Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
1 µ jω R04 R1 1 2 3 2
Xint = ln + R1 − R0
nc π R12 − π R02 2 (R12 − R02 ) R0 8 8
µ 1
Xint = jω 0 ln
2 π FC
sendo para cabo de alumínioµ = µ0
e FC− fator de correção; nc − númerosubcondutor no feixe
logo
1 1 1 1 R04 R1 1 2 3 2
ln = ln + R1 − R0
2 FC nc R12 − R02 2 (R12 − R02 ) R0 8 8
1 1 2 R04 R1 1 2 3 2
ln = ln + R1 − R0
FC nc R12 − R02 2 (R12 − R02 ) R0 8 8
1 2 R 04 R1 1 2 3 2
ln + R1 − R 0
1 nc R1 −R 0 2 (R1 − R 0 ) R 0 8
2 2 2 2 8
=e
FC
1 2 R 04 R1 1 2 3 2
− ln + R1 − R 0
nc R1 −R 0 2 (R1 − R 0 ) R 0 8
2 2 2 2 8
FC = e
0,45 m
2,2 m 12,5 m
4 5
3,44 m 3,7 m
1 8,50 m 2 8,50 m 3
30,5 m
Exemplo do cálculo da impedância de
seqüência positiva
− µ0 DMG
Z1 = R int + jω ln
2 π R1'
− µ0 3 8,5.8,5.17
Z1 = R int + jω ln
2π 0,8. 0,014795
−
Z1 = 0,05988 + j 0,51327 [Ω/km]
Cálculo exato
−
Zpositiva = 0,061422 + j 0,513036 [Ω/km]
Admitância em modo (linha
transposta)
Se a linha for transposta teremos :
Pp Pm Pm
1
V = Pm Pp Pm ⋅ Q
2 π ε0
Pm Pm Pp
onde
2 h1 2 h2 2 h3
ln + ln + ln
R1 R2 R3
Pp =
3
D12 D13 D 23
ln + ln + ln
d12 d13 d 23
Pm =
3
Admitância de seqüência
positiva
Dada uma matriz da forma
Pp Pm Pm
P = Pm Pp Pm
P Pm Pp
m
Logo
1
Va =
1
2 π ε0
( 1
Pp − Pm . Qa)
Substituindo :
1 2 h1 2 h 2 h
ln + ln 2 + ln 3
3 R R R
1 1 1 2 3
Va = ⋅ Q1a
2 π ε0 1 D12 D13 D 23
− ln + ln + ln
3 d12 d13 d 23
3 2 h .2 h 2 h
ln 1 2. 3
3 R .R .R
1 1 1 2 3 Q1
Va =
2 π ε0 a
3 D .D .D
− ln 12 13 32
3 d .d .d
12 13 32
3 d .d .d
Va1 ≈
1 ln 12 13 32 Q1
2 π ε0 3 R1.R 2 .R 3 a
DMG
Va1 ≈
1 ln Q1
2 π ε0 3 R1.R 2 .R 3 a
Capacitância de seqüência
positiva aproximada
−1
DMG
C1 ≈ 2 π ε0 . ln
R1
−1
DMG
C1 ≈ 2 π ε0 . ln
RMG
Exemplo do cálculo da admitância de
seqüência positiva
− −1
DMG
Y1 = jω 2 πε0 ln
R1
−1
− 3 8,5.8,5.17
Y1 = jω 2 πε0 ln
0,014795
−
Y1 = j 3,18366 [S/km]
Erro de 1,4 %
Cálculo exato
−
Y positiva = j 3,228917 [S/km]
Exemplo 2
Dados do solo
Resistividade – 2000 Ω.m
28,0 m
a
b c
14,34 m 14,34 m
0,457 m
hPRmédio – 55,8 m
hφmédio – 42,34 m
0,457 m
Rcc 0,0509
Rint = = = 0,012725Ω / km
nc 4
Xint − incluir fator na reatância externa
1 2 R 04 R1 1 2 3 2
− ln + R1 − R0
4 R12 −R 02 2 (R12 − R 02 ) R 0 8 8
FC = e
R1 = 0,016 m
R0 = 0,004 m
FC = 0,945816
Impedância de seqüência positiva
– cálculo aproximado
Rcc
Rint = = 0,012725 Ω / km
4
Z1 = Rint + j X1ext
1 µ0 DMG
Xext = ω ln
2 π RMG
DMG = 3 dab .dac .dcb (distânciasaos centrosdos feixes)
DMG = 3 14,34 . 14,34 . 28,68 = 18,0673
RMG = 4 (R1. FC) . da1a 2 .da1a3 .da1a 4
1
Z = 0,012725 + j 0,334955 Ω / km
Admitância de seqüência positiva
– cálculo aproximado
−1
1 DMG
Y = jω2 π ε0 ln
RMG
DMG = 3 dab .dac .dcb (distânciasaos centrosdos feixes)
DMG = 3 14,34 . 14,34 . 28,68 = 18,0673
RMG = 4 R1.da1a 2 .da1a3 .da1a 4 (dist. sub − condutores)
1
Y = 4,73361µS/km
Capacitância de LT’s 3φ, circuito duplo
(com transposição)
( ) (r Da1a 2 )
rSA = 4 r Da1a 2 2 =
1 µ0 GMD
X = j ω ln
2π GMR C