.
1 𝑟𝑗
𝐼=1/𝑡𝑗 ( )
𝑡𝑗 1
1 −0.509198 + 𝑗0.546394
𝐼=1/ 0.490802 + 𝑗0.546394 ( )
0.490802 + j0.546394 1

0.909848 − 𝑗1.012904 0.090152 + 𝑗1.012904

I= ( )
0.090152 + 𝑗1.012904 0.909848 − 𝑗1.012904

Matriz de propagación Ag
𝛽𝑗=2𝜋(5000)350(0.11436+𝑗1.3196) cos(0)(𝜋180)=0.179157+𝑗2.067290
𝛽𝑗=0.179157+𝑗2.067290

j(0.179157+j2.067290)
𝑃(𝐴𝑔) = (𝑒 0 )
0 𝑒 −j0.179157+j2.067290()
𝑒𝑗(0.179157+𝑗2.067290)=𝑒−2.067290(cos 0.179157+𝑗𝑠𝑒𝑛 0.179157)
𝑒𝑗(0.179157+𝑗2.067290)=0.124503+𝑗0.022186
𝑒−𝑗(0.179157+𝑗2.067290)=𝑒2.067290(cos 0.179157−𝑗𝑠𝑒𝑛 0.179157)
𝑒−𝑗(0.179157+𝑗2.067290)=7.776874−𝑗1.408382
0.124503 + j0.022186 0
𝑃(𝐴𝑔) = ( )
0 7.776874 − j1.408382
Análisis para la capa CdSe.
a)-Primero se selecciona la capa que se analizara y se le nombra capa j
b)-Después se divide la pila de capas en las capas anteriores M′ (las del lado izquierdo) y las
capas posteriores M′′(del lado derecho) a la capa a analizar (capa j).

Entonces la matriz de scattering estará dada por

𝑀 = 𝑀𝑗′𝑀𝑗𝑀𝑗′′
Las capas anteriores M′ (las del lado izquierdo) y las capas posteriores M′′ (del lado derecho)
tienen sus propios coeficientes de reflexión y transmisión.

𝑀𝑗′=𝑃1𝐼1𝑃2𝐼2
0.986796 + 𝑗0.137577 0
𝑀𝑗′=( )∗
0 0.986796 − 𝑗0.137577
0.930649 − 𝑗0.0510390 . 069351 + 𝑗0.051039
( )∗
0.069351 + 𝑗0.051039 0.930649 − 𝑗0.051039
. 939056 + 𝑗0.226980 0
( )∗
0 . 939056 − 𝑗0.226980
0.935225 − 𝑗0.067390 0.064775 + 𝑗0.067390
( )
0.064775 + 𝑗0.067390 0.935225 − 𝑗0.067390
𝟎. 𝟖𝟏𝟕𝟏𝟕𝟏 + 𝒋𝟎. 𝟐𝟏𝟓𝟑𝟔𝟎 𝟎. 𝟏𝟏𝟎𝟓𝟒𝟒 + 𝒋𝟎. 𝟏𝟏𝟐𝟗𝟓𝟖
𝑀𝑗′= ( )
𝟎. 𝟏𝟒𝟔𝟎𝟐𝟏 + 𝒋𝟎. 𝟎𝟖𝟏𝟏𝟗𝟖 𝟎. 𝟕𝟗𝟓𝟗𝟖𝟏 − 𝒋𝟎. 𝟒𝟐𝟗𝟑𝟗𝟖
 𝑀𝑗′′=𝐼3𝑃3
0.909848 − j1.012904 0.090152 + j1.012904
𝑀𝑗′′= ( )∗
. 090152 + j1.012904 0.909848 − j1.012904
0.124503 + 𝑗0.022186 0
( )
0 7.776874 − j1.408382
𝟎. 𝟏𝟑𝟓𝟕𝟓𝟏 − 𝒋𝟎. 𝟏𝟎𝟓𝟗𝟐𝟒 𝟐. 𝟏𝟐𝟕𝟔𝟓𝟕 + 𝒋𝟕. 𝟕𝟓𝟎𝟐𝟓𝟖
𝑀𝑗′′= ( )
−𝟎. 𝟎𝟏𝟏𝟐𝟒𝟖 + 𝒋𝟎. 𝟏𝟐𝟖𝟏𝟏𝟎 𝟓. 𝟔𝟒𝟗𝟐𝟏𝟕 − 𝒋𝟗. 𝟏𝟓𝟖𝟔𝟒𝟎

La capa de material CdSe es la de interés para el análisis a continuación se obtienen los

coeficientes de reflexión y transmisión de esta capa utilizando las ecuaciones siguientes.

𝑡𝑗′=1/𝑀𝑗′11 (coeficiente de transmisión)

𝑟𝑗′=−𝑀𝑗′′12/𝑀𝑗′11 (coeficiente de reflexión)
𝑟𝑗′′=−𝑀𝑗′′21/𝑀𝑗11 (coeficiente de reflexión)

Sustituyendo valores:

𝑡𝑗′=1/(0.817171+𝑗0.215360)=1.144259−𝑗0.301562
𝑟𝑗′=−(0.110544+𝑗0.112958)/(0.817171+𝑗0.215360)=−0.160555−𝑗0.095917
𝑟𝑗′′=(−0.011248+𝑗0.128110)(0.135751−𝑗0.105924)=−0.509199+𝑗0.546394

𝜉=(2𝜋𝑑/𝜆)𝑛𝑗
𝑒𝑗𝑥=cos(𝑥)+𝑗𝑠𝑒𝑛(𝑥)
𝜉𝑗=(2𝜋(2.767+𝑗0.850))/350)(𝜋180)=0.000867+𝑗0.000266
Para d = 10000 nm

𝑒𝑗2𝜉𝑗𝑑𝑗=𝑒𝑗(2 (0.000867+𝑗0.000266)∗10000)
𝑒𝑗(17.34+𝑗5.32)=𝑒−5.32(cos17.34+𝑠𝑒𝑛17.34)
𝑒𝑗(17.34+𝑗5.32)=0.00029945−𝑗0.00488358
 tj′
𝑡𝑗+=
1−rj′−rj′′∗ej2ξjdj

1.144259−𝑗0.301562
𝑡𝑗+= 1−[(−0.160555−j0.095917)(−0.509199+j0.546394)(0.00029945−j0.00488358)]

𝑡𝑗+=1.143886−𝑗0.302280

Ya con los coeficientes de reflexión y transmisión de la capa activa, ahora se obtiene el campo
eléctrico en la capa de Selurio de Cadmio (CdSe). Para la longitud de onda de 350 nm en la
posición x = 1 nm de ancho de la capa, El calculo se realizo para 350 nm, pero también para
450nm y 600nm.

𝐸𝑗(𝑥)=𝐸𝑗+(𝑥)+𝐸𝑗−(𝑥) =𝑡𝑗+[𝑒𝑖𝜉𝑗𝑥+𝑟,,𝑗𝑒𝑖 𝜉𝑗 (2𝑑𝑗−𝑥) ]𝐸0+

𝐸𝑗(𝑥)=(1.143886−𝑗0.302280)[(0.999733+𝑗0.000866)+(−0.509199+𝑗0.546394)(0.0002911−𝑗0.004
8867)](0.32913)*(0.8)
𝐸𝑗(𝑥)=0.3004433−𝑗0.0791738

𝐸𝑗(𝑥)=√0.30044332 + 𝑗0.0791738²
𝐸𝑗(𝑥)= 0.31070029 W/m²
El aporte de campo eléctrico que se acaba de calcular solo es para la frecuencia de
2.86 MHZ, Si sustituimos otra Longitud de onda por ejemplo 600nm tendremos una
variación del campo eléctrico, por lo tanto si analizamos el aporte que se hace de
todo el espectro de luz solar que puede incidir en una celda solar tendremos una
respuesta no estable sino que dependerá el campo eléctrico dentro de la celda de
la profundidad de dicho punto, del material de la capa donde este dicho punto, los
coeficientes de reflexión y de la suma de las longitudes de onda que excitan dicho
punto del semiconductor.