DISEÑO DE CIRCUITOS DIGITALES PARA COMUNICACIONES

Práctica 1
Layout y características del transistor MOSFET

INTRODUCCIÓN: el transistor MOS como interruptor.

El transistor MOS en electrónica digital se comporta básicamente como un interruptor.
Cuando se utiliza en un diseño lógico puede estar en ON o en OFF. Cuando se encuentra en
ON circula una corriente entre el drenador y la fuente. Por el contrario, cuando se encuentra
en OFF no circula ninguna corriente entre estos terminales. En la tecnología CMOS se utilizan
los dos tipos básicos de MOS: el de canal N y el de canal P. Los símbolos eléctricos utilizados
por el programa de simulación eléctrica Dsch2 aparecen en la figura siguiente, así como los
símbolos de las fuentes de tensión VSS = 0 V y VDD > 0 V. En el ámbito de la lógica positiva a
VSS se le asigna el “0” lógico y a VDD el “1” lógico.

Conectada su fuente a la tensión adecuada, para que el MOS de canal N se encuentre en

ON es necesario que en la puerta aparezca un “1” (VDD). Por el contrario el MOS de canal P
necesita un “0” (VSS). Cuando el MOS está en ON la impedancia fuente-drenador se
comporta como una resistencia de valor pequeño, entre 100 Ω – 5 KΩ . La resistencia en OFF
puede considerarse infinita (circuito abierto), ya que su valor es de varios MΩ.

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PRIMERA PARTE: layout del MOS – diseño manual.

1. Iniciar Microwind2 a través de su icono en el escritorio .

2. Observar en la paleta que por defecto se encuentra activada la capa de polisilicio (en
rojo). Observar también que la tecnología utilizada es la definida por defecto: 0.12
μm (λ = 0.06 μm).
3. Fijar la primera esquina de una caja de polisilicio con el ratón. Manteniendo el botón
izquierdo del ratón presionado moverlo hacia la esquina opuesta. Soltar el ratón.
Esto crea una caja en la capa de polisilicio. Su anchura no debe ser inferior a 2λ, que
es la anchura mínima permitida.
4. Cambiar la capa activa a la capa de difusión N+. Dibujar una caja de difusión N+ como
muestra la figura. La capa aparecerá en verde. La intersección entre la capa de
difusión y el polisilicio crea el canal del dispositivo NMOS.

Para visualizar la sección transversal del MOS pinchar en el icono o bien en

Simulate >> Process section in 2D. A continuación pinchar con el ratón el comienzo
de la sección, desplazarlo y soltarlo en el final. Se abrirá una ventana y aparecerá un
dibujo similar al de la figura.

Donde se pueden distinguir perfectamente las distintas partes de que consta el

MOSFET de canal N.
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SEGUNDA PARTE: características estáticas del MOS.

1. Pinchar en el icono de característica del MOS y visualizar las distintas

características estáticas del MOS. En la figura podemos ver un ejemplo.

La tensión de puerta más alta corresponde a la característica con una corriente Id

mayor. Para Vg = 0 V Id vale 0 A. En la parte derecha de la ventana aparecen los
parámetros del MOS que se extraen del layout utilizando diferentes modelos. En este
caso se ha escogido el modelo de nivel 3 del PSPICE. Obsérvese que al cambiar la
pestaña cambiamos el modelo y por tanto cambian las características del MOS.
Escoger el nivel 1 (modelo manual).
Además de estas características, también es posible visualizar Id vs Vg, log(Id) vs. Vg
etc... Cambiar la escala de los ejes y los parámetros. También se pueden visualizar las
características correspondientes a un MOS de canal P con las mismas dimensiones
pulsando el botón . Analizar las diferencias en las características de ambos
transistores. ¿Cuáles son las diferencias más destacadas? ¿Utilizando el modelo 1 de
los transistores, es posible justificar los resultados?
2. Utilizando el modelo manual (modelo 1), variar las dimensiones del MOSFET con
ayuda del menú desplegable que aparece en la ventana de características
. Para ajustar la escala a las nuevas características, pulsar
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. Analizar los resultados obtenidos en las características Id vs. Vd e Id-sat vs.
Vg. ¿Varían los valores de Id-sat adecuadamente con las dimensiones del MOSFET?

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Cuidado al visualizar las características: al aumentar la escala suele ocurrir que las características de
salida convergen aproximadamente en el centro del diagrama. Esto no es real, es debido a un fallo del
programa que hace que no se aproveche todo el eje Y que aparece en la figura de modo que las características
situadas en la parte superior se recortan y se confunden con otras.

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TERCERA PARTE: características estáticas del MOS – Comparación entre los distintos
modelos y características reales.
Aunque en el apartado anterior hemos diseñado un MOS interseccionando una capa de
difusión N+ y otra de polisilicio, la manera habitual y más segura de crear un MOS es utilizar
la herramienta de generación de MOS. Para ello no hay más que pinchar en la paleta el
icono o bien en Edit >> Generate >> n-MOS Device, apareciendo la ventana:

Los parámetros que se pueden variar son la anchura (W), longitud (L), el número de MOS
en paralelo y el tipo de MOS, de canal N o P (el de canal P incluye también el pozo N).
También por defecto están incluidos las interconexiones y los contactos del drenador y
fuente al nivel de metal 1.
1. Seleccionar la tecnología de 0.25 μm (File >> Select Foundry >> cmos025.rul).
2. Generar un MOS con los siguientes parámetros: W = 10 μm y L = 0.25 μm.
3. Visualizar las características utilizando el modelo 1.
4. Pinchar en el icono y seleccionar el fichero Nb10x0,25.MES. La “N” significa MOS de
canal N. La “b” corresponde a un chip llamado “BETA” fabricado en tecnología de 0.25 μm.
Los valores 10x0,25 significan que W = 10 μm y L = 0.25 μm.
5. Analizar los resultados obtenidos. ¿A qué es debida la discrepancia?. ¿Qué ocurre si
lo comparamos con la simulación con el modelo 3? A la vista de los modelos, analiza por qué
las diferencias se reducen.

CUARTA PARTE: características estáticas del MOS de tecnologías submicrónicas.

En las tecnologías más avanzadas (0.12 - 0.18 μm) el programa Microwind2 nos permite
seleccionar tres tipos de MOS distintos. Al incluir un transistor MOS en el diseño, la ventana
que aparece es ligeramente distinta a la anterior. Tiene esta apariencia:

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 Se puede seleccionar un MOS de baja corriente, de alta velocidad o de alta tensión. El
layout de todos ellos es muy similar pero no ocurre así con sus características. En la ventana
de simulación de las características se puede seleccionar también el tipo de MOS. Analizar
las diferencias, en las características estáticas y en los parámetros utilizados en el modelo 1,
entre estos tres tipos de transistores.

QUINTA PARTE: variación con la temperatura.

Los transistores MOS son sensibles a la temperatura. La dependencia más fuerte con la
temperatura la sufren los parámetros de la tensión umbral VT0 y el coeficiente de
transconductancia KP. El efecto de la variación de estos parámetros con la temperatura se
modela según:
𝐾𝑝 (𝑇) = 𝐾𝑝 (𝑇0 ) − (𝑇 − 𝑇0 )𝑒 −1.5 [𝜇𝐴/𝑉 2 ]
𝑉𝑇0 (𝑇) = 𝑉𝑇0 (𝑇0 ) − 0.002(𝑇 − 𝑇0 ) [𝑉]
con T0 = 300 K.
Para obtener la variación de las características con la temperatura se procede de la
siguiente manera:
• Se visualizan las características del MOS 2.
• Activar el modo de memoria de la pantalla pulsando el icono .
• Cambiar la temperatura utilizando . Se puede reducir el número
de curvas a una temperatura determinada dejando a 0 el valor del parámetro. Por
ejemplo en las características Ids vs Vg, dejando Vb = 0 V con .
Realizar un estudio de la variación con la temperatura de las características de un MOS de
canal N fabricado en la tecnología de 0.25 μm y con unas dimensiones de W = 1.25 μm y L =
0.25 μm utilizando el modelo 3.

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Siempre que se quiera “resetear” las características y volver a dibujar hay que desactivar
el botón memoria de la pantalla ( ) y a continuación, una vez elegidos los parámetros de
la nueva curva a dibujar, pulsar el botón .
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