Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
ELECTRÓNICA I
INFORME 3.1:
DISEÑO DE AMPLIFICADORES EN LA
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
DOCENTE:
NOMBRES:
NAULA EDGAR
SANDOVAL DIANA
UVILLUS DAVID
NRC:
3314-3317(LAB)
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
Tabla de contenido
INTRODUCCIÓN ....................................................................................................... 5
2 Tema: ..................................................................................................................... 6
3 Objetivos................................................................................................................ 6
4 Materiales .............................................................................................................. 6
5 Procedimiento ........................................................................................................ 6
6 Preguntas: ............................................................................................................ 19
7 Conclusiones........................................................................................................ 20
8 Recomendaciones ................................................................................................ 20
9 Reflexión ............................................................................................................. 20
10 Anexos ............................................................................................................. 21
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
Tabla de Ilustraciones
INTRODUCCIÓN
INFORME N°3.1
1 Tema:
2 Objetivos
3 Materiales
Resistencias
Transistores
Cables
Protoboard
Osciloscopio
Multímetro
Fuente de corriente continua
Generador de señales
4 Procedimiento
Datos:
Ganancia (Av) = 12
𝑅𝐿 = 1.8 [𝑘Ω]
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
𝑉𝑜𝑝
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑉𝑜𝑝 = 𝐴𝑉 ∗ 𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑉𝑜𝑝 ≤ 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐼𝐶 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) ≥ 𝑉𝑜𝑝
𝑉𝑅𝑐 𝑉𝑜𝑝
≥
𝑅𝐶 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝑅𝐶 ∗ 𝑉𝑜𝑝
𝑉𝑅𝑐 ≥
(𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
a) 𝑹𝑪 = 𝑹𝑳
1.8𝑘 ∗ 6
𝑉𝑅𝑐 ≥
(1.8 𝑘 ∥ 1.8 𝑘)
𝑉𝑅𝑐 ≥ 2 ∗ 6 [𝑉]
𝑉𝑅𝑐 ≥ 12 (𝑉)
Multiplicamos por una constante de 1.2, debido a que se considera el peor caso para el
diseño, para quitar la desigualdad, que se debe a la tolerancia de las resistencias:
𝑉𝑅𝑐 = 12 ∗ 1.2
𝑉𝑅𝑐 = 14.4 (𝑉)
𝑉𝑅𝑐 14.4
𝐼𝐶 = = = 8 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.8 𝑘
b) 𝑹𝑪 ≫ 𝑹𝑳
𝑅𝐶 = 18 𝑘Ω
18𝑘 ∗ 6
𝑉𝑅𝑐 ≥
(18 𝑘 ∥ 1.8 𝑘)
𝑉𝑅𝑐 ≥ 66 (𝑉)
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
Debido a que sobre la resistencia de Rc existe una diferencia de potencial tan alta, esta
opción queda descartada.
c) 𝑹𝑪 ≪ 𝑹𝑳
𝑅𝐶 = 180
180 ∗ 6
𝑉𝑅𝑐 ≥
(180 ∥ 1.8 𝑘)
𝑉𝑅𝑐 ≥ 6.6 (𝑉)
𝑉𝑅𝑐 = 6.6 ∗ 1.2 = 7.92 (V)
𝑉𝑅𝑐 7.92 (𝑉)
𝐼𝐶 = = = 44 𝑚𝐴
𝑅𝐶 180
Ya que con esta elección obtenemos una corriente muy grande, se descarta esta opción.
𝑅𝐶 = 1,8 𝑘Ω
𝐼𝐶 = 8 𝑚𝐴
𝐼𝐸 𝑅𝐸1 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑉𝐸 𝑉𝑖𝑛𝑝
≥
𝑅𝐸 𝑅𝐸1
𝑅𝐸
𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑅𝐸1
Sabemos que:
𝑉𝐸 ≫ △ 𝑉𝐵𝐸 /𝑇
Como varia 0.1 V 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐸 𝑑𝑒𝑏𝑒 𝑠𝑒𝑟 𝑚𝑢𝑐ℎ𝑜 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑔𝑟𝑎𝑟 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑏𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑
𝑉𝐸 = 1 (𝑉)
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
𝑉𝐸 > 𝑉𝑖𝑛𝑝
Asumimos un
𝑉𝐸 = 2 (𝑉)
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑉 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 3.25 Ω
8 𝑚𝐴
1.8 𝑘 ∥ 1.8𝑘
12 =
3.25 + 𝑅𝐸1
39 + 12𝑅𝐸1 = 900
𝑅𝐸1 = 71.75 Ω
2(𝑉)
𝑅𝐸 = = 250 Ω
8 𝑚𝐴
𝑅𝐸 = 180 + 68 = 248 Ω
𝑅𝐸
𝑉𝐸 ≥ 𝑉𝑖𝑛𝑝
𝑅𝐸1
248
2 ≥ 0.5
68
2 ≥ 1,82
𝐼𝐶
𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 =
𝛽𝑚𝑎𝑥
𝐼𝐶
𝐼𝐵𝑚𝑎𝑥 =
𝛽𝑚𝑖𝑛
8 𝑚𝐴
𝐼𝐵 =
100
𝐼𝐵 = 80 𝑢𝐴
𝐼𝑅𝐵2 ≫ 𝐼𝐵
𝐼𝑅𝐵2 = 10 ∗ 80 𝑢𝐴 = 0.8 𝑚𝐴
𝑉𝐵 𝑉𝐵𝐸 +𝑉𝐸
𝑅𝐵2 = =
𝐼𝑅𝐵2 𝐼𝑅𝐵2
2 + 0.7 (𝑉)
𝑅𝐵2 =
0.8 𝑚𝐴
𝑅𝐵2 = 3.375 𝑘Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵
𝑅𝐵1 =
𝐼𝑅𝐵1
Pero:
𝑉𝐶𝐸 ≥ 6
𝑉𝑠𝑎𝑡 = 2 (𝑉)
𝑉𝐶𝐸 ≥ 0.5 + 2 + 6
𝑉𝐶𝐸 ≥ 8.5
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵
𝑅𝐵1 =
𝐼𝑅𝐵1
26.6 − 2.7
𝑅𝐵1 =
0.8 𝑚𝐴 + 80 𝑢𝐴
𝑅𝐵1 = 27.159 𝑘
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
Capacitores:
𝑅𝑡ℎ = 2.94 𝑘
𝑍𝑖𝑛 = 7.19 𝑘
𝑍𝑖𝑛 = 2.08 𝑘Ω
𝑋𝐶𝐵𝑚𝑎𝑥 ≪ 𝑍𝑖𝑛
1
≪ 𝑍𝑖𝑛
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛𝐶
1
𝐶≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 𝑍𝑖𝑛
𝐶 ≫ 3.63 𝑢𝐹
𝐶𝐵 = 100 𝑢𝐹
𝑋𝐶𝐸 ≪ 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
𝑋𝐶𝐸 ≪ 71.25
1
𝐶≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 ∗ 71.25
𝐶 ≫ 0.11𝑚𝐹
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
𝐶𝐸 = 0.1𝑢𝐹
𝑋𝐶 ≪ 𝑅𝐿
1
𝐶≫
2𝜋𝑓𝑚𝑖𝑛 ∗ 1.8𝑘
𝐶 ≫ 4.42 𝑢𝐹
𝐶𝐶 = 100𝑢𝐹
4.2 Para al amplificador Emisor Común diseñado, realice las siguientes actividades.
𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐵2
𝑉𝑡ℎ =
𝑅𝐵2 + 𝑅𝐵1
26.6 ∗ 3.3𝑘
𝑉𝑡ℎ =
3.3𝑘 + 27𝑘
𝑉𝐵 = 2.89 (𝑉)
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅𝑡ℎ + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
2.89 − 0.7
𝐼𝐵 =
2.94 𝑘 + (100 + 1)248
𝐼𝐵 = 78.24 𝑢𝐴
𝐼𝐶 = 100 ∗ 78.24 𝑢𝐴
𝐼𝐶 = 7.824 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 7.824 𝑚𝐴 + 78.24 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 7.9 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
𝑉𝐸 = 248 ∗ 7.9 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 1.95 (𝑉)
𝑉𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 7.824 𝑚𝐴 ∗ 1.8𝑘
𝑉𝐶 = 14.08 (𝑉)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 10.57[𝑉]
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
26 𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
7.9 𝑚𝐴
𝑟𝑒 = 3.29Ω
1.8𝑘 ∥ 1.8𝑘
𝐴𝑣 = −
3.29 + 68
1.8𝑘 ∥ 1.8𝑘
𝐴𝑣 = −
3.29 + 68
𝐴𝑣 = −12.62
𝑅𝑡ℎ = 2.94 𝑘
𝑍𝑖𝑛 = 7.19 𝑘
𝑍𝑖𝑛 = 2.08 𝑘Ω
𝑍𝑖𝑛
𝐴𝑖 = 𝐴𝑣
𝑅𝐿
2.08𝑘
𝐴𝑖 = 12.62
1.8𝑘
𝐴𝑖 = 14.58
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝑍𝑜 = 1.8 𝑘
Calculo de error
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑡𝑒𝑜𝑟𝑖𝑐𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑒% = ∗ 100%
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑡𝑒𝑜𝑟𝑖𝑐𝑜
2.35 − 2.32
𝑒% = ∗ 100% = 0.8%
2.35
Análisis:
Calculo de error
3.25 − 3
𝑒% = ∗ 100% = 7.69%
3.25
Análisis:
El error que se presentó en la realización de la práctica fue porque se tuvo que colocar
dos fuentes que sumen el valor de la fuente de continua simulada, por esta razón no se
observó el valor cercano al simulado pero se encuentra dentro de un rango aceptable.
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
Calculo de error
8.85 − 8.8
𝑒% = ∗ 100% = 0.56%
8.85
Análisis:
El error que se presenta es mínimo, es decir que se puede tomar como similar o igual
al valor teórico o simulado, lo cual es lo que se desea.
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
Calculo de error
9.18 − 9.19
𝑒% = ∗ 100% = 0.11%
9.18
Análisis:
El error que se da en las corrientes es mínimo porque se han ocupado los elementos
calculados y con los valores y parámetros encontrados, por lo que el valor que se
obtiene es muy cercano al teórico o simulado.
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
VE VB VC VCE Ib Ie Ic Zin Zo
Av AI
[v] [v] [v] [v] [µA] [mA] [mA] [kΩ] [kΩ]
Valor
1.95 2.89 9 12.57 78.24 7.9 9.28 7.19 1.8 12 14.58
Calculado
Valor
2.05 3.25 8.85 14 77.95 8.1 9.23 7.3 1.8 12 15.2
Simulado
Valor
2.32 3 8.8 13.4 66 8.2 9.13 6.9 1.72 12 14.8
Medido
5 Preguntas:
Al imponerse valores de la resistencia de carga y con los valores obtenidos entre los
datos que brinda el fabricante del transistor, el diseño del amplificador se realiza con
mayor facilidad, pero si se pueden dar ciertas complicaciones si no se utilizan
correctamente los datos que impone el mismo.
Para que el amplificador cumpla las especificaciones impuestas se deben tomar los
valores máximos y mínimos que da el fabricante a los diferentes voltajes y corrientes del
transistor para que este se encuentre en la región de saturación, ya que de tomar valores
diferentes no se obtendrá lo deseado en el amplificador.
Por lo que primero se tomaron estos valores tomando en cuenta lo antes mencionado,
después de esto como se desea una ganancia grande, se debe analizar al mismo en los
peores y mejores casos que se puedan dar, es decir cuando Rl sea mucho mayor que Rc o
cuando sea mucho menor o igual, al realizar este análisis se podrá dar el mejor valor que
cumpla con las especificaciones impuestas, y con estos datos se pueden calcular los
faltantes.
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I
6 Conclusiones
7 Recomendaciones
8 Reflexión
9 Anexos
ESPE-DEEE ELÉCTRONICA I